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CPU的工作原理 - 嵌入式编程之单片机的基本构成、工作原理
来源：电子发烧友网 作者：佚名日 10:58
[导读] 本连载讲解作为嵌入式系统开发技术人员所必需具备的基础知识。这些基础知识是硬件和软件技术人员都应该掌握的共通技术知识。有了电子电路和数字电路的基础知识，就可以开始学习嵌入式系统的核心元件-单片机。本文我们将为大家介绍单片机的基础知识。
　　CPU的工作原理
　　让我们通过一个具体运算3+4，来说明CPU的操作过程吧。
　　假设保存在内存中的程序和数据如下。
（实际上指令是用二进制码表示的，为了方便理解，我们用文字说明）
读取0100地址的内存，存入寄存器1
读取0101地址的内存，存入寄存器2
将寄存器1与寄存器2的值相加，结果存入寄存器1
　　◇步骤1：当程序被执行时，CPU就读取当前PC指向的地址0000中的指令（该操作称为指令读取）。经过解码电路解读后，这条指令的意思是&读取0100地址中的内容，然后，保存到寄存器1&。于是CPU就执行指令，从0100地址中读取数据，存入寄存器1。
　　寄存器1： 0&3（由0变为3）
　　由于执行了1条指令，因此，PC的值变为0001
　　◇步骤2：由于PC的值为0001，因此CPU就读取0001地址中的指令，经解码电路解码后，CPU执行该指令。然后PC再加1。
　　寄存器2：0&4（由0变为4）
　　◇步骤3：由于PC的值为0002，因此CPU从0002地址中读取指令，送给指令解码电路。解码结果是：将寄存器1和寄存器2相加，然后将结果存于寄存器1。
　　寄存器1：3&7
　　PC：2&3
　　于是3+4的结果7被存于寄存器1，加法运算结束。CPU就是这样，依次处理每一条简单的指令。
　　能记忆的内存
　　内存是单片机的记忆装置，主要记忆程序和数据，大体上分为ROM和RAM两大类。
　　ROM（Read Only Memory）是只读内存的简称。保存在ROM中的数据不能删除，也不会因断电而丢失。ROM主要用于保存用户程序和在程序执行中保持不变的常数。
　　大多数瑞萨（Renesas）的单片机都用闪存作为ROM。这是因为闪存不仅可以象ROM一样，即使关机也不会丢失数据，而且还允许修改数据。
　　RAM（Random Access Memory）是可随机读/写内存的简称。可以随时读写数据，但关机后，保存在RAM中的数据也随之消失。主要用于存储程序中的变量。
　　在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，但是，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。
　　除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，因此，比SRAM的容量大。但是，将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，因此，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。
　　（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。单芯片单片机的基础上再配置一些系统的主要外围电路，而形成的大规模集成电路称为系统LSI。
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版权所有 & 深圳华强聚丰电子科技有限公司CPU(Centralprocessingunit)是现代计算机的核心部件，又称为&微处理器(Microprocessor)&。对于PC而言，CPU的规格与频率常常被用来作为衡量一台电脑性能强弱重要指标。Intelx86架构已经经历了二十多个年头，而x86架构的CPU对我们大多数人的工作、生活影响颇为深远。
一代一代经典的CPU
许多对电脑知识略知一二的朋友大多会知道CPU里面最重要的东西就是晶体管了，提高CPU的速度，最重要的一点说白了就是如何在相同的CPU面积里面放进去更加多的晶体管，由于CPU实在太小，太精密，里面组成了数目相当多的晶体管，所以人手是绝对不可能完成的，只能够通过光刻工艺来进行加工的。这就是为什么一块CPU里面为什么可以数量如此之多的晶体管。晶体管其实就是一个双位的开关：即开和关。如果您回忆起基本计算的时代，那就是一台计算机需要进行工作的全部。两种选择，开和关，对于机器来说即0和1。那么您将如何制作一个CPU呢？在今天的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央处理器从一堆沙子到一个功能强大的集成电路芯片的全过程。（由于CPU的制作过程技术含量太高，小编能力有限，图片与介绍都来至互联网收集）。本文仅是让大家对CPU制作过程有一个比较详细的了解，这样小编的任务也就完成了。
● 制造CPU的基本原料
如果问及CPU的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案&是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成CPU，那么成品的质量会怎样，你还能用上像现在这样高性能的处理器吗？
英特尔技术人员在半导体生产工厂内使用自动化测量工具，依据严格的质量标准对晶圆的制造进度进行监测。
除去硅之外，制造CPU还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的CPU工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS（北木暴毕综合症）的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了CPU的瘫痪。这就是intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。
除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。
● CPU制造的准备阶段
在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。
晶圆上的方块称为&芯片（die）&，每个微处理器都会成为个人计算机系统的&大脑&。
而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍CPU的制造过程。
清洁的空气源源不断地从天花板和地板中的空隙中流入室内。无尘车间中的全部空气每分钟都会多次更换。
在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品CPU的质量。
新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺（互补型金属氧化物半导体）。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。
在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。
准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。
这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕， 由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步（每一步进行一层刻蚀）。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。
& 单晶硅锭和最初的核心架构
当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。
英特尔技术人员在监测自动湿刻蚀工具中的晶圆，该工艺可清除晶圆上多余的操作助剂或者污染物。
在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料（因此称作金属氧化物半导体），多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。
● 重复这一过程
从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今天的P4处理器采用了7层金属连接，而Athlon64使用了9层，所使用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异。
● 封装测试过程
接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑错误，如果有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。
技术人员正在检查各个晶圆，确保每个晶圆都处于最佳状态。每个晶圆中可能包含数百个芯片。
晶圆在测试过程中旋转时的特写
而后，整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装，这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。大多数intel和AMD的处理器都会被覆盖一个散热层。在处理器成品完成之后，还要进行全方位的芯片功能检测。这一部会产生不同等级的产品，一些芯片的运行频率相对较高，于是打上高频率产品的名称和编号，而那些运行频率相对较低的芯片则加以改造，打上其它的低频率型号。这就是不同市场定位的处理器。而还有一些处理器可能在芯片功能上有一些不足之处。比如它在缓存功能上有缺陷（这种缺陷足以导致绝大多数的CPU瘫痪），那么它们就会被屏蔽掉一些缓存容量，降低了性能，当然也就降低了产品的售价，这就是Celeron和Sempron的由来。
在CPU的包装过程完成之后，许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏，且产品完全遵照规格所述，没有偏差。
以上就是CPU整个制作过程，相信大家一定看的很爽吧？而对于想了解CPU的朋友，这篇文章可以满足您的需求了。但对于更深一层了解更为详细的CPU制作原理，还需要查找一些专业的资料来研究，这里小编就不在一一解释，希望大家谅解！ & & & & & & & & & & & & & &
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & &转自网易/07/IUVDJF6000926PT.html
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演讲人：陈雄基时间： 10:00:00
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演讲人：骆彦志时间： 10:00:00
预算：小于￥1,000预算：￥1,000-￥5,000
集成电路_IC测试工作原理
[导读]1 引言　　本系列一共四章，下面是第一部分，主要讨论芯片开发和生产过程中的IC测试基本原理，内容覆盖了基本的测试原理，影响测试决策的基本因素以及IC测试中的常用术语。　　2 数字集成电路测试的基本原理　　器件
　　本系列一共四章，下面是第一部分，主要讨论芯片开发和生产过程中的IC测试基本原理，内容覆盖了基本的测试原理，影响测试决策的基本因素以及IC测试中的常用术语。
　　2 数字集成电路测试的基本原理
　　器件测试的主要目的是保证器件在恶劣的环境条件下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标。用来完成这一功能的自动测试设备是由计算机控制的，因此，测试工程师必须对计算机科学编程和操作系统有详细的认识，测试工程师必须清晰了解测试设备与器件之间的接口，懂得怎样模拟器件将来的电操作环境，这样器件被测试的条件类似于将来的应用环境。
　　首先有一点必须明显的是，测试成本是一个很重要的因素，关键目的之一就是帮助降低器件的生产成本，甚至在优化的条件下，测试成本有时能占到器件总体成本的40%左右，良品率和测试时间必须达到一个平衡，以取得最好的成本效率。
　　2.1 不同测试目标的考虑
　　依照器件开发和制造阶段的不同，采用的工艺技术的不同，测试项目种类的不同以及待测器件的不同，测试技术可以分为很多种类。
　　器件开发阶段的测试包括：特征分析：保证设计的正确性，决定器件的性能参数;
　　产品测试：确保器件的规格和功能正确的前提下减少测试时间提高成本效率; 可靠性测试：保证器件能在规定的年限之内正确工作;
　　来料检查：保证在系统生产过程中所有使用的器件都能满足它本身规格书要求，并能正确工作。
　　制造阶段的测试包括：
　　圆片测试：在圆片测试中，要让测试衣管脚与器件尽可能地靠近，保证电缆，测试衣和器件之间的阻抗匹配，以便于时序调整和矫正。因而探针卡的阻抗匹配和延时问题必须加以考虑。
　　封装测试：器件插座和测试头之间的电线引起的电感是芯片载体及封装测试的一个首要的考虑因素。
　　特征分析测试，包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、金属场临界电压、多层间电阻，金属多点接触电阻、扩散层电阻，接触电阻以及FET寄生漏电等参数测试。
　　通常的工艺种类包括：
　　TTL、ECL、CMOS、NMOS、Others
　　通常的测试项目种类：
　　功能测试：真值表、算法向量生成
　　直流参数测试：开路/短路测试，输出驱动电流测试、漏电电源测试、电源电流测试、转换电平测试等。
　　交流参数测试：传输延迟测试，建立保持时间测试、功能速度测试、存取时间测试、刷新/等待时间测试，上升/下降时间测试。
　　2.2 直流参数测试
　　直流测试是基于欧姆定律的用来确定器件电参数的稳态测试方法。比如，漏电流测试就是在输入管脚施加电压，这使输入管脚与电源或地之间的电阻上有电流通过，然后测量其该管脚电流的测试，输出驱动电流测试就是在输出管脚上施加一定电流，然后测量该管脚与地或电源之间的电压差。
　　通常的DC测试包括：
　　接触测试(短路-开路)：这项测试保证测试接口与器件正常连接，接触测试通过测量输入输出管脚上保护二极管的自然压降来确定连接性。二极管上如果施加一个适当的正向偏置电流，二极管的压降将是0.7V左右，因此接触测试就可以由以下步骤来完成：
　　(1)所有管脚设为0V，
　　(2)待测管脚上施加正向偏置电流&I&，
　　(3)测量&I&引起的电压，
　　(4)如果该电压小于0.1V，说明管脚短路，
　　(5)如果电压大于1.0V，说明该管脚开路，
　　(6)如果电压在0.1V到1.0V之间，说明该管脚正常连接。
　　漏电(IIL，IIH，IOZ)：理想条件下，可以认为输入及三态输出管脚和地之间是开路的，但实际情况，它们之间为高电阻状态，它们之间的最大的电流就称为漏电流。或分别称为输入漏电流和输出三态漏电流，漏电流一般是由于器件内部和输入管脚之间的绝缘氧化膜在生产过程中太薄引起的，形成一种类似于短路的情形，导致电流通过。
　　三态输出漏电IOZ是当管脚状态为输出高阻状态时，在输出管脚使用VCC(VDD)或GND(VSS)驱动时测量得到的电流，三态输出漏电流的测试和输入漏电测试类似，不同的是待测器件必须被设置为三态输出状态。
　　转换电平(VIL，VIH)。转换电平测量用来决定器件工作时VIL和VIH的实际值。(VIL是器件输入管脚从高变换到低状态时所需的最大电压值，相反，VIH是输入管脚从低变换到高的时候所需的最小电压值)。这些参数通常是通过反复运行常用的功能测试，同时升高(VIL)或降低(VIH)输入电压值来决定的，那个导致功能测试失效的临界电压值就是转换电平，这一参数加上保险量就是VIL或VIH规格，保险量代表了器件的抗噪声能力。
　　输出驱动电流(VOL，VOH，IOL，IOH)。输出驱动电流测试保证器件能在一定的电流负载下保持预定的输出电平，VOL和VOH规格用来保证器件在器件允许的噪声条件下所能驱动的多个器件输入管脚的能力。
　　电源消耗(ICC，IDD，IEE)。该项测试决定器件的电源消耗规格，也就是电源管脚在规定的电压条件下的最大电流消耗，电源消耗测试可分为静态电源消耗测试和动态电源消耗测试，静态电源消耗测试决定器件在空闲状态下时最大的电源消耗，而动态电源消耗测试决定器件工作时的最大电源消耗。
　　2.3 交流参数测试
　　交流参数器件晶体管转换状态时的时序关系。交流测试的目的是保证器件在正确的时间发生状态转换，输入端输入指定的输入边沿，特定的时间后在输出端检测预期的状态转换。
　　常用的交流测试有传输延迟测试，建立和保持时间测试，以及频率测试等。
　　传输延迟测试是指在输入端产生一个状态(边沿)转换和导致相应的输出端的状态(边沿)转换之间的延迟时间，该时间从输出端的某一特定的电压开始到输出端的某一特定的电压结束，一些更严格的时序测试还会包括以下的这些项目：
　　三态转换时间测试
　　TLZ，THZ：从输出使能关闭到输出三态完成的转换时间。
　　TZL，TZH：从传输使能开始到输出有效数据的转换时间。
　　存储器读取时间--从内存单元读取数据所需的时间，测试读取时间的步骤一般如下所示
　　(1)往单元A写入数据&0&，
　　(2)往单元B写入数据&1&，
　　(3)保持READ为使能状态并读取单元A的值，
　　(4)地址转换到单元B，
　　(5)转换时间就是从地址转换开始到数据变换之间的时间。
　　写入恢复时间--在写操作之后的到能读取某一内存单元所必须等待的时间。
　　暂停时间--内存单元能保持它们状态的时间，本质上就是测量内存数据的保持时间。
　　刷新时间--刷新内存的最大允许时间。
　　建立时间--输入数据转换必须提前锁定输入时钟的时间。
　　保持时间--在锁定输入时钟之后输入数据必须保持的时间。
　　频率--通过反复运行功能测试，同时改变测试周期，来测试器件运行的速度，周期和频率通常通过二进制搜索的办法来进行变化。频率测试的目的是找到器件所能运行的最快速度。
　　上面讨论了数字集成电路测试的一些基本目的和原理，同时也定义了测试上的一些关键术语，在接下来的章节里，我们将讨论怎么把这些基本原理应用到实际的IC测试中去。
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我 要 评 论
热门关键词　　然后电源控制芯片输出控制脉冲，控制场效应管的导通和截止，这其实就是一个开关。场效应管将这个脉冲放大，经过和的后，得到平稳的电压、电流供CPU使用。在场效应管输出处有电流反馈，在CPU核心电压输入处有电压反馈，均反馈至电源控制芯片。
　　电源管理芯片通过反馈回来的电流和电压调整控制脉冲的占空比，控制场效应管的导通顺序和，最终得到符合要求的电压和电流。
　　还有一个问题是：电源控制芯片是如何通过CPU的VID0～VID4五个引脚识别CPU所需电压的呢？这就涉及VRM（电压调整组件）的定义。
　　为了减少人工干预的复杂性，简化稳压电路的电压控制设计，Intel专门为自家CPU制定了电压标准。根据VRM标准制定的电源电路能够满足不同CPU的要求，CPU管脚定义也属于VRM标准的范围。VRM电源规范基本上是随着Intel处理器的发展而发展的。早期的PII、l遵循VRM8.1-8.4电源规范，Tualatin核心的PIII及赛扬则开始遵循VRM8.5标准，Intel在推出 willamette、NorthWood核心的P4 CPU时引入了VRM9.O标准，而到了Prescott处理器则需要VRM10标准来支持。现在，英特尔又为最新的Conroe系列处理器制定了VRM11规范。
　　VRM各个版本所支持的CPU及其电压调节范围如表4-1所示。
& & & & & & & & & & & & & 表4-1& VRM各个版本所支持的CPU及其电压调节范围
要求的VRM版本
电压调节范围
最小电压调节幅度
PII(SLOTI)
0.05V/O．1V
1.3～2.05V
TualatinPⅢ
1.050～1.825V
NorthWoodP4
1.100～1.850V
PrescottP4
　　那么电源控制芯片到底是如何识别CPU所需电压的？下面以VRM9.O版本为例来说明。
　　表4-2所示为VRM9.0的电压识别码，VIDO～VID4是CPU的5个电压识别引脚，&1&表示该引脚接高（通常为3.3V），&0&表示该引脚接低电平（通常接地）。
& & & & & & & & & & & & & & & & 表4-2 VRM9.O电压识别码
代表CPU电压
& & 　　CPU插座的VID0～VID4插孔通过接到3.3V电压上，如图4.2所示。&
　　在没有插入CPU时，VID0至VID4均是高电平，电源控制芯片无动作，CPU座也就没有核心电压输入。在设计CPU时，根据该CPU所使用的电压，将相应的引脚（VID0至VID4）接地或悬空即可。
　　CPU假就是根据这个原理将相应的引脚接到地，然后电源控制芯片会根据电压识别码控制场效应管输出相应的电压。
　　VID0至VID4所代表的数字量进入电源控制芯片后，经过芯片内部的一个数／模转换器转换为模拟量，然后再根据这个模拟量运算出其要代表的电压值，这是一个复杂的过程。
　　上面所讲的是CPU单相供电电路的工作原理。随着CPU功耗的增加，单相供电的电流满足不了要求，于是将两相或两相以上的供电电路并联在一样，以取得更大的电流。但是每一相供电电路的工作原理都是一样的。
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