高通骁龙835还是买821对比骁龙821,提升有多少

  对于2017年的旗舰手机来讲,最大的希望应当就是骁龙835这款处理器了。只是因为工艺问题,这款处理器至今还没有正式发布,官方也只是宣称第一季度可以发布,至于实际供货恐怕还遥遥无期。
  受到骁龙835延期的影响,今年的MWC众多旗舰手机缺席,比如三星Galaxy S8就完全没有按惯例露面,而是延后至少一个月。反倒是中兴抢了风头,率先“发布”了骁龙835手机,然而因为只是纸面发布,也并没有引起多少关注。
  因为迟迟没消息,骁龙835这种“慢功”,难免会让人觉得高通在十年磨一剑。然而最近国外评测网站GSMArena把骁龙835的GeekBench 4跑分曝光了,从跑分情况来看,这成绩有点惨。
  先看单核心跑分成绩,在GeekBench 4里的跑分是1929分,仅仅比华为麒麟960和高通自家的骁龙821高出了不到3%,距离三星自家的Exynos 8890也没拉开差距,总之相当于又做出了一个10nm的骁龙821一般。在跑分榜里遥遥领先的仍然是苹果iPhone 7 Plus使用的那颗A10处理器。
  相对于单核心来说,多核心性能倒是比自家骁龙821提升了不少,提升幅度接近50%。然而多核心跑分提升的原因也很直接:骁龙821是一款四核心处理器,骁龙835则是一款八核心处理器。
  于是多核心性能跟同样八核心的麒麟960、三星Exynos 8890相比,又没拉开差距,甚至跑分在麒麟960之下。当然如此微弱的差距,也很有可能是测试误差造成的,可以认为两者多核心性能相同。
  GSMArena曝光的这个成绩是真是假呢?之前还有另一张GeekBench 4成绩可供参考,基本可以验证以上信息。跑分虽然比现在这个高些,总体似乎差距也不大:
  但是从评价君知道的情况看,骁龙835跑分低的原因应该有很多。目前能跑分的骁龙835毕竟是早期工程样品,可能有部分模块还无法正常工作,或者初始频率过低等等,这大概也是骁龙835一直没有正式发布的原因吧。总之,前期曝光的成绩仅供参考,一切还是听官方怎么说吧。
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声明:本文由入驻搜狐公众平台的作者撰写,除搜狐官方账号外,观点仅代表作者本人,不代表搜狐立场。全面解读高通最强处理器,骁龙835到底有多逆天?-控制器/处理器-与非网
骁龙在2016年可谓风光无限,骁龙820和骁龙821两款处理器几乎横扫了所有的顶级安卓手机。本着&宜将剩勇追穷寇&的精神,在CES 2017上,高通又发布了全新旗舰&&处理器。这一次,高通又会在骁龙835上带来如何强悍的性能和特别的设计呢?
在CES 2017上,高通公布了型号为骁龙835的全新SoC。作为率先使用三星10nm LPE FinFET工艺制造的处理器,骁龙835将替代骁龙820/821两款产品,成为新一代的顶级处理器。
骁龙835的芯片封装尺寸比骁龙820缩小了35%(有助于改善了电子产品的内部空间),包含超过30亿个晶体管,在性能和功耗上都有不小的进步。终端手机厂商有望借助骁龙835推出拥有更强性能、更出色设计以及更轻薄的手机新品。接下来,小编就详细为大家解读骁龙835的各个方面。
三星10nm LPE FinFET工艺为基
对于SoC而言,更新的工艺可算是最重要的部分。原因很简单,新工艺的晶体管体积更小,单位面积上可以容纳的晶体管数量更多,驱动电压也更低。如果说晶体管体积和密度对应的是设计人员能够在芯片内部塞入更多晶体管、实现更多的功能或更强的性能的话,那么更低的驱动电压就可以进一步降低新产品的功耗。再加上新材料和工艺设计上的改进,进一步降低漏电,新品就能实现相比老产品更低的功耗和更高的性能功耗比。
通过与三星合作,骁龙835率先使用上了三星10nm LPE FinFET工艺。
三星推出的最新工艺是10nm LPE FinFET,从命名就可以看出,新工艺的最小线宽可达10nm,并且采用了FinFET技术,大幅度降低了漏电等问题。为了克服缩放限制,新工艺还采用了三重曝光、应力优化等技术以及改善性设计。
骁龙835处理器结构简图
根据三星的数据,相比之前的14nm LPE,新工艺在芯片面积上缩小了大约30%、性能方面提高了27%(或者降低40%的功耗)。除了10nm LPE外,三星还将继续研发工艺技术,使用更低K(介质常数)的材料,并在2017年推出新的10nm LPP FinFET,进一步降低功耗和提升性能功耗比。
从晶体管间距来看,三星的10nm工艺使用了全新的Mask和全新的库文件,其晶体管间距要比英特尔的14nm更小一些,显著小于之前三星、GF以及TSMC的14nm、16nm工艺。从制造角度来说,所谓10nm、14nm、16nm的意义并不显著,因为这些数值更多是商业上的宣传,性能方面最好只和自家产品相比而不要跨品牌(除非技术源自一家)。
骁龙835的封装面积相比骁龙820大幅缩小
比如TSMC、三星的16nm FinFET和14nm LPE,在晶体管尺寸上其实和英特尔的22nm差距不大;三星10nm LPE又和英特尔14nm在晶体管尺寸上相距不远。当然,涉及到芯片制造这样的复杂环节,各家所用不同的材料和工艺控制都可能实现完全不同的结果,具体问题还需具体分析。
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与非网 小编
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三星S8跑分多少 搭载骁龙835三星S8安兔兔跑分测试 (2)
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高通骁龙835和821差很大吗 区别大吗?骁龙835作为骁龙821的年度升级版,整体区别还是比较大的,下面我们先来看看高通骁龙835和骁龙821处理器的规格参数对比。高通骁龙835和821差很大吗 区别大吗?高通骁龙835和骁龙821参数对比&型号骁龙835骁龙821工艺10nm FinFET&14nm FinFET构架4x2.45GHz+4x1.9GHz (Kryo 280)2x2.4GHz+2x2.0GHz(Kryo)GPUAdreno 540Adreno 530GPU频率670 MHz653 MHz基带全网通、X16 LTE全网通、X12 LTE屏幕分辨率4K()4K()拍照Spectra 180双ISP引、支持单3200万或1600万像素双摄像头、混合自动对焦、光学变焦、高动态HDR视频录制双ISP引擎、支持最高2800万或1400万像素双摄、14位图像传感器、混合自动对焦快充QC 4.0QC 3.0内存双通道LPDDR4X双通道LPDDR4内存频率1866MHz1866MHz闪存UFS2.1 Gear3 2L、SD3.0eMMC 5.1、UFS 2.0、SD3.0决定一款手机处理器性能主要有五要素:架构、工艺、主频、核心、GPU。而从骁龙835和骁龙821参数对比来看,骁龙835在架构、工艺、主频、核心、GPU等方面,相比上一代的骁龙821有了都了有明显的提升,另外快充还支持到QC4.0,支持更高的双通道LPDDR4X内存等,因此骁龙835相比骁龙821有了全面的提升,这意味着骁龙835在性能、功耗、快充等方面都有全面升级,差别还是很大的。最后我们再来看看骁龙835和骁龙821在手机CPU天梯图中的位置,一起来直观感受下吧。骁龙835和821在手机CPU天梯图中的排名
对比总结:骁龙835作为2017安卓阵营的最强处理器,相比去年的骁龙821,属于年度升级版,有着全面的提升。因此,如果要说高通骁龙835和821区别大吗,小编要说的是区别很大,不过就体验来说,高端处理器如今基本是性能过剩阶段,体验上能够感受到的差距,到不会很大。
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关注智能手机、电脑、笔记本、科技资讯, 致力于提供有价值的IT资讯。高通骁龙821是目前移动平台性能最强的,不过高通821实际上也只是上半年高通820的升级版本,并没有质的改变。所以在前不久高通骁龙821的运算性能就已经被华为海思麒麟960超越。
近日外界盛传高通将推出一款型号为MSM8998的SOC,普遍猜测就是明年即将推出的高通骁龙835。爆出这一消息的外媒Neowin表示,高通的下一代芯片确实就是MSM8998,但是否就是高通已经公布的&骁龙835&?目前还不得而知。
实际上这款命名为&MSM8998的SOC&已经在今年4月和高通骁龙625一起出现在10的设备支持列表当中,但随后又被删除。此前有消息称正在打造一款x86-on-ARM64,且这项特性有望在Windows 10 红石3更新中引入。
此前有报道称高通骁龙835会采用10nm FinFET工艺制造,并使用kyro 200架构,采用4颗大核心+ 4颗小核心的八核配置,但是具体核心频率并没有公开。尽管如此,业界认为高通骁龙835处理器的性能至少会比骁龙821提升40%。
高通骁龙835的集成GPU为Adreno 540 ,支持四通道LPDDR4X-1866内存 ( 联发科Helio P20首发 )、 UFS 2.1。基带则是LTE X16,最高支持LTE Cat.16,理论下载速度高达1Gbps,上传也有150Mbps。
今年全球首发高通骁龙820的机型是乐视乐Max Pro,但是该机在上市了1000台工程样机之后就没有了后文。考虑到近期乐视风波不断,明年首发高通骁龙835处理器的应该不会再是乐视的,而很有可能是三星Galaxy S8。
值得一提的是,由于三星Note7的惨败,明年初的三星S8除了会搭载高通骁龙835处理器之外,还将采用更高的配置,甚至还会加入曾经在三星Note7上出现过的虹膜识别功能。因此作为高通骁龙835的首发机型,三星S8绝对值得大家期待。

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