如何编写linux下nand flash驱动_百度知道
如何编写linux下nand flash驱动
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【Linux下nand flash驱动编写步骤简介】
了解硬件的nand
flash的各个参数和工作原理
具体参考nand flash的datasheet，主要包括，自己nand
flash的厂商，型号等。
Nand flash的页大小，oob大小，块大小，位宽8bit还是16bit。
工作原理，上面已经做了一定描述，不清楚的，可以参考datasheet，多看看，就会明白很多。
按照linux下驱动编写规范编写nand
flash驱动，
可以参考其他已经有的驱动，比如内核源码中已经有的
drivers/mtd/nand/s3c2410.c
就是个很好的例子。
自己以其为模板，实现自己板子的nand flash驱动。
其实主要工作就是，实现
static struct platform_driver s3c2410_nand_driver =
s3c2410_nand_p...
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详细解释了Nand flash的硬件特性以及对应的Linux下相关的软件架构，以及如何实现硬件到软件的映射，最后解释了如何在Linux下实现Nand Flash的驱动。
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QQ:(周一到周五 9:00-18:00)如何编写Linux下Nand Flash驱动_百度知道
如何编写Linux下Nand Flash驱动
都是断电后，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)，也不会丢失，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。关于什么是非易失性&#47，ROM等，取决于图中的外部门（external gate）所被施加的电压，除了Flash，易失性就是断电了。【SLC和MLC的实现机制】Nand Flash按照内部存储数据单元的电压的不同层次.典型的Flash内存单元的物理结构数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的，比如大家常用的内存，还是多位数据，即使断电了，与此相对的，DDR SDRAM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了，数据就丢失了，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示，这类设备，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，DDR3等，从名字中就可以看出，是真正存储数据的单元。在Flash之前。Flash的内部存储是MOSFET，是存储1位数据，里面有个悬浮门(Floating Gate)，不论是以前的SDRAM，还有其他比较常见的入硬盘。图1，也就是单个内存单元中;易失性Flash全名叫做Flash Memory，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中。存储电荷的多少，数据就没了，可以分为SLC和MLC。而数据的表示，还是现在的DDR2
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　　OK6410裸机简单的NAND FLASH驱动,只写了个简单的函数,读取一页
　　/*************************************************************************************************************&* 文件名:& NandFlash.c&* 功能:& S3C6410 NandFlash底层驱动函数&* 作者:& 陈鹏&* 创建时间:&日21:34&* 最后修改时间:日&* 详细:& NandFlash底层驱动函数,& & &板载NAND FLASH信息:2GB,MLC K9G4G08(K9GAG08U0D,页大小4KB,4bit纠正)*************************************************************************************************************/#include "s3c6410_system.h"#include "NandFlash.h"#include "s3c6410_map.h"
　　//配置//CONF#define ECCType& 1&//ECC类型选择,0:SLC(1位修正);1:MLC(4位修正)#define TACLS& 5&//CLE & ALE持续时间(0-7)(= HCLK * TACLS)#define TWRPH0& 5&//TWRPH0持续时间(0-7)(= HCLK * (TWRPH0 + 1))#define TWRPH1& 5&//TWRPH1持续时间(0-7)(= HCLK * (TWRPH1 + 1))#define AdvFlash&1&//预先NAND flash 存储器启动;0:支持512字节/页;1:支持2KB/页#define AddrCycle&1&//NAND Flash存储器地址周期,0: 0:3地址周期,1:4地址周期;1: 0:4地址周期,1:5地址周期//CONT#define SoftLock&0&//软件锁配置,0:禁用锁,1:使能锁#define MainECCLock&1&//锁存主区ECC生成:0:开启主区ECC;1:锁存主区ECC#define SpareECCLock&1&//锁存备用区ECC生成;0:开启备用区ECC,1:锁存备用区ECC,备用区ECC 状态寄存器是NFSECC(0x7020003C)#define RegNCE1& 1&//NAND Flash 存储器nGCS[3]信号控制：0：强制nGCS[3]为低（使能片选）;1：强制nGCS[3]为高（禁用片选）注：即使Reg_nCE1 和 Reg_nCE0 同时被设置为0，它们之中也只有一个被声明#define MODE& 1&//NAND Flash 控制器操作模式：0：NAND Flash 控制器禁用（不工作）1：NAND Flash 控制器使能
　　//NAND FLASH操作宏#define NANDCMD(cmd)&(NAND-&CMMD = (cmd))&//向NAND flash写入命令#define NANDADDR(addr)&(NAND-&ADDR = (addr))&//向NAND flash写入地址#define NANDDATA& (NAND-&DATA)& &//向NAND flash读写数据#define NF_nCS3_L& (NAND-&CONT&=~(1&&2))#define NF_nCS3_H& (NAND-&CONT|=(1&&2))#define NF_nCS2_L& (NAND-&CONT&=~(1&&1))& //片选#define NF_nCS2_H& (NAND-&CONT|=(1&&1))#define NF_RnB& &(NAND-&STAT & BIT0)& &//0:存储器忙,1:空闲
　　//NAND FLASH信息宏#define FLASH_MAX_ADDR & 0x&//FLASH最大能够达到的地址，是2GB#define FLASH_BLOCK_SIZE &0x20000& //FLASH块大小，为512KB#define FLASH_PAGE_SIZE &0x1000& //FLASH页大小，为4KB//ECC 8BIT 512B
　　//NAND FLASH&命令定义#define NAND_READ_1th& &0x00& & //读数据区，第一个访问周期#define NAND_READ_2th& &0x30& & //读数据区，第二个访问周期&#define NAND_READ_ID& &0x90& & //读NAND ID#define NAND_READ_STATUS1& 0x70& & //读状态1#define NAND_READ_STATUS2& 0xf1& & //读状态2#define NAND_RESET& & 0xff& & //复位　　/**************************************************************************************************************************函数 : void NnadFlashWait(void)*功能 : 等待操作完成*参数 : 无*返回 : 无*依赖 : 无*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 低电平操作忙*************************************************************************************************************************/void NnadFlashWait(void){while(NF_RnB == 0); //等待写完成 为低表示忙}
　　/**************************************************************************************************************************函数 : static void NandFlashWrite5BitAddr(vu32 Addr)*功能 : 向NAND FLASH写入4字节的地址*参数 : 地址*返回 : 无*依赖 : 无*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 写NAND地址,地址共32bit,分5次写入*************************************************************************************************************************/static void NandFlashWrite5BitAddr(vu32 Addr){vu8temp = Addr & 0 //取低8位地址printf("\r\n1th=%02X ",temp);NANDADDR(temp); //写入A0-A7;temp = (Addr && 8) & 0x1f; printf("\r\n2th=%02X ",temp); NANDADDR(temp); //写A8-A12,0,0,0temp = (Addr && 13);printf("\r\n3th=%02X ",temp); NANDADDR(temp); temp = (Addr && 21);//写A13-A20 printf("\r\n4th=%02X ",temp); NANDADDR(temp); //写A21-A28temp = (Addr && 29) & 0x07; printf("\r\n5th=%02X ",temp); NANDADDR(temp); //写A29-A31,0,0,0,0,0}
　　/**************************************************************************************************************************函数 : void NandFlashReset(void)*功能 : NandFlash复位*参数 : 无*返回 : 无*依赖 : 无*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 写入复位命令等待复位完成*************************************************************************************************************************/void NandFlashReset(void){NANDADDR(0x00); //地址复位NANDCMD(NAND_RESET); //写入复位命令NnadFlashWait(); //等待操作完成}
　　/**************************************************************************************************************************函数 : void NandFlashInit(void)*功能 : NandFlash初始化函数*参数 : 无*返回 : 无*依赖 : 无*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 用于初始化NAND*************************************************************************************************************************/void NandFlashInit(void){// rGPPCON &= ~(3 && 14); //GPIOP7输入NAND-&CONF = (ECCType && 24) + (TACLS && 12) + (TWRPH0 && 8) + (TWRPH1 && 4) + (AdvFlash && 3) + BIT2 + (AddrCycle && 1); //配置NAND FLASHNAND-&CONT = (SoftLock && 16) + (MainECCLock && 7) + (SpareECCLock && 6) + (RegNCE1 && 2) + (MODE && 0);//初始化控制寄存器NandFlashReset(); //复位NAND FLASH}　　/**************************************************************************************************************************函数 : u32 NandFlashReadStatus(void)*功能 : 读取NandFlash状态*参数 : 无*返回 : 状态参数*依赖 : 无*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 读取状态*************************************************************************************************************************/u32 NandFlashReadStatus(void){NF_nCS2_L;NANDCMD(NAND_READ_STATUS1); //写查询命令NnadFlashWait(); //等待操作完成NF_nCS2_H;return NANDDATA; //返回状态信息}
　　/**************************************************************************************************************************函数 : u32 NandFlashReadStatus1(void)*功能 : 读取NandFlash状态1*参数 : 无*返回 : 状态参数*依赖 : 无*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 读取状态1*************************************************************************************************************************/u32 NandFlashReadStatus1(void){NF_nCS2_L;NANDCMD(NAND_READ_STATUS2); //写查询命令1NnadFlashWait(); //等待操作完成NF_nCS2_H;return NANDDATA; //返回状态信息}
　　/**************************************************************************************************************************函数 : void NandFlashReadID(u8 *pbuff)*功能 : 读取NandFlash ID*参数 : 缓冲区指针*返回 : 无*依赖 : 无*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 读取ID,注意ID为6字节,ECH,DeviceCode,3rd cyc,4th cyc,5th cyc,6th cyc,读一次是32BIT,4 字节*************************************************************************************************************************/void NandFlashReadID(u8 *pbuff){u8u32 buff[2];u8 *p = (u8 *)NF_nCS2_L;NANDCMD(NAND_READ_ID); //写读取ID命令 NANDADDR(0x00); //地址复位NnadFlashWait(); //等待操作完成//读取2次,共8字节for(i = 0;i & 2;i ++) buff[i] = NANDDATA;NF_nCS2_H;//复制前面的6字节IDfor(i = 0;i & 6;i ++)pbuff[i] = p[i];}/**************************************************************************************************************************函数 : u8 NandFlashReadOneSector(u32 Addr,u8 *pBuff)*功能 : 读取nand flash一页*参数 : Addr:页地址,pBuff:缓冲区指针;*返回 : 状态*依赖 : 底层操作函数*作者 : 陈鹏*时间 : *最后修改时间: *说明 : 读取一页,一页4KB,注意缓冲区不要越界,读一次是32BIT,4 字节*************************************************************************************************************************/u8 NandFlashReadOneSector(u32 Addr,u8 *pBuff){u32u32 *p = (u32 *)pBu32 cnt = FLASH_PAGE_SIZE / 4; //读取次数,每次读取4字节if(Addr & FLASH_MAX_ADDR) //地址超出范围返,返回错误代码1,地址越界return 1;NF_nCS2_L;//如果跨页的，则写读数据命令NANDCMD(NAND_READ_1th);NandFlashWrite5BitAddr(Addr);NANDCMD(NAND_READ_2th);NnadFlashWait(); //等待数据读回for(i = 0;i &i++){p[i] = NANDDATA; //读一字节数据}NF_nCS2_H;return 0;}
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