怎样用两片7486并联方式构成8位2进制文件比较器器

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数电第4章_组合逻辑电路详解.ppt172页
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数制转换 键盘输入8421BCD码编码器功能表 当浮栅上带有负电荷时,使得MOS管的开启电压变高,如果给控制栅加上VT1控制电压,MOS管仍处于截止状态。 若要擦除,可用紫外线或X射线,距管子2厘米处照射15-20分钟。 当浮栅上没有电荷时,给控制栅加上大于VT1的控制电压 ,MOS管导通。 a.叠栅注入MOS SIMOS 管
25V 25V GND 5V 5V GND
浮栅无电子
编程前 i D
浮栅无电子
浮栅有电子
5V 5V GND 5V 5V GND 导通 截止 L
B?C 连接 连接 断开 断开 浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A
埃 的薄绝缘层――遂道区。 当遂道区的电场强度大到一定程度,使漏区与浮栅间出现导电遂道,形成电流将浮栅电荷泄放掉。 遂道MOS管是用电擦除的,擦除速度快。 b.浮栅隧道氧化层MOS Flotox MOS 管
结构特点: 1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区,而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的; 2. 浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。 c.快闪叠栅MOS管开关 (Flash Memory
(自学) 特点:结构简单、集成度高、 编程可靠、擦除快捷。 EPLD CPLD FPGA 4.5 组合可编程逻辑器件 3.
1 . 按集成密度划分 PROM PLA PAL GAL 低密度可编程逻辑器件 (LDPLD) 高密度可编程逻辑器件 (HDPLD)
可编程逻辑器件 (PLD) 4.5.1 PLD结构、表示方法及分类 4.5 组合可编程逻辑器件 3.
2 . 按结构特点划分 ①. 简单PLD
②. 复杂的可编程器件 CPLD
: ③. 现场可编程门阵列 FPGA
4.5.1 PLD结构、表示方法及分类 4.5 组合可编程逻辑器件 3.
3 . 按PLD中的与、或阵列是否编程划分 与阵列固定,或阵 列可编程 PROM
与阵列、或阵列 均可编程 PLA
与阵列可编程,
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第三章 组合逻辑电路(1)
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