用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度--《福州大学学报(自然科学版)》2003年02期
用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度
【摘要】：根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .
【作者单位】：
【关键词】：
【基金】：
【分类号】：O472.3【正文快照】：
禁带宽度ＥｇΓ 是半导体器件的一个重要特性参数 ,文献 [1 ]已用吸收谱方法较精确地测量过ＧａＡｓ的禁带宽度在不同温度下的值 .本工作将借助于半绝缘 (ＳＩ)ＧａＡｓ的表面光伏谱及公式 ,计算经不同砷压热处理ＳＩ-ＧａＡｓ单晶的禁带宽度ＥｇΓ 值 .1　原理及公式根据文献
欢迎：、、)
支持CAJ、PDF文件格式，仅支持PDF格式
【参考文献】
中国期刊全文数据库
沈(岂页)华;[J];电子学报;1989年03期
【共引文献】
中国期刊全文数据库
吴瑞忠,吴孙桃,周海文;[J];厦门大学学报(自然科学版);1997年03期
尚也淳,张义门,张玉明;[J];西安电子科技大学学报;2001年05期
邢素霞,蔡毅,常本康;[J];红外技术;2002年01期
杜梅芳，刘忠厚;[J];电站系统工程;1994年02期
罗尹虹,张正选,吴国荣,姜景和;[J];固体电子学研究与进展;2001年03期
杨荣,罗晋生;[J];半导体学报;2003年09期
刘忠厚，赵朝忠;[J];半导体光电;1994年01期
谢春梅,潘青,刘铁权,黄燕丹,阎志辉,江东琼;[J];半导体光电;1998年01期
皇甫鲁江,朱长纯;[J];半导体学报;1999年11期
黄庆安，童勤义;[J];半导体学报;1995年05期
中国博士学位论文全文数据库
刘向;[D];上海大学;2007年
尚也淳;[D];西安电子科技大学;2001年
郭红霞;[D];西安电子科技大学;2001年
周蓉;[D];电子科技大学;2001年
张同意;[D];西安电子科技大学;2002年
肖奇;[D];中南大学;2002年
郭宇锋;[D];电子科技大学;2005年
蒋玉龙;[D];复旦大学;2005年
杨茹;[D];北京师范大学;2004年
中国硕士学位论文全文数据库
许蓉蓉;[D];上海交通大学;2008年
张际青;[D];南京理工大学;2007年
蒲奎;[D];电子科技大学;2007年
王敏花;[D];河北工业大学;2007年
傅洪波;[D];河北工业大学;2006年
刘晓平;[D];河北工业大学;2007年
包玲;[D];河北工业大学;2000年
王彦刚;[D];北京工业大学;2000年
牛新军;[D];西安电子科技大学;2002年
洪根深;[D];四川大学;2002年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
,黄景昭;[J];厦门大学学报(自然科学版);1965年01期
【相似文献】
中国期刊全文数据库
连世阳,沈顗华,陈朝,刘中平;[J];厦门大学学报(自然科学版);1980年04期
连世阳,沈顗华,陈朝,刘中平;[J];厦门大学学报(自然科学版);1980年04期
陈朝,沈顗华;[J];厦门大学学报(自然科学版);1983年01期
刘中平,沈顗华;[J];厦门大学学报(自然科学版);1984年03期
陈朝,沈顗华,闵惠芳,王振英,王兴达,杨倩忠;[J];厦门大学学报(自然科学版);1987年03期
张声豪;[J];厦门大学学报(自然科学版);1992年02期
张声豪;[J];厦门大学学报(自然科学版);1992年04期
罗昌平，江德生，李锋，庄蔚华，李玉璋;[J];半导体学报;1994年02期
余辛,吴正云,黄启圣;[J];厦门大学学报(自然科学版);1998年02期
王松柏,张声豪;[J];厦门大学学报(自然科学版);1999年05期
中国重要会议论文全文数据库
林艳红;王德军;李子亨;;[A];2004年全国太阳能光化学与光催化学术会议论文集[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库
李子亨;[D];吉林大学;2005年
林艳红;[D];吉林大学;2006年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993
《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司
地址：北京清华大学 84-48信箱 知识超市公司
出版物经营许可证 新出发京批字第直0595号
同方知网数字出版技术股份有限公司
订购热线：400-819-82499
在线咨询：
传真：010-
京公网安备74号Surface recombination velocity in GaAs and In0.15Ga0.85As thin films_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
22页免费12页免费13页免费12页免费10页免费 10页免费8页免费6页免费6页免费6页免费
喜欢此文档的还喜欢6页1下载券26页1下载券25页免费
Surface recombination velocity in GaAs and In0.15Ga0.85As thin films|
把文档贴到Blog、BBS或个人站等：
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
你可能喜欢禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究
1引言AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(HBT)由于有优越的频率和功率特性而受到广泛的重视。在HBT设计中,为改善器件的高频性能,通常基区掺杂浓度很高,此时需考虑反映载流子简并的Fermi-Dirac统计和重掺杂禁带变窄(BandGap Narrowing,BGN)效应对器件电学特性的影响。为了预测器件性能和优化设计,不少学者对AlGaAs/GaAsHBT的数值模拟进行了深入的探讨。虽然也有争对BGN效应对电流影响的研究,但往往都没有具体考虑禁带变窄量在导带、价带中的分配比例随掺杂浓度的不同而不同,从而对电流产生不同的影响这一因素。由于异质结界面导带、价带不同的带价对电学特性的影响程度是不同的,所以这种考虑应该是必要的。本文采用数值模拟的方法,基于热场发射-扩散(Thermionic-Field-Diffusion)载流子输运模型和Jain-roulston s能带模型,详细分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAsHBT...&
(本文共5页)
权威出处：
1·引言异质结界面能带突变量,即导带带阶ΔEc和价带带阶ΔEv是表征异质结性质的重要物理量,对异质结的应用有着很重大的影响[1,2].对于异质结双极晶体管(HBT)的设计,为了改善器件的高频性能,基区通常重掺杂.而重掺杂必然引起导带、价带的收缩,从而发生器件的禁带变窄效应(band gapnarrowing,BGN),因而这导致ΔEc和ΔEv产生相应的扰动.在突变HBT中,ΔEc和ΔEv的变化影响着异质结界面的载流子输运机理,进而对电流传输特性产生重要的影响.虽然国内外对重掺杂BGN效应引起突变HBT性能改变的研究有不少,但绝大部分只反映在BGN引起体内本征载流子浓度参数(ni)变化这一点上,而牵涉到BGN效应引起ΔEc和ΔEv的扰动从而对电流产生影响的研究却不多,并且价格昂贵的商业软件的BGN模型也存在着这种不足[3,4].本文基于热场发射-扩散(thermionic-field-diffusion)载流子输运模型,对基区重掺...&
(本文共5页)
权威出处：
一 日I 、 一- 双极型晶体管物理参量测定技术的研究一直是人们十分重视的领域,它对器件物理机构的理解和电特性的预示起着至关重要的作用,此外还有助于进行双极型晶体管和电路的计算机辅助设计和分析.禁带宽度是晶体管的一个重要物理参量,本文提出了一种电学测量方法,测试简便,适于实用且结果比较精确.二、理论分析 S10七b00m等人提出了一种测量确定晶体管基区禁带宽度的方法咖,本文在此基础上提出了进一步测定发射区和集电区中禁带宽度的方法. 1.发射区中禁带宽度的测量原理 对于硅晶体管来说,集电极电流L可表示为 L—jo exp(g矿B日/乃T) (1)其中 … 。 驴如瓮瓣 (2)式中:么s表示发射区面积,肛。为基区少子迁移率,怕t。为基区本征载流子浓度,Ⅳ。与形n为基区掺杂浓度和基区宽度. 对于发射结pn结,若将其作为一独立的二极管,并在集电结上加上一定的反向电压,则其电流电压特性在小注入区符合肖克莱方程,可表示为 工BF==工口I沁...&
(本文共5页)
权威出处：
一_引吉 ,丫.卜J 硅禁带电压V。的温度关系对高精度带隙参考电压源与温度传感器等电路的设计是重要的.Tsividi。曾明确指出并分析了VG温度关系的非线性对结电压V。:和带隙参考电压温度行为的影响山.然而,由于没有一个合适的宽温度范围的v成T)表达式,因而在新近的一些设计中仍未能考虑这一因素。川.为此本文提出一个新的V‘(T)表达式.它可用于150一400K的温度范围.二、已有的V‘(T)经验公式文献〔5]曾给出0一400K范围内V武T)的一个经验公式V。(T)~V‘(0)一 。T.T+夕(la)其中a~7.021 x 10一电v/K,夕~llo8K,犷‘(0)~l.1557V.由于没有考虑激子能t的影响,这一组参数不够精确.后来文献【6]给出 a~4 .73 x 10一V/K 夕~6.36K V。(0)~1 .170V但这组参数的不确定性较大,并且在低温区给出的V‘值误差可达几个毫伏. 另一方面,文献【7]曾在低温区(150...&
(本文共4页)
权威出处：
硅晶体管禁带宽度的测定@郑茳$东南大学微电子中心@冯耀兰$东南大学微电子中心@魏同立$东南大学微电子中心 禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数,本文根据晶体管pn发射结反向饱和电流和正向偏置电压的温度特性,提出了利用线性外推法确定...&
(本文共1页)
权威出处：
一、引 言 禁带宽度是硅的一个重要的物理参量。目前,测量确定禁带宽度的方法一般分为直接测量法及间接测量法“’‘”’。对于本征和轻掺杂硅,直接测量法所获得的在OK时的禁带宽度值为:E。。=1.16ev,间接测量法所获得的值则为:E。。。1.206ev。本文所提出的方法属于间接测量法。 当硅中杂质浓度升高时,其禁带宽度发生变窄效应,这严重影响了与禁带宽度相关的电参量。由于晶体管各区域杂质浓度不同,所以测量确定硅晶体管各区域的禁带宽度是一项十分重要的i作。Slotboom在1976年提出了利用集电极电流1。随温度的变化来确定晶体管基区中禁带宽度的方法‘引。本文在此基础上,利用基射极un结的反向饱和电蛇中发射区中的部份随温度的变化确定了发射区中的禁带宽度。此外,本文利用一定电流下基集极Pn＄的正向压降随温度的变化确定了集电区这样的轻掺杂区中的禁带宽度。 二、理论分析 1.发射区中禁带宽度的测坦确定原理 对硅晶体管来说,集电极电流I。可表...&
(本文共5页)
权威出处：
在晶体中,电子所能具有的能量值是一段一段的,称为能带。一种晶体具有许多能带。被电子占满了的能带叫做满带,没有完全占满的或空的能带叫做导带。在这些能带之间,有一段一段电子不能具有的能量值,都叫做禁带(也叫能带间隙或带隙)。但是通常所说的禁带只指最高的满带和最低的导带之间的那一个禁带,这个范围的大小就叫做禁带宽度。 导带底的电子跃过禁带和满带顶的空穴复合,放出多余的能量,引起晶体发光,这个能量的大小就决定了发光的波长。通常,电子是通过复合中心和空穴复合,这些复合中心的能级位于禁带之中,电子放出的能量就小于禁带宽度。因此,禁...&
(本文共1页)
权威出处：
扩展阅读：
CNKI手机学问
有学问，才够权威！
出版：《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司
地址：北京清华大学 84-48信箱 知识超市公司
互联网出版许可证 新出网证(京)字008号
京ICP证040431号
服务咨询：400-810--9993
订购咨询：400-819-9993
传真：010-
京公网安备75号在线求指导：砷化镓(GaAs)属于第三_百度知道
在线求指导：砷化镓(GaAs)属于第三
C．电负性，是节能减排的有效举措。AsH
的空间形状为____://f.jpg" target="_blank" title="点击查看大图" class="ikqb_img_alink"><img class="ikqb_img" src="/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=db864684dbb44aed591bb6e2832cab39/c2fdfc89a1f76aa5c27d1ed31b2458： (1)As的核外电子排布式为_____________.hiphotos，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍://f.baidu。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能.com/zhidao/wh%3D450%2C600/sign=d64ac3ebe1a4bab1f2b3e/c2fdfc89a1f76aa5c27d1ed31b2458：As&gt.hiphotos
砷化镓(GaAs)属于第三代半导体.jpg" esrc="http。砷化镓的晶胞结构如下图.com/zhidao/pic/item/c2fdfc89a1f76aa5c27d1ed31b2458，而耗能只有其10%.baidu。
(3)下列说法正确的是__________（填字母），(CH
Ga中镓原子的杂化方式为_____________：As& Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
E．半导体GaP与CaAs互为等电子体 (4)砷化镓是将(CH
用MOCVD方法在700℃ 时制备得到。 (5) AsH
低。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明://f.jpg" />
试回答。 (2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为_____________。
(2)4 (3)BCDE
(4)三角锥形；sp
分子间能形成氢键
李永峰&&教师
彭启超&&教师
翟汉伟&&教师
杨英英&&高级教师
王艳菊&&中级教师