三极管工作原理_百度文库
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三极管工作原理|
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你可能喜欢关于三极管的饱和区_百度知道
关于三极管的饱和区
是不是假如Ib非常大时，就会使Vce变得很小，三极管很容易饱和?因为按照上面的理解，集电极的正偏，导致集电极反偏，Ic呈Ib的β倍增加。那这样要想三极管再放大区工作，其他条件一定时，达到饱和，此时随着Ib增大，随着基极电流Ib增加，我的理解是，电阻Rc上的电压降越来越大，集电极反偏。这样的话，在输出电路中，而Vce越来越小会导致集电极的电位比基极电位小？谢谢大家，Ic不再增加;=Ib*β，若首先发射极正偏：当集电极和发射极间的电源Vcc一定，导致Vce越来越小，其大小Ic&lt，三极管的输入端电流是不是也有一定限制，从而导致三极管饱和，即属于放大区时，随着Ic的增加对于NPN型三极管的饱和区，Ic很容易变得很大，且维持不变
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的，电源利用率较高。 但是可以在一定的条件下利用三极管的饱和与截止现象制造出开关电源和数字脉冲功放。如果基极电流过大，三极管饱和后波形就失真了，三极管并不是无限制放大的。这种情况下三极管处于放大区的时间极端，发热量很低
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这是基于你说的其它条件一定时才会成立是，饱和。β也会影响三极管是否工作在放大
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, All Rights Reserved怎么样使三极管工作在截止区？_百度知道
怎么样使三极管工作在截止区？
基极控制开关为例、共射极输出想做一个开关，请以9013，讲解怎么样选择适合的电阻来使其工作在截止区
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，但当Uce高于2伏后、放大区和饱和区、晶体三极管（NPN）的结构 图一是NPN管的结构图，其估算公式为，Icbo数值增大一倍，失去了放大功能，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。 （4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，在一定温度下是个常数，如果β太小，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，两者除了电源极性不同外，而对于硅管温度每升高8℃。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式。高频三极管的α＞0，发射结的反向击穿电压称为BVEBO，小功率锗管的Iceo比硅管大，同时基区做得很薄，集电集仍有小量电流通过.707倍的频率，Icbo数值增加一倍，工作点落在饱和区： β= △Ic&#47： β= △Ic&#47，这就是所谓电流放大作用。 3。 （3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，所以称为集电极一基极的反向饱和电流，集电结处于反偏状态，发射极开路（Ie=0)时，放大时。 三，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时;Ie毫伏） rb为三极管的基区电阻，即Ic=Iceo称为穿透电流，集电结的反向击穿电压称为BVEBO，要严格控制杂质含量：β--称为直流放大倍数，三极管截止时，定义为，影响放大质量，可能判别其工作状态，对于锗管,而集电区与基区形成的PN结称为集电结，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流。 2）当Ube＜UbeR时： β1=Ic&#47。 （2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时：截止区，放大区，Ic基本上不随Ib而变化，它们之间的关系为，β就下降，使用时如果Vce＞BVceo，它与集电极反向电流Icbo的关系是，当β下降到1时、三极管的输入特性与输出特性 截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，虽然不致使管子损坏，它分为三个区域。 图2;Ib 2，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时,三条引线分别称为发射极e， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为，锗管约为几十微安至几百微安： β1=Ic&#47，而且，性能越稳定: rbe=(△Ube&#47，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理： α= β&#47，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，但因前者的浓度基大于后者。 在制造三极管时，三极管和导通时，Ic与Ib是维持一定的比例关系;3或1&#47，rb约为300欧，工作点落在截止区，这股电子流称为发射极电流Ie，这样，其特点是，电流放大作用虽然大。 二：锗管和硅管，引起β值下降到额定值的2&#47，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成。 饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，锗管的Icbo约为10微安，而C点电位高于b点电位几伏时，Icbo很小，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给;Ib 式中，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，发射结处于正偏状态，如果β太大、三极管的主要参数 1、三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种、fα 当β下降到低频时0，它实际上是发射结的反向饱和电流，就可以在集电极上得到一个较大的Ic、输入特性 图2 （b)是三极管的输入特性曲线;（1-α）≈1&#47，电流放大作用差、基极b和集电极、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，温度每升高12℃，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 图1，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数，所以有时为了方便起见，即,加上集电结的反偏： Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，即，β值约为几十至一百多;△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数： Ie=Ib+Ic 这就是说，故α＜1： fβ≈（1-α）fα （4）特征频率fT因为频率f上升时，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，但性能往往不稳定，由于发射结正确，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic、交流参数 （1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法、fα是表明管子频率特性的重要参数一。 3）三极管输入电阻，它只与温度有关、直流参数 （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，其值越小，在基极补充一个很小的Ib，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，管子就会被击穿，但β值显著下降；当α下降到低频时的0，对两者不作严格区分;△Ib)Q点.90就可以使用 α与β之间的关系，所以通过发射结的电流基本上是电子流： α=△Ic&#47，则Ib≈0。 （3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，一旦接通电源后，常温时Iceo约为几微安。良好的三极管。 当b点电位高于e点电位零点几伏时。所以当Ic超过ICM时，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管。 （2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时。 截止区 当Ube＜0时。 （5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，是毫微安级，就是共基极的截止频率fαo fβ，放大区是三极管工作在放大状态的区域，三极管工作在较直线的区段，而硅管的Icbo则非常小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，即Pc=Uce×Ic;（1+β） β= α&#47，但由于分子的热运动;△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间;△Ie 因为△Ic＜△Ie：1）当Uce在0-2伏范围内，大功率锗管的Icbo可达数毫安，对低频小功率管，发射区没有电子注入基区，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得，没有交流信号输入时，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可;（1-α） （3）截止频率fβ，即。 （4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法.707倍的频率，曲线位置和形状与Uce 有关。 三极管是一种电流放大器件.使用时庆使Pc＜PCM。 2，就是共发射极的截止频率fβ，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的。根据三极管发射结和集电结偏置情况： rbe=rb+(β+1)(26毫伏&#47。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，这时的Ic值称为ICM，由于低频时β1和β的数值相差不大，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，它表示Ib随Ube的变化关系、输出特性 输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性可见、三极管的特性曲线 1。 PCM与散热条件有关，通过电阻转变为电压放大作用，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，其工作原理都是相同的，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合。 由于基区很薄，Ib随Ube增加而增加，即;2，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，Ic随Ib近似作线性变化，温度要升高
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（把基极串电阻，基极电流小于一毫安就可以，基极高电位三极管处于饱和状态。基极低电位三极管就处于截止状态，C E之间导通，集电极 C 和发射极 E 之间阻值很大，接到电源正极就是高电位）选择电阻要取决于工作电压，基极就是低电位，可视为开路，电阻的另一端接到电源负极，直接带负载不能超过200毫安你要做的开关多用于教学演示，如果用5伏电压一般用10K－100K都可以
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出门在外也不愁三极管的原理和应用_百度知道
三极管的原理和应用
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//&#47。当不工作的时候，所以、截止区的比喻描述的有点问题;//&#47，只能通过小阀门的水力打开;&#47，三极管的稳定性越高;&#47，但是 你关小 小阀门的话，可以把三极管分为PNP管和NPN管;////&#47。按照内部结构来区分，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区;术语说明&#47、分类 按放大原理的不同;&#47，因为此时江水达到了很大很大的程度;//////&#47。所以;&#47、大功率三极管等;&#47，并没有水流出来;////&#47，三极管可以用来放大信号和控制电流的通断;/&#47，大阀门随之打开;/&#47，完美的控制就完成了，因为太大。如果按照三极管的功耗来区别： 三极管是由两个PN结组成的，这就是二极管的击穿;/&#47。//&#47，水流流出，平常的工作流程便是。但三极管厉害的地方在于。这就是三极管中的截止区;/&#47,Bipolar Junction Transistor )和单极性（MOS/&#47。管理员这时候打开了小阀门;////&#47，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门;&#47:///////////////&#47，使三极管有更强的控制能力;&#47，集成电路也是由许多三极管按照一定的电路形式连接起来;////&#47，水流也会流;/&#47，一个大阀门、三极管反向击穿特性:///&#47.net/hoope/archive//3262644;////&#47、作用与应用 三极管具有对电流信号的放大作用和开关控制作用;&#47，很小的水流涓涓流出;/&#47、三极管的重要参数1。而且;&#47，导致有缺口产生。三;&#47、三极管 三极管是两个PN结共居于一块半导体材料上，天气很旱;&#47：它可以通过小电流控制大电流放大的原理就在于;//&#47，两只管按照一定的方式连接起来;//////&#47；但β值不能做得很大;/&#47，具有某些用途的元件;////&#47。4;&#47，这个击穿电压变低。饱和区是一样的;/&#47，汹涌的江水滔滔流下;///////////&#47。饱和区;////&#47，有两个阀门：能量不会无缘无故的产生;////&#47，假若能严格地按比例改变;/&#47，三极管一定不会产生能量;////&#47。如果不开阀门江水就自己冲开了;/////&#47。在这里;///&#47，实现了基极电流对集电极电流的控制;/&#47。 三极管实际就是把两个二极管同极相连;/////&#47：应该是那个小的阀门开启的还不够。没有信号的时候;&#47，Ube就是小水流，Uce就是大水流;&#47。你后面的那些关于饱和区;////&#47，这种情况是截止区;////&#47。小阀门可以用人力打开;&#47、β值 β值是三极管最重要的参数;///&#47。一般来说;///&#47，使性能下降或永久损坏，三极管的β值不是一个特定的指;///&#47，它们就会随着频率的升高而急剧下降;&#47，随着小阀门的开启。当然;/////&#47。在电源。假设三极管是个大坝;&#47.net/hoope/archive//3262644;//&#47，具有更强的工作能力，会更确切。所以;/&#47，人力是打不开的;/&#47。3;&#47。引用你的比喻;&#47。如果某一天，江水没有了;////&#47，呵呵;&#47。而在数字电路中;////&#47，这个大坝奇怪的地方是;&#47，就会像二极管那样被击穿。击穿区;/&#47：比如有水流存在一个水库中，而MOS型一般是电压控制器件;/&#47: Metal-Oxide-Semiconductor or MEtal Semiconductor）三极管;&#47，那么;&#47，所以;////&#47，那么大阀门也相应地不停改变.csdn，人们就打开小阀门;/&#47。在模拟电路中;/////&#47，如果反向电压超过额定数值;//&#47：应该是小的阀门开启的太大了。线性区;///&#47，切记一点，反之亦然;/&#47，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小;/&#47，不工作的时候;///&#47，也就是大的水流那边是空的;&#47，;/&#47，阀门是完全关闭的;&#47，每当放水的时候;////&#47，但是你肯定是知道这些原理的;&#47：/&#47，如果把水流比为电流的话;//&#47，如果超过频率范围;////////&#47，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。 二，它一般伴随着元件的工作状态而小幅度地改变;//////&#47，三极管的性能不太稳定;//&#47，但因为没有水流的存在;&#47。三极管是最重要的电流放大元件;&#47，没有功耗;/&#47，我修改一下吧。它是电流控制元件;&#47极管工作原理三极管原理 对三极管放大作用的理解;&#47，一个小阀门;//MES型;&#47。如果不停地改变小阀门开启的大小;/&#47：截止区，控制大的静态直流：通过小的交流输入，所以;///&#47
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