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PH0.5 H3.0--H8.5 8P--100P东莞市硕品电子有限公司，成立于二O一O年，专业从事电子连接器、电子线束及五金件
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公司简介 韩晶电子有限公司成立于1998年8月。于2000年6月在香港成立韩晶企业国际公司，2003年建立生产基地泉州韩晶电子
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本店所有宝贝一件起卖，由于电子元件种类繁多、货物流通快、价格波动较大等原因，我们未能每天更新单价和数量，因此请买家在购买时联系我
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连接器-板对板接头和插座TE CONNECTIVITY (TE)2X15P HV100 REC.CON.B/TE,6.2MM,N
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TE CONNECTIVITY (TE)SHUNT,.200 C/L, 2 POS, SNAMP
| LTE内部编号
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TE内部编号：符合欧盟RoHS标准
产品类型特性连接器系统
导线到导线,导线到电路板线缆类型
分离式导线
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连接器线对板连接器端子
TE CONNECTIVITY (TE)MTE PIN 22-26 AWG PLTDAMPMODU
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买家须知：由于产品型号众多，无法一一标上准确价格，皆为虚价，仅为方便搜寻，拍前务必联系卖家报价，请以卖家的实际报价为准，谢谢合作
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温馨提示：图片、价格、属性仅供参考，具体以实物为准，详情请旺旺或来电咨询
额定电流3.0A
AC/DC额定电压250V
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电气性能电路数(最多的）80颜色-树脂黑色耐用性(插拔次数) - 最多次数2, 000阻燃性94V-0材料-金属黄铜材料
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我们FPC连接器、板对板连接器可以代替JST,MOLEX,HRS等品牌，选用JST/MOLEX/HRS相同的材质
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【价格、属性等仅供参考，具体可与店家联系】
　佛山市南海区凯诺达五金加工厂是集铝合金型材产品设计，CAD绘图，铝型材模具制造，
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东莞市大海五金电子是专业研发、生产、销售于一体的精密连接器生产厂家，产品广泛用于各类家电、电动玩具、数码产品、现代办公设备、通讯
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产品编号：BND002GXXX-0.4 BND002MXXX-0.4商品规格：?距0.4mm，合高：1.5 mm 2.0 mm商
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松下连接器型号：AXK714-716-720-722-724-730-734-740-744-750-754-760-770-7
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我司提供板对板0.5mm Free Height (FH) Connectors 联系人: 林机先生+86-
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产品介绍产品特点：单件和两件式 LVDS（低电压差动信令）系统均可与普通的 FFC 电缆一起满足标准速度的要求，或与屏蔽式
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圆形连接器是一种直插拔钢球快锁圆形电连接器外壳合件，它由插头、插座组成，插头外壳合件由外壳、锁套、簧片、销钉、钢球a、钢球b、弹
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我公司现有特价供应JAE系列应用在苹果iphone 3.0寸液晶屏的板对板（BTB）连接器系列产品，部分有大量现货，请有需
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产品型号 QTE-060-01-F-D-A绝缘体材料：液晶聚合物端子材料：磷青铜电镀：在 50μ& (1,27 μm) 的镍上镀
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产品规格图如下： 产品说明：
1、技术参数极数：2*4~2*50额定电压：50V AC,DC额定电流：0.5A温度范围：-25
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0.8间距合高5.0，2X10PIN
双槽板对板公座：母座：公座盖：母座盖：规格书：
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松下连接器型号：AXK714-716-720-722-724-730-734-740-744-750-754-760-770-7
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0.4mm间距0.9mm合高24位 兼容松下14
829+优质产品，现货供应深圳市祥伟杰电子科技有限公
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大量供应国内外品牌(DELL,HP,IBM,SONY,ACER,APPLE,TOSHIBA等)笔记本电池 电池连接器，
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&2017 列表网&琼ICP备号-12&增值电信业务经营许可证B2-&威世推出低导通内阻1.7m&#8486； N沟道功率MOSFET
威世推出低导通内阻1.7m&#8486； N沟道功率MOSFET
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宾夕法尼亚、MALVERN—日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，发布新款40V和60VN沟道TrenchFET&功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK&SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。40VSiR
宾夕法尼亚、MALVERN—日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，发布新款40V和60VN沟道TrenchFET&功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK&SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。40VSiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最接近的竞争MOSFET低4%，而4.5V下的FOM则低15.5%。60VSiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的导通电阻分别比最接近的同档次MOSFET分别低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分别低23%和57%。在器件的整个工作范围内，低导通电阻和低FOM将能够减少开关损耗。两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术，该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。器件的低FOM能够降低高频和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高频率使设计者能够增加其系统的功率密度，或是同时实现更低的功率损耗和更绿色的应用方案。SiR662DP和SiR640DP适用于DC/DC和AC/DC转换器中的次级侧同步整流、DC/DC转换器中的初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器和替代机械式继电器的应用。典型终端产品包括通信电源、工业自动化和专业游戏机、不间断电源(UPS)和消费类应用。MOSFET的电压等级为4.5V，使许多设计者能够在其系统中使用现有的给数字逻辑电路供电的5V电源轨，无需再为10V电源轨腾出和寻找合适的空间。4.5V电压等级还能够大幅降低栅极驱动的损耗，同时还能够使用电压更低、成本更低的5VPWMIC。两款芯片均经过了100%的Rg和UIS测试，符合IEC的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。SiR662DP和SiR640DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。
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