吃为什么研究铜锌锡硫可以补充铜锌硒硫

铜锌锡硒光伏材料及硒化铟/二硫囮钼二维异质结光电材料的研究

  1.2 光伏材料介绍
    1.2.1 光伏材料发展
    1.2.2 新型光伏材料
  1.3 铜锌锡硫硒(CZTSSe)光伏材料
    1.3.4 高效CZTSSe太阳能电池面临问题
  1.4 二维光电材料
    1.4.2 二维二硫化钼(MoS_2)
    1.4.4 二维材料异质结
  1.5 论文研究内容和章节安排
第二章 实验技術及表征测试手段
  2.1 实验试剂及前驱体材料
  2.2 制备样品过程中主要实验技术
    2.2.1 电化学沉积
    2.2.2 双温区硒化退火装置
    2.2.3 二维材料转移技术
  2.3 制备器件过程中主要实验技术
    2.3.1 光刻蚀技术
    2.3.2 电子束刻蚀技术
  2.4 样品表征技术
    2.4.2 拉曼散射譜
  2.5 光电器件测试平台
第三章 CZTSe薄膜的制备及表征
  3.2 电化学沉积后硒化法制备CZTSe薄膜
    3.2.1 循环伏安法测定Cu-Zn-Sn沉积电位
    3.2.2 恒电位法淛备Cu-Zn-Sn合金薄膜并硒化
  3.3 溶胶-凝胶后硒化法制备CZTSe薄膜
    3.3.1 Mo衬底温度对CZTSe薄膜的影响
    3.3.2 纯净CZTSe薄膜的硒化衬底温度
  3.4 溶胶-凝胶后硒囮法制备CZTSSe薄膜
第四章 光与二维半导体异质结的相互作用
  4.2 随机转移法制备二维半导体异质结
    4.2.1 随机转移二维材料工艺
    4.2.2 衬底温度对二维材料附着力的影响
    4.2.3 随机转移法制备MoS_2/In Se二维半导体异质结
  4.3 二维半导体异质结中拉曼强度增强和减弱效应
  4.4 二维半導体异质结中拉曼强度变化理论模拟
    4.4.1 光在二维半导体异质结中多重折射和反射模型
    4.4.3 随厚度变化的In Se/MoS_2异质结中拉曼散射强度汾析
  4.5 光在二维半导体异质结中的分布与吸收
    4.5.1 光在二维半导体异质结中的分布
    4.5.2 光在二维半导体异质结中的吸收
第五章 基于二维In Se/MoS_2异质结的光电探测器
  5.2 基于二维材料的光电探测器机理及参数
    5.2.1 光电探测器机理
    5.2.2 光电探测器重要参数
    5.3.3 In Se/MoS_2異质结光电探测器的光电流分布及原因
第六章 论文总结及展望
  6.2 论文创新点
  1.1 理论模型及参数
  1.2 光在二维半导体异质结中的分布
  1.3 光在二维半导体异质结中的吸收
  1.4 光在二维半导体异质结中的散射

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