捷配欢迎您!
微信扫一扫关注我们
当前位置：&>>&&>>&&>>&封装寄生电感是否会影响MOSFET性能？
&&& I.引言
&&& 高效率已成为电源（SMPS）设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现低导通，以降低开关损耗和导通损耗。这些快速开关器件容易触发开关瞬态过冲。这对SMPS设计中电路板布局带来了困难，并且容易引起了栅极信号振荡。为了克服开关瞬态过冲，设计人员通常采取的做法是借助缓冲电路提高栅极电阻阻值，以减慢器件开关速度，抑制过冲，但这会造成相对较高的开关损耗。对于采用标准通孔封装的快速开关器件，总是存在效率与易用性的折衷问题。
&&& 在处理电路板布局和器件封装产生的寄生时，快速开关器件接通和关断控制是关键问题。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于实现功率连接，另一个用于实现驱动器连接。这样一来，器件就能保持快的开关速度，同时又不必牺牲接通和关断控制能力。
&&& 本文编排如下：在第二节，将利用硬开关升压来分析并开发一个简单的高频模型，该模型采用了具备寄生参数和电路板寄生参数的标准通孔封装传统的TO247（即：电源电流路径和驱动电流路径是相同的）。第三节将对最新推出的TO247 4引脚封装做详尽的电路分析，以表明TO247 4引脚封装在开关速度、效率和驱动能力等方面的有效性。最后，第四节分析了实验波形和效率测量，以验证最新推出的TO247 4引脚封装的性能。
&&& II.分析升压转换器中采用传统的TO247封装的MOSFET
&&& A.开关瞬态下的MOSFET操作时序
&&& 要分析快速开关MOSFET中的封装寄生电感产生的影响，必须十分理解MOSFET工作处理。硬开关关断通常出现在硬开关拓扑和零电压开关拓扑中。本小节将逐步分析MOSFET关断瞬态操作。图1所示为硬开关关断瞬态下，理想MOSFET的工作波形和工作顺序。
&&& 图1 升压转换器中的MOSFET的典型关断瞬态波形
&&& 当驱动器发出关断信号后，即开始阶段1 [t=t1]操作，栅极与源极之间的MOSFETCgs将开始放电。此时，MOSFET阻断特性保持不变。这个t1阶段被称为延时，它表征着MOSFET的响应时间。当MOSFET栅源电压Vgs达到栅极平台电压Vgs（Miller）时，这个阶段便告结束。
&&& 当Vgs与Vgs（Miller） 相等之后，将进入阶段2 [t=t2],在此期间，其电压水平将保持不变。负载电流将对漏极与源极之间的MOSFET电容器Cds进行充电，以重建空间电荷区。这个阶段将一直持续至MOSFET漏源电压Vds达到电路输出电压时为止。
&&& 阶段3 [t=t3] ,Cgs将继续放电。漏电流Id和Vgs开始线性下降，阻断MOSFET导通通道。当Vgs 与栅极阈值电压Vgs（th）相等，并且Id变为零时，这个阶段即结束。这个阶段结束后，MOSFET将完全关断。
&&& 阶段4 [t=t4] ,栅极驱动对Cgs持续放电，直至Vgs电压水平变为零。
&&& B.传统的TO247封装MOSFET的开关瞬态特性分析
&&& 利用升压转换器，评估了封装寄生电感对MOSFET开关特性的影响。图2所示为传统的TO247 MOSFET等效模型的详情，以及升压转换器电路和寄生电感的详情。对于MOSFET模型， 3个电容为硅结构，分别位于各个连接引脚之间：栅漏电容Cgd、漏源电容Cds和栅源电容Cgs.键合丝产生了MOSFET寄生电感：栅极寄生电感Lg1、漏极寄生电感Ld1和源极寄生电感Ls1。这个模型也包含了电路板电路布局产生的杂散电感：Ld2、Ld3、Lg2和Ls2.分析中，LS等于Ls1+Ls2,Lg等于Lg1+Lg2，RG等于Int.Rg+Ext.Rg。
&&& 图2. 升压转换器中的TO247封装MOSFET等效模型和寄生电感
&&& 参照小节A中讨论的关断瞬态顺序，源极电感LS主要在瞬态阶段3影响到MOSFET开关特性。栅极驱动路径显示为红色，漏电流在蓝色环路上流动。快速电流瞬态过程中，LS 引发电压降VLs,这能抵消会降低驱动能力和减慢器件速度的栅极电压。
&&& 通过在驱动环路上运用基尔霍夫电压定律，栅源电压Vgs（t）可以表示为：
&&& 其中，是关断阶段驱动电压。
&&& 根据等式1，t3时间段内，漏极电流变化速率dId/dt可以求解为：
&&& 从等式（2）和（3）可知，源极电感可以减慢开关瞬态，加剧开关过程中的有关能耗。在传统的TO247 MOSFET配置中，电路源极电感是MOSFET封装源电感Ls1与电路板布局源极电感Ls2之和。始终必须最大限度地降低封装源和电路板寄生的源极电感，因为二者均为关键控制要素。较之采用通孔封装的MOSFET，通过将无引线SMD封装用于MOSFET，可以最大限度地降低封装中的寄生源电感。因此，采用SMD封装的MOSFET也能实现快速开关，同时降低开关损耗。适用于4引脚器件的SMD封装名为“ThinkPAK 8X8”。
&&& III.分析升压转换器中采用最新推出的TO247 4引脚封装的MOSFET
&&& 英飞凌已经在CoolMOS系列器件中推出新的封装概念“4引线封装”,其中，通孔封装名为“TO-247 4PIN”.如图3中的虚线框内所示，最新推出的TO-247 4引脚模型提供了一个额外的源极连接引脚。在内部连接中，引脚分离始于芯片内部，充当开尔文源。电源引脚“S”为电源接地提供了连接。开尔文源引脚，源-感侧引脚“SS”直接连接至驱动器地线，以便将驱动电流与电源电流路径分离。
&&& 由于源极分离，瞬态过程中源极电感对栅极驱动电路的影响将被消除。参见图3,驱动环路显示为红色，漏极电流环路不再相互作用。源电感引起的压降不再影响栅源电压Vgs（t）。如第二节中所讨论，阶段3时的栅源电压Vgs（t）为
&&& 其中， LG 等于 Lg1+Lg2+Lss。
&&& 图3. 升压转换器中的TO247 4引脚封装MOSFET等效模型
&&& 对应的时间段t3和漏极电流变化速率dId/dt可表示为：
&&& 从等式（5）和（6）可知，影响MOSFET电流速率的源极引脚电感被消除了。根据等式（2）和（5），较之TO247封装MOSFET,这缩短了器件的开关速度，降低了开关损耗。最新推出的TO247 4引脚MOSFET可实现相对较快的开关动作，从而降低开关损耗。
&&& IV.实验验证
&&& A.实验测试波形
&&& 将升压PFC转换器用作测量平台，进行评估。传统的TO247封装MOSFET和最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET将被用作平台主用开关器件，以验证最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET优于传统的TO247封装的开关性能和栅极控制能力。
&&& 图4所示为传统的TO247封装（上）和最新推出的TO247 4引脚封装（下）的硬开关关断波形对比。根据测得波形，从Vds（t）（蓝色波形）到Id（t） （黄色波形）的TO247 4引脚封装MOSFET的穿过时间，比最新推出的TO247封装MOSFET缩短了约40%.Vds 与ID 的重叠越少，意味着开关损耗越低。较之于传统的TO247封装，最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET的振荡幅度Vgs （t） （紫色波形）也降低了30%.因此，最新推出的TO247 4引脚封装提供了更加可靠的开关控制。
&&& 图4. TO247封装MOSFET（上）和TO247 4引脚封装MOSFET（下）的MOSFET关断瞬态波形。试验条件：Ext. Rg=5 Ω，12 V栅极驱动电压、试验器件IPZ65R019C7
&&& 最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET切换时间，比传统的TO247封装短。得益于开关损耗降低，最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET实现了更高效率，如图5所示。在输入电压为110 Vac的满负荷试验条件下，相比于传统的TO247封装的试验结果，最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET的效率提高了0.2%。在高电压情况下，即当输入电压为220 Vac时，也实现了与之一致的效率提升。
&&& 图5. 在110 Vac 输入电压条件下，TO247 4引脚封装MOSFET与TO247封装MOSFET的PFC效率对比。测试条件：Ext. Rg=5 Ω，开关频率=100 kHz,测试器件：具备相同硅芯片的IPW65R019C7（TO247）和IPZ65R019C7（TO247 4引脚）
&&& V.结语
&&& 本文分析了快速开关MOSFET封装寄生电感对开关性能的影响。封装源电感是决定切换时间的关键参数，后者与开关速度和开关可控性密切相关。英飞凌最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET能最大限度地减少传统的TO247封装寄生电感造成的不利影响，实现更高系统效率。
技术资料出处:电子技术设计
该文章仅供学习参考使用，版权归作者所有。
因本网站内容较多，未能及时联系上的作者，请按本网站显示的方式与我们联系。
【】【】【】【】
上一篇：下一篇：
本文已有(0)篇评论
发表技术资料评论，请使用文明用语
字符数不能超过255
暂且没有评论!
12345678910
12345678910
12345678910
汽车设计领域的一个重大挑战是保护电子部件――如控制单元、传感器和娱乐系统――不受出现在电力在线的具有破坏性的反向电压、电压瞬变、静电放电（ESD）及噪声的干扰。整流器是用于汽车电子电力线保护的理想解决方案，对这些应用有若干重要参数需要考虑，包括正向电流、重复反向电压、正向浪涌电流[][][][][][][][][][]
IC热门型号
IC现货型号
推荐电子百科电感的失效分析
1、电感本质
我们通常所说的电感指的是电感器件，它是用绝缘导线(例如漆包线,沙包线等)绕制而成的电磁感应元件。
在电路中，当电流流过导体时，会产生电磁场，电磁场的大小除以电流的大小就是电感。
电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量。给一个线圈通入电流，线圈周围就会产生磁场，线圈就有磁通量通过。通入线圈的电源越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。实验证明，通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。
1.2 电感分类
按电感形式 分类：固定电感、可变电感。
按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。
按工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。
按绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
按工作频率 分类：高频线圈、低频线圈。
按结构特点 分类：磁芯线圈、可变电感线圈、色码电感线圈、无磁芯线圈等。
空心电感,磁芯电感和铜芯电感一般为中频或高频电感而铁心电感多数为低频电感
1.3电感的材质及工艺
电感器一般由骨架、绕组、屏蔽罩、封装材料、磁心等组成。
1）骨架：泛指绕制线圈的支架。通常是采用塑料、胶木、陶瓷制成，根据实际需要可以制成不同的形状。小型电感器一般不使用骨架，而是直接将漆包线绕在磁心上。空心电感器不用磁心、骨架和屏蔽罩等，而是先在模具上绕好后再 脱去模具，并将线圈各圈之间拉开一定距离。
2）绕组：指具有规定功能的一组线圈，有单层和多层之分。单层有密绕和间绕两种形式；多层有分层平绕、乱绕、蜂 房式绕法等多种。
3）磁心：一般采用镍锌铁氧体或锰锌铁氧体等材料，它有“工”字形、柱形、帽形、“E”形、罐形等多种形状。
铁心：主要有硅钢片、坡莫合金等，其外形多为“E”型。
4）屏蔽罩：用于为避免有些电感器在工作时产生的磁场影响其它电路及元器件正常工作。采用屏蔽罩的电感器，会增加线圈的损耗，使Q值降低。
5）封装材料：有些电感器（如色码电感器、色环电感器等）绕制好后，用封装材料将线圈和磁心等密封起来。封装材料采用塑料或环氧树脂等。
1.4 电感主要参数
1）电感量：也称自感系数，是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。
电感量的大小，主要取决于线圈的圈数、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常，线圈圈数越多、绕制的线圈越密集，电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大；磁心导磁率越大的线圈，电感量也越大。
应用的工作频率越高电感的尺寸可以越小
同样的阻抗值，频率越高，感值越小
感值小，圈数可减小，电感的尺寸就可以做小
感值小，材质的导磁率亦不用太高
（材质的导磁率越高，越不适合在高频工作）
2）允许偏差：指电感上标称的电感量与实际电感的允许误差值。一般用于振荡或滤波等电路中的电感要求精度较高，允许偏差为±0.2%~±0.5%；而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高；允许偏差为±10%~15%。
3）固有频率：电感的等效电路实际上是电感与电容的并联谐振电路，其震荡频率
f0= 即是固有频率。
也定义为感抗和容抗相等时对应的自谐振频率。使用电感线圈时，为保障线圈的电感量稳定，应使线 圈的工作频率远低于固有频率。
4）分布电容：指线圈的匝与匝之间、线圈与磁心之间存在的电容。电感的分布电容越小，其稳定性越好。
减小分布电容的方法：
1)如果磁性是导体，用介电常数低的材料
2)起始端与终止端远离（夹角&40°）
3)尽量单层绕制，并增加匝间距离
4)多层绕制时，采用渐进方式绕，避免来回绕制
5）直流电阻Rdc：指直流状态下测量器件的电阻值为直流电阻，表征器件内部线圈的质量状况。
6）阻抗Z：表征的是给定频率下元件对流经其本身的交流电流的总抵抗能力。
7）品质因数：也称Q值，是衡量电感质量的主要参数。它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。
电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。在实际当中，Q不仅只与线圈的 直流电阻有关，还包括线圈骨架的介质损耗，铁芯和屏蔽的损耗以及在高频条件下工作时的趋肤效应等因素有关，提高线圈的Q值，并不是一件很容易的事情。
实际电感的应用选择必须同时兼顾较小的电感量波动与较高的Q值。
8）额定电流Ir：指电感正常工作时反允许通过的最大电流。若工作电流超过额定电流，则电感器就会因发热而使性能参数发生改变，甚至还会因过流而烧毁。
电感失效分析
电感器失效模式：电感量和其他性能的超差、开路、短路
模压绕线片式电感失效机理：
1.磁芯在加工过程中产生的机械应力较大，未得到释放
2.磁芯内有杂质或空洞磁芯材料本身不均匀，影响磁芯的磁场状况，使磁芯的磁导率发生了偏差；
3.由于烧结后产生的烧结裂纹；
4.铜线与铜带浸焊连接时，线圈部分溅到锡液，融化了漆包线的绝缘层，造成短路；
5.铜线纤细，在与铜带连接时，造成假焊，开路失效
低频片感经回流焊后感量上升 & 20％
由于回流焊的温度超过了低频片感材料的居里温度，出现退磁现象。片感退磁后，片感材料的磁导率恢复到最大值，感量上升。一般要求的控制范围是片感耐焊接热后，感量上升幅度小于20%。
耐焊性可能造成的问题是有时小批量手工焊时，电路性能全部合格（此时片感未整体加热，感量上升小）。但大批量贴片时，发现有部分电路性能下降。这可能是由于过回流焊后，片感感量会上升，影响了线路的性能。在对片感感量精度要求较严格的地方（如信号接收发射电路），应加大对片感耐焊性的关注。
检测方法：先测量片感在常温时的感量值，再将片感浸入熔化的焊锡罐里10秒钟左右，取出。待片感彻底冷却后，测量片感新的感量值。感量增大的百分比既为该片感的耐焊性大小
当达到回流焊的温度时，金属银（Ag）会跟金属锡（Sn）反应形成共熔物，因此不能在片感的银端头上直接镀锡。而是在银端头上先镀镍（2ｕm 左右） ，形成隔绝层，然后再镀锡（4－8ｕm ）。
可焊性检测
将待检测的片感的端头用酒精清洗干净，将片感在熔化的焊锡罐中浸入4秒钟左右，取出。如果片感端头的焊锡覆盖率达到90％以上，则可焊性合格。
可焊性不良
1）端头氧化：当片感受高温、潮湿、化学品、氧化性气体（SO2、NO2等）的影响， 或保存时间过长，造成片感端头上的金属Sn氧化成SnO2，片感端头变暗。由于SnO2不和Sn、 Ag、Cu等生成共熔物，导致片感可焊性下降。片感产品保质期：半年。如果片感端头被污染，比如油性物质，溶剂等，也会造成可焊性下降
2）镀镍层太薄，吃银：如果镀镍时，镍层太薄不能起隔离作用。回流焊时，片感端头上的Sn和自身的Ag首先反应，而影响了片感端头上的Sn和焊盘上的焊膏共熔，造成吃银现象，片感的可焊性下降。
判断方法：将片感浸入熔化的焊锡罐中几秒钟，取出。如发现端头出现坑洼情况，甚至出现瓷体外露，则可判断是出现吃银现象的。
3、焊接不良
如果片感在制作过程中产生了较大的内部应力，且未采取措施消除应力，在回流焊过程中，贴好的片感会因为内应力的影响产生立片，俗称立碑效应。
判断片感是否存在较大的内应力，可采取一个较简便的方法：
取几百只的片感，放入一般的烤箱或低温炉中，升温至230℃左右，保温，观察炉内情况。如听见噼噼叭叭的响声，甚至有片子跳起来的声音，说明产品有较大的内应力。
如果片感产品有弯曲变形，焊接时会有放大效应。
焊接不良、虚焊
焊盘设计不当
a.焊盘两端应对称设计，避免大小不一，否则两端的熔融时间和润湿力会不同
b.焊合的长度在0.3mm以上（即片感的金属端头和焊盘的重合长度）
c.焊盘余地的长度尽量小，一般不超过0.5mm。
d.焊盘的本身宽度不宜太宽，其合理宽度和MLCI宽度相比，不宜超过0.25mm
当贴片时，由于焊垫的不平或焊膏的滑动，造成片感偏移了θ角。由于焊垫熔融时产生的润湿力，可能形成以上三种情况，其中自行归正为主，但有时会出现拉的更斜，或者单点拉正的情况，片感被拉到一个焊盘上，甚至被拉起来，斜立或直立（立碑现象）。目前带θ角偏移视觉检测的贴片机可减少此类失效的发生
回流焊机的焊接温度曲线须根据焊料的要求设定，应该尽量保证片感两端的焊料同时熔融，以避免两端产生润湿力的时间不同，导致片感在焊接过程中出现移位。如出现焊接不良，可先确认一下，回流焊机温度是否出现异常，或者焊料有所变更。
电感在急冷、急热或局部加热的情况下易破损，因此焊接时应特别注意焊接温度的控制，同时尽可能缩短焊接接触时间
回流焊推荐温度曲线
手工焊推荐温度曲线
4、上机开路
虚焊、焊接接触不良
从线路板上取下片感测试，片感性能是否正常
如选取的片感，磁珠的额定电流较小，或电路中存在大的冲击电流会造成电流烧穿，片感或磁珠 失效，导致电路开路。 从线路板上取下片感测试，片感失效，有时有烧坏的痕迹。如果出现电流烧穿，失效的产品数量会较多，同批次中失效产品一般达到百分级以上。
回流焊时急冷急热，使片感内部产生应力，导致有极少部分的内部存在开路隐患的片感的缺陷变大，造成片感开路。从线路板上取下片感测试，片感失效。如果出现焊接开路，失效的产品数量一般较少，同批次中失效产品一般小于千分级。
5、磁体破损
片感烧结不好或其它原因，造成瓷体强度不够，脆性大，在贴片时，或产品受外力冲击造成瓷体破损
如果片感端头银层的附着力差，回流焊时，片感急冷急热，热胀冷缩产生应力，以及瓷体受外力冲击，均有可能会造成片感端头和瓷体分离、脱落；或者焊盘太大，回流焊时，焊膏熔融和端头反应时产生的润湿力大于端头附着力，造成端头破坏。
片感过烧或生烧，或者制造过程中，内部产生微裂纹。回流焊时急冷急热，使片感内部产生应力，出现晶裂，或微裂纹扩大，造成瓷体破损
责任编辑：
声明：本文由入驻搜狐号的作者撰写，除搜狐官方账号外，观点仅代表作者本人，不代表搜狐立场。
今日搜狐热点功率电感性能,最全面的功率电感性能文章 - 电子工程世界网
功率电感性能
在电子工程世界为您找到如下关于“功率电感性能”的新闻
功率电感性能资料下载
;&& 另外，步进电机的绕组是感性负载，在通电时，随着电机运行频率的升高，而过渡的时间常不变，使得绕组电流还没来得及达到稳态值又被切断，平均电流变小，输出力矩下降，当驱动频率高到一定的时候将产生堵转或失步现象．因此，步进电机的驱动除了电机的设计尽量地减少绕组电感量外，还要对驱动电源采取措施，也就是提高导通相电流的前后沿陡度以提高电机运行的性能．&&&nbsp...
电 感 和 磁 珠 的 选 型电 感 和 磁 珠 的 选 型在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻抗值，载流能力以及其他类似物理特性不同外，通孔接插件和表面贴装器件...
、高速公路：25Hz、静频信号电源。变频电源可带负载种类及容量先择方法　　变频电源可以带载各种阻抗特性的负载，包括电感类、电阻类、整流类常见负载，需引起重视的是负载类型不同，所需变频电源的功率容量有很大不同。①.负载性质的种类：线性负载 非线性负载阻性负载 或功率因数已校正负载 感性负载 容性负载 带有电解电容的整流滤波型负载
②.不同负载的主要特性：o阻性： 电源容量 = 1.1×负载...
，要考虑到电动机的启动电流的影响，在交流开关的主电流中串入空心电抗器，可抑制换向电压上网率，降低对双向晶闸管换向能力的要求。3．交流调压电路（1）单相交流调压电路电感性负载时，要用宽脉冲触发晶闸管，否则在 ＜ （负载功率因数角）时，会使一个晶闸管不能导通，负载波形只有半周，出现很大的直流分量，电路不能正常工作。（2）单相交流调压电路电阻性负载时，移相范围是 =0°~180°，而电感性负载时，移相范围...
应用情况，在最初的设计中，为取得比较适中的性能，可考虑使电路工作于电流临 界连续状态。 反激式变压器的设计可分为以下几个步骤： a、初选磁芯型号。 b、确定初级电感量。 c、确定初级峰值电流。 d、确定初级线圈匝数和气隙。e、计算并调整初、次级匝数。 f、计算并确定导线线径 g、校核窗口面积和最大磁感性强度 ★ 初选磁芯型号 反激变压器的体积主要决定于传递功率的大小，可依据经验或磁芯厂家手册中提...
自身的变化。 电磁干扰：电磁骚扰引起的设备、转输通道或系统性能的下降。　　从上面定义可知，电磁骚扰仅仅是电磁现象，即客观存在的一种物理现象，它可能引起降级或损害，但不一定已经形成后果。而电磁干扰则是电磁骚扰引起的后果。问：电磁骚扰什么场合最多，它们是怎样产生的？答：电磁骚扰最多的场合如下：高速数字信号线路、开关电路、脉冲发生电路和大功率控制电路等在极短的时间内电压电流急速变化的场合，所含有电感...
自身的变化。 电磁干扰：电磁骚扰引起的设备、转输通道或系统性能的下降。　　从上面定义可知，电磁骚扰仅仅是电磁现象，即客观存在的一种物理现象，它可能引起降级或损害，但不一定已经形成后果。而电磁干扰则是电磁骚扰引起的后果。问：电磁骚扰什么场合最多，它们是怎样产生的？答：电磁骚扰最多的场合如下：高速数字信号线路、开关电路、脉冲发生电路和大功率控制电路等在极短的时间内电压电流急速变化的场合，所含...
统分人 一、填空题（第1～20题。请将正确答案填入题内空白处。每题0.5分，共10分。） 1．为了提高电源的利用率，感性负载电路中应并联适当的&&&&&&&&&&，以提高功率因素。 2．由运算放大器组成的积分器电路，在性能上象是&&&&&&nbsp...
功率电感性能相关帖子
是首先固定位于RF路径上的元器件并调整其方向，以便将RF路径的长度减到最小，使输入远离输出，并尽可能远地分离高功率电路和低功率电路。(2)PCB堆叠设计原则。最有效的电路板堆叠方法是将主接地面(主地)安排在表层下的第二层，并尽可能将RF线布置在表层上。将RF路径上的过孔尺寸减到最小，这不仅可以减少路径电感，而且还可以减少主地上的虚焊点，并可减少RF能量泄漏到层叠板内其他区域的机会。(3)射频器件...
)2/R]+4×r}对于一个给定的信号源，其内阻r是固定的，而负载电阻R则是由我们来选择的。注意式中[(R-r)2/R]，当R=r时，[(R-r)2/R]可取得最小值0，这时负载电阻R上可获得最大输出功率Pmax=U2/(4×r)。即，当负载电阻跟信号源内阻相等时，负载可获得最大输出功率，这就是我们常说的阻抗匹配之一。对于纯电阻电路，此结论同样适用于低频电路及高频电路。当交流电路中含有容性或感性...
这样可以吗？那里的磁珠是起什么作用哟？作为电源滤波，可以使用电感。磁珠的电路符号就是电感但是型号上可以看出使用的是磁珠在电路功能上，磁珠和电感是原理相同的，只是频率特性不同罢了电感和磁珠的选型在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够...
，1-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干扰的分容性藕合和感性藕合。一般1MHZ以上的干扰是共模，低频段是差摸干扰。用一个电阻串个电容后再并到Y电容的引脚上，用示波器测电阻两引脚的电压可以估测共模干扰；
2、保险过后加差模电感或电阻；
3、小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
4、前端的π型EMI零件中差模电感只负责低频EMI...
，1-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干扰的分容性藕合和感性藕合。一般1MHZ以上的干扰是共模，低频段是差摸干扰。用一个电阻串个电容后再并到Y电容的引脚上，用示波器测电阻两引脚的电压可以估测共模干扰；
2.保险过后加差模电感或电阻；
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
4.前端的π型EMI零件中差模电感...
，一般使环境电平至少低于极限值6dB。③试验桌。④测量设备和被测设备的隔离。⑤敏感性判别准则：一般由被测方提供，并实话监视和判别，以测量和观察的方式确定性能降低的程度。⑥被测设备的放置：为保证实验的重复性，对被测设备的放置方式通常有具体的规定。(6)测试种类传导发射测试、辐射发送测试、传导抗扰度测试、辐射抗扰度测试。(7)常用测量仪电磁干扰(EMI)和电磁敏感度(EMS)测试，需要用到许多电子仪器...
虽然人们普遍认为电容是解决噪声相关问题的灵丹妙药，但是电容的价值并不仅限于此。设计人员常常只想到添加几个电容就可以解决大多数噪声问题，但却很少去考虑电容和电压额定值之外的参数。然而，与所有电子器件一样，电容并不是十全十美的，相反，电容会带来寄生等效串联电阻(ESR)和电感(ESL)的问题，其电容值会随温度和电压而变化，而且电容对机械效应也非常敏感。设计人员在选择旁路电容时，以及电容用于滤波器...
硅瞬变吸收二极管的工作有点象普通的稳压管，是箝位型的干扰吸收器件；其应用是与被保护设备并联使用。 硅瞬变电压吸收二极管具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力，及极多的电压档次。可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。
　 　TVS管有单方向(单个二极管)和双方向(两个背对背连接的二极管)两种，它们的主要参数是击穿电压、漏电...
，NTC为负温度系数热敏电阻，即温度越高，阻抗越小TC为正温度系数热敏电阻即温度越高，阻抗越大。利用阻抗对温度的敏感特性在电路设计中起到了重要的作用。NTC在电路中主要为抑制电路启动过程中的启动电流，当系统启动过程中，由于系统内部存在功率电路、容性及感性负载，因此在启动瞬间会出现非常大的冲击电流。如果电路器件选型过程中没有考虑器件瞬时的抗电流能力，那么系统在多次启动的操作过程中，就很容易导致器件被击穿...
很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3、限幅元件二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4、继流二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。5、检波二极管在收音机中起检波作用。6、变容二极管使用于电视机的高频头中。二极管的工作原理...
功率电感性能视频
你可能感兴趣的标签
热门资源推荐