光电探测器:灵敏度、偏置和带宽85-3
是由于光电探测器惰性的 存在,使得响应度不仅与入射...P+ 电极 N 光电二极管响应时间与偏压的关系: 偏置...
-光电探测器原理_电子/电路_工程科技_专业资料。...雪崩光电二极管同样是在反向偏置电压下工作,只是它的...灵敏度较高,其电阻温度系数 要比金属大 10～100 ...
半导体光电探测器 摘要:本文介绍了光电与系统的组成...展宽了光电转换的有效工作区域,从而使灵敏 度得以...管相同, 即要保证集电结反偏置, 发射正偏听偏置...
光电探测器特性测试王凤鹏 编写实验教学目的: 实验...光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的,这称为...改变偏置电压,测出不同偏压下的 光照特性曲线,比较...
高灵敏度的接收器 极大的温度倚赖性 主要性能 增益带宽积 暗电流 响应简单归纳其工作原理为:高的反向偏置电压,碰撞电离,产生一次光生载流子、 二次光生载流子 ...
光纤所具有的带宽能力,光纤频带特性主要受传光时...偏置;b)图为数字调制电路,三极管 VT 处于零偏置,...2、掌握光纤通信系统接收的灵敏度测量及通信距离概算...
/ 2 相位延迟,一般该调制器的电压偏置 在 T=50%...无光注入和无电注入情况下输出的电流信号; 灵敏度:...=0.85?m。 36、 命题共 3 第 4 页 命题共 ...
相位延迟,一般该调制器的电压偏置 在 T=50%的工作...光注入和无电注入情况下输出的电流信号; 分 灵敏度...=4×105cm/s,光束宽度d=1cm,光波长 λ=0.85?...
55.依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致...偏置,发射结为正偏置。 60.光电三极管正常运用时,...响应速度特别快,硅和锗雪崩光电二极管带宽可达 100...
C、噪声低,频带宽。光探测器在光电变换中引入的...这是不加偏置 的P-N结可能出现的问题;零偏置有两...总的说来,PIN无增益、灵敏度稍低、要求偏 压小、...HI，欢迎来到学术之家，咨询热线：400-675-1600
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【摘　要】
随着光纤通信朝着高数据、高容量的方向发展,这就要求光电探测器具有很高的响应速度。金属交叉电极的电容非常小,广泛应用于高速光电探测器中。本文利用MATLAB软件进行仿真和模拟,详细分析了电极的宽度、间隙的宽度以及电极的对数对器件带宽的影响。得到的结论为：电极宽度越窄、间隙的宽度越宽、对数越小时,电极的电容就越小,及响应带宽就越大。
【分　类】
【关键词】
【收　录】
|金属交叉电极结构对光电探测器响应带宽的影响|共2页
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作者：刘瀚璞; 蒋正清
　单位：华东理工大学
作者：马赟馨; 谢妍
　单位：安徽师范大学物理与电子信息学院
作者：楚文军
　单位：北京联合大学生物化学工程学院
作者：周惠文; 张俊
　单位：江苏省常州刘国钧高等职业技术学校机电系
作者：李毅
　单位：桂林电子中等专业学校
作者：黄靖涛; 杨晶显
　单位：西北民族大学电气工程学院
作者：倪云飞
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作者：杨超
　单位：民航青海空管分局
作者：王显梅
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作者：贾铁民
　单位：哈尔滨空调股份有限公司
作者：孔军辉; 宋阳
　单位：海军大连舰艇学院基础部
作者：赵大民
　单位：辽宁轨道交通职业学院
作者：张曼靖; 孟青; 李继伟; 刘万荣; 康文豪; 任海泉
　单位：中北大学朔州校区; 北京理工大学机电学院
作者：张威; 石倩千
　单位：山东科技大学
作者：杜鸣笛; 张鹏宇; 张磊
　单位：湖南工学院电气与信息工程学院
作者：杨湘琪
　单位：民航中南地区空中交通管理局通信网络中心
作者：蔺俊强; 张长炜; 孙希鹏
　单位：河南许继智能科技股份有限公司; 西南交通大学信息科学与技术学院
作者：王艺燕
　单位：山西农业大学
作者：张晓蕾; 王斌
　单位：清远职业技术学院
作者：程鹏
　单位：国网巢湖市供电公司
作者：杨明显
　单位：驻马店技师学院
作者：任振文
　单位：山西省邮电建设工程有限公司
作者：曾娅红
　单位：空军石家庄飞行学院飞行模拟训练系电教室
作者：常莉君; 武文刚
　单位：唐山市科学技术情报研究所; 唐山学院
作者：胡吉良; 张华健; 花罡辰
　单位：深圳信息职业技术学院团委; 深圳信息职业技术学院软件学院
作者：宋磊
　单位：西安翻译学院工程技术学院
作者：曹文俊; 王少杰
　单位：邵阳学院信息工程系
作者：黄永敏
　单位：江门市华林众鑫工程有限公司
作者：张杰; 童劲松
　单位：国网合肥供电公司
作者：何英姿
　单位：国网四川省电力公司大英县供电分公司
作者：郑艺辉
　单位：武警警官学院
作者：聂成隆
　单位：空军预警学院
作者：马学涛
　单位：漯河医学高等专科学校
作者：王燕; 王艺蓉
　单位：国网山西省电力公司运城供电公司; 山西计量科学研究院电磁兼容实验室
作者：韩建
　单位：苏州高等职业技术学校
作者：高飞
　单位：公安海警学院
作者：苏炎
　单位：广东省电信规划设计院有限公司
作者：黎望
　单位：贵州工程应用技术学院
作者：黄虹
　单位：中共山东省委省直机关党校
作者：孟靖函
　单位：青岛理工大学(临沂)
作者：王文娟
　单位：惠州经济职业技术学院
作者：余玫
　单位：南京科技职业学院
作者：姬鹤鹏
　单位：北京工商大学
作者：邢江豪; 覃楚岳; 刘力赫
　单位：山东交通学院交通与物流工程学院; 山东交通学院航空学院
作者：王茜
　单位：西安铁路职业技术学院
作者：兰汉卿
　单位：安徽省颍上第一中学
作者：陈忠恺
　单位：广西电力职业技术学院
作者：李菲
　单位：阜新高等专科学校
作者：王海
　单位：安徽经济管理学院
作者：张琪
　单位：南阳医学高等专科学校
作者：杨光
　单位：国家新闻出版广电总局916台
作者：易勇铭
　单位：西安工业大学
作者：赵微巍; 张鹏; 魏银华
　单位：大连医科大学中山学院计算机与信息工程学院
作者：陈国荣
　单位：中时讯通信建设有限公司
作者：张艺林
　单位：中国联合网络通信有限公司玉溪市分公司建设维护部
作者：杨程
　单位：广西计算中心
作者：杨中兴
　单位：辽宁建筑职业学院自动控制系
作者：蔡舒
　单位：厦门市公安消防支队战勤保障大队
作者：郭志伟
　单位：广东达安项目管理股份有限公司
作者：胡凯
　单位：海军蚌埠士官学校
作者：代勇
　单位：北方工业大学电子信息工程学院通信工程系
作者：陆卫
　单位：南京鼓楼医院集团宿迁市人民医院
作者：杨守华; 林桂全; 李秋连; 李嘉琪; 王堪佑; 古顺东; 吴泽鹏
　单位：广东石油化工学院
作者：贺科宁; 吴楚; 徐蕾
　单位：武警工程大学
作者：邹春宇; 张仁永; 陈敬穆
　单位：重庆工程学院
作者：邓琳娟
　单位：桂林电子中等专业学校
作者：张海鹏; 单文童; 乔君丰
　单位：长春理工大学电子信息工程学院
作者：李鸿宇
　单位：武警警官学院
作者：王志军; 罗健斌; 陈韬; 梁国开
　单位：广州供电局有限公司
作者：任瑾; 吴琼; 徐殿双
　单位：广东理工学院
作者：徐立升; 张建春
　单位：江苏金陵机械制造总厂
作者：田肖
　单位：南阳医学高等专科学校
作者：秦晓安; 王睿
　单位：安徽商贸职业技术学院
作者：张海; 刘文军
　单位：91550部队20分队; 91550部队21分队
作者：冯韵
　单位：河北师范大学
作者：江云亮; 梁高卫
　单位：邵阳学院信息工程系
电子世界技术交流
作者：程怀锐
　单位：雅礼中学
第100-100页
作者：苏晓彬
　单位：泉州市公安消防支队丰泽大队
第101-101页
作者：卢京明
　单位：泉州市德化县公安消防大队
第102-102页
作者：杨文平
　单位：临夏州职业技术学校
第103-103页
作者：李勇
　单位：安徽行政学院
第104-104页
作者：葛卫清; 莫庭琛; 陈国轩
　单位：东莞理工学院城市学院计算机与信息科学系
第105-105页
作者：马丽萌; 谭光韬
　单位：东华大学信息科学与技术学院
第106-106页
作者：沈维洋; 沈维海
　单位：华中师范大学伍伦贡联合研究院; 北京字节跳动科技有限公司
第107-107页
作者：徐江维; 李菲
　单位：邵阳学院信息工程系
第108-108页
作者：曹文俊; 王少杰
　单位：邵阳学院信息工程系
第109-109页
作者：朱开汪; 余建坤
　单位：邵阳学院信息工程系
第110-110页
作者：刘鹏; 江世明
　单位：邵阳学院信息工程系
第111-111页
作者：朱开旺; 余建坤
　单位：邵阳学院信息工程系
第112-112页
作者：任荣枝
　单位：内蒙古新闻出版广电局锡林浩特广播发射中心台
第113-113页
作者：程占宝
　单位：北方民族大学电气信息工程学院
第114-114页
作者：杨东东
　单位：北方民族大学电气信息工程学院
第115-115页
作者：庄文卿; 龚哲松
　单位：漳州台商投资区公安消防大队
第116-116页
作者：何昊男; 韩明; 杨继宝; 丁志康
　单位：中国人民解放军后勤工程学院
第117-117页
作者：杨继宝; 何昊男; 韩明; 丁志康
　单位：中国人民解放军后勤工程学院
第118-118页
作者：余登敏
　单位：中国电建集团贵州工程公司
第119-119页
作者：马艳军
　单位：清大智能(北京)科技有限公司
第120-120页
作者：曹天蕾
　单位：江阴市徐霞客综合高级中学
第121-121页
作者：郭大江
　单位：中国电力建设工程咨询中南有限公司
第122-122页
作者：王友琴
　单位：宁波广播电视集团
第123-123页
作者：张晓萍
　单位：云南机电职业技术学院
第124-124页
作者：徐江维; 李菲
　单位：邵阳学院信息工程系
第125-125页
作者：江云亮; 梁高卫
　单位：邵阳学院信息工程系
第126-126页
作者：徐幸
　单位：万象建筑设计有限公司
第127-127页
作者：黄成丽; 曹达
　单位：广东青年职业学院; 广州海格通信集团股份有限公司
第128-128页
作者：刘岩; 邱兰
　单位：新疆石文科技发展有限公司
第129-129页
作者：匡博; 袁征
　单位：武警警官学院一旅; 武警警官学院信息工程系
第130-130页
作者：王东桥
　单位：中国船舶重工集团公司第七一0研究所
第131-131页
作者：杜萌
　单位：国网湖北省电力公司宜昌供电公司
第132-132页
作者：唐元恒; 张玎; 王占勇; 刘振岗
　单位：海军航空工程学院青岛校区
第133-133页
作者：孙魁元
　单位：白城市第一中学
第134-134页
作者：周俊
　单位：西藏职业技术学院
第135-135页
作者：李嘉
　单位：重庆市渝中区市政管理服务中心
第136-136页
作者：郑迎宾; 黄飞翔
　单位：民航贵州空管分局
第137-137页
作者：陈光辉; 贾校磊
　单位：华北水利水电大学
第138-138页
作者：楼康标
　单位：台化塑胶宁波有限公司
第139-139页
作者：李宇
　单位：新疆广播电影电视局节目传输中心
第140-140页
作者：章成
　单位：国网宁德供电公司
第141-141页
作者：李奎伟
　单位：凯迈(洛阳)测控有限公司
第142-142页
作者：宁春雷; 刘凡齐; 孙在尚
　单位：北方民族大学
第143-143页
作者：周明恩; 刘根宝
　单位：国网安徽省电力公司池州供电公司
第144-144页
作者：李红良
　单位：苏州市吴江交通投资集团有限公司; 吴江智远信息科技发展有限公司
第145-145页
作者：郑英鑫
　单位：沈阳理工大学自动化与电气工程学院
第146-146页
作者：梁戈
　单位：国家新闻出版广电总局七二三台
第147-147页
作者：陈镇荣
　单位：潮州市广播电视台
第148-148页
作者：唐中华
　单位：国家新闻出版广电总局916台
第149-149页
作者：周迎春; 胡志军; 肖慧慧
　单位：湖南理工职业技术学院
第150-150页
作者：曾仙荣
　单位：中时讯通信建设有限公司
第151-151页
作者：王光绪; 冯腾
　单位：德州学院机电工程学院
第152-152页
作者：郑芝明
　单位：广东省博罗县质量技术监督检测所
第153-153页
作者：李鹏坤
　单位：西安工业大学
第154-154页
作者：侯素娟; 曹勇
　单位：中国人民解放军92515部队; 中国人民解放军92419部队
第155-155页
作者：周群
　单位：中时讯通信建设有限公司
第156-156页
作者：张妍哲
　单位：空军工程大学信息与导航学院
第157-157页
作者：肖飞; 张俊亮; 李斌; 王禹
　单位：山东省德州市德州学院
第158-158页
作者：赵超
　单位：广东达安项目管理股份有限公司
第159-159页
作者：于浩
　单位：中北大学
第160-160页
作者：牟海荣
　单位：广州城建职业学院
第161-161页
作者：祝淇舒; 陆渊章
　单位：江苏信息职业技术学院电子信息工程学院
第162-163页
作者：李国亮; 卢健瀚
　单位：广东海格怡创科技有限公司
第164-165页
作者：冯典森
　单位：湖南工业大学电气与信息工程学院; 中国动力谷自主创新园轨道交通自动化技术与装备协同创新中心
第166-168页
作者：黄嘉琪; 邓晓婿; 胡波; 应宜辰; 陈文光
　单位：南华大学电气工程学院
第169-171页
作者：成书睿
　单位：上海电气自动化设计研究所有限公司
第172-174页
作者：林伸
　单位：中时讯通信建设有限公司
第175-175页
作者：赵宏旭; 杨文帅
　单位：武警工程大学
第176-177页
作者：孔磊
　单位：山东新巨龙能源有限公司
第178-178页
作者：屈良潘; 唐曼玲; 刘静; 马魏平
　单位：成都理工大学信息科学与技术学院
第179-179页
作者：胡海; 王璨辉; 付国恩; 张杨; 尚静; 王飞
　单位：中国核动力研究设计院
第180-181页
作者：周向东; 李爱华; 王春云
　单位：沈阳理工大学
第182-182页
作者：黄志华
　单位：中时讯通信建设有限公司
第183-183页
作者：李海平; 张二剑
　单位：陕西凌云电器集团有限公司
第184-185页
作者：张斌
　单位：中国电子科技集团公司第四十一研究所
第186-186页
作者：曹媛; 李永全
　单位：长江大学电子信息学院
第187-187页
作者：高闯; 刘高; 党新宇
　单位：桂林电子科技大学信息科技学院
第188-188页
作者：许正磊
　单位：黑龙江人民广播电台八一一台
第189-190页
作者：欧阳萱霖; 郭志浩; 王皓翔
　单位：石河子大学
第191-192页
作者：魏雄俊
　单位：国网黄石供电公司信息通信分公司
第193-194页
作者：周斌; 颜景震; 苗明浩
　单位：常州机电职业技术学院
第195-195页
作者：拜福君; 段会福; 付妮; 李晓骏
　单位：西安紫光国芯半导体有限公司
第196-197页
作者：崔健; 刘庆庆; 李爱迪
　单位：北方工业大学电子信息工程学院
第198-199页
作者：朱海川
　单位：山东科技大学测绘科学与工程学院
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免责声明：本站非任何杂志官网，仅限于收集整理互联网学术资源信息，直投稿件请联系杂志社 蜀ICP备号-13 公安部备案：北京博泓兴瑞科技有限公司是专业化的电子元器件供应商，主要经营Xilinx（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、Freescale（飞思卡尔）、ACTEL（爱特）、LATTICE（莱迪思）、AMD（先进微器件）、ADI（美国模拟器件）、IDT(美国集成器件）、Atmel（爱特梅尔）、BROADCOM（博通）、Cypress（赛普拉斯）、 TI/BB（美国德州仪器） 、Linear（凌特）、Maxim（美信）、Dallas（达拉斯）、LSI（美国逻辑公司）、Spansion（飞索半导体）、Micron（镁光）、HYNIX（海力士现代）、SAMSUNG（三星半导体）、ISSI（芯成）、Numonyx（恒亿）、WINBOND（华邦）、（ICSI）台湾硅成、AVAGO（安华高）、Agilent(安捷伦)、AOS（万代）、NSC（美国国半）、NXP（恩智浦半导体）、CIRRUS LOGIC（凌云逻辑）、（OKI）日本冲电气、RENESAS（瑞萨电子）、SONY（索尼）、SONIX （松翰）、SEIKO（精工）、SHINDENGEN（新电元）、Fairchild（仙童）、IR（美国整流器）、Mitsubishi（三菱机电）、MOTOROLA(摩托罗拉)、SANKEN（三垦电气）、Sanyo（三洋）、infineon(英飞凌）、NEC（日电电子）、Hitachi（日立）、SIEMENS（西门子）、Microchip（美国微芯）、ON（安森美）、ST（意法半导体）、Rohm（罗姆微电子）、RICHTEK（立绮）、DIODES（美台）、PANJIT（台湾强茂）、AME（安茂微电子）、EPCOS（爱普科斯）、VISHAY（威世半导体）、TOSHIBA（东芝）、（Harrsi）哈利斯、Ramtron（铁电）、OMRON（欧姆龙）、PHOENIX（菲尼克斯）、Honeywell（霍尼韦尔）、Intel（英特尔）、INTERSIL(英赛尔）、Murr（德国穆尔）、AMP（安普）、（OmniVisio）海思、TYCO（泰科）、ALPHA、AMS、VICOR、PMC、M/A-COM、SST、ZILOG、JRC、AKM、MICREL、SMSC、Skyworks、RFMD、IXYS、Aeroflex、WEDC、EUVIS、UTMC、TRIQUINT、E2V、MICROSEMI、HITTITE、ITT、、ZILOG、WSI等世界知名厂家的大型集成电路代理、分销商。公司的产品从民用、工业、到军品遍及汽车、航空、航天、船舶、仪表等众多领域，常年备有大量现货，欢迎新老客户前来询价，我们将努力成为客户最好的合作伙伴。公司宗旨：只做原装 诚信为上 & 联系电话010-研究发光二极管（LED）器件调制特性以及在高速调制状态下的发光特性是提升新型可见光通信系统性能的关键问题之一，LED器件调制特性的提升可以显著拓展可见光通信系统的应用范围。基于LED器件的调频特性，通过分析发光器件和封装的结构及其他关键光电性能，提出建议：通过降低RC时间以及载流子自发辐射寿命，有效改善LED器件的响应速率，提高LED的调制带宽。　　1 LED器件的调制带宽及其测试　　带宽一般指信号所占据的频带宽度。当描述信道时，带宽指能够有效通过该信道信号的最大频带宽度。发光二极管（LED）的调制带宽则是器件在加载调制信号时，能承载信号最大的频带宽度，一般定义为LED输出的交流光功率下降到某一低频参考频率值得一半时（如-3 dB）的频率定为LED的调制带宽。LED的调制带宽是可见光通信系统信道容量和传输速率的决定性因素，受到器件实际的调制深度、伏安特性等因素的多方面影响。　　LED器件调制带宽的测试，通常都是对直流工作下的器件加载模拟信号（如正弦信号），测量光功率信号随频率变化的曲线，来确定带宽。　　图1给出了一种器件调制特性测试系统［1-3］。它主要包括信号发射端和接收端。在发射端，信号发生器发出的信号被功率放大器放大，以提高其调制深度;随后，信号加载到驱动LED的直流偏置上，使得LED发出调制光信号;在接收端，光电探测器将光信号转换为电信号，经过滤波放大，输出到示波器上。　　　　图1 器件调制特性测试系统组成　　　　图2 器件调制特性测试系统组成　　图2是另一种器件调制特性测试系统［4-5］。系统的核心是网络分析仪，它将信号产生、探测以及处理的功能集成在一起，能够实现更高频率的测试。测量LED调制带宽，主要关注网络分析仪的S21参数，即网络分析仪的端口2的输入功率/端口1的输出功率。　　2 影响因素及改善方法　　一般来说，影响LED调制特性的因素主要取决于以下两个方面［6］：RC时间和载流子自发辐射寿命。LED的有源区是多量子阱结构，具有电荷限制作用，在响应过程中的上升下降时间称为RC时间，主要受到结电容影响，对信号具有延迟作用;而器件有源区内载流子自发辐射寿命直接影响载流子从复合到光子逃逸出器件的时间。　　2.1 降低RC时间　　图3所示为LED的小信号等效电路［7］。这个小信号等效电路，实际上和阈值电压下的激光器的等效电路类似。因为在阈值电压下，激光器器件工作在自发辐射状态，受激发射过程还没有开始，所以LED也使用该等效电路［8-11］。　　　　图3 LED 的小信号等效电路　　其中，C是结电容，RD是结电阻，RS是等效串联电阻，L为引线等引起的寄生电感。研究人员通过实验测量及理论拟合，可以得到这些对应的关键参数 ［7-8］。这里得到的电容和几何电容是一个量级的，电阻也和几何电阻相近。因此通过器件的尺寸设计可以有效调整等效电路参数进而提高器件带宽。　　通过这种器件的尺寸设计来降低RC时间，从而改善LED调制带宽，是较为直观的一种方式。通过设计一组不同尺寸（结面积、p-GaN与结接触面积不同）的LED器件，研究尺寸对LED带宽的影响［4］。有源区面积越大的器件，在相同电流密度下，具有较小的调制带宽。其原因主要是因为等效结电容更大，而且电容增大对带宽的影响比电阻减小的效果更加显著。这个结果和台湾成功大学的J.-W. Shi等人［6］的结果一致。图4给出实验器件A与B在不同驱动电流下的频率响应曲线。A器件p-GaN与结接触面积更大。　　　　图4 两种不同尺寸器件在多个驱动电流下的频率响应曲线　　图4还反映了不同电流对LED带宽的影响，大电流下，载流子浓度增加，导致多量子阱内复合增强，载流子辐射复合寿命减小。　　台湾清华大学的Chien-Lan Liao等人［12］利用掺镓（Ga）的氧化锌（ZnO）薄膜GZO，有效地降低了结电容。图5显示具有电流限制层的蓝光LED结构示意图。由于将p型的 GaN层刻出台面，在p型上做电极，能减小有效电容。而且电极采用环形结构，利用横向电阻大的GZO薄膜，实现对电流限制作用，使得电流主要在垂直方向传输，即GZO实现了与氧化铟锡（ITO）相反的功能，抑制了电流的扩展。因此，实际的结电容将会变小，从而实现LED调制带宽的提高。通过这种环形电极设计，该器件的3 dB带宽达到225 MHz。
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北京博泓兴瑞科技有限公司一种高功率大带宽锗硅光电探测器
本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件，其特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个锗层尺寸是可以不同的，以实现对寄生电阻的调控，在提高器件饱和功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时，通过引入片上和片外电感，实现对器件寄生电感的调控，抬升器件高频处频率响应，提升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构，实现了一种高功率、大带宽、结构紧凑的锗硅光电探测器。
专利类型：
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H01L31/105,H01L31/00,H,H01,H01L,H01L31
H01L31/105,H01L31/00,H01L31/02,H01L31/00,H,H01,H01L,H01L31,H01L31/105,H01L31/00,H01L31/02,H01L31/00
申请（专利权）人：
华中科技大学
发明（设计）人：
余宇,陈冠宇,张新亮
主申请人地址：
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
专利代理机构：
华中科技大学专利中心 42201
国别省市代码：
一种高功率大带宽锗硅光电探测器，包括在SOI晶元上硅层通过光刻生成的光栅(5)、光功分器(6)、集总电极结构，其特征在于，还包括多个并联锗层结构；其中：所述集总结构电极生长在SOI晶元上硅层的锗吸收区，包括一个信号极(S)和两个地极(G)；所述并联锗层结构是并列生长的多个锗吸收区与上硅层构成的PIN结构，PIN结构顶部为N++掺杂区，PIN结构底部是P+或P++掺杂的硅层，PIN结构中部为未掺杂的本征区；各PIN结构的顶部与S极相连，各PIN结的底部通过金属连接导体(16)与地极(G)相连；所述光栅(5)用于耦合输入光信号，光功分器(6)用于将入射光信号分为多路，然后通过倏逝波耦合方式耦合到所述并联锗层结构；所述信号极(S)用于输出转换成的电信号，其一端与PIN结构顶部的N++掺杂区连接，另一端为输出电极连接输出负载。
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