微波功率放大器器坏了会导致前端的旗舰损坏吗

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微波微波功率放大器器1000W图片1000W微波微波功率放大器器产品概述公司网址:***YJPAXXXXX型大功率宽带固态微波功率放大器器是一款高增益、高微波功率放大器器,能够在带宽范围内输絀1000W的连续波功率此微波功率放大器器可以内部自带信号源(需配置),无需外部信号源输入YJPAXXXXX型大微波功率放大器器内部采用先进的CPU对各项参数进行集中监测和控制,具有频率设置(需配置)、功率设置、增益调节、定时设置、功率显示、电压显示、电流显示、驻波显示......

在HFSS中如何对屏蔽盒中的微带电路所处的电磁环境仿真以协助ADS提高电路仿真精度,还有如何利用其优化以改善电路信号交调不知道有没有高手曾经进行过这方面的工作?希望大家在这里发表一下高见

在屏蔽盒内与管子相接的地方及屏蔽盒外电路板上与外围电路相接的位置加端口,这样做能够抽取屏蔽盒引入的寄生效应把抽取的S参数或等效电路导入ADS中做电路仿真。

没有试过和ADS的协同仿真我用过AutoCAD或者Soliworks把屏蔽腔体、电路板和器件转成三維模型,用HFSS仿真这个三维模型的谐振频率这样主要是想消除大微波功率放大器器的腔体效应。但是转三维模型的工作比较繁琐一般得找机械工程师帮忙。

不太清楚啊提取S参数是用HFSS进行吗,似乎感觉操作有点复杂

回楼上,请问你那次做的仿真精度有没有很大的提高囿没实用意义?

那个3维模型仿真是要避免腔体谐振和仿真精度关系不大。仿真过程里没见到谐振模式实际样机做出来也没发现有异常現象,比如s11/s21在某个地方突然出现尖峰不过建3维模型很麻烦,需要机械工程师用solidworks去建AutoCAD不好用。附上的这篇high frequency electronics上的文章是一个新加坡的工程師写的他用CST模拟他的功放的腔体效应,思想是一样的

几天没上来看贴了,谢楼上的回复了我有个疑问,就在调试功放过程中加上屏蔽腔体后(有时放在上方也会出现),有时会发现S21增大或减零点几个DB不是尖峰,而是整个使用频段虽然不多,但不知是什么效应产生的我有时还在想空腔内环境对交调、杂散或ACP等指标有什么样的影响。先看下这篇文章了

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