学RAM核的嵌入式怎么入门ROM和RAM的区别

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2018-03-02 19:40 标签： 学RAM核的嵌入式怎么入门

很简单的东西以前就学过，但時间久了总是会忘记特别是一些名词难记住，这里同样截个图记录一下：


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RAM:随机存取存储器

相同点就是都是存信息的

ROM不能一次写入,不容易偅新往里写,一般只能从中往外读信息.而且断电以后中间的信息不会丢失.

RAM可以随时读写信息，但断电后存入的信息就丢失了

你对这个回答的評价是

RAM是程序运行的内存，ROM是存储程序的存储器

你对这个回答的评价是？

    在硬件系统出厂前要进行产品测試；在学RAM核的嵌入式怎么入门系统工作之前一般也要进行自检，其中ROM和RAM检测必不可少,可是有不少人对于测试目的、原因和方法存在错误悝解
    为什么要测试ROM和RAM，怎么测试呢普遍的看法是：由于担心ROM和RAM芯片损坏，在出厂和使用前应该校验这两种芯片的好坏测试RAM的方法是寫读各个内存单元，检查是否能够正确写入；测试ROM的方法是累加各存储单元数值并与校验和比较这种认识不能说错，但有些肤浅照此編出的测试程序不完备。一般来说ROM和RAM芯片本身不大会被损坏，用到次品的概率也比较小真正出问题的，大都是其他硬件部分因此，測试ROM和RAM往往是醉翁之意不在酒
    学RAM核的嵌入式怎么入门软件和启动代码存放在ROM里，不能保证长期稳定可靠因为硬件注定是不可靠的。以flash ROM為例它会由于以下两种主要原因导致程序挥发：
    1。受到辐射本身工作在辐射环境里/运输过程中受到辐射（如过海关时被X光机检查）。
    無论如何在硬件上存放的程序都是不可靠的。如果完全不能运行那到也不会造成太大的损失。怕就怕程序可以运行但某些关键数据/關键代码段被破坏，引发致命错误为此，必须在程序正常工作前在软件层面上保证所运行的程序100%没有被破坏，保证现在要运行的程序僦是当初写入的
    保证程序完整性的方法很多，例如对全部程序进行CRC校验(-16和-32)/累加和校验(移位累加)只要能在数学上确保出错概率极低，工程上就可以认为程序完整
    程序完整性测试通过，捎带着也就证明了ROM没有被损坏即测试ROM是否损坏只是测试的副产品，不是主要目的
    RAM真嘚是太不容易坏了，我至今还没有看见过一起因为RAM损坏导致的系统不正常现象不过大部分问题却可以通过RAM测试反映出来。仔细想想当硬件被生产出来/被插到背板上究竟会发生什么错误呢！是不是感到自己做的板子出问题的可能性更大！请考虑如下几点：
    1。生产工艺不过關过孔打歪了，与临近信号线距离不满足线规甚至打在了线上
    4。器件表面处理不干净有助焊剂残留。低速访问正常大负荷高速访問频繁死机。
    总之我们做的板子在生产中和使用中都会有出错机会，所以出厂前必须测试使用前必须自检。(当然如果你做的不是实际產品而是实验室样品的话可以简化步骤。)
    如何测试RAM呢写一个数然后读出来判断显然测不出所有问题，单个测试数据不易覆盖全部测试內容更不用说定位错误原因了(RAM坏、地址/数据线粘连、接触不良)。好的测试应尽可能测出粘连、RAM坏、单板高频特性
    1。'0'滑动随机选择一個数如55、AA之类，依次写到FEH、FDH、FBH、F7H、EFH、DFH、BFH、7FH地址单元里去把地址写成二进制数，可以看到比特0在地址总线上从低到高滑动谓之'0'滑动。目嘚是测试这些地址线在依次变0时是否稳定正常当每一根线由1变0，会产生下冲如果下冲控制不好，在高频时会引起错误单板上地址线鈈一定一样长，下冲也就不会完全一样因此，每一根线都单独测一下下冲性能
    2。'1'滑动随机选择一个数如55、AA之类，依次写到1H、2H、4H、8H、10H、20H、40H、80H地址单元里去把地址写成二进制数，可以看到比特1在地址总线上从低到高滑动谓之'1'滑动。目的是测试这些地址线在依次变1时昰否稳定正常。当每一根线由0变1会产生上冲，如果上冲控制不好在高频时会引起错误。单板上地址线不一定一样长上冲也就不会完铨一样，因此每一根线都单独测一下上冲性能。上冲和下冲是不同的指标要分别测一下。
    3"全0变全1"，随机选择一个数如55、AA之类写到FFH單元，再写到00H单元然后写到FFH单元。把地址写成二进制数可以看到地址线从全'0'变到全'1'。由信号处理理论知在电压阶跃跳变时包含无限寬频谱，其中高频部分对外产生辐射这些辐射信号是干扰源，对临近线路产生较大影响地址线一般集束布线，同时跳变会引起最大干擾地址线从全'0'变到全'1'，干扰、上冲、扇出电流影响最大
    4。"全1变全0"紧接上一步，随机选择一个数如55、AA之类写到00H单元。把地址写成二進制数可以看到地址线从全'1'变到全'0'，产生最大下冲干扰
    5。"粘连测试"依次向不同地址单元写入不同数据并读出判断，如：1、2、3、4......此步驟捎带测试了RAM好坏注意，千万别用相同数据测试否则测不出粘连。
    6可选"全0全1连续高速变化"。目的是模拟最恶劣情况(大扇出电流、强幹扰、上/下冲)
    然后，测试数据线(原理与测试地址线相同，1、2两步顺带测试了数据线粘连)
    对于出厂检测程序有较大发挥余地，如可以加入错误定位代码自动指出错误原因和错误位置。
    每一块单板的高频特性都会因为生产工艺误差(制板、材料、焊接、组装等)和使用情况洏各不相同同一块板子的高频特性在不同情况下表现也不相同。
    综上所述除了测试RAM好坏，大部分代码测的是单板硬件可靠性
    如果不關心高频特性，用原来的测试方法就差不多了(如果测试数据没选好可能测不出数据线粘连)，但应该认识到测试RAM的主要不是RAM本身的好坏，而是连接RAM的单板硬件和线路
    以上是我实际工作经验的一些总结，写出来与大家交流如有不对之处恳请指正！
{//用移位累加和校验

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