如何看内存颗粒大小识内存大小

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问下 大家用都怎么查询内存颗粒的容量大小的
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M币362专家4
手上有几个内存&&想拆颗粒 弄到路由上用&&但是不知道内存颗粒是多大的 怕还没有原来的好&&闪存的我知道用闪存精灵查询 但是内存的用什么呢?
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M币968专家2
这个等高手来指教!
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M币8007专家13
百度搜索型号找datasheet
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M币1318专家4
内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌:美国的Micron(美光)、德国的Infineon(英飞凌);韩国的SAMSUNG(三星)、HY(现代);日本的NEC(日本电气)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝);台湾的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(钰创)、Winbond(华邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先进)、Nanya(南亚)。有的品牌现在已经没有被采用了,只有在SDRAM时代采用过,有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD和DDR两种,有时候,他们可以从编号上区分,DDR的可能会注明“D”,SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分,以TSOP封装来说,SDRAM的管脚数量是27x2=54,DDR的管脚数量为33X2=66。注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。编码规则:K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。第6、7位——数据线引脚个数(代宽),08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。第11位--连线“-”,没有实际意义。第12、13位――为速度标志。第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。 &&&&&&&&&&&&图1 三星颗粒(左边为采用TSOP封装DDR颗粒,右边为采用TSOP封装的SD颗粒) 图3 采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒Hynix(Hyundai)现代 韩国现代公司的显存,应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位,它的产品线也是很丰富的,在内存中,现代HY是物美价廉的代表。现代内存的含义:HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X&&X&&XX 1&&2&&3&&4&&5&&6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM); 3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系 7、I/O界面:1 :SSTL_3、2 :SSTL_2 8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新 9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ 11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A &&图4 现代的颗粒(左图为DDR颗粒,右图为SD颗粒)第一个编号为HY5DV641622AT-36的颗粒,它是DDR显存颗粒,第4位的字母“D”即代表为DDR,单颗64/8=8MB,速度为3.6ns;第二颗编号为HY57V641620HG T-6,它是SDR颗粒,它的第6、7两位标称了显存单颗粒为64/8=8MB,8,9两位代表了显存位宽为16bit,T-6表示速度为6ns,一般以-2A的标识方式进行标注。 图5 采用mBGA封装方式的颗粒Infineon(亿恒) Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。 HYB39S8MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S8MB/8bits;HYB39S8MB/16bits;HYB39S6MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz; -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如:1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。 1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。
图6 Infineon(亿恒)颗粒这颗编号为HYB25D.3,编号中正数第10、11位,也就是“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。32也就是单颗32位。顺便说一下,这是DDR SGRAM显存颗粒。KINGMAXKingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注: KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度; KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度; KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度; KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度; KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率: -7A——PC133 /CL=2; -7——PC133 /CL=3; -8A——PC100/ CL=2; -8——PC100 /CL=3。 例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。 Micron(美光) 美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商,目前显卡厂商采用它显示芯片较少,它主要供应内存OEM商,下面用上图的实例对Micron(美光)颗粒编号的简单含义作介绍:以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义: MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式,TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。 实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。 图7 美光芯片颗粒颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75,从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒,采用TSOP封装方式,速度为7.5ns,单颗粒为8M,位宽8bit。Winbond(华邦) 台湾华邦为台湾5大内存芯片厂商之一,近年来,大陆客户采用它的内存颗粒较多,因此为我们较熟悉的一种品牌。含义说明:W XX XX XX XX 1 2&&3&&4&&5 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM? 3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H; 4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装 5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz 图8 winbond颗粒这颗粒编号为W946432AD-5H,第1位W为台湾华邦显存颗粒开头标志,编号中的4、5为64表示单颗显存为64/8=8Mb,第6、7为32表示单颗粒位宽为32位,第9位D表示位DDR颗粒,后面的第11、12位表示颗粒速度位5ns。台湾晶豪电子台湾晶豪电子是台湾5大内存芯片厂商之一,它近年来发展迅速,主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。 图9 EilteMT颗粒这颗显存编号为-5.5Q,9948S M32L32321SB,-5.5Q代表显存的速度为5.5ns,对应的运行速度=1/5.5=183MHz;9948S表示封装日期为99年第48周;第二行中的3232表示容量为32/8=4MB,数据带宽为32bit。 图10 ESMT颗粒这颗显存编号为M13LT,5、6、7位的128表示单颗是128/8=16MB,8、9位表示位宽16bit,最后的-4T表示速度为4ns。台湾钰创科技台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星,它的内存颗粒被各大显卡产商大量采用,品质性能都非常不错。这颗显存编号为EM658160TS-4.5,其中EM代表EtronTech(钰创)显存,65代表容量为64/8=8MB,16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V,S代表种类为DDR SDRAM。4.5代表显存速度为4.5ns,额定工作频率为230MHz。 图11 钰创颗粒南亚科技(NANYA)南亚科技是全球第六大内存芯片厂商,也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司,它在全球排名第五位。 图12 南亚颗粒这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K,其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存,6、7位8M表示单颗粒容量8M,8、9位16表示单颗粒位宽16bit,-7K表示速度为7ns。台湾茂矽(MOSEL)台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商,对大陆供货不多,因此我们熟悉度不够。 图13 MOSEL显存颗粒这颗粒编号为V54C365164VDT45,从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8=8MB,从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns。
謝謝分享.有图就更好了。
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M币1318专家4
图片没有进去,算了,不编辑了,就这样吧。求加分。。。。
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M币320专家17
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M币-409专家0
做个MARK 很好 有高清图片解说就更好了
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Gzip enabled&浅谈多颗粒内存之间的区别
19:30:37 来源:超频NB网 作者:人族力量 我要评论:
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&&&&&&&&& 大家在购买内存条的时候,会发现各种品牌同样容量的内存条的颗粒数目却不一定一样,甚至于有时候同品牌同型号的内存条的颗粒数目都不一样,那么内存条的颗粒数目到底隐藏着什么样的区别呢?今天给大家带来超频NB网网友&人族力量&关于内存条多颗粒之间区别的文章,希望对大家有帮助。&&&&&&&&&&如今市面上充斥着各种各样的内存,从正品到仿冒无一不有,其实从严格意义上而言,每家内存品牌商的研发实力都是一样的,他们最主要的任务就是一个:将买来的颗粒封装,这是个很简单的技术,一个中专生学PCB Layout的,大约几小时就能layout出一块母板出来,线路原理图也是千年不变,就是颗粒+电阻+SPD芯片,然后SPD里的芯片随便找个公版的改下厂商信息和编号就行了,山寨内存厂聘个中专生去设计出来,是绰绰有余的。&&&&&&&& 这里首先牵涉的一个问题就是颗粒,基本上几大颗粒厂商的水平都是差不多的,不过根据我玩电脑十几年后的总结,首选的话我推荐micro和samsung这2家,其中micro是首推(仅限于micro原厂版),因为我隔了2代购买的samsung金条潜力还不如2代前的micro原厂内存条,内存的超频潜力,几乎就是整块PCB电路板的综合水平体现,光颗粒牛逼是无用的。&首先说下颗粒少和颗粒多的区别:&&&&&& 如果是相同的颗粒厂商的东西,那我可以向你保证,颗粒少绝对比颗粒多要牛逼的多,要稳定得多得多,因为这里涉及到一个电路延迟问题和信号完整性问题,首先是延迟,电子信号和光速是差不多的,为3*10^8m,而芯片设计时的单位一般都是PS,也就是皮秒,那么1皮秒的空间距离就是(1/10^12)*3*10^8m=0.mm,那么信号跑完整块PCB板,也是需要点时间的,而且因为颗粒摆放区域的关系,这就导致了前后到达CPU的时间不一,这是layout中同一信号源的大忌,内存的颗粒越多,不同步的信号就越多(也一样,如果输入功率相等,频率完全相等,那么GTX690绝对会比GTX680 SLI好得多)&&&&& 其次是信号的完整性,因为内存就那么点东西,不需要内层的交叉走线,也没过多的VIA,所以内存PCB的信号源比主板PCB的信号源要稳定的多,因为要涉及到几十个关键领域的说明,所以不详解,下表是我对PCB Layout信号源的一张仿真图,可作为说明参考。&这是同一个源信号经过的3个不同器件的接收端的振幅,可以看到绿色的明显很坑爹,接收端是U19.11。&这图更好明了,这就是在不同频率下的振幅,同样的,还是绿色在坑爹,U19.11尤其当频率越高时,变化越大。&这张图就是说明了layout时的信号流经的板层透视,可以看到,U19.11(最右下脚的那个红色)离源端最远也最麻烦,因为是从TOP-BOT-TOP-BOT-TOP,总共经过了3个VIA,很是蛋疼,这对于信号的完整性有极大的影响,如果内存上面颗粒越多,那么因为要走很多线,又不能交叉,那就只能通过VIA走内层,信号质量就越来越差。&&&&&&&& 所以,买内存时,如果想要获得良好的超频性能和稳定性,一定记得选购颗粒最少的(前提是正规颗粒大厂的颗粒),当然影响内存的还有其他因素,不过这几乎是最重要的(山寨内存条不算)。君,已阅读到文档的结尾了呢~~
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