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功率集成技术实验室研究成果被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道-电子科技大学微电子与固体电子学院
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功率集成技术实验室研究成果被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道
作者:微固学院
来源:微固学院
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PITEL研究成果获《Semiconductor Today》专栏报道
& & &近日,电子科技大学微电子与固体电子学院周琦博士以第一作者在微电子器件领域顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表的论文“High Reverse Blocking and Low Onset Voltage AlGaN/GaN-on-Si Lateral Power Diode with MIS-Gated Hybrid Anode”(具有金属绝缘层半导体栅混合阳极结构的高反向阻断与低开启电压硅基AlGaN/GaN异质结横向功率二极管)被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》作为宽禁带半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)器件的重要研究进展进行专栏报道。电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室是该论文的唯一作者单位。
& & &基于第三代宽禁带半导体的GaN-on-Si技术具有电源利用效率高、成本低、与CMOS工艺兼容等优点,被国际学术界和半导体产业界普遍认为是继传统硅基半导体技术之后未来可能被大规模应用的高性能、低成本功率半导体技术。微固学院张波教授团队是国内最早提出并开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队之一,并于2013年组织并承担了我国首个针对GaN-on-Si技术的国家科技重大专项。周琦博士2012年于香港科技大学毕业后加入张波教授团队一直专注于宽禁带氮化镓半导体技术的研究,参与了国家科技重大专项、国家自然科学基金重点项目等多项国家级课题的研究,本工作就是在国家科技重大专项的支持下完成的。
& & &论文提出一种具有凹栅/欧姆接触混合阳极新结构的横向功率二极管,突破了传统肖特基二极管的电流输运机制,利用凹栅实现对AlGaN/GaN异质结能带及二维电子气(2DEG)沟道的调制进而控制器件的正向导通与反向关断。器件正向导通时电流由混合阳极欧姆接触部分传导从而大幅降低了器件导通损耗,器件反向阻断时2DEG沟道被混合阳极凹栅结构耗尽进而提高器件反向耐压。另外,文中还通过引入High-k介质提高凹栅结构的稳定性,器件在150oC高温下仍然具有很好的反向阻断特性,突破了传统肖特基二极管反向阻断特性随温度升高而急剧衰退的弊端。该研究成果在器件正向开启、导通损耗、反向阻断和热稳定性四方面综合性能达到硅基GaN功率二极管国际领先水平(如上右图所示)。同时,该二极管与增强型GaN功率晶体管兼容,为进一步实现GaN单片功率集成电路奠定了基础。
& & &《IEEE Electron Device Letters》期刊是微电子器件领域的顶级国际期刊之一,2013年度影响因子为3.023。期刊注重在器件结构、器件物理机制和制备技术等方面的创新性,每年只收录约50篇GaN器件方面的论文。
& & &《Semiconductor Today》是总部位于英国具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志。专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。
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安徽蚌埠附近,做晶圆的微电子半导体公司有哪些,分别是做多少寸的
提问者采纳
真心不知道。好像蚌埠附近这种公司不多,合肥有
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太给力了,你的回答完美地解决了我的问题,非常感谢!
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09微电子寻工艺职位
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& && && && && & 拜谢!
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大神们给给意见吧。。。拜求
大神们、、、给给建议吧。。。
厦门开了家新厂,不过是6寸的小厂,现在不知道招满了没,你可以打电话问一下。&&F4 [' K; {9 Q# D) |: ~
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