lpddr4 ufs2.0内存和UFS2.1闪存的关系？他俩各自的意思是什么？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-01-14 16:29 标签： ufs2.1闪存
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解密三星S6隐藏属性：LP DDR4、UFS
来源：作者：宋辰责编：远洋
前不久的MWC&2015正式落幕，三星GALAXY&S6相信给大家留下了颇深的印象，而作为2015年三星首款旗舰手机来讲，其硬件配置、外观、UI等方面成为焦点也不足为奇。在过去的一年中，智能手机的处理器、运行内存、摄像头等硬件参数已经成为消费者、厂商考评一款手机的关键。这次发布的三星GALAXY&S6采用了一枚14纳米64位处理器、3GB运行内存和1600万像素摄像头。其中运存方面并不是此前期待的4GB，而是采用3GB版本。不过，我们可以看到本次采用的是最新LP&DDR4内存，在存储方面采用的是最新的UFS嵌入式存储，这些都会为三星GALAXY&S6带来更快的运行效率和更低的功耗。除了处理器以外，内存已经成为智能手机重要硬件之一，随着技术发展我们已经不能从表面的2GB、3GB这些常规数字来判定其性能，我们不妨就来看看此次三星GALAXY&S6内存背后的隐藏属性。为何要选LP&DDR4？有哪些提升？3GB的运行内存想必大家经过MWC之后已经习以为常，但是很少厂商会提到其采用LP&DDR4内存。毫无疑问，从名字上我们就可以看出LP&DDR4要比LP&DDR3内存更高级，而实际情况也确实如此。从效能来看DDR4要比DDR3有着大幅度提升，同时可提供32Gbps的带宽（为LPDDR3的2倍）。因此，更高效运行内存意味着应用的启动速度更快，要知道三星GALAXY&S系列在多任务同时处理拥有其优势，特别是相比于苹果来讲，在商务办公时多任务处理器可以为用户带来更高的效率，但是也对运行内存带来了更高的要求。同时由于DDR4内存的工作电压降低至1.1V，所以其耗电量也会降低40%。▲多任务处理更高效当前，三星、海力士已经宣布量产DDR4内存，而能够支持DDR4内存的处理器皆为高端处理器，因此在年内或许我们可以看到更多旗舰智能手机采用DDR4内存。出来运行内存外，三星GALAXY&S6在存储方面也有着较大提升，我们不妨再来看看三星GALAXY&S6在存储方面的表现。UFS嵌入式存储，要大还要快随着手机应用程序、游戏越来越大，用户更加依赖手机，大存储似乎已经将成为2015年旗舰机的主流，三星GALAXYS&S6更是32GB存储起步，分别还拥有64GB/128GB版本。除此之外，发布会中三星还提到了三星GALAXY&S6采用了UFS嵌入式存储。▲三星GALAXYS&S6采用UFS嵌入式存储UFS采用“命令队列（Command&Queue）”技术，该技术常用于SSD固态硬盘中，通过串行接口来加快命令执行速度，与采用8位并行接口的eMMC标准相比，其数据处理速度得到大幅提高。此次，三星使用的UFS嵌入式内存的随机读取速度达到19000&IOPS，是eMMC&5.0嵌入式存储（7000&IOPS）的2.7倍、普通高速存储卡（1500&IOPS）的12倍，其超快的处理速度将大大提升系统性能。▲UFS嵌入式存储传输更快此外其连续读写性能也提升到了SSD水平，而功耗则降低了50%，更加适合手机设备使用。同时其随机写入速率也高达14000&IOPS，是一般外置存储卡的28倍。值得一提的是，无论你是购买三星GALAXY&S6的32GB/64GB/128GB任何版本都将能够体验到该技术。总结：如果说前几年手机市场大家都在主要比拼处理器，而当大家手机处理器水平接近之后，内存及存储表现也将成为至关重要的一部分，无论是DDR&4内存还是UFS嵌入式存储都将为手机带来更高的效率和更低的功耗，而这些技术或将在更多旗舰手机中展现，在三星GALAXY&S6中使用也许只是个开始。
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版权所有 鲁ICP备号惊呆了，逆天的配置三星Galaxy S8：8GB内存+UFS 2.1闪存芯片
日 10:52 来源：网络整理 作者： (0)
　　Galaxy Note 7的意外离场，让三星懊恼不已，除了要吸取失败教训外，还有就是加大产品的安全性，不能为了创新而创新，所以在这样的大环境下，他们的Galaxy S8将会在明年4月份发布。
　　作为一款只能成功不能失败的产品，三星S8背负了太多艰巨的任务，这也让它的整体性能有了质的飞跃。汇总目前的消息可以推测出：三星将会在S8上重新设计外观，基于大尺寸的4K屏设计，很可能它的屏占比会非常的高。
　　三星GALAXY S8外观设计上有变化，首次搭载光学指纹识别传感器。现在有新消息，据外媒爆料三星GALAXY S8将会成为首款支持全新蓝牙5.0技术的手机。
　　随着苹果iPhone 7 Plus的亮相，有消息称苹果、三星都将为其新一代手机配置上双摄像头系统。而三星更是花费了不少精力，就为明年春季亮相的Galaxy S8引入该设置。甚至有业内人士曝光称该机的双摄系统是由三星自家的1200万像素摄像头及索尼1300万像素的摄像头组成。
　　不过，近日微博上却出现了另一种声音，有网友称三星已经搁置了双摄计划， Galaxy S8将仅配置上一枚主摄像头，而该机所拥有的摄像头型号仍为未知数。
　　在性能方面，骁龙835处理器是少不了的，并且还支持LPDDR4X内存和USF2.1存储，而GPU则可能会是Mali-G71。三星S8会搭载4200mAh大电池，支持快充和无线充电。
　　现在有消息称，三星的Galaxy S8有可能会采用8GB内存和UFS 2.1闪存芯片，而今年的10月份，他们就曾发布公告称，基于10nm工艺的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
　　需要注意的是，昨天产业链给出的消息称，三星、台积电目前都面临一个问题，那就是10nm工艺良品率太低，而面对Galaxy S8这样的产能，如果良品率不改善，恐怕8GB内存要等到Note 8上才能看到了。
　　另外，据说Galaxy S8将会推出两个版本（双曲面屏），一个配备5寸屏幕，其二则放大到6寸左右，并且有个单独的名字叫Galaxy S8 Plus，两者的Home键都要被干掉，以为提供屏占比，这样的效果就是6寸的S8 Plus会比5.7寸的Note 7还要小。
　　希望这次的Galaxy S8会让人惊艳。
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　　【PConline 资讯】作为全球首款十核处理器Helio X20/25，随着魅族PRO 6和乐视等手机的发布在最近一段时间内受到了极大的关注，但很快，联发科的下一个旗舰处理器Helio X30已经开始有消息在网络上流出了。　　根据微博网友的爆料，Helio X30将采用2*A7x（2.8GHz）+4*A53（2.2GHz）+4*A35（2.0GHz）的十核架构，台积电的10nm FinFET工艺制程，GPU为定制的四核心PowerVR 7XT，支持2600万像素摄像头、双摄像头，且针对VR支持做了增强。集成全网通基带，支持LTE Cat.13。　　另外，Helio X30将支持四通道的LPDDR4内存，最大容量为8GB，而存储方面，Helio X30支持最新的UFS 2.1。作为新一代的闪存标准，和eMMC 5.0相比，UFS 2.1拥有更快的读取和写入速度，功耗也仅仅为eMMC 5.0的一半。　　据悉，该芯片将在今年年底量产，是量产最快的10nm芯片。此外，该网友还称&XX又是首发独占，应该还是用增强版&&&如无意外，指的就是魅族了。相关阅读:联发科CTO周渔君:X20不是盲目堆核心!联发科首款10核处理器Heilo X20正式发布联发科Helio X30依然10核心 GPU或升级&
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