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DDR4内存市场需求一路飙高
美光、三星最高兴
来源：电子发烧友整理 作者：日 14:43
[导读] 受惠物联网、智能汽车和无人机等大举爆发，加上智能手机内存越来越大，对内存需求在增加，而且装机旺季让内存成为抢手品，尤其是赶在Intel和AMD新一代处理器集中上市，DDR4内存的市场需求一路飙高，直接带动价格上涨。
　　供给因需求大增必然产生缺口。受惠物联网、智能汽车和无人机等大举爆发，加上智能手机内存越来越大，对内存需求在增加，而且装机旺季让内存成为抢手品，尤其是赶在Intel和AMD新一代处理器集中上市，DDR4内存的市场需求一路飙高，直接带动价格上涨。
　　去年下半年以来，市场焦点一直以DRAM和储存型闪存（NAND Flash）缺货为重心，两大主流内存也从去年下半年迄今，价格上涨近六成。这个传导到下游的表现就是华为、魅族等手机厂商都陆续开始涨价、电脑装机费也是持续上涨。
　　来自日本秋叶原市场的统计数据显示，最常用的DDR4-2133 16GB双条套装最低售价在最近一周内出现了786日元的涨幅，DDR4-2133 32GB双条套装最低售价涨幅更是高达6800日元。而高端型号DDR4-2666 32GB双条套装也有6480日元上涨。
　　闪存内存售价一路暴涨收益最大的是他们
　　日前，美光公司发布了2017财年Q2财报，当季营收46.5亿美元，环比增长17%，同比暴涨了58%，毛利率也回升到36.7%，净利润达到了8.94亿美元，而去年同期净亏损9700万美元。
　　截至今年3月2日的Q2财季中，美光营收46.5亿美元，环比上季度增长了17%，但是与去年同期29.3亿美元的营收相比大涨了58%。在强劲的营收推动下，美光当季度盈利情况也大为改善，毛利率从Q1季度的25.5%提升到36.7%，净利润达到了8.94亿美元，Q1季度只有1.8亿美元，而去年同期则是净亏损9700万美元。
　　美光现在的营收显然是得益于内存、闪存芯片的高需求及持续不断的涨价，从该公司的财报数据中可以得知Q2季度中DRAM平均售价涨了21%，NAND销量提升了18%。
　　在美光的业务构成中，DRAM芯片占据了64%的营收额，其中移动内存占了20%以上，PC内存占了25%，服务器内存也占了25%，特殊内存（包括网络、显卡汽车电子及其他内存）占比在20%以内。
　　闪存业务营收占了美光30%的份额，其中消费级内存占了40%，移动设备占了20%，SSD占比在20%以内，剩下的则是汽车电子、嵌入式闪存。
　　从严格意义上来说，厂商是最希望内存和闪充涨价的，也正是基于这个原因，三星最新的运营利润将达到9.4万亿韩元（84.4亿美元）。
　　现在韩国媒体给出的报道称，三星本财季拿出出色利润数据已经不是难事，但是别忘记了，随着NAND、DRAM继续的涨价来看，接下来的一个季度其利润会达到史上最高的110亿美元。
　　三星是全球最大的存储芯片制造商（包括DRAM内存、NAND闪存），去年下半年虽然发生了Galaxy Note 7燃损事件，但受惠于存储芯片、屏幕等电子元件的价格上涨，去年第四季度，三星电子营业利润高达9.22万亿韩元（约合79.28亿美元），同比增长50.2%。
　　对于三星利润疯涨的事情，外界分析人士强调，今年一整年内存供应将会持续紧张，其中用于长期存储数据的NAND闪存芯片尤其紧张，从而推高了三星利润。
　　不论是三星、SK Hynix还是东芝、美光，都从此前的NAND闪存、DRAM内存涨价中受益良多，大赚特赚也是情理之中的事情。
　　&赝品&内存成&爆款&：监测软件都验不出
　　在当代市场上可以说是各种山寨、假货横行，消费者想要以最便宜的价格买到产品的心理也是被各种利用，早就了如今的山寨产品比比皆是的市场。
　　虽说如今网购电子产品便宜又方便，但还是有不少人本着&眼见为实&的理念走进线下电子市场，直接选购自己所需的产品。而一直以来，电子市场就是各种山寨、假货最集中的地方，消费者中招的案例比比皆是。
　　此前就有媒体报道称，警方在合肥包河百脑汇商城抓获一名专卖假内存条的商贩韩某，他两年卖出上千根&赝品&，涉及金士顿、三星等品牌。
　　而令办案人员奇怪的是，这些山寨内存条在几款流行的检测软件当中均被正常识别为&正品&，直到送往专业检测机构之后才发现其中的猫腻。
　　原来，这些山寨内存条都是用报废的内存条改造而成，贴上假的知名商标。也就是里面的芯片都是真的，但都已报废不适合使用。软件可以正常识别，但自身稳定性却远不如原厂正品。
　　办案人员在对山寨内存条检测后发现，虽然放入电脑中一段时间内可以保证电脑正常运转，但时间一长功能就会下降，导致电脑运转速度缓慢，其容量也与标识不符，标注容量8GB的实际容量却只有4GB或5GB。
　　目前，警方已经以涉嫌销售假冒注册商标的商品罪将韩某拘捕。
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电信与信息服务业务经营许可证：粤B2-正在阅读：Intel傲腾内存评测：这黑科技能让HDD满速？Intel傲腾内存评测：这黑科技能让HDD满速？
　　【PConline 评测】在7代酷睿没有多少值得期待的背景下，Intel拿出被誉为&黑科技&的傲腾Optane，包括傲腾内存（Optane Memory）以及傲腾 SSD（Optane SSD），顶着Intel出品光环，在PPT里着实惊艳了一把，一时间聚焦各大媒体头条，甚至还有人还抛出：&傲腾的出现，没有传统内存与SSD什么事了！&　　到底傲腾是什么？有没有这么神乎其神？在Intel 傲腾内存在国内发售之后，我们第一时间购买到一块16GB容量傲腾内存，拿到实物，通过实际测试分析来揭开傲腾内存的神秘面纱。&一、先来了解一下Intel 傲腾内存　　傲腾内存，虽名为内存Memory，它并不是传统意义上DDR3/DDR4内存，而基于3DXpoint技术一种低延迟的&M.2 NVMe SSD&，外观与普通的M.2 SSD一样，采用M.2 SSD接口，连接在主板M.2插槽上使用。　　傲腾内存，实际上就是系统加速而独立划分出来的&缓存盘&，目前上市在售的傲腾内存有16GB、32GB两个容量版本。其主要特点如下：1、响应速度快；2、系统加速；3、可以做到高速度、大容量结合。　　在规格方面，傲腾内存采用M.2 2280单面规格设计，搭载一颗或者两颗单Die封装的3DXPoint芯片，20nm工艺制造，仅支持PCI-E 3.0x2通道，而非主流NVMe SSD支持PCI-E 3.0x4通道。在性能方面，16GB版本持续读取最高为900MB/s，持续写入最高为145MB/s；4K 随机读取为190000 IOPS，4K随机写入是35000 IOPS。32GB版本持续读取速度为1200MB/s，持续写入最高为280MB/s；4K 随机读取为300000 IOPS，4K随机写入是70000 IOPS。从官方给的数据看，傲腾内存不管是持续性能还是随机性能，读取性能均远好于写入性能。二、傲腾内存该怎么用？　　相信不少人会纠结，包括笔者自己，拿到手后，这块容量仅16GB 傲腾内存该怎么使用？是不是有了它，就不用内存？或者说有了它，硬盘也省了？其实不是的。　　Intel傲腾内存是无法取代传统的内存，实际使用中，占用一个Intel 200系主板上的M.2接口，搭配大容量的机械硬盘使用，它能够让安装在机械硬盘中的系统和软件的启动、运行、加载速度得到明显提升，给人感觉相当于SSD（系统盘）+HDD（数据仓库）体验。&具体实现过程：Intel官网下载的傲腾驱动　　把傲腾装好之后，开机进入系统，然后下载好驱动。运行驱动之后全程点下一步，然后重启重启之后运行软件 点击启用提示傲腾可能会被删除数据 点击&是&然后又重启一次闪腾内存已经可以运行　　傲腾内存与一个普通的机械硬盘组合成一个卷，相当于组成RAID0了，之后的使用方法就和普通的机械硬盘HDD一样。16GB傲腾内存标签三、平台限制　　Intel 傲腾内存必须要配合Intel最新七代酷睿处理器+200系列主板使用，其他老旧主板与CPU均不开放傲腾内存使用权限。平台的限制，也杜绝老平台的升级。200系列主板中，凡是支持傲腾内存的产品，都将获得一个&Intel Optane Memory Ready&认证标识。PS:必须要求用户使用的是Intel第七代i3（Kaby Lake架构）及以上级别的处理器，同时要求主板上拥有M.2插槽。四、这东西是不是很熟悉？　　当你对傲腾内存有了初步了解之后，是不是想到曾经Intel推出的&智能响应技术&，也叫Intel Smart Response Technology,将较小容量的SSD固态硬盘作为智能响应技术的缓存盘，以提高机械硬盘的速度跟系统整体性能。从本质上讲，两者没有什么区别。　　而Intel曾经失败的&智能响应技术&，使用方法也是一样的，用一个16GB、32GB的小容量mSATA SSD与大容量的机械硬盘组成RAID，通过智能响应技术来实现系统加速，提升系统响应。　　另外，曾经红过一把的SSHD混合硬盘，也与傲腾内存有很多类似之处。希捷推出SSHD混合硬盘，通过在机械硬盘里增加一个8GB小容量SSD模块，来充当缓存盘，达到系统、软件应用加速的目的。那么， Intel 傲腾内存 是不是新瓶装了旧酒，接下来通过实际测试进一步探究！
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小米6运行内存速度7000m/s
据说功耗比ddr4低了不少
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好像ddr4x对比ddr4速度差了一点点呢
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内存功耗可以测试吗？rrd4x和rrd4性能相等功耗不同？还是功耗降低性能略微下降还是保持持平？
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京ICP备号 | 京公网安备34号 | 京ICP证110507号容量可达4GB 三星造出DDR4手机内存芯片
　　【PConline 资讯】三星一直是全球闪存颗粒的重要提供商，无论桌面市场还是移动市场，均占有强大的市场份额。近日，三星宣布已经制造出了业界首款LPDDR4的移动内存芯片，该芯片运行速率8Gb，相比DDR3的最高6Gb速度快50%，同时容量可提升至4GB，功耗降低40%，体积更小。　　技术参数方面，三星的新高速8Gb LPDDR4移动D，能够提供目前最高水平的密度、性能和能源效率，不仅响应更快，还支持更高级功能和2K以上高，仅1.1V的功耗还能让电池寿命最大化。此外，DDR4内存芯片使用低电压摆幅终止逻辑I/O接口，成为LPDDR4 DRAM的标准规范。基于这种新界面，LPDDR4芯片将使数据传输速率达到3200Mbps的两倍以上。　　工艺和容量方面，该LPDDR4芯片采用了20nm制程工艺，每块芯片的内存容量为1GB，三星只需要在新的旗舰手机中集成四块8Gb LPDDR4内存芯片，就可以轻松获得4GB的RAM内存容量。三星曾在去年九月推出的 3上率先使用了B内存，而仅仅半年之后，首款搭载4GB内存的手机或许就将在 2014展会上正式亮相。　　三星电子内存销售及市场副总裁Young-Hyun Jun表示：&新一代LPDDR4 DRAM将会在2014拉动全球移动DRAM市场的增长，并且很快将占据DRAM市场的大部分份额。而三星也将继续致力于移动DRAM芯片的研发工作，从而使全球的OEM厂商能够制造出性能更强大的移动设备来满足用户的需求。相关阅读:非iPhone6 传苹果今年五月推大屏iPhone三星海报暗示:将在2014推64位处理器
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手机ufs闪存 速度提升明显吗
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ufs2.0读取速度400m/s，ufs2.1 800m，老版本的emmc5.0只有200m，差距很大，至于内存ddr3和ddr4用起来则是直观感受，ddr3真的更卡，ddr4速度更快，闪存ufs2.0和emmc5.0用起来的去别主要是下载，传输文件，压缩解压缩文件等操作有明显差距
采纳率：80%
相比于以前手机内存采用的emmc格式，UFS 2.0可以说远远超过eMMC的。即使与当前最新的eMMC 5.1标准相比，UFS 2.0的速度也比eMMC 5.1高出3倍。UFS 2.0可以在UFS主机与闪存之间以全双工模式进行交换，读写可以同时执行。另外，UFS 2.0附加的控制通道可以有效地确保数据的安全传输，不必再因为读写操作而做不必要的等待，这是UFS 2.0获得更高速度的关键。
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