主板芯片一样，用DDR2的内存条的本本能换成DDR3的内存条的么_百度知道
主板芯片一样，用DDR2的内存条的本本能换成DDR3的内存条的么
我的本本主板是华硕F8Vr的现在的内存条用的是DDR2的，我朋友的是联想的他的主板芯片组和我的一样但用的内存条是DDR3的，不知道我的能不能换成DDR3的内存条，还是不能换或者得一定要看过那接口才行？
提问者采纳
不能 芯片支持的 不一样 需要换主板
目前最简单的方法是 下载系统查看的软件 查看你的主板上是否有DDR3接口不过一般笔记本是不带的
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其他3条回答
不能换，你的本本主板只支持DDR2.
问题不是芯片是否一样，而是内存插槽是否一样。但肯定的ddR2和ddr3的插槽是不同的，所以不能换！
不能。。插口不一样。。
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是计算机中重要的部件之一它是与CPU进行沟通的桥梁计算机中所有程序的运行都是在中进行的因此内存的性能对计算机的影响非常大(Memory)也被称为其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据以及与等交换的数据只要计算机在运行中CPU就会把需要运算的数据调到中进行运算当运算完成后CPU再将结果传送出来内存的运行也决定了计算机的稳定运行 内存是由电路板等部分组成的外文名Memory别&&&&称
在的组成结构中有一个很重要的部分就是是用来和数据的部件对于计算机来说有了存储器才有记忆功能才能保证正常工作存储器的很多按其可分为和主存储器又称简称内存港台称之为
又称主存是能的由半导体器件制成的特点是存取速率快内存是中的主要部件它是相对于而言的我们平常使用的如操作系统等一般都是在等上的但仅此是不能使用其功能的必须把它们调入中运行才能真正使用其功能我们平时输入一段文字或玩一个游戏其实都是在内存中进行的就好比在一个书房里存放书籍的书架和书柜相当于电脑的而我们工作的办公桌就是通常我们把要永久保存的大量的在上而把一些临时的或少量的数据和程序放在上当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度
就是暂时存储程序以及数据的地方当我们在使用WPS处理文稿时当你在上敲入字符时它就被存入内存中当你选择存盘时内存中的数据才会被存入硬磁盘在进一步理解它之前还应认识一下它的物理概念
一般采用半导体包括随机RAMROM以及CACHE只不过因为RAM是其中最重要的synchronousSDRAM动态SDRAM为168脚这是目前PENTIUM及以上机型使用的SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起使CPU和RAM能够共享一个以相同的速度工作每一个的上升沿便开始传递数据速度比提高50%DDRDOUBLE DATA RATERAM SDRAM的更新换代产品他允许在的上升沿和下降沿传输数据这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度
ROM表示Read Only Memory在制造ROM的时候信息数据或程序就被存入并永久保存这些信息只能读出一般不能写入即使机器停电这些数据也不会丢失ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据如BIOS ROM其物理外形一般是双列直插式DIP的集成块
随机Random Access Memory表示既可以从中读取数据也可以写入数据当机器电源关闭时存于其中的数据就会丢失我们通常购买或升级的就是用作电脑的内存内存条SIMM就是将RAM集成块集中在一起的一小块它插在计算机中的上以减少RAM集成块占用的空间目前市场上常见的有1G/条2G/条4G/条等
Cache也是我们经常遇到的概念也就是平常看到的(L1 Cache(L2 Cache(L3 Cache这些数据它位于CPU与之间是一个读写速度比内存更快的当CPU向中写入或读出数据时这个数据也被进中当CPU再次需要这些数据时CPU就从读取数据而不是访问较慢的当然如需要的数据在Cache中没有CPU会再去读取内存中的数据
物理和存储是两个不同的概念但是由于这两者有十分密切的关系而且两者都用BKBMBGB来度量其大小因此容易产生认识上的混淆初学者弄清这两个不同的概念有助于进一步认识和用好内存储器
物理是指实际存在的具体存储器如上装插的和装载有系统的BIOS的ROM芯片上的显示RAM芯片和装载显示的ROM芯片以及各种适配卡上的芯片和芯片都是物理
存储是指对存储器编码地址的范围所谓编码就是对每一个物理存储单元一个分配一个号码通常叫作分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它完成数据的读写这就是所谓的所以有人也把称为
的大小和物理的大小并不一定相等举个例子来说明这个问题某层楼共有17个房间其编号为801～817这17个房间是物理的而其采用了三位编码其范围是800～899共100个地址可见地址空间是大于实际房间数量的
对于386以上档次的其为32位因此可达2的32次方即4GB虽然如此但是我们一般使用的一些操作系统例如windows xp却最多只能识别或者使用3.25G的的操作系统能识别并使用4G和4G以上的的内存
好了现在可以解释为什么会产生诸如保留内存高端内存扩充内存和等不同这里需要明确的是我们讨论的不同的概念是建立在寻址空间上的推出的第一台PC机采用的是它只有20根也就是说它的是1MB
的设计师将1MB中的低端640KB用作RAM供DOS及使用高端的384KB则保留给ROM视频等系统使用从此这个界限便被确定了下来并且沿用至今低端的640KB就被称为常规即PC机的基本RAM区保留中的低128KB是显示高64KB是系统BIOS基本输入/输出系统空间其余192KB空间留用从对应的物理来看区只使用了512KB芯片占用0000至7FFFF这512KB区虽有128KB空间但对单色MDA卡只需4KB就足够了因此只安装4KB的物理芯片占用了B0000至B0FFF这4KB的空间如果使用彩色显示器CGA卡需要安装16KB的物理存储器占用B8000至BBFFF这16KB的空间可见实际使用的范围都小于允许使用的
在当时1980年末至1981年初这么大容量的对PC机使用者来说似乎已经足够了但是随着程序的不断增大图象和声音的不断丰富以及能访问更大内存空间的新型CPU相继出现最初的PC机和MS－DOS设计的局限性变得越来越明显
到即被普遍接受不久人们越来越认识到640KB的限制已成为大型程序的障碍这时Intel和Lotus这两家硬软件的杰出代表联手制定了一个由和软件相结合的方案此方法使所有PC机存取640KB以上RAM成为可能而Microsoft刚推出Windows不久对空间的要求也很高因此它也及时加入了该行列
在1985年初LotusIntel和Microsoft三家共同定义了LIM－EMS即扩充规范通常称EMS为扩充内存当时EMS需要一个安装在I/O槽口的卡和一个称为EMS的管理程序方可使用但是I/O插槽的只有24位这对于386以上档次的32位机是不能适应的所以现在已很少使用扩充卡现在微机中的扩充通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用所以扩充和扩展内存的区别并不在于其物理的位置而在于使用什么方法来读写它下面将作进一步介绍
前面已经说过扩充也可以由扩展存储器模拟转换而成EMS的原理和XMS不同它采用了页帧方式页帧是在1MB空间中指定一块64KB空间通常在保留区内但其物理来自扩展存储器分为4页每页16KBEMS也按16KB每次可交换4页内容以此方式可访问全部EMS存储器符合EMS的程序很多常用的有QEMMTurboEMS386MAX等DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE我们知道286有24位它可寻址16MB的而386有32位地址线它可寻址高达4GB的地址空间为了区别起见我们把1MB以上的地址空间称为扩展XMSeXtend memory
在386以上档次的微机中有两种工作方式一种称为实方式或实方式另一种称为保护方式在实方式下仍使用20位所以最大寻址空间为1MB以便与8086兼容保护方式采用32位寻址范围可达4GBDOS系统在实方式下工作它管理的空间仍为1MB因此它不能直接使用扩展为此LotusIntelAST及Microsoft公司建立了MS－DOS下扩展的使用标准即扩展内存规范XMS我们常在Config.sys中看到的Himem.sys就是管理扩展的驱动程序
扩展管理规范的出现迟于扩充内存管理规范在实方式下单元的可记为
通常用十六进制写为XXXXXXXX实际的由段地址左移4位再和段内偏移相加而成若各位均为1时即为FFFFFFFF其实际为FFF0+FFFF=10FFEF约为1088KB少16字节这已超过1MB范围进入扩展了这个进入扩展的区域约为64KB是1MB以上空间的第一个64KB我们把它称为HMAHigh Memory AreaHMA的物理是由扩展存储器取得的因此要使用HMA必须要有物理的扩展存在此外HMA的建立和使用还需要XMS驱动程序的支持因此只有装入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA为了解释上位内存的概念我们还得回过头看看保留内存区保留区是指640KB～1024KB共384KB区域这部分区域在PC诞生之初就明确是保留给系统使用的无法插足但这部分空间并没有充分使用因此大家都想对剩余的部分打主意分一块注意是地址空间而不是物理来使用于是就得到了又一块区域UMB
UMBUpper Memory Blocks称为或上位内存块它是由挤占保留中剩余未用的空间而产生的它的物理仍然取自物理的扩展存储器它的管理驱动程序是EMS驱动程序对于细心的读者可能还会发现一个问题即是对于装有1MB或1MB以上物理的机器其640KB～1024KB这部分物理存储器如何使用的问题由于这部分已分配为系统使用所以不能再重复使用为了利用这部分物理在某些386系统中提供了一个功能即把这部分物理存储器的为1024KB～1408KB这样这部分物理就变成了扩展存储器当然可以使用了但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用而把这部分物理保留作为Shadow存储器Shadow可以占据的与对应的ROM是相同的Shadow由RAM组成其速度大大高于ROM当把ROM中的内容各种BIOS程序装入相同的Shadow RAM中就可以从RAM中访问BIOS而不必再访问ROM这样将大大提高系统性能因此在设置CMOS时应将相应的Shadow区设为允许使用Enabled奇/偶校验是时采用的一种校正数据错误的一种方式分为和偶校验两种
如果是采用奇校验在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位当实际数据中1的个数为偶数的时候这个校验位就是1否则这个校验位就是0这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求在接收方收到数据时将按照奇校验的要求检测数据中1的个数如果是奇数表示传送正确否则表示传送错误
同理的过程和奇校验的过程一样只是检测数据中1的个数为偶数CL反应时间是衡定的另一个标志CL是CAS Latency的缩写指的是存取数据所需的延迟时间简单的说就是内存接到CPU的后的反应速度一般的是2和3两种数字越小代表反应所需的时间越短在早期的PC133标准中这个数值规定为3而在Intel重新制订的新规范中强制要求CL的反应时间必须为2这样在一定上对于内存的芯片及PCB的工艺要求相对较高同时也保证了更优秀的品质因此在选购品牌时这是一个不可不察的因素
还有另的诠释基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就序状态前等待内存响应的时间打个形象的比喻就像你在餐馆里用餐的过程一样你首先要点菜然后就等待员给你上菜同样的道理延迟时间设置的越短电脑从内存中读取数据的速度也就越快进而电脑其他的性能也就越高这条规则双双适用于基于以及AMD的系统中由于没有比2-2-2-5更低的延迟因此国际标准组织认为以现在的技术还无法实现0或者1的延迟
通常情况下我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个延迟例如2-2-2-5其中第一个数字最为重要它表示的是CAS Latency也就是存取数据所需的延迟时间第二个数字表示的是RAS-CAS延迟接下来的两个数字分别表示的是RAS和Act-to-Precharge延迟而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个经过上面分析的划分可归纳如下
●基本占据0～640KB地址空间
●保留占据640KB～1024KB地址空间分配给显示各上的ROM和系统ROM BIOS剩余空间可作UMBUMB的物理取自物理扩展存储器此范围的物理RAM可作为Shadow RAM使用
●UMB利用保留内存中未分配使用的建立其物理由物理扩展存储器取得UMB由EMS管理其大小可由EMS设定
●高端HMA中的第一个64KB区域1024KB～1088KB由HIMEM.SYS建立和管理
●XMS符合XMS规范管理的扩展区其为HIMEM.SYS
●EMS符合EMS规范管理的扩充内存区其驱动程序为EMM386.EXE等
内存随机RAM主要存储正在运行的程序和要处理的数据和CPU主频一样习惯上被用来表示内存的速度它代表着该内存所能达到的最高是以MHz兆赫为单位来计量的越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作目前较为主流的是800MHz的以及一些内存频率更高的
大家知道的时钟速度是以频率来衡量的晶体振荡器控制着时钟速度在石英晶片上加上电压其就以正弦波的形式震动起来这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来这一变化的电流就是而本身并不具备晶体振荡器因此内存工作时的时钟信号是由的或直接由主板的时钟发生器提供的也就是说内存无法决定自身的工作频率其实际工作频率是由主板来决定的
和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示工作频率是实际的工作频率但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz而等效频率分别是200/266/333/400MHzDDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz而等效频率分别是400/533/667/800MHz在计算机诞生初期并不存在的概念最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上每个磁芯与组成的一个作为一比特BIT的每一比特都要有玉米粒大小可以想象一间的只能装下不超过百k字节左右的容量后来才出线现了焊接在主板上集成以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持那时的容量都特别小最常见的莫过于256K×1bit1M×4bit虽然如此但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰有余了的状态一直沿用到286初期鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病这对于计算机的发展造成了现实的阻碍有鉴于此便应运而生了将焊接到事先设计好的印刷线路板上而上也改用内存插槽这样就把难以安装和更换的问题彻底解决了
在80286主板发布之前并没有被世人所重视这个时候的内存是直接固化在主板上而且容量只有64 ～256KB对于当时PC所运行的工作程序来说这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要不过随着软件程序和新一代80286硬件的出现程序和硬件对性能提出了更高要求为了提高速度并扩大容量内存必须以独立的出现因而诞生了概念
在80286主板刚推出的时候采用了Single In-lineMemory Modules单边接触容量为30pin256kb必须是由8 片和1 片校验位组成1 个bank正因如此我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用自1982年PC进入民用市场一直到现在搭配80286的30pin SIMM是内存领域的开山鼻祖
随后在1988 ～1990 年当中PC 技术迎来另一个发展高峰也就是和时代此时CPU 已经向16bit 发展所以30pin SIMM再也无法满足其较低的已经成为急待解决的所以此时72pin SIMM 内存出现了72pin SIMM支持32bit快速页模式内存内存带宽得以大幅度提升72pin SIMM单条容量一般为512KB ～2MB而且仅要求两条同时使用由于其与30pin SIMM 内存无法兼容因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了
EDO DRAMExtended Date Out RAM 外扩充这是1991 年到1995 年之间盛行的EDO DRAM同FPM DRAMFast Page Mode RAM 快速模式极其相似它取消了扩展内存与传输内存两个之间的时间间隔在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面故而速度要比普通DRAM快15~30%为一般为5V32bit速度在40ns以上其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上
在1991 年到1995 年中让我们看到一个尴尬的情况那就是这几年比较缓慢几乎停滞不前所以我们看到此时EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情况事实上EDO也属于72pin SIMM 内存的范畴不过它采用了全新的EDO 在成本和容量上有所突破凭借着制作工艺的飞速发展此时单条EDO的容量已经达到4 ～16MB由于Pentium及更高级别的CPU都是64bit甚至更高所以EDO DRAM与FPM DRAM都必须成对使用自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的推出后EDO DRAM性能再也无法满足需要了内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU的需求此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代
第一代SDRAM为PC66 规范但很快由于Intel 和AMD的频率之争将提升到了100MHz所以PC66内存很快就被PC100内存取代接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能带宽提高到1GB/sec以上由于SDRAM 的带宽为64bit正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度因此它只需要一条便可工作便捷性进一步提高在性能方面由于其输入输出保持与系统外频因此速度明显超越EDO 内存
不可否认的是SDRAM由早期的66MHz发展后来的100MHz133MHz尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题但此时已经成为DIY用户永恒的话题所以不少用户将品牌好的PC100品牌到133MHz使用以获得CPU超频成功值得一提的是为了方便一些超频用户需求市场上出现了一些PC150PC166规范的内存
尽管SDRAM PC133的带宽可提高带宽到1064MB/S加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求此时Intel为了达到独占市场的目的与联合在PC市场推广Rambus DRAM内存称为与SDRAM不同的是其采用了新一代高速简单架构基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing理论这个理论可以减少数据的复杂性使得整个系统性能得到提高
在AMD与Intel的竞争中这个时候是属于频率竞备时代所以这个时候CPU的在不断提升Intel为了盖过AMD推出高频以及Pentium 4 处理器因此Rambus DRAM是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏Rambus DRAM内存以高来简化每个的数据量因此内存带宽相当出色如PC
MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/secRambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配
尽管如此Rambus RDRAM生不逢时后来依然要被更高速度的DDR掠夺其宝座地位在当时PC600PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820失误事件PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上无法获得大众用户拥戴种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜但最终也是拜倒在DDR 内存面前(Double Data Rate SDRAM简称DDR也就是双倍速率SDRAM的意思DDR可以说是SDRAM的升级版本DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据这使得DDR的为传统SDRAM的两倍由于仅多采用了下降缘信号因此并不会造成能耗增加至于定址与则与传统SDRAM相同仅在时钟上升缘传输
DDR是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案其目的是迅速建立起牢固的市场空间继而一步步在频率上高歌猛进最终弥补内存带宽上的不足第一代DDR200 规范并没有得到普及第二代PC266 DDR SRAM133MHz时钟×2倍数据传输=266MHz带宽是由PC133所衍生出的它将DDR 内存带向第一个高潮目前还有不少和AMD K7处理器都在采用DDR266的内存其后来的DDR333内存也属于一种过度而DDR400内存成为目前的主流平台选配DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准随后的DDR533 规范则成为用户的选择对象随着CPU 性能不断提高我们对性能的要求也逐步升级不可否认紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2的支持所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽而且其接口将运行于1.8V 电压上从而进一步降低以便提高频率此外DDR2 将融入CASOCDODT 等新性能指标和指令提升带宽的利用率从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看针对PC等市场的DDR2将拥有400533667MHz等不同的时钟频率高端的DDR2将拥有8001000MHz两种频率DDR-II将采用200-220-240-针脚的形式最初的DDR2将采用0.13微米的生产工艺颗粒的电压为1.8V容量密度为512MB
技术在2005年将会毫无悬念SDRAM为代表的在五年内不会普及与RDRAM也难以挽回颓势因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实
PC-100的接班人除了PC一133以外VCM(VirXual Channel Memory也是很重要的一员VCM即虚拟通道这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种标准VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种缓存式DRAM技术制造而成它集成了通道缓存由高速进行配置和控制在实现高速数据传输的同时VCM还维持着对传统SDRAM的兼容性所以通常也把VCM称为VCM SDRAMVCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据都可先交于VCM进行处理而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上目前可以支持VCM SDRAM的芯片组很多包括Intel的815EVIA的694X等
Intel在推出PC-100后由于技术的发展PC-100的800MB/s带宽已经不能满足需求而PC-133的带宽提高并不大1064MB/s同样不能满足日后的发展需求Intel为了达到独占市场的目的与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM
Rambus DRAM是Rambus公司最早提出的一种规格采用了新一代高速简单内存架构基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing精简指令集计算机理论从而可以减少数据的复杂性使得整个系统性能得到提高Rambus使用400MHz的16bit在一个内可以在上升沿和下降沿的同时传输数据这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz理论带宽为16bit×2×400MHz/81.6GB/s相当于PC-100的两倍另外Rambus也可以储存9bit字节额外的一比特是属于保留比特可能以后会作为ECC(ErroI·Checking and Correction错误检查修正校验位Rambus的时钟可以高达400MHz而且仅使用了30条铜线连接和RIMM(Rambus In-line MemoryModulesRambus内嵌式减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的从而快速地提高内存的工作频率不过在高频率下其发出的热量肯定会增加因此第一款Rambus甚至需要自带散热风扇DDR3相比起DDR2有更低的工作电压从DDR2的1.8V降落到1.5V性能更好更为省电DDR2的4bit预读升级为8bit预读DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度尽管目前最为快速的DDR2已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度但是DDR3模组仍会从1066Mhz起跳
一DDR3在DDR2基础上采用的新型设计
18bit预取设计而DDR2为4bit预取这样DRAM的频率只有接口频率的1/8DDR3-800的核心工作频率只有100MHz
2采用的拓朴架构以减轻/命令与的负担
3采用100nm以下的生产工艺将工作电压从1.8V降至1.5V增加异步重置Reset与ZQ校准功能部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存厂商预计在2012年时代将开启起步频率降至1.2V而频率提升至2133MHz次年进一步将电压降至1.0V频率则实现2667MHz[1]
新一代的DDR4将会拥有两种规格根据多位半导体业界相关人员的介绍DDR4将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号方式DifferentialSignaling( 差分信号技术方式并存其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认预计这两个标准将会推出不同的芯片产品因此在DDR4时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品
[2]SRAMStatic RAM意为静态随机SRAM数据不需要通过不断地来保存因此速度比DRAM动态随机快得多但是SRAM具有的缺点是同容量相比DRAM需要非常多的晶体管发热量也非常大因此SRAM难以成为大容量的通常只用在CPUGPU中作为缓存容量也只有几十K至几十M
SRAM目前发展出的一个分支是eSRAMEnhanced SRAM为增强型SRAM具备更大容量和更高运行速度RDRAM是由RAMBUS公司推出的RDRAM为16bit但是相比同期的SDRAM具有更高的运行频率性能非常强
然而它是一个非开放的技术厂商需要向RAMBUS公司支付授权费并且RAMBUS的另一大问题是不允许空通道的存在必须成对使用空闲的插槽必须使用终结器因此除了短寿的Intel i820和i850芯片组对其提供支持外PC平台没有支持RAMBUS的芯片组
可以说它是一个优秀的技术但不是一个成功的商业产品XDR是RDRAM的升级版依旧由RAMBUS公司推出XDR就是eXtreme Data Rate的缩写
XDR依旧存在RDRAM不能大面普及的那些不足之处因此XDR的应用依旧非常有限比较常见的只有索尼的PS3游戏机是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器具有高速高密度低功耗和抗辐射等优点由于数据是通过铁元素的磁性进行存储因此无需不断其运行速度将会非常乐观而且它相比SRAM需要更少的晶体管它被业界认为是SDRAM的最有可能的替代者磁性它和Fe-RAM具有相似性依旧基于磁性物质来记录数据相变
奥弗辛斯基Stanford Ovshinsky在1968年发表了第一篇关于非晶体相变的论文创立了非晶体半导体学一年以后他首次描述了基于相变理论的材料由非晶体状态变成晶体再变回非晶体的过程中其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性因此可以利用非晶态和晶态分别代表0和1来存储数据[3]从上表可以看出在同等下DDR2的实际工作频率是DDR的两倍这得益于DDR2拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力换句话说虽然DDR2和DDR一样都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力也就是说在同样100MHz的工作频率下DDR的实际频率为200MHz而DDR2则可以达到400MHz
这样也就出现了另一个问题在同等工作频率的DDR和DDR2中后者的内存延时要慢于前者举例来说DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟而后者具有高一倍的带宽实际上DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽它们都是3.2GB/s但是DDR400的核心工作频率是200MHz而DDR2-400的核心工作频率是100MHz也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400DDR2技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力而是在采用更低发热量更低的情况下DDR2可以获得更快的频率提升突破标准DDR的400MHZ限制
DDR通常采用TSOP芯片封装形式这种封装形式可以很好的工作在200MHz上当频率更高时它过长的管脚就会产生很高的阻抗和这会影响它的稳定性和频率提升的难度这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因而DDR2均采用FBGA封装形式不同于目前广泛应用的形式FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性为DDR2的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障
DDR2采用1.8V电压相对于DDR标准的2.5V降低了不少从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量这一点的变化是意义重大的除了以上所说的区别外DDR2还引入了三项新的技术它们是OCDODT和Post CAS
OCDOff-Chip Driver也就是所谓的离线调整DDR II通过OCD可以提高信号的完整性DDR II通过调整上拉pull-up/下拉pull-down的电阻值使两者电压相等使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性通过控制电压来提高信号品质
ODTODT是内建核心的终结电阻器我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线反射信号需要大量的终结电阻它大大增加了主板的制造成本实际上不同的模组对终结的要求是不一样的终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低终结电阻高则数据线的信噪比高但是信号反射也会增加因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配模组还会在一定程度上影响信号品质DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻这样可以保证最佳的信号波形使用DDR2不但可以降低主板成本还得到了最佳的信号品质这是DDR不能比拟的
Post CAS它是为了提高DDR II内存的利用而设定的在Post CAS操作中CAS信号读写/命令能够被插到RAS信号后面的一个CAS命令可以在附加延迟Additive Latency后面保持有效原来的tRCDRAS到CAS和延迟被ALAdditive Latency所取代AL可以在01234中进行设置由于CAS信号放在了RAS信号后面一个因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突
总的来说DDR2采用了诸多的新技术改善了DDR的诸多不足虽然它目前有成本高延迟慢能诸多不足但相信随着技术的不断提高和完善这些问题终将得到解决1突发长度Burst LengthBL
由于DDR3的预取为8bit所以突发传输Burst LengthBL也固定为8而对于DDR2和早期的DDR架构系统BL=4也是常用的DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop突发突变模式即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输届时可通过A12来控制这一突发模式而且需要指出的是任何突发中断操作都将在DDR3中予以禁止且不予支持取而代之的是更灵活的突发传输控制如4bit顺序突发
2寻址时序Timing
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高DDR2的CL范围一般在2～5之间而DDR3则在5～11之间且附加延迟AL的设计也有所变化DDR2时AL的范围是0～4而DDR3时AL有三种选项分别是0CL-1和CL-2另外DDR3还新增加了一个时序参数写入延迟CWD这一参数将根据具体的工作频率而定
3DDR3新增的重置Reset功能
重置是DDR3新增的一项重要功能并为此专门准备了一个DRAM业界很早以前就要求增加这一功能如今终于在DDR3上实现了这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单当Reset命令有效时DDR3将停止所有操作并切换至最少量活动状态以节约电力
在Reset期间DDR3将关闭内在的大部分功能所有数据接收与发送器都将关闭所有内部的程序将复位DLL延迟锁相环路与将停止工作而且不理睬上的任何动静这样一来将使DDR3达到最节省电力的目的
4DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚在这个引脚上接有一个240的低公差参考电阻这个引脚通过一个命令集通过片上校准引擎On-Die Calibration EngineODCE来自动校验数据输出导通电阻与ODT的终结电阻值当系统发出这一指令后将用相应的在加电与初始化之后用512个时钟周期在退出自刷新操作后用256个时钟周期在其他情况下用64个时钟周期对导通电阻和ODT电阻进行重新校准
5参考电压分成两个
在DDR3系统中对于系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号即为命令与信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ这将有效地提高系统数据总线的信噪等级
6点对点连接Point-to-PointP2P
这是为了提高系统性能而进行的重要改动也是DDR3与DDR2的一个关键区别在DDR3系统中一个控制器只与一个内存通道打交道而且这个内存通道只能有一个插槽因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点P2P的关系单物理Bank的模组或者是点对双点Point-to-two-PointP22P的关系双物理Bank的模组从而大大地减轻了/命令/控制与数据总线的负载而在模组方面与DDR2的类别相类似也有标准DIMM台式PC/Micro-DIMM2服务器之分其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2高级内存缓冲器
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势此外由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新局部自刷新等其它一些功能在功耗方面DDR3也要出色得多因此它可能首先受到移动设备的欢迎就像最先迎接DDR2内存的不是而是服务器一样在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域DDR3未来也是一片光明目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖Bear Lake其将支持DDR3规格而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格
包含多种意义在广义上凡是内存工作频率与CPU的不一致时都可以称为内存异步工作模式首先最早的异步工作模式出现在早期的主板芯片组中可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下注意只是简单相差33MHz从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热其次在正常的工作模式CPU不下目前不少主板芯片组也支持异步工作模式例如Intel 910GL芯片组仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了再次在CPU的情况下为了不使拖CPU超频能力的后腿此时可以调低内存的工作频率以便于超频例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频不少产品的都可以轻松超上300MHz而此如果在内存的工作模式下此时内存的等效频率将高达DDR 600这显然是不可能的为了顺利超上300MHz外频我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266在超上300MHz外频之后前者也不过才DDR 500某些极品内存可以达到而后者更是只有DDR 400完全是正常的标准频率由此可见正确设置内存异步模式有助于超频成功
目前的主板芯片组几乎都支持异步英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持而公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能内存容量同等容量单位都是相同的它们的都是字节B并且
1024B=1KB=1024字节=2^10字节^代表次方
1024KB=1MB=1048576字节=2^20字节1024MB=1GB=字节=2^30字节
1024GB=1TB=6字节=2^40字节
1024TB=1PB=2624字节=2^50字节
1024PB=1EB=115 6846976字节=2^60字节
1024EB=1ZB=字节=2^70字节
1024ZB=1YB=6字节=2^80字节的种类和运行频率会对性能有一定影响不过相比之下容量的影响更加大在其他配置相同的条件下越大机器性能也就越高[4]的价格小幅走低2011年前后电脑的配置越来越大一般都在1G以上更有2G4G6G的电脑
作为电脑中重要的配件之一的大小确实能够直接关系到整个系统的性能因此已经越来越受到消费者的关注尤其在目前WIN7操作系统已经开始取代XP之时对于最新的WIN7操作系统多数消费者都认为大容量能让其评分得到提升
的工作原理从功能上理解我们可以将看作是控制器与CPU之间的桥梁也就相当于仓库显然的容量决定仓库的大小而内存的速度决定桥梁的宽窄两者缺一不可这也就是我们常常说道的与内存速度
带宽的计算方法并不复杂大家可以遵循如下的计算公式带宽=总线宽度×总线频率×一个内交换的数据包个数很明显在这些乘数因子中每个都会对最终的带宽产生极大的影响在PCMark Vantage测试中可以看到2GB和4GB DDR3-1600性能比较接近其中2GB内存仅在启动一些时候比较落后毕竟少了一半容量所以运行起来比较吃力而在3DmarkVantage游戏性能测试中我们可以看出在Win7系统下2GB和4GB的性能区别不是很大成绩非常接近同时在WIN7环境下2GB与4GB内存差别很小有些情况下甚至没有差别这时如果想提高内存性能光想着升级容量意义并不是很大从功能上理解我们可以将内存看作是内存控制器一般位于中与CPU之间的桥梁或与仓库显然内存的容量决定仓库的大小而内存的带宽决定桥梁的宽窄两者缺一不可这也就是我们常常说道的内存容量与内存速度除了内存容量与内存速度延时周期也是决定其性能的关键当CPU需要中的数据时它会发出一个由内存控制器所执行的要求内存控制器接著将要求发送至内存并在接收数据时向CPU报告整个周期从CPU到内存内存再回到CPU所需的时间毫无疑问缩短整个周期也是提高速度的关键这就好比在桥梁上工作的警察其指挥疏通能力也是决定通畅度的因素之一更快速的技术对整体性能表现有重大的贡献但是提高内存带宽只是解决方案的一部分数据在以及内存间传送所花的时间通常比处理器执行功能所花的时间更长为此缓冲区被广泛应用其实所谓的缓冲器就是CPU中的一级缓存与二级缓存它们是这座大桥梁与CPU之间的小桥梁事实上一级缓存与二级缓存采用的是SRAM我们也可以将其宽泛地理解为带宽不过现在似乎更多地被解释为所以我们也只是简单的提一下事先预告一下与之间有着密切的联系我们将会在后面的测试中有更加深刻的认识带宽为何会如此重要呢在回答这一问题之前我们先来简单看一看系统工作的过程基本上当CPU接收到指令后它会最先向CPU中的一级缓存L1Cache去寻找相关的数据虽然一级是与CPU同频运行的但是由于容量较小所以不可能每次都命中这时CPU会继续向下一级的L2Cache寻找同样的道理当所需要的数据在二级缓存中也没有的话会继续转向L3Cache如果有的话如K6-2+和K6-3和由于目前系统处理的数据量都是相当巨大的因此几乎每一步操作都得经过这也是整个系统中工作最为频繁的部件如此一来的性能就在一定程度上决定了这个系统的表现这点在多媒体设计软件和游戏中表现得更为明显3D的带宽或许称为带宽更为合适的重要性也是不言而喻的甚至其作用比系统的内存带宽更为明显大家知道显示卡在进行像素渲染时都需要从显存的不同缓冲区中读写数据这些缓冲区中有的放置描述像素A阿尔法通道红绿蓝元素的颜色数据有的放置像素Z值用来描述像素的深度或者说可见性的数据显然一旦产生Z轴数据显存的负担会立即陡然提升在加上各种材质贴图深度复杂性.内存带宽的计算方法并不复杂大家可以遵循如下的计算公式=总线宽度×总线频率×一个内交换的个数很明显在这些乘数中每个都会对最终的内存带宽产生极大的影响然而如今在上已经没有太大文章可作毕竟这受到制作工艺的限制不可能在短时间内成倍提高而总线宽度和数据包个数就大不相同了简单的改变会令带宽突飞猛进DDR技术就使我们感受到提高数据包个数的好处它令带宽疯狂地提升一倍当然提高数据包个数的方法不仅仅局限于在上做文章通过多个内存控制器并行工作同样可以起到效果这也就是如今热门的双通道DDR如nForce2I875/865等事实上DDR控制器并不能算是新发明因为早在RAMBUS时代RDRAM就已经使用了类似技术只不过当时RDRAM的总线宽度只有16Bit无法与DDR的64Bit相提并论内存技术发展到如今这一阶段四通道内存控制器的出现也只是时间问题VIA的QBM技术以及SiS支持四通道RDRAM的芯片组这些都是未来的发展方向至于方面我们对其更加敏感这甚至也是很多厂商用来区分高低端产品的重要方面同样是使用DDR显存的产品128Bit宽度的产品会表现出远远胜过64Bit宽度的产品当然提高也是一种解决方案不过其效果并不明显而且会大幅度提高成本值得注意的是目前部分高端甚至动用了DDRII技术不过至少在目前看来这项技术还为时过早对于而言辨别内存带宽是一件相当简单的事情因为RDRAM这三种内存在外观上有着很大的差别大家通过下面这副图就能清楚地认识到唯一需要我们去辨认的便是不同频率的DDR内存目前主流DDR分为DDR266DDR333以及DDR400其中后三位数字代表工作频率通过上的标识自然可以很方便地识别出其规格相对而言上显存带宽的识别就要困难一些在这里我们应该抓住和两个重要的技术指标显存位宽的计算方法是单块显存颗粒位宽×显存总数而显存频率则是由&1000/显存颗粒纳秒数&来决定一般来说我们可以从显存颗粒上一串编号的最后2两位看出其纳秒数从中也就得知其显存频率至于单块显存颗粒位宽我们只能在网上查询EtronTech钰创等都提供专用的显存编号查询网站相当方便如的显存就可以到如下的下载只要输入相应的显存颗粒编号即可此外使用RivaTuner也可以检测上显存的总位宽大家打开RivaTuner在MAIN菜单即可看到对于选择来说最重要的是稳定性和性能而内存的做工水平直接会影响到性能稳定以及超频
颗粒的好坏直接影响到内存的性能可以说也是内存最重要的核心元件所以大家在购买时尽量选择大厂生产出来的颗粒一般常见的内存颗粒厂商有镁光茂矽等它们都是经过完整的生产工序因此在品质上都更有保障而采用这些顶级大厂颗粒的品质性能必然会比其他杂牌内存颗粒的产品要高出许多
PCB电路板的作用是连接引脚与信号线因此其做工好坏直接关系着系统稳定性目前主流PCB电路板层数一般是6层这类电路板具有良好的电气性能可以有效屏蔽信号干扰而更优秀的高规格往往配备了8层PCB电路板以起到更好的效能SPD信息可以说非常重要它能够直观反映出的性能及体制它里面存放着可以稳定工作的指标信息以及产品的生产厂家等信息不过由于每个厂商都能对SPD进行随意修改因此很多杂牌厂商会将SPD参数进行修改或者直接COPY名牌产品的SPD但是一旦上机用软件检测就会原形毕露
因此大家在购买以后回去用常用的EverestCPU-Z等软件一查即可明白不过需要注意的是对于大品牌来说SPD参数是非常重要的但是对于杂牌内存来说SPD的信息并不值得完全相信目前有一些往往使用了不同品牌型号的内存颗粒大家一眼就可以看出区别同时有些无孔不入的JS也会采用打磨颗粒的作假手段然后再加印上新的编号参数不过仔细观察就会发现打磨过后的芯片比较暗淡无光有起毛的感觉而且加印上的字迹模糊不清晰这些一般都是假冒的产品需要注意
此外大家还要观察PCB电路板是否整洁有无毛刺等等是否很明显有经过插拔所留下的痕迹如果有则很有可能是返修产品当然也不排除有厂家出厂前经过测试不过比较少数需要提醒大家的是返修和假冒无论多么便宜都不值得购买因为其安全隐患十分严重一开机无显示[1]
由于原因出现此类故障一般是因为内存条与主板内存插槽接触不良造成只要用来回擦试其部位即可解决问题不要用等清洗还有就是内存损坏或主板内存槽有问题也会造成此类故障
由于原因造成开机无显示故障扬声器一般都会长时间蜂鸣针对Award Bios而言二windows系统运行不稳定经常产生非法错误
出现此类故障一般是由于质量不良或软件原因引起如若确定是原因只有更换一途
三windows注册表经常无故损坏提示要求用户恢复
此类故障一般都是因为质量不佳引起很难予以修复唯有更换一途
四windows经常自动进入
此类一般是由于主板与不兼容或内存条质量不佳引起常见于PC133内存用于某些不支持PC133内存条的主板上可以尝试在CMOS设置内降低内存读取速度看能否解决问题如若不行那就只有更换内存条了
此类故障一般是由于采用了几种不同芯片的由于各内存条速度不同产生一个从而导致对此可以在CMOS设置内降低内存速度予以解决否则唯有使用同型号内存还有一种可能就是与主板不兼容此类现象一般少见另外也有可能是内存条与主板接触不良引起电脑随机性此类现象倒是比较常见
六内存加大后反而降低
此类现象一般是由于主板与不兼容引起常见于PC133用于某些不支持PC133内存条的主板上即使也不能解决问题
七windows启动时在载入高端文件himem.sys时系统提示某些有问题
此问题一般是由于的某些芯片损坏造成解决方法可参见下面内存维修一法
八运行某些软件时经常出现的提示
此现象一般是由于剩余空间不足造成可以删除一些无用文件多留一些空间即可一般保持在300M左右为宜
九从引导安装windows进行到检测空间时系统提示不足
此类故障一般是由于用户在文件中加入了emm386.exe文件只要将其屏蔽掉即可解决问题
十安装windows进行到时产生一个非法错误
此类故障一般是由于内存条损坏造成可以按内存维修一法来解决如若不行那就只有更换内存条了
十一启动windows时系统多次自动重新启动
此类故障一般是由于或电源质量有问题造成当然系统重新启动还有可能是CPU散热不良或其他人为故障造成对此唯有用排除法一步一步排除
十二维修一法
出现上面几种后倘若损坏或芯片质量不行如条件不允许可以用烙铁将内存一边的各芯片卸下看能否解决问题如若不行再换卸另一边的芯片直到成功为止如此焊工只怕要维修手机的人方可达到当然有条件用示波器检测那就事半功倍了采用此法后因为已将的一边芯片卸下所以内存只有一半可用例如64M还有32M可用为此对于小容量内存就没有维修的必要了这种情况主要是发生在描述移动设备的内部集成的数据存放空间时比如一台手机具备8G的数据存储空间不少人将其描述为8G事实上这种表述是错误的因为所谓的8G内存是一个外不能将内部的外简称为因为内存是一个特定的概念为的简称存储卡的容量不应当简称为因其也是外
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