画出UO触发器的波形图怎么画形

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2014-12-28 23:45 标签： 波形图怎么画
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项目一 习题参考答案
1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3NPN型和PNP型；按材料分为硅锗 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用gm表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端干电池分析图1示电路中各二极管是导通还是截止并求出A、B两端的电压UAB 设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压 。
导通UAB -6V。
（b）VD截止UAB -12 V。
（c）VD1导通截止UAB 0 V。
（d）VD1截止导通UAB -15 V。
7. 在图1所示电路中，设VD为理想二极管，ui
V ，试画出uO的波形。
电路如图1所示，已知ui 5sin ?t V ，二极管导通电压0.7V。试画出ui与的波形。ui 3.7V时，VD1导通截止uo 3.7V；
ui -4.4V时，VD1截止截止uo
ui -4.4V时，VD1截止导通uo
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示判别各三极管的工作状态。
题9图测得放大电路中六只晶体管的电位如图1所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
题图为什么的输入电阻比高多？
栅源极间的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻图所示符号各表示哪种沟道JFET？其箭头方向代表什么？
题图N沟道JFET沟道JFET箭头的方向表示PN结正偏的方向即由P指向N试分别画出N沟道增强型MOS管、P沟道增强型MOS管的电路符号。
N沟道增强型MOS增强型MOS
N沟道耗尽型MOS型MOS一个的转移特性曲线如图1所示，
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《①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）
②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足UUZ）时便稳压为UZ 。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0 。三极管复习完第二章再判）
参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反偏截止。
、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0 3V 。G、因V1正向电压为10V，V2正向电压13V，使V2 先导通，（将V2短路）使输出电压U0 3V，而使V1反偏截止。h 、同理，因V1正向电压10V、V2正向电压为7V，所以V1先导通（将V1短路），输出电压U0 0V，使V2反偏截止。（当输入同时为0V或同时为3V，输出为多少，请同学自行分析。）
三、书P31习题：1-3、1-4、1-6、1-8、1-13、1-16
《β IC / IB
或IC β IB 和开关作用.
4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性 ）与二极管正向特性很相似，也有：
死区电压：硅管约为0.5V,
锗管约为0.1V 。
导通压降：硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。（这两组数也是判材料的依据）
5、三极管的输出特性 指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性 有三个区:
①饱和区: 特点是UCE0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件JC, Je都正偏.
②截止区: 特点是UBE Q0, IB 0, IC 0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件JC, Je都反偏.
③放大区: 特点是UBE大于死区电压, UCE1V, IC β IB. 其偏置条件Je正偏JC反偏.
所以三极管有三种工作状态,即饱和状态 ,截止状态和
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