请教下面的三极管的作用什么意思。 三极管的作用30...

东芝MG30T1AL1三极管是什么管子?_百度知道
东芝MG30T1AL1三极管是什么管子?
谢谢请问谁知道东芝MG30T1AL1三极管的相关参数?原管的价格是多少,用什么三极管能代替
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代换前一定要检查其他元件有有没有坏,不能随便用其他三极管代换,否则装上又会烧了。可用G40N150D代换。30A,1200V这是电磁炉专用IGBT管
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出门在外也不愁能不能解释一下下表三极管参数是什么含义?下面是常用三极管的参数,但有些参数不是很明白,请教大侠:型号
材料与极性
ft(MHz) 3DG6C
>100 3DG7C
>100 3DG12C
>300 3DG111
>100 3DG112
>100 3DG130C
150 3DG201C
1.1G C8050
200 2N5551
100 2N4124
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成.五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料.第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件.第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推.第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志.S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型.A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅.第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号.两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品.第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志.A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品.3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱.美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:第一部分:用符号表示器件用途的类型.JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品.第二部分:用数字表示pn结数目.1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件.第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志.N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记.第四部分:美国电子工业协会登记顺序号.多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号.第五部分:用字母表示器件分档.A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别.如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档.4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法.这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:第一部分:用字母表示器件使用的材料.A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg100 意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz.
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耐压120V很明显,频率特征F=3兆,放大倍数15-50,PNP低频大功率锗管,电流5A
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他是国产管3——三个极,A——PNP锗管,D——低频大功率管,30——生产序列号
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s0230三极管用什么代替
三极管,两侧部分是发射区和集电区,是电子电路的核心元件,具有电流放大作用,全称应为半导体三极管,一个接5V、晶体三极管,是半导体基本元器件之一。三极管,有3个脚。晶体三极管。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,中间部分是基区,排列方式有PNP和NPN两种, 也用作无触点开关,(更多接电源功率管发射极),是开关电源控制集成电路,一个接地,也称双极型晶体管,一个接控制输出(更多接光电耦合器),两个PN结把整块半导体分成三部分
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品牌NIF型号SGW30N60,G30N60种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型
Infineon型号G30N60HS种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式耗尽型这两个是场效应管,但还是有区别的。
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