W,I,V的电学公式怎么变换

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如何通过PEC测试I-V曲线来说明p型半导体还是n型半导体?

RT~ 最近在做相同物质的p和n型半导体,材料本身是n型,改型之后为p型。 想用PEC的方法证明得到的材料是不是p型,我知道莫特-肖特基曲线斜率正负可以判断pn型。但是想通过测量光电流的变化来说明问题,同时还想对比光生电流的大小来说明光催化活性的问题。看文献里说如果是p型半导体的话,光照时电流变负,而n型半导体光照时电流变正,不过p型是不是得在负电压下测量而n型必须在正电压下测量呢? 这样的话就没法对比相同电压下的光电流大小了。 求大神给解答啊

  • 你好,请问你是怎么将n型半导体改型成p型的?我想把p型改成n型应该怎么改?

  • 你好,可以把这个文献推荐给我吗?

  • 对于n型半导体,通常加正向偏压,光照后出现正向增大的电流;对于p型半导体,加负向偏压,光照后出现负向增大的电流。按照楼主的想法,比如设置0.1v测定n型光电流,同时可以设置-0.1v测定p型光电流。有什么问题可以继续交流。

  • “看文献里说如果是p型半导体的话,光照时电流变负,而n型半导体光照时电流变正”。能把你说的这篇文献贡献给我吗?QQ:   我现在也在做生物光电方面的东西

  • 同求文献,我的测MS曲线斜率为正,所以安理说应该是n型,但是我在加正偏压时基本没有光电流。,加负偏压的时候光电流还挺大,而且电流也是负值。

  • 对于N型半导体,由于其与溶液接触是能带向上弯曲,有利于半导体内的空穴导向溶液中,所以在测光电流时我们一般施加正偏压,这样产生的光电流比起施加负偏压要大。由于施加的正压,当有光照时,激发光生载流子,在偏压作用下自然产生正电流的增大。P型半导体同理。如果我们非要在N型半导体上施加负压,一样可以测的负的光电流,因为光生载流子在偏压下运动,但是得到的光电流由于能带弯曲的缘故,会比正压校

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