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华强连盛微 强势供应 进口TO-247封装集成电路FGL40N120AND
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& 仙童IGBT单FGL40N120ANDTU通过允许高压端和低压端IGBT独立优化实现很高的效率;高压端、同封装的软恢复二极管没有续流时间，从而消除了不必要的开关损耗;低压端IGBT的开关频率只有60Hz，因此导通损耗是这些IGBT的主要因素;没有交叉导通，因为任何时间点的开关都发生在对角的两个器件上(Q1和Q4或Q2和Q3);不存在总线直通的可能性，因为桥的同一边上的IGBT永远不可能以互补方式开关;跨接低压端IGBT的同封装、超快速、软恢复二极管经过优化可以使续流和反向恢复期间的损耗达到最小。
&电气性能为额定电流20A，耐压值为600V，直流母线耐压值450V，浪涌值为500V。最大开关频率为20KHz。在双PWM变频器中，整流和逆变部分均使用该性能的IGBT就可以达到设计的要求。
& (1)过电流保护。检测连接在直流N母线上的电流检测分流电阻R(见图1中)的两端电压来进行过电流保护。在约5ms期间内连续超过过电流保护标准，则会软关断IGBT。并且装有检测滤波器，可以防止因瞬间过电流及噪音而导致的误动作。
& (2)短路保护功能。在短路保护动作时，全部短路保护连动，来抑制负载短路及桥臂短路时的峰值电流。
& (3)控制电源电压下降保护功能。控制电源电压在约5ms期间内连续低于控制电源电压不足保护电压时，该功能会软关断IGBT。约过2ms后，控制电源电压恢复后，如果输入信号为OFF，则警报解除。
& 仙童IGBT单管FGL40N120ANDTU现货技术参数价格
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极&发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: +/- 25 V
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
最大工作温度: + 150 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
集电极最大连续电流 Ic: 64 A
高度: 26 mm
长度: 20 mm
最小工作温度: - 55 C
工厂包装数量: 375
宽度: 5 mm
零件号别名: FGL40N120ANDTU_NL
单位重量: 6.756 g
产品封装尺寸结构图
&　由于IGBT为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：　　
& & 1.在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。　　
& & 2. 此外，在栅极&发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。　　
& & 3.在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10K&O左右的电阻。　　
& & 4.在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。本产品网址：/b2b/highfel/sell/itemid-.html

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