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终于学会焊接bga芯片了
本帖最后由 zxq6 于
18:56 编辑
以前焊接的，只是把芯片的几个脚粘上去了而已，jtag都没法连接。
后来，又尝试了几次，几乎次次都把芯片吹爆，心惊胆战的，再也不敢弄，找人焊接算了。
头两天不甘心，重新买了植球的工具，把坏的芯片拿来练手。搞了两天，植球总有几个不上芯片的。
后来改进了方法，终于植球成功。
今天下午尝试焊接了个芯片，看起来还不错。
焊上外围设备，插上下载器，激动人心的时候终于来临，jtag检测到了芯片。。。
赶紧焊上外围，运行成功。。。
其中有2片ddr3芯片。
总结:好的工具不可少，焊接bga温度很重要，温度高了，坏芯片，温度低了，不化锡。助焊剂不可少，可以用焊锡膏，可以用助焊膏。但是都需要用质量好的。不然杯具！
把那活儿亮出来，无图无& && && && && &&&
工具和耗材都能重要～在公司，可以轻松的焊0.3mm的bga，清理好焊盘，对好位置，涂点助焊剂，风枪一吹轻松搞定～
我只焊过BGA153的EMMC
手工焊，最好重新做脚。
求工具的高清无码大图
woshimajia222 发表于
把那活儿亮出来，无图无
想看照片吗？明天植球前后对比给你看看。
FPGA_WALKER 发表于
求工具的高清无码大图
明天上图，无马可以，高清可能不行。手机拍的照片
牛人啊，明天上图来看看
我土炮吹过WNDR4500的BCM4706 第二次就妥了。第一次不成功是因为无铅锡要求温度太高不敢加了，第二次铲去无铅锡改用有铅锡球值锡后一次成功。
xqn2012 发表于
牛人啊，明天上图来看看
徐工好久玩点更高大上的？
还没用过bga，就问下一般买到的都是带锡球的吗
guzhen24 发表于
还没用过bga，就问下一般买到的都是带锡球的吗
全新的都是带锡球的。
徐工好久玩点更高大上的？
我的 XILINX FPGA开发板，还在家里吃灰呢
以前工厂修手机，几百脚的BGA，焊这个分分钟的事啊，，一般温度调330度，30秒内要完成，，久了芯片就坏了
1.焊盘要平，先上锡，刮平
2.加助焊济，放芯片
3.热风枪吹。。。吹的时候注意看旁边器件的锡有没有化，化了后，轻轻拔动芯片，如果能左右推动，就是推一下，还能复位，基本就好了
&&有时感觉不好，怕有虚焊，我们会在快冷却的时候，按住芯片，按一会
关键是干嘛花那么多功夫去学焊这个？
恭喜恭喜！
恭喜恭喜！
搞个视频出来学学
justdomyself 发表于
搞个视频出来学学
不需要，youku上多了去了。就是按照那个来就可以了。
关键是干嘛花那么多功夫去学焊这个？
你认为是屠龙之技？
xqn2012 发表于
我的 XILINX FPGA开发板，还在家里吃灰呢
抽时间玩起来就是了呗。
难度太高，一不小心就搞废掉
会焊BGA是方便，不用经常外出找设备和人，节约不少时间
楼主好久不见冒泡了，现在焊接技术精进啊
话说同事的一台笔记本，就是开不了机，修电脑的人试了也没搞定，带到公司，我拆开用排除法拆了几个芯片定位问题，最后怀疑是CPU，就直接用热风枪吹焊，真的是走狗屎运，维修成功
工厂做维修的，整天做的最多的事儿就是焊BGA芯片，一焊一个准儿。
我是不会植球,焊还是很好焊
bga芯片了是什么东东
还没碰过BGA， 只看过视频教学如何焊接BGA， 填球等等
进口助焊剂（笔状）40一支，焊完后看不出来焊接过的。
学会BGA拆完再盖上还能原封不动就样才niubitily
进口助焊剂（笔状）40一支，焊完后看不出来焊接过的。
学会BGA拆完再盖上还能原封不动就样才niubitily ...
什么牌子的？淘宝上的假货太多，实在不敢买。。
yongjia 发表于
楼主好久不见冒泡了，现在焊接技术精进啊
没办法，被逼的啊。
找个什么东西又便宜又能有BGA的又能测试
从没玩过BGA封装的呀，佩服。
什么牌子的？淘宝上的假货太多，实在不敢买。。
跟ITW助焊笔很像，无铅的。很久之前用，下次找到告诉你。
LQS1200 发表于
找个什么东西又便宜又能有BGA的又能测试
可以考虑做个stm32的板子，反正芯片和板子都便宜，群众基础还很好。
什么牌子的？淘宝上的假货太多，实在不敢买。。
华为基站和爱立信基站上面焊接基本全是用这种。很久以前用过，现在估计很多公司用不起这种助焊剂，一只按个二十来次差不多了。
搞个视频出来学学
怎么检查焊好没？我在工厂里看到都是x光来检查，业余怎么搞？
怎么检查焊好没？我在工厂里看到都是x光来检查，业余怎么搞？
加热到差不多时间，用镊子轻轻碰一下芯片，它能够自动归位就表示底下锡球都全部熔化，这时停止加热。
新手建议找芯片没有封胶的旧手机测试，拆装几次后手机功能都全部正常就算入门。主要是靠经验，时间久了就熟能生巧了。
想自己焊接bga，22脚，0.5mm的，怎么上锡膏啊，拿针管一个个点吗？
还是涂点助焊剂就可以了？
mdd 发表于
想自己焊接bga，22脚，0.5mm的，怎么上锡膏啊，拿针管一个个点吗？
如果焊盘做的喷锡，可以不用焊锡膏，摸助焊剂即可。陈金的没玩过，不知道。
如果焊盘做的喷锡，可以不用焊锡膏，摸助焊剂即可。陈金的没玩过，不知道。 ...
涂焊锡膏需要用钢网吗？开一张3*3cm的钢网要多少钱啊？
mdd 发表于
涂焊锡膏需要用钢网吗？开一张3*3cm的钢网要多少钱啊？
焊锡膏肯定要钢网。不然就是一片到处短路。助焊膏不需要，只用刷子薄薄刷一层即可。
焊锡膏肯定要钢网。不然就是一片到处短路。助焊膏不需要，只用刷子薄薄刷一层即可。 ...
太感谢了，准备做板子尝试一下
用的什么bga焊台？
出个图让大家瞧瞧！！学习一下！！！
昨晚试了一下,只有很小的BGA才容易拆,真的能把芯片吹爆,变形...
阿莫电子论坛, 原"中国电子开发网"查看: 33025|回复: 17
DDR3 1600能插在H61主板上吗？
想入E3 1230+H61平台 配4G*2内存 但是H61主板不支持1600频率
DDR3 1600能插吗 插上去是不是就降频使用？
插上去就降到1066或者1333……
降频率，也降延时
直接1600.现在这么便宜。。
我的就是芝奇1600.插在H61 配I3 1333的频率。。
当时是看这条的红色散热比较拉风买的。。
以后换U了。。1600还可以继续
买1600的合算，和1333的基本一个价了。ivy标准支持1600。
bugbear 发表于
买1600的合算，和1333的基本一个价了。ivy标准支持1600。
问题是H61只能支持1333……
MU898 发表于
问题是H61只能支持1333……
以后你升级ivy，至少内存性能有保障吧。
bugbear 发表于
以后你升级ivy，至少内存性能有保障吧。
没有任何区别，因为H61只支持1333，无法超频……
MU898 发表于
没有任何区别，因为H61只支持1333，无法超频……
难说，ivy可以让老主板支持pci-e 3.0
再说，都换ivy了，还在乎主板钱？
况且h61还是ivy指定低端平台。
bugbear 发表于
难说，ivy可以让老主板支持pci-e 3.0
再说，都换ivy了，还在乎主板钱？
况且h61还是ivy指定低端平台。
我说的不是主板成本的问题，而是说H61只支持1333的内存频率，就算上1600都只能当1333用，除非INTEL放开限制……
目前来看只有P67和Z68能超内存……
MU898 发表于
我说的不是主板成本的问题，而是说H61只支持1333的内存频率，就算上1600都只能当1333用，除非INTEL放开限 ...
你咋还不明白呢？
内存控制器和pci-e控制器都是cpu集成了。
老板子只有pci-e 2.0，上ivy可以用pci-e 3.0。那么内存很可能也支持1600了。
这个可以在bios支持新cpu的时候开放。
bugbear 发表于
你咋还不明白呢？
内存控制器和pci-e控制器都是cpu集成了。
老板子只有pci-e 2.0，上ivy可以用pci-e 3. ...
那就看看到时你说得对还是我说得对咯，反正现在一切都是猜测而已……
其实，现在内存频率重要吗？
能插是能插，插了就降到1066
我的H61就行。最高支持到DDR3 2400。现在就是用1333内存，超频到1600上用。不过我的CPU，是22纳米的，所以才支持这样的内存。
新买的话 一样价钱当然1600
这考古工作做得不错。DDR3基本知识及测试【转】
时间： 11:05:37
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一、DDR3简介
&&&&& DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
&&& DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 &Bearlake&芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。虽然如此，DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
二、DDR存储器特性&&&&& 1)&时钟的上升和下降沿同时传输数据
&&&&& DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。
&&&&& 2) 工作电压低&&&&& DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。
&&&&& 3)&延时小&&&&&&延时性是DDR存储器的另一特性。存储器延时性可通过一系列数字体现，如用于DDR1的2-3-2-6-T1、3-4-4-8或2-2-2-5。这些数字表明存储器进行某一操作所需的时钟脉冲数，数字越小，存储越快。&&&&& 这些数字代表的操作如下：CL- tRCD & tRP & tRAS & CMD。要理解它们，您必须牢记存储器被内部组织为一个矩阵，数据保存在行和列的交叉点。&&&& &CL：列地址选通脉冲（CAS）延迟，是从处理器发出数据内存请求到存储器返回内存间的时间。&&&& &tRCD：行地址选通脉冲（RAS）到CAS的延迟，是激活行（RAS）和激活列（CAS）间的时间，其中，数据保存在矩阵中。&&&& &tRP：RAS预充电时间，是禁用数据行接入和开始另一行数据接入间的时间。&&&& &tRAS：激活预充电延时，是在启动下一次存储器接入前存储器必须等待的时间。&&&& &CMD：命令速率是存储芯片激活和向存储器发送第一个命令间的时间。有时，该值不会公布。它通常是T1（1个时钟速度）或T2（2个时钟速度）。
三、内存的工作速度&&&& 内存技术从SDR，DDR，DDR2，DDR3一路发展而来，传输速度以指数递增，除了晶圆制造工艺的提升因素之外，还因为采用了Double Data Rate以及Prefetch两项技术。实际上，无论是SDR还是DDR或DDR2、3，内存芯片内部的核心时钟基本上是保持一致的，都是100MHz到200MHz（某些厂商生产的超频内存除外）。DDR即Double Data Rate技术使数据传输速度较SDR提升了一倍。如下图所示，SDR仅在时钟的上升沿传输数据，而DDR在时钟信号上、下沿同时传输数据。例如同为133MHz时钟，DDR却可以达到266Mb/s的数传速度。
&&&&&& Double Data Rate技术使数据外传速度提升了一倍，而芯片内部数据数据传输速度的提升则是通过Prefetch技术实现的。所谓Prefetch简单的说就是在一个内核时钟周期同时寻址多个存储单元并将这些数据以并行的方式统一传输到IO Buffer中，之后以更高的外传速度将IO Buffer中的数据传输出去。这个更高的速度在DDR I上就是通过Double Data Rate实现的，也正因为如此，DDR I外部Clock管脚的频率与芯片内部的核心频率是保持一致的。如下图所示为DDR I 的Prefetch过程中，在16位的内存芯片中一次将2个16bit数据从内核传输到外部MUX单元，之后分别在Clock信号的上、下沿分两次将这2 x 16bit数据传输给北桥或其他内存控制器，整个过程经历的时间恰好为一个内核时钟周期。
&&&&&&& 发展到DDR2，芯片内核每次Prefetch 4倍的数据至IO Buffer中，为了进一步提高外传速度，芯片的内核时钟与外部接口时钟（即我们平时接触到的Clock管脚时钟）不再是同一时钟，外部Clock时钟频率变为内核时钟的2倍。同理，DDR3每次Prefetch 8倍的数据，其芯片Clock频率为内核频率的4倍，即JEDEC标准（JESD79-3）规定的400MHz至800MHz，再加上在Clock信号上、下跳变沿同时传输数据，DDR3的数据传输速率便达到了800MT/s到1600MT/s。具体到内存条速度，我们以PC3-12800为例，其采用的DDR3-1600芯片核心频率为200MHz，经过Prefetch后Clock信号频率到达800MHz，再经过Double Data Rate后芯片数据传输速率为1600 MT/s，内存条每次传输64比特或者说8字节数据，1600x8便得到12800MB/s的峰值比特率。
&&&&& 下表列出了JEDEC标准（JESD79-3）规定的DDR3芯片及内存条相关参数。需要说明的是，如前所述，并不是所有的内存产品都完全遵从JEDEC标准，有些厂商会生产速度更高速的DDR3芯片，一般情况下这些芯片是从芯片检测流程中筛选出来的频率动态范围更大的芯片，或者是可加压超频工作的芯片。
四、DDR3与DDR2的差异
&&&&& 数据传输速率的差异是DDR3与DDR2最显著的区别，这部分上文已有描述，我们来看看其他方面的不同。
&&&&& 在供电方面，DDR3的工作电压降低至1.5V，实际上JEDEC标准规定1.575V为DDR3的最大安全工作电压。另外，标准也规定内存条所能经受的安全供电电压必须大于1.975V，当然，在这个电压下内存条可能已经不能正常工作但还不至于损坏。
&&&&&&&& 在芯片级DDR3引入了异步Reset信号，该信号主要提供两方面的功能，其一是可以简化内存芯片上电后的初始化过程，其二是当内存系统进入一旦进入未知或不可控状态后可以直接Reset而无需掉电重启。
&&&&&&& 在接口方面，以普通的Un-Buffer内存条为例，DDR3与DDR2均为240个pin脚，尺寸一致但防呆槽的位置不同，由于工作电压不同二者在电气特性上也是互不兼容的。
&&&&&&&& 在系统设计方面DDR3与DDR2最大的区别在于DDR3将时钟、地址及控制信号线的终端电阻从计算机主板移至内存条上，这样一来在主板上将不需要任何端接电阻。为了尽可能减小信号反射，在内存条上包括时钟线在内的所有控制线均采用Fly-by拓扑结构。同时，也是因为Fly-by的走线结构致使控制信号线到达每颗内存颗粒的长度不同从而导致信号到达时间不一致。这种情况将会影响内存的读写过程，例如在读操作时，由于从内存控制器发出的读命令传送到每颗内存芯片的时间点不同，将导致每颗内存芯片在不同的时间向控制器发送数据。为了消除这种影响，需要在对内存进行读写等操作时对时间做补偿，这部分工作将由内存控制器完成。DDR3总线的系统框架如下图所示，其中红线代表DQ、DM以及差分DQS信号线，黑线代表时钟、地址及控制信号线，T代表相应的端接电阻。
五、DDR3测试&&&& JEDEC标准规定的DDR3测试主要分为三个方面，分别为：
&&&&& 时钟测试
&&&&& 时序测试
&&&&& 电气性能测试
&&&&& 其中时钟测试主要测试时钟信号的周期、上下沿脉宽、周期抖动以及连续n周期累积误差等指标；时序测试主要测试数据读写时的建立保持时间相关参数；电气性能测试主要测试信号完整性相关指标，主要包括各信号的斜率以及直/交流逻辑高/低电平等指标。完整的DDR3测试项目不但种类繁多并且涉及到信号读写分离等复杂的判断过程，手工测量不但费时费力且难以保证测量的准确性。针对于此，力科专门推出了最新的QPHY-DDR3自动化测试软件包，它将以图形化的界面帮助用户完成从被测信号的搭接、信号采集与读写分离、自动测试与分析到最终的测试报告生成这一系列完整的测试工作。
六、结语&&&&& 可以预期的是，DDR3将在未来的两年内加速占领更多的市场份额，Intel的Core i7处理器以及AMD的Phenom II处理器均内置内存控制器并且支持DDR3，同时Core i7处理器将不支持DDR2。
七、参考文献1． DDR3 SDRAM Standard JESD79-3D，JEDEC, September 2009
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RECC 内存吹掉ECC芯片可以当普通内存吗
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基本上看不懂
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