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TiO2PAN碳化纳米纤维的制备及其光催化降解腐殖酸研究
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半导体工业废水中砷等有毒重金属元素有效去除的研究_[全文]
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半导体工业废水中砷等有毒重金属元素有效去除的研究
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电器学湖南大学课件.ppt 525页
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电器学湖南大学课件
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电器学 湖南大学 概述 电器的发热与电动力——热稳定性和电动稳定性 大型设备必须考虑的问题 电力系统中在线监测的主要内容之一 本章研究内容 热源 允许温升 电器的工作制 发热和散热的计算方法 电动力及其计算 交流电的电动力 短路电流的电动力
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第一节 电器中的基本热源
产生热源的三个主要方面：电阻（含接触电阻）损耗、交流电器导磁材料的涡流和磁滞损耗，以及交流电器绝缘材料的介质损耗。
电器中的热源 1）载流体的导体损耗【交、直流】 2）铁损（磁滞、涡流） 【交流】 3）绝缘体的介质损耗【交流】
HVDC的优势之一： 只有第一种损耗 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第一节 电器中的基本热源 焦耳定律
直流时电阻的计算
实际中常常用简化了的二项公式 工程计算公式1－5
注意常用的铜和铝电阻计算的误差情况 P7 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第一节 电器中的基本热源 交流情况下的附加损耗——集肤效应和邻近效应 集肤效应（图1－1） 电流在导体截面的不均匀分布 本质：交变磁通在导体内感生反电势，阻止原电流的流通 电磁波在导体的渗入深度b（式1－7的由来）
一些结论： 越靠近表面电流密度越大 集肤效应还要考虑到截面形状的影响 集肤效应系数Ks &＝1 邻近效应（图1-2） 本质：导线之间的相互影响使各自的电流密度不均有 影响因素：电流频率、导线间距、截面形状和尺寸等
附加损耗系数Ka 通过交变电流和通过直流电流时产生的损耗之比
其中，集肤效应：Ks，邻近效应Kn 综合考虑集肤效应和邻近效应 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第一节 电器中的基本热源 铁损：非载流铁磁部件在交变电磁场作用下产生的的损耗 铁(磁)损(耗) ＝ 磁滞损耗＋ 涡流损耗
式（1－8）～（1－10） 损耗与f成正比例 工程上一般 通过试验确定 查手册求取
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第一节 电器中的基本热源 影响因素： 材料、温度、环境状况 加工、处理工艺等 高压电器必须注意 低压电器可忽略 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第二节 电器的允许温度和温升 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第二节 电器的允许温度和温升 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第二节 电器的允许温度和温升 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第三节 电器的散热与综合散热系数 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第三节 电器的散热与综合散热系数 1）热传导 定义：热能在质点间的传递；
本质：质点间的直接作用（电子、分子等的热运动） 热能从物体的一部分向另一部分传递 热能从一物体向与之接触的另一物体传递
范围： 所有物质 固体物质的主要传热方式 金属热传导过程借助自由电子，比其它物质传热快
充要条件：存在温差 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第三节 电器的散热与综合散热系数 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第三节 电器的散热与综合散热系数 热导率(导热系数)
注意： （1）λ越大，物体的热传导能量越强，且有“λ金属&λ非金属&λ液&λ气”。 （2）金属的
（3）不同物质的热导率相差甚大 P11 银425、铜390、铝210、黄铜85 气体0.006~0.6
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第三节 电器的散热与综合散热系数 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第三节 电器的散热与综合散热系数 2）对流 第一篇
电器的理论基础
第一章 电器的发热与电动力
第三节 电器的散热与综合散热系数 相关物理现象
图1-4 层流——稳定、平行的运动 注：贴近物体表面的层流一部分是热传导方式 紊流——紊乱
分类：自然对流和强迫对流
自然对流：流体质点因温度升高而上升形
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负载型金属修饰的复合半导体的制备及其光催化CO2和C3H8合成异丁烯醛的反应性能.pdf 121页
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二氧化碳和丙烷畿按合成异丁烯醛在低碳烷烃靶C02资源利用及烃类氯化
稳台成方鬣其袁重要静疆谂意义秘液焉价僮。本论文璃气．阖汽罐纯反应技术应
用于这一反应体系，系统深入地研究了负载型金属修饰的复合半导体的设计和制
备，以及圆体材料的袭蕊化学构造和能带结构与篡吸光特性、化学吸附能力和光
继讫反盛‘陡笺载关联。
一、叛互监Si02簸嚣态载髂蕊矮，蘩愚分步澄浚一诧学裘麓反瘦按零，璇
功地制得了比表面积犬于200
m2lg，颗粒尺度约10rim的三三种众糯修饰的负藏测
j霆程靛DTA-TG窝TPR藕巢分耩，褥溉了这三耱瓣体耱搴霉豹邋纛裁备Z瓮祭释。
二、XRD、Rarnma、IR和UV-Vis
DRS技术豹袭镁结巢{正躜；
均l冀徽晶形式存在予Si02内孔袭谣，愈属cu鼬黻高度分散的状态均稚予篾合鬣
诧物浚穗熬元鹣表嚣上；且复合半譬体畿诧貔中的v205或M003竣ZnO溉与Tj娆
二、繁多}一霹羹汽漫爱射实验教零l精Kubella。檄嘲(蘧数对辛葶辩蘩带豁隙融
估餐结巢说明：负载燮簸合半簿体奉巷秘中由于鏊元半导体缳分髓径变小，警敲其
蘩繁缝默魄值增大；然元缝努间簸食作熏瞧薯；起葵疆光强艘撼翱。金属Cu碍l
久复台攀簿蒋麓瓣爱，不枝蘧强了鬣终褪瓣熬竞蔽浚强度，氇健萁啜炎壤筏箍逸
淘可露党范爱扩疑。缀黎实验缝聚，我髑褥出了受载懑缝合活憋蒸元
的嚣酲关糕，菇鸯魏搽讨了宅销对党塑鼗浚予的分离注蘸帮与乏辐关的催化畿亿
还攮囊墩耱力。
三、化学吸附．IR和TPD．MS癣验结莱袭明，c。2分子崧三种围体率毒辫袭
嚣金属位c辞魏Lewis酸垃弧时的协鼹{乍粥下，主要形成C02的卧式吸附卷
=O域Mo=O或Zn+O“键的端氧上，可形成溅甲基氢的单位啜附态，或甲潦氮
和噩甲基的双位吸附感。圃体材料吸附活化蔼烷的敝力大小为：
姻、固体材料光催化憔能的评价结果鬏明：在气圃光催化反应器中，以
静毙(365nm、毙强0，65mw／cm2)疆爨下，e伤辩嚣蕊台戒辩丁烯鼗熬蔽应可虢
颓翻安漉，萁及液裙转纯率鞠弱标产秘选择瞧，与反应湿度、强钵糖辩勰蔽光靛
黼和吸附性能密切相关；三种固体材料的光催化活性大小顺序为：
C硅Ⅳ2钠娟国鹧i。2嵇{乏粼来谖，它在紫矫灯照射下，澄度120℃、警遽150h&5及
嫒辩黪象毙C3H#：e镊一l：{熬条静下，黠蔼烷耱转纯枣巍{。33鲔，对努了瓣袋
戆选择髓帮巍量子效率分掰遮到为耱．2瓣秘5，14％。
纛、在黻上实验磷蹙结襞耱基皴上，攥讨了爨裁麓金瓣掺孝笨麓篾合半簿体
毙镗纯e毪帮蔼烷合成器丁浠赣静获斑梳毽帮纛键氯化还藩避程梳镧，提出C02
郛嚣烧化学吸嫩性能与袅壤．复会半舄体化学缀域匹聚琢烈，分凝了巍燕载漉予
鹩分褒姣翠妥叠震一鬟会擎鼯棒溆予精搦载囊辩溪洚，辫窭了热(溢凄)奁淹穰
纯爱擞过程鹩“兜一表面，热”协糯揍薅散应中的陵度灏餐亿溉溅织爱应过程工装
条体熬途径。
关键谲：二氧化谈， 黍烧，
异丁烯醚，光程袭颟毽他骏蕊，爨裁型衾溪
修馋黥楚合拳导体，党爨子产攀
methacroleinfrom and on
Photocatatyticsynthesizing
semiconductorshasa
utilizationalkanes
greatsignificance
protection
environment．Inthis
extendedthis
study gas-solid system
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