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最全常用电子元件图解
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集成电路由什么元件组成？
来源：互联网 发表时间： 9:46:17 责任编辑：王亮字体：
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导线和电阻等组成、三极管、二极管集成电路一般由场效应管
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京ICP备号-1 京公网安备02号有谁知道门电路集成电路有那些?在线等人解答.
有谁知道门电路集成电路有那些?在线等人解答.
以门电路.或门电路,非门电路.
以非门,或非门,以或非门的集成电路等等..门电路集成电路有哪些型号.在昆明哪里可以买到.
我须要做一个数字电路.有谁知道,帮忙啊.
补充：我问的不是什么叫门电路啊?
最好是从网上找,我搞制作也是从网上找的,网上购物方便又实惠．
其他回答 (3)
门”是这样的一种电路：它规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时，才有信号输出，通常有下列三种门电路：与门、或门、非门（反相器）。从逻辑关系看，门电路的输入端或输出端只有两种状态，无信号以“0”表示，有信号以“1”表示。也可以这样规定：低电平为“0”，高电平为“1”，称为正逻辑。反之，如果规定高电平为“0”，低电平为“1”称为负逻辑，然而，高与低是相对的，所以在实际电路中要选说明采用什么逻辑，才有实际意义，例如，负与门对“1”来说，具有“与”的关系，但对“0”来说，却有“或”的关系，即负与门也就是正或门；同理，负或门对“1”来说，具有“或”的关系，但对“0”来说具有“与”的关系，即负或门也就是正与门。 
与门：0+0=0，0+1=0，1+0=0，1+1=1 
或门：0+0=0，0+1=1，1+0=1，1+1=1 
非门：1=0，0=1
门电路
“门”是这样的一种电路：它规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时，才有信号输出，通常有下列三种门电路：与门、或门、非门（反相器）。从逻辑关系看，门电路的输入端或输出端只有两种状态，无信号以“0”表示，有信号以“1”表示。也可以这样规定：低电平为“0”，高电平为“1”，称为正逻辑。反之，如果规定高电平为“0”，低电平为“1”称为负逻辑，然而，高与低是相对的，所以在实际电路中要选说明采用什么逻辑，才有实际意义，例如，负与门对“1”来说，具有“与”的关系，但对“0”来说，却有“或”的关系，即负与门也就是正或门；同理，负或门对“1”来说，具有“或”的关系，但对“0”来说具有“与”的关系，即负或门也就是正与门。 

集成电路
 
一、概念

集成电路
[integrated circuit] 
是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。
集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。
它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。 



二、类型


（一）按功能结构分类 

集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。 

模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号）。
（二）按制作工艺分类 

集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。 

膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。 
（三）按集成度高低分类 

集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路。
（四）按导电类型不同分类 

集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。 

双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。 
（五）按用途分类 

集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 

电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。 

音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。 

影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。 

录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。 
三、集成电路发展简史
1、世界集成电路的发展历史
　　1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；
　　1950年：结型晶体管诞生；
　　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；
　　1951年：场效应晶体管发明；
　　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；
　　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 
　　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；
　　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；
　　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；
　　1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；
　　1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；
　　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；
　　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；
　　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；
　　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；
　　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；
　　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；
　　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；
　　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；
　　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
　　1985年：80386微处理器问世，20MHz；
　　1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI）阶段；
　　1989年：1Mb DRAM进入市场；
　　1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；
　　1992年：64M位随机存储器问世；
　　1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μｍ工艺；
　　1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工艺；
　　1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺；
　　1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μｍ工艺，后采用0.18μm工艺；
　　2000年: 1Gb RAM投放市场；
　　2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μｍ工艺；
　　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工艺。
2、我国集成电路的发展历史

我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：
　　1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产
品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；
　　1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；
　　1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。
第2章门电路

组成数字电路的基本逻辑单元是各种各样的门电路，使用较多的门电路有TTL门电路和CMOS门电路。TTL门电路由三极管组成，CMOS门电路由场效应管组成，这两种类型门电路的组成虽然不相同，但在数字电路中的符号却是相同的。正确使用各种类型门电路的关键是了解门电路各项参数的物理意义，描述门电路主要技术指标的参数有输出高电平VOH，输出低电平VOL，输入短路电流IIS，输入漏电流IIH，开门电平Von，关门电平Voff，扇出系数N，平均传输时间tPd，导通电源电流IE1，截止电源电流IE2等，这些参数可从集成电路手册上查到。

门电路除了有常用的与非门和或非门外，还有集电极开路门，漏极开路门，三态门，传输门等，普通的门电路输出端不能并联使用，而集电极开路门，漏极开路门，三态门器件输出端可并联使用，输出端并联使用的门电路可组成线与电路，计算线与电路上拉电阻的公式为

 




使用这些公式时应注意n，m和m‘各量的含义。上面的两个公式适合于计算TTL驱动CMOS电路的上拉电阻。

由三态门和传输门可组成用于传输数据的数据总线，为了保证数据总线能够稳定可靠的工作，数据总线的输出电流要大于输入电流的总和。
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混合集成电路
混合集成电路是由半导体集成工艺与薄（厚）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。与分立元件电路相比，混合集成电路具有组装密度大、可靠性高、电性能好等特点。相对于单片集成电路，它设计灵活，工艺方便，便于多品种小批量生产；并且元件参数范围宽、精度高、稳定性好，可以承受较高电压和较大功率。
混合集成电路电路特点
混合集成电路是将一个电路中所有元件的功能部分集中在一个基片上，能基本上消除电子元件中的辅助部分和各元件间的装配空隙和焊点，因而能提高电子设备的装配密度和可靠性。由于这个结构特点，混合集成电路可当作分布参数网络，具有分立元件网路难以达到的电性能。混合集成电路的另一个特点，是改变导体、半导体和介质三种膜的序列、厚度、面积、形状和性质以及它们的引出位置得到具有不同性能的无源网路。
混合集成电路电路种类
制造混合集成电路常用的成膜技术有两种：网印烧结和真空制膜。用前一种技术制造的膜称为厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一种技术制造的膜称为薄膜，厚度从几百到几千埃。若混合集成电路的无源网路是厚膜网路，即称为；若是薄膜网路，则称为。为了满足微波电路小型化、集成化的要求，又有微波混合集成电路。这种电路按元件参数的集中和分布情况，又分为集中参数和分布参数微波混合集成电路。集中参数电路在结构上与一般的厚薄膜混合集成电路相同，只是在元件尺寸精度上要求较高。而分布参数电路则不同，它的无源网路不是由外观上可分辨的电子元件构成，而是全部由微带线构成。对微带线的尺寸精度要求较高，所以主要用薄膜技术制造分布参数微波混合集成电路。
混合集成电路基本工艺
为便于自动化生产和在电子设备中紧密组装，混合集成电路的制造采用标准化的绝缘基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可将一个或几个功能电路制作在一块基片上。制作过程是先在基片上制造膜式无源元件和互连线，形成无源网络，然后安装上半导体器件或半导体集成电路芯片。膜式无源网络用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工艺顺序，制造出具有各种不同形状和宽度的导体、半导体和介质膜。把这些膜层相互组合，构成各种电子元件和互连线。在基片上制作好整个电路以后，焊上引出导线,需要时,再在电路上涂覆保护层，最后用外壳密封即成为一个混合集成电路。
混合集成电路应用发展
混合集成电路的应用以模拟电路、微波电路为主，也用于电压较高、电流较大的专用电路中。例如便携式电台、机载电台、电子计算机和微处理器中的数据转换电路、数-模和模-数转换器等。在微波领域中的应用尤为突出。
混合集成电路发展趋势
混合集成技术的发展趋势是：①用多层布线和载带焊技术，对单片半导体集成电路进行组装和互连，实现二次集成，制作复杂的多功能、高密度大规模混合集成电路。②无源网路向更密集、更精密、更稳定方面发展,并且将敏感元件集成在它的无源网路中,制造出集成化的传感器。③研制大功率、高电压、耐高温的混合集成电路。④改进成膜技术，使薄膜有源器件的制造工艺实用化。⑤用带互连线的基片组装微型片状无引线元件、器件，以降低电子设备的价格和改善其性能。
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