DRAM的一些知识点，先记录下来再进行整理
1.何为Memory rank？
A&memory rank&is a set of&&chips connected to the same&, which are therefore accessed simultaneously. In practice they also share all of the other command and control signals, and only the data pins for each DRAM are separate (but the data pins are shared across ranks).
The term &rank& was created and defined by&, the memory industry standards group. On a&,&, or&&, each rank has a 64 bit wide data bus (72 bit wide on DIMMs that support&). The number of physical DRAMs depends on their individual widths. For example, a rank of x8 (8 bit wide) DRAMs would consist of eight physical chips (nine if ECC is supported), but a rank of x4 (4 bit wide) DRAMs would consist of 16 physical chips (18 if ECC is supported). Multiple ranks can coexist on a single DIMM, and modern DIMMs can consist of one rank (single rank), two ranks (dual rank), four ranks (quad rank), or eight ranks (octal rank).
There is little difference between a dual rank&&and two single rank UDIMMs in the same memory channel, other than that the DRAMs reside on different&. The electrical connections between the&&and the DRAMs are almost identical (with the possible exception of which chip selects go to which ranks). Increasing the number of ranks per DIMM is mainly intended to increase the memory density per channel. Too many ranks in the channel can cause excessive loading and decrease the speed of the channel. DRAM load on the CA (Command/Address) bus can be reduced by using&.【1】
2.如何识别SODIMM的Memory Rank数？
&模组型号&（红圈内）中的&R&是&RANK&的意思，也即是这个模组中只有一个RANK。&&8&是颗粒的位宽(bit width)。
下图为该内存对应框图，可以看出所有的cs片选信号均是连接在一起的。
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & &内存框图【2】
3.关于Rank的一些讨论（引自【3】）：
1.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？
答：根据模组组成原理可以知道：如果模组的深度等于颗粒的深度，就是一个RANK；如果模组的深度等于两倍颗粒深度，就是两个RANK。例如，编号为M378B5673DZ1的三星模组的模组深度是256M。又因为这种模组采用的是K4T1G084QD颗粒。这种颗粒的密度是1024Mb；位宽是8b，因此，颗粒深度是1024Mb&8b=128M。即模组深度是颗粒深度的两倍，因此，是两个RANK。
此外，从模组编号或颗粒编号给出的颗粒位宽和实际颗理粒数也可以计算出RANK数。例如，当颗粒位宽是8b时，模组用了8个颗粒，8&8b=64b，就是一个RANK；如果用了16颗颗粒，16&8b=128b，就是两个RANK。
2.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？
答：模组的面（side）数跟RANK数是两个不同的概念。而且在内存的编号中也都没有反映面数。但是，模组的面，不是一个，就是两个；而目前的RANK数也是这样。因此，用符号表示它们时，很容易混淆。但是，可以很明确地说：内存标签中的&R&是表示RANK,不是表示面数，内存&面&的英文字是Side，如果表示两个面的话面，应该是&2S&才是呀！
3.内存标签上的2R&8就表明内存是双面8个颗粒吗？
答：不是的。&R&表示RANK，这在上面已经解释过了。&&8&就是颗粒位宽是8bit的意思。因为1个RANK是64bit，两个RANK就是128bit，因此，符号&2R&8&就表示这个模组有2个RANK,颗粒的位宽是8b。因此，这个模组用的颗粒是128b&8b/颗=16颗，而不是8颗。同理，当内存条上的标签标明是&1R&16&时，就表明这个模组是1个RANK；颗粒位宽是16bit。其颗粒数是64b&16b/颗=4颗。绝不是16颗。
&参考文献：
【1】https://en.wikipedia.org/wiki/Memory_rank
【2】computing_ds_4Gb_DDR3L(B-ver)based_SODIMMs(Rev.1.0).pdf 源自&https://www.skhynix.com/products.view.do?vseq=963&cseq=75&
【3】http://blog.csdn.net/force_eagle/article/details/7961317
阅读(...) 评论()当前位置 & &
& DDR4内存能引领新革命吗？难！
DDR4内存能引领新革命吗？难！
10:36:52&&出处：&&
编辑：上方文Q &&)
让小伙伴们也看看：
阅读更多：
好文共享：
文章观点支持
文章价值打分
当前文章打分0 分，共有0人打分
[01-30][01-30][01-23][01-21][01-20][01-16][01-16][01-15][01-14][01-13]
登录驱动之家
没有帐号？
用合作网站帐户直接登录技嘉EP45－UD3R主板BIOS如何设置CPU和内存频率_百度知道
技嘉EP45－UD3R主板BIOS如何设置CPU和内存频率
技嘉EP45－UD3R主板BIOS如何设置CPU和内存频率我打开了主板BIOS但不知道哪个选项是设置CPU和内存频率的请大侠指点！希望能详细点谢谢！
我有更好的答案
一般CPU的倍频锁死，只能设置CPU的外频，具体步骤：开机按dell进入bios；进入BIOS后；进入MB Intelligent Tweaker；将CPU Host Clock Control改为enable；改好后就会出现CPU Host Frequency，就可以修改CPU的外频了；返回至MB Intelligent Tweaker面板；进入MB Intelligent Tweaker；找到System Memory Multiplier；在里面就可以选择内存频率与cpu频率的倍数关系，这样就可以修改内存频率。
采纳率：75%
来自团队：
在bios的MB Intelligent Tweaker-&CPU Host Clock Control选（enable）这样就出现CPU Host Frequency，你输入cpu的外频。同一菜单DRAM Performance Control下面有System Memory Multiplier供你选择内存频率与cpu频率的倍数关系
本回答被提问者采纳
如果你自己调整过，就恢复出厂默认设置吧，现在好多人都不用了，没有相关BLOS参数也无法仔细回答你的问题P45主板支持的是775的CPU
进bios。主板说明书上面或者百度都有详细的说明。
主板说明书写的这么清楚的，到网上来找真的对你无语了
其他2条回答
为您推荐：
其他类似问题
主板bios的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包
个人、企业类
违法有害信息,请在下方选择后提交
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。DRAM原理 4 ：DRAM Timing | 电子创新网赛灵思中文社区下次自动登录
现在的位置:
& 综合 & 正文
跟我学超频9——昔日枭雄今何在？1366平台超频小结~
Intel于2008年年末发布了基于Nehalem架构的LGA1366平台。从发布伊始至去年（即2011年）年末的3年间，一直是Intel的旗舰平台，直至基于Sandy Bridge-EX的LGA2011平台将其取代。至此，1366平台可以说圆满完成其使命，功成身退。
Nehalem架构的1366平台对于之前的775平台增加了不少新的元素，最为人们熟悉的有QPI、IMC、支持DDR3、重新启用了SMT、L3（这个在之前的平台上也有，不过是平台上较多，桌面平台罕见）等等。对于这些新技术，以前有过不少帖子分析和测试其对性能的影响，本帖主要是对超频方法做一个大致的总结，所以这些技术在这里不做赘述。
LZ的平台如下：
CPU：i7 920：EX58-UD3R （BIOS版本Fk1）
内存：2G X3 DDR3 1333
（其他略）
对于BIOS里常用的英文选项的含义，下面这帖里有比较详细的注解，可以参考，本帖就不再一一解释了~
超频开始，首先是入门级：160X21=3360MHz
开机后，见到POST界面按Delete键进BIOS~如下图
选择图中左上第一项MB
Intelligent Tweaker(M.I.T.)进入超频设置界面，如下图~
图中上方有5项可选，一般超频用到的是中间的3项，即Advanced Frequency Settings、Advanced Memory Settings和Advanced Voltage Settings
先选Advanced Frequency Settings，进去后选择Advanced
CPU Core Features，将其中的Intel(R) Turbo Boost Tech.选成Enabled（默认是Auto），见下图，这样是为了使超频后睿频功能仍然有效~
然后返回，将QPI
Clock Ratio选为X36（QPI不用太高，对性能没什么影响）
Clock(BCLK) Control默认是Disabled，要打开这项（选Enabled）才能手动超频~打开后，下面的BCLK Frequency会解锁~
Frequency设置为160，PCI Express Frequency选择100，接下来要算一下内存分频（System Memory Multiplier）和Uncore倍率（Uncore
Clock Ratio）选多少~
由于目前还属于入门级，因此暂时使内存频率不要超过默认频率，LZ的内存默认是1333的，所以.33，取内存分频为X8（实际内存频率是160X8=1280）
由于LZ的920是Bloomfield核心，Uncore频率至少是内存频率的2倍，否则点不亮，因此Uncore倍率也至少是内存分频的2倍，即Uncore倍率至少是X16（这里就选X16）
设置完后界面如下图~
退回，选择Advanced Memory Settings，出现下图界面~
将其中的Performance
Enhance选为Standard（注意，Performance Enhance是主板特有的选项，其它主板没有，因此不是技嘉主板的话，此步骤略去~）
退回，选择进入Advanced Voltage Settings，如下图~
Calibration可以不打开，保持Disabled就行，毕竟目前超频幅度还是比较小的~
下面的所有电压都选Normal（或Default）即可~（DRAM
Voltage以下的电压可以直接Auto，因为这些电压默认是DRAM Voltage的一半~）值得注意的是，CPU Vcore选Normal后，下面的Dynamic
Vcore会解锁，这里不管它（默认是+0.00000V，即不加压）
OK，这时就可以保存重启了~进系统看看超频后的效果吧~
跑象棋测试，主频提升20.3%，得分提高20.7%
Vantage的CPU测试，得分提高14.7%
当然，这并不代表超频完成了 ，接下来要测试超频后系统的稳定性、观察各部件温度，如果没有问题就可以这样用了；如果不想继续超，还可以尝试降低电压，每调整一次电压就要进系统重新测试稳定性，直至系统出现不稳定；在之前那个稳定电压的基础上加0.02V就差不多可以长期用了~
另外，如何测试稳定性请参考下面这帖：
入门级超频到这里可以告于段落~
接下来是进阶级：190X21=3990MHz 在之前入门级设置的基础上，还需要对内存和电压做一些调整~
首先把BCLK
Frequency设置为190，PCI Express Frequency选择100，内存分频选X8（实际内存频率1520），Uncore倍率X16~
设置完后如下图~
将Advanced Memory Settings中的Performance Enhance选为Standard~
然后进入Advanced Voltage Settings，打开Load-Line
Calibration；接下来要设置一下几个常用的电压~
Vcore。这一项有2种设置方法，比较直观的就是直接选择需要的电压值（相当于Fixed模式），这种方式的缺点是空载时电压不会降低（即自动调压失效），导致的结果是空载时的温度和功耗都比较高，其优点是相对来说稳定性高一些；另一种模式是选择Normal，下面的Dynamic
Vcore会解锁，然后调节Dynamic Vcore的电压（相当于Offset模式），这种模式的优缺点恰好与前一种相反~个人觉得平时使用还是推荐后一种（即Offset模式），前一种比较适合超高频~
由于现在的主频是3.99G，目前选择Normal，暂时把Dynamic
Vcore选为+0.0875V
由于目前的Uncore频率是190X16=3040，比默认的2133高出较多，所以考虑将QPI/Vtt Voltage加一些。
Voltage默认是1.15V，这里加到1.235V~
Voltage是内存电压，由于内存目前超过了默认频率，也考虑稍加一点，这里是加到了1.60V~
其余的电压依旧设置Normal，如图~
现在可以保存进系统做稳定性测试了~
稳定以后还没有结束，除了细调各项电压，还可以手动调节一下内存时序~
进入Advanced Memory Settings，将DRAM
Timing Selectable选为Quick或Expert。选择Quick可以看到下方的Channel A时序解锁了，其实这个模式是将3个通道设置为相同的时序；选择Expert则是3个通道同时解锁，这时可以给3个通道的内存分别设置时序~
简单一点可以先选Quick，将时序中的CAS
Latency Time、tRCD、tRP、tRAS、tRC、tRFC和Command Rate(CMD)手动设置，具体设置方法在本帖开头提供参考的那帖子里也有说明，这里我把它复制过来了~（观众：LZ真懒
一般比较重要的时序是4和主参和2个小参。4个主参分别是CAS Latency(CL)、tRCD、tRP和tRAS，它们不但影响内存的稳定性，还影响内存性能；2个小参是tRC和tRFC，这两项主要影响内存的稳定性，对性能影响并不明显。
一般先把tRC和tRFC调高一点，保证这两项不影响内存的稳定性，再仔细调4个主参，等主参调好后再降低tRC和tRFC。
对于4个主参，一般是先降CL，再降tRP，接着降tRAS，最后降tRCD。CL、tRCD和tRP每次降低1格，tRAS每次可以降低1-3格；通常来说，tRCD可能会比CL、tRP高1-3格，这属于正常现象，tRCD不那么容易降低。
对于2个小参，tRC每次可以降低1-3格，tRFC每次降低3-8格。
调过内存时序后也要测试稳定性，因此如果细调内存时序，那是相当麻烦的，要不厌其烦的反复尝试。平时使用大可不必这么麻烦，尝试几组时序，挑一组稳定的长期用就行了。
进阶级的差不多是这样了，其实所谓进阶级，不过是比入门级多一些细节，这些细节相信大家在反复的实际操作中会逐步掌握，越来越熟练~
考虑到帖子的普遍参考价值，以上给出的电压设置还是相对保守的，多数情况下电压会比这个设置低~
进系统后简单测试结果如下~
象棋测试，主频提升42.9%，得分提高42.8%
3DMark Vantage的CPU测试，得分提高39.2%
说实在的，3.99G对于1366仍然只是个“及格”频率，由于参考帖里有BIOS选项的详解和4.2G的设置方法，即这个两个帖子的内容互为补充，所以其实这两个帖子合在一起才是一个真正完整的帖子。
【上篇】【下篇】