场效应管测量方法
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场效应管测量方法
绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。
其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便。不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多。
&一、基本类型MOS管测试
MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。
　　　　　　　　
图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。与图1稍有不同，图2所示NMOS管的G-S之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件"保护二极管"，由于保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。因此，这两种管子的测量方法基本类似，具体测试步骤如下：
　1．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。选择指针万用表的R×1kΩ挡，轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。当指针出现较大幅度偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极D，剩余第3脚则为栅极G，如 图3所示。
　2．短接G、D、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。图2所示MOS管的G-s极间接有双向保护二极管，可跳过这一步。
　3．万用表电阻挡切换到的R×10kΩ挡(内置9V电池)后调零。将黑笔接漏极D、红笔接源极S，经过上一步的短接放电后，UGS降为0V，MOS管尚未导通，其D-S间电阻RDS为∞，故指针不会发生偏转，如 图4所示。
　　　　　　　
4．有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能好坏作出准确的判断：第一种方法：
①用手指碰触G-D极，此时指针向右发生偏转，如图3所示。手指松开后，指针略微有些摆动。②用手指捏住G-S极，形成放电通道，此时指针缓慢回转至电阻∞的位置，如图6所示。
　　　　　　　
图2所示MOS管的G-S间接有保护二极管，手指撤离G-D极后即使不去接触G-S极，指针也将自动回到电阻∞的位置。值得注意的是，测试过程中手指不要接触与测试步骤不相关的管脚，包括与漏极D相连的散热片，避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造成误判。第二种方法：
①用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结电容进行充电，此时可以忽略万用表指针的轻微偏转，如图7所示。
③交换黑笔与红笔的位置，万用表所指示的电阻值基本不变，说明此时MOS管的D-S极已经导通。当前万用表所指示的电阻值近似为D-S极导通电阻RDS(on)。因测试条件所限，这里得到的RDS(on)值往往比手册中给出的典型值偏大。
对于图2所示的。MOS管，因G-S间保护二极管的存在，万用表指针在接近零刻度位置后，将自动回复到电阻∞位置。
5．放大能力(跨导)的估测
判断NMOS管跨导性能时，选择万用表的R×10kΩ电阻挡，此时表内电压较高。对于垂直沟道的VMOS管(如2SJ353)，用R×1kΩ挡即可完成所有的测试功能。
将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，相当于在D-S之间加上一个9V的电压。此时栅极开路，当用手指或镊子接触栅极G并停顿几秒时，指针会缓慢地偏转到满刻度的1／3～1／2处。指针偏转角度越大，MOS管的跨导值越高。如果被测管的跨导很小，用此法测试时指针偏转幅度很小。
二、特殊小功率MOS管的测试
图1所示MOS管在目前使用较广，典型器件如NMOS型的IRF740、IRF830、PMOS型的IRF9630等。图2所示的MOS管以NMOS型居多，2SKl548、FS3KMl6A为这类MOS器件的典型代表。此外，还有一类比较特殊的MOS管，这类MOS管的栅极G在并联保护二极管的同时还集成有一只电阻，结构如图9所示。
　　　　　　　
图9所示的MOS管在小功率器件中采用较多，如常见的2SK1825。这类NMOS管与前述两种MOS管的测试方法区别较大，正确的测试步骤如下：
1．切换到万用表的R×1kΩ挡，将黑笔与某只引脚相接，红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量，若两次测试过程中指针均出现较大幅度的偏转，则与黑笔相连的管脚即为源极S。这主要是由于MOS管内部集成有两只保护二极管的缘故。2．为了区分漏极D与栅极G，接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识别程序进行测试：
　　①假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接，红笔则接假设的栅极G；
　　②用手指捏住假设的栅极G与漏极D，观察指针的偏转情况。若指针偏转幅度较大，则与黑笔相接的管脚即为漏极D，与红笔相接的则为栅极，测试原理如图10所示。
三、型号不明的MOS管的测量
PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似，在测量过程中应注意将表笔的顺序颠倒。
但是，对于型号不明的MOS管，通过检测单向导电性往往只能判断出其中哪一只管脚为栅极，而不能直接识别管子的极性和D、S极。对此，合理的测试方法如下：
1、万用表取R×1kΩ挡，在观察到单向导电性之后，交换两只表笔的位置；
2、将万用表切换至R×10kΩ挡，保持黑笔不动，将红笔移到栅极G停留几秒后再回到原位，若指针出现满偏，则该元件为PMOS管，且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为漏极D；
3、若第2步指针没有发生大幅度偏转，则保持红笔位置不变，将黑笔移到栅极G停留几秒后回到原位，若指针满偏则管子类型为NMOS，黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接为源极S。
MOS管的种类较多，测试方法也不尽相同，实际工作中需要在充分掌握上述测试原则的基础上灵活地选择合适的测试方法。
场效应管好坏的测量
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喜欢该文的人也喜欢Buck电路中怎么保证NMOS管的G极比S极电压高？
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loseabc离线LV2本网技师积分：104|主题：4|帖子：6积分:104LV2本网技师 16:15:09
楼主意思是，开通MOS管后，D极与S极导通，S极电压＝D极电压，G极是怎样维持开关控制权的
确实是自举电路原因
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:31:18&自举 ~ ||YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：94594|主题：137|帖子：42608积分:94594版主 16:35:48&你目前的电路驱动有什么问题吗？ ||
loseabc离线LV2本网技师积分：104|主题：4|帖子：6积分:104LV2本网技师 16:42:17&按照PDF给的电路驱动，没有问题的，MOS管导通的时候，S点和D点不是连在一起了吗？
难道G点的电压会高于D点电压，不明白。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 16:53:52& 是在和三极管比较，对么？ ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：94594|主题：137|帖子：42608积分:94594版主 16:54:53&都导通了当然可以。只要比S高就行。 ||
loseabc离线LV2本网技师积分：104|主题：4|帖子：6积分:104LV2本网技师 17:03:49&
D端接输入电源24V， MOS管导通的时候，DS不是导通了吗，所以S端电压也应该是24V啊。那G端怎么比S端高啊，如果要保持MOS管导通，是不是G端要高于24V的？ ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：94594|主题：137|帖子：42608积分:94594版主 17:26:16&MOS管导通后，S端24V，G端会变的比24V更高，至于为什么去看这个IC的内部原理图。 ||
st.you在线LV8副总工程师积分：9365|主题：7|帖子：2819积分:9365LV8副总工程师 17:29:27&看电路跟看文章一样，很多时候是不能断章取义的。你用的这颗IC组成的同步BUCK电路，一定会用到一颗自举电容，这颗电容对于高端驱动很重要。 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 19:16:01&晕，我还以为在你疑惑：Mosfet导通后，为什么能 VG&VD ？
类比下NPN三极管：Vb能大于Vc吗？
换句话说，这里的NMOS换成NPN能行吗？（照样也用自举电容） ||
eric.wentx在线LV7版主积分：44968|主题：484|帖子：16946积分:44968版主 21:56:20&这个电路还有一部分呢？ ||
dog72离线LV6高级工程师积分：1632|主题：17|帖子：1220积分:1632LV6高级工程师 23:53:56&那部分就是楼主没搞明白的自举部分，BOOT脚接的电容和二极管... ||tanxy12离线LV3助理工程师积分：269|主题：9|帖子：59积分:269LV3助理工程师 23:54:19&先弄明白什么是自举电路 再搞这个电源吧，他是通过个二极管给电容充电，比如当下管导通的时候电容的另一个脚就接地，这时候VCC 12V经过二极管给电容充电，电容两端就有12V电压了，又因为二极管与电容的结点处是与内部的运放的电源正极相连，所以当上管导通时电容的地脚就变成24V，由于电容两端电压不能突变，同时由于电容的地脚是与IC内部的运放（驱动上管的运放）的地脚是相连的也是24V，所以电容两端的压差还是12V左右。也就是Vgs还是12V。总的来讲只是自举电容的参考地由原来的0V变成24V，也就驱动输出的运放的地由0V变成24V。但是电容两端压差还是12V，也就驱动输出的运放的电源还是12V. ||
cardiopathy离线LV8副总工程师积分：3395|主题：3|帖子：1482积分:3395LV8副总工程师 08:17:20倒数10&楼上讲得非常明白了
如果还是不懂，请谷歌查找 ||
星宇离线LV7版主积分：9473|主题：24|帖子：3338积分:9473版主 11:03:17倒数9&任何事物都是相对的，不管S极的电压怎么变，S极是G极的相对0点，当高电平来时，G极的电压始终都高于S极电压！ ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:18:42倒数8&估计楼主对3楼的问题更关心
导通后，岂不是Vg&Vd 了 。
Mos的工作状态，有点类似三极管，通常 Vd&Vg&Vs ||cardiopathy离线LV8副总工程师积分：3395|主题：3|帖子：1482积分:3395LV8副总工程师 11:22:13倒数7&楼主意思是，开通MOS管后，D极与S极导通，S极电压＝D极电压，G极是怎样维持开关控制权的
确实是自举电路原因 ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 11:26:21倒数6&电荷泵的原理 ~
如何理解，导通后：Vg&Vd
cardiopathy离线LV8副总工程师积分：3395|主题：3|帖子：1482积分:3395LV8副总工程师 11:35:12倒数5&
还是由别人的文章来解释清楚些 ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：94594|主题：137|帖子：42608积分:94594版主 14:09:15倒数4&这话从何说起? ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 14:17:20倒数3&观察MOS的输出转移曲线，一般在放大状态时：Vd&Vg&Vs
(Vg-Vs) & Vth （由于跨导比较大，Vg的工作点通常比（Vth+Vs）高出一点就可以）
Vd-Vs &&0 （Vd比Vs通常要高出很多了） ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：94594|主题：137|帖子：42608积分:94594版主 14:25:00倒数2&&MOS管开通的时候呢?我想楼主疑惑的应该是这个. ||
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师最新回复 14:42:18倒数1&是呀，这个时候Vg 反而要比Vd 高出了： V_c自举电容 ||
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控制器烧了.怎么测量MOS管是好是坏？
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控制器今天坏了.因为过保了想自己学习下控制器里的配件都是什么.今天把控制器拆了以后发现电容没爆.MOS用目测情况下也没有爆管的外伤.请问下再不拆掉按照号的MOS的前提下如何检测MOS的好坏啊？另外怎么测试MOS的内阻？
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[Lv.2]-上等兵, 积分 8, 距离下一级还需 142 积分
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换新的控制器。
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阿里旺旺yujingli309
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量一下正极和相线之间的电阻是不是一直，负极和相线的电阻也量一下，看看必须一致
一辆整车配置，凌博72352，电机全顺5000W12寸瓦片，汉匀金雨充电器，QQ，一辆，48VECPU,电机2000W瓦片全顺，48V40,96V80速度
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先顶上来，坐等高手来答，俺也学习下。
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数字万用表用二极管档,先把G,S极短接下放电,再用红表笔接S极,黑表笔接D极,好的话有500mv左右的压降,如果是几个mv就是坏掉了,测得无反应就是烧断掉了.测内阻,可以在GS极加一个10这样的电压,让它开通,然后再把DS极串接在灯,或者比较大电流的线路上,电流必须稳定,测下电流跟DS之间的压降(一般是mv级),用压降除电流就是导通内阻了.
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路过。。。。请高手回答。。。。
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今天到车行接接上电源 测量了转把电源是好的是几V不知道 当时我不在 然后测试了控制器里面的霍尔电源是4.2-4.3V 然后用万用表测试MOS！测试方法是红笔点黑线 黑笔测 黄绿蓝线 黑笔点红线 红笔测试黄绿蓝线 都通过了 指数是460-463 不知道mos算不算是好的 电容目测没有爆 也没有鼓包！但是控制器接到车子上就是没有反应 现在最担心就是千万别的板子坏了！
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控制器拆开的时候 发现主板的芯片颜色不对 不知道是不是这个坏了！但是有人说这个板子明显不是新板 是修过 或者是改过的！请高手帮忙鉴定下！
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这不是单片机吗？
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路过&&欣赏下....
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我的电动车四天没有骑它今天也罢工了，量控制器转把线只有1,7v,拧转把电机不转, 量控制器转把线万用表线多压一会电压就有4.7v,拧转把电机就会转了,关电门锁一会再开电机又不转了,量转 把电压只有1.7v多压一会就有4.7v,电机会正常转,不知为什么会这样,好象控制转把线要充电一样
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学习了知识了，好东西！
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