电子技术基础（一）-自考试卷-自考答案 电子技术基础（一） 电子技术基础（一） -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------      此科目所有试题答案压缩在一个包里，方便大家下载。      下面的试卷和答案是以最新至最旧的年份排序的           全国2014年4月自学考试电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。  选择题部分  注意事项：  1.答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸规定的位置上。  2.每小题选出答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。不能答在试......      全国2013年7月自学考试电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。  选择题部分  注意事项：  1．答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸规定的位置上。  2．每小题选出答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。不能答在试......      全国2013年7月自学考试电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  请考生按规定用笔将所有试题的答案涂、写在答题纸上。  选择题部分  注意事项：  1．答题前，考生务必将自己的姓名、准考证号用黑色字迹的签字笔或钢笔填写在答题纸规定的位置上。  2．每小题选出答案后，用2B铅笔把答题纸上对应题目......      全国2012年7月自学考试电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.P型半导体中，多数载流子是（ ）  A.空穴 B.正离子  C.自由电子 D.负离子  2.理想二极管构成的电路......      全国2012年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共l5小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（ ）  A．P型半导体，其少子为自由电子 B．N型半导体，其多子为自由电子<......      全国2011年7月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（ ）  A.三价元素 B.四价元素  C.五价元素 D.六价......      全国2011年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.P型杂质半导体中，多数载流子是（ ）  A.自由电子 B.空穴   C.正离子 D.负离子  2.理想二极管构成......      全国2010年7月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.N型杂质半导体中，少数载流子是（ ）  A.自由电子 B.空穴  C.正离子 D.负离子  2.理想二极管构成的......      全国2010年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．N型杂质半导体中，多数载流子是( )  A．正离子 B．负离子  C．空穴 D．自由电......      全国2010年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．N型杂质半导体中，多数载流子是( )  A．正离子      全国2009年7月自考电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．PN结加反向电压，PN结的厚度将（　　　）  A．变宽 B．变窄  C．不变 D．不能确定  2．理想二极管构成的电路如题2图......      全国2009年4月自学考试电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．PN结加反向偏置其耗尽层将（　　　）  A．不变 B．变窄  C．变宽 D．不能确定  2．理想二极管构成的电路如题2图所......      全国2009年4月自学考试电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．PN结加反向偏置其耗尽层将（　　　）  A．不变 B．变窄 &......      全国2008年4月自考电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．N型半导体中少数载流子是（ ）  A．正离子 B．负离子  C．空穴 D．自由电子  2．理想二极管构成的电路如题2......      全国2007年7月高等教育自学考试  电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.PN结加正偏，其耗尽层的厚度将（ ）  A.变宽 B.变窄  C.不变 D.不能确定  2.理想......      全国2007年4月高等教育自学考试  电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将（　　　）  A．变宽 B．变窄  C．不变 D．不能确定  2．理想......      全国2007年4月高等教育自学考试  电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将（　　　） &......         全国2006年7月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到N型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的（　　　）  A.三价元素 B.四价......        全国2006年4月高等教育自学考试  电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．要得到P型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ ）  A．三价元素 B......      全国2005年7月电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分)  1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=9V时，输出电压Uo为多少？  ( )。  A.3V B.6V  C.9......      全国2005年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺少量的( )  A.三价元素      全国2005年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺少量的(      浙江省2004年7月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分)  1. 对于普通的点接触二极管，一般具有的特性是 ( )。  A. 最大整流电流大，最高工作频率高   B. 最大整流电流小，最高工......      全国2004年4月高等教育自学考试  电子技术基础（一）试题  课程代码：02234  一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　　）  A．本征半导体 B．温度  C．杂质浓度......      浙江省2003年7月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分)  1. 在图所示的二极管中，当温度上升时，电流I将( )。     A. 增大   B. 减小   C. 不变   D. 不确定<......      全国2003年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码：02234  一、单项选择题(本大题共16小题，每小题2分，共32分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.半导体三极管处在放大状态时是( )  A.C结正偏e结正偏 B.C结反偏e结反偏