我生化检验钠和镁偏高是什么原因？
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医院出诊医生
擅长：小儿内科
擅长：外科
共3条医生回复
因不能面诊，医生的建议及药品推荐仅供参考
职称：医师
专长：焦虑症,老年期抑郁障碍,躯体疾病伴发的精神障碍,人...
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病情分析：你的情况是这样的，这些情况不是疾病的名字的而是由于某些疾病比如
腹泻或者是其他的因素导致身体内的电解质发生紊乱的，只有在医院检查清楚然后根据检查的结果进行适当的补充就会缓解的，注意饮食营养不要长时间的偏食
意见建议：
职称：医师
专长：神经系统病变
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病情分析：你好，你的检查应该是没有什么问题的，见于代谢性疾病，你有什么症状呢、把你的详细情况告诉我，希望我能帮到你，祝你健康
意见建议：
职称：医师
专长：高血压，心血管疾病，糖尿病
&&已帮助用户：10493
腹泻或者是其他的因素导致身体内的电解质发生紊乱的，只有在医院检查清楚然后根据检查的结果进行适当的补充就会缓解的，注意饮食营养不要长时间的偏食
问生化报告检验表
职称：医生会员
专长：内科，尤其擅长肺炎等疾病
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你好：这种情况属于正常，注意清淡饮食，禁辛辣，多喝水调理就可以。
问生化检验单
职称：医师
专长：擅长治疗高血压、糖尿病、冠心病、脑中风、胃炎、胃溃疡及其它内儿科疑难杂病。
&&已帮助用户：112431
你好，你的肝功异常，黄疸升高，说明肝功受到损害，要明确是何种原因导致，一般常见于病毒性肝炎，药物性肝炎，酒精性肝炎，脂肪性肝炎，感冒疲劳等等也会导致轻度升高。可做进一步检查确诊。建议你去医院看消化科，咨询医师，是否查乙肝两对半、丙肝抗体，血脂分析，B超肝胆胰脾等，明确肝功损害原因。同时排除感冒疲劳等。根据检查结果，考虑治疗方案。祝你健康！
问生化检验报告单
职称：医师
专长：儿科、尤其擅长小儿感冒
&&已帮助用户：44106
病情分析：乙肝那个全为阴性；是乙肝五项都为阴性；表明您没有感染乙肝病毒；但也没有保护性抗体，需要注射乙肝疫苗；白蛋白 50.8谷丙转氨酶 50.9；肝功能升高；还需检查甲丙丁戊肝抗体如正常；考虑与药物、感染、营养不良、胆道系统疾病、肝内肿瘤及占位、慢性疾病如慢性心衰...
意见建议：
问生化检验，肌酐偏低是什么原因，如何医治?
职称：医师
专长：中医科各类疾病
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指导意见：正常的肌酐为44-133，肌酐低的原因有很多，可能与贫血、肌营养不良、肌萎缩、白血病、尿崩症等疾病有关，肌酐高不排除肾功能不全的可能。建议进一步检查一下内生肌酐清除率。
问宝宝干式生化检验里肌酐是23是什么原因
职称：医师
专长：外科、尤其擅长骨折综合等疾病
&&已帮助用户：74954
病情分析： 你好， 你现在的情况不用担心，是正常的，先观察看看的。意见建议：建议你多喝骨头汤的，避免受凉的，定期到医院复查的。
问生化检验结果某些值很高
职称：医生会员
专长：高血压、糖尿病、心血管疾病
&&已帮助用户：37766
问题分析：您好，胆汁是胆囊中棕色稠厚的液体，胆汁中主要成分就是胆汁酸。肝脏是合成，并从门静脉摄取胆汁酸的唯一场所，胆道是胆汁酸排泄最主要的途径，因此，血清胆汁酸水平与肝胆疾病密切相关，胆汁酸增高时主要见于肝胆疾病。意见建议：可以通过控制胆固醇的摄入来控制胆汁酸浓度.建议去医院进行检查，根据数值增高的程度决定是否用药治疗，可在平时注意避免胆固醇的摄入过多。
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评价成功！LiNbO_3∶Mg 晶体的点阵常数和密度--《无机材料学报》1990年01期
LiNbO_3∶Mg 晶体的点阵常数和密度
【摘要】：用西门子 D-500型衍射仪,CuK_α辐射测量了一组不同掺镁浓度 LiNbO_3的 X 射线粉末衍射谱。样品的掺镁浓度分别为0、1.0、2.7、5.0、6.0、9.0(mol%,x=0.945)。X 射线衍射结果表明各样品均未发生相变或相分离。用最小二乘法(2θ=90°～150°)得到了各组分的精密点阵常数 a、c。结果表明掺镁浓度低于阈值样品的点阵常数无明显变化,而高于阈值样品的点阵常数则有明显增大。用阿基米德法测量了上述样品的密度,按我们提出的缺陷结构模型计算所得的 X 射线密度与实测密度比较,发现两者变化趋势和绝对值都较吻合。上述实验结果证明:在掺镁浓度低于阈值时,Mg~(2+)进入
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【参考文献】
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【共引文献】
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孟宪林,邵宗书,孙友轩,祝琍,王瑞华;[J];硅酸盐学报;1993年01期
冯锡淇,应继锋,吴耀安,刘建成;[J];科学通报;1988年13期
【二级参考文献】
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刘建成;[J];物理学报;1982年04期
【相似文献】
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梁敬魁,俞育德;[J];物理学报;1980年10期
梁敬魁;[J];物理;1981年05期
清水康敬·山本泰司,罗小春;[J];压电与声光;1981年01期
周业为,曾传相,杨守智,谢健,仲齐国;[J];中国激光;1982年05期
梁敬魁,俞育德;[J];物理;1982年04期
车广灿,梁敬魁;[J];物理;1982年05期
夏元复,许自然,沈惠敏,刘荣川,甘肇强,王业宁;[J];Chinese Science B1983年05期
孔祥炎;高安娟;;[J];稀有金属;1983年02期
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熊天英;刘志文;李智超;吴杰;金花子;李铁藩;;[A];2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会论文集[C];2002年
高磊;王继扬;刘宏;;[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
王海丽;杭寅;张连瀚;徐军;何明珠;;[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
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晏洪波;龙兴贵;周晓松;张玲;;[A];科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集[C];2004年
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通讯员范桂兰 记者毕伟;[N];科学时报;2002年
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曲士昱;[D];北京航空材料研究院;2002年
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周晓满;[D];西安理工大学;2004年
黄骥;[D];浙江大学;2004年
孙志辉;[D];广西大学;2004年
马峰全;[D];广西大学;2004年
马仰华;[D];西北工业大学;2005年
蔡格梅;[D];广西大学;2005年
徐小洁;[D];广西大学;2005年
孙建俊;[D];山东大学;2005年
阎光宗;[D];武汉大学;2005年
郑坊平;[D];浙江大学;2006年
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400-819-9993在郑州做过点阵，像素激光去痘坑的进，谢谢，广告绕道
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（共有1个回答）
请问有人在洛阳和郑州这两个地方做过像素激光或点阵激光去痘坑吗？哪家医院建议去西京医院，挺不错的，只是收费不会很便宜，但疗效不是一般的
我同学做过~~~感觉还可以，但是她的痘坑不是太深，还是要先看看你的情况是什么。我们昆明的华美美来医院很不错，他们是专业的整形医院据说方法有很多的，去这家医院的做
我同学做过~~~感觉还可以，但是她的痘坑不是太深，还是要先看看你的情况是什么。我们昆明的华美美来医院很不错，他们是专业的整形医院据说方法有很多的，去这家医院的做
这个只能问医生了！
两个都差不多，就是微创皮肤然后自己修复，可我做了两次了，没感觉效果很明显 头疼呢!
痘坑治疗现在的常见方法有很多，百度一下就可以找到，但是很多朋友做过了这些都反映没什么效果，而且过程很痛苦，后期的皮肤不良反应还很多、、、
为什么呢，其实你只要
唇毛可以做脱毛，有光子脱毛和冰点脱毛，都是没有问题的。脱毛是需要多次做的，不是一次就可以了，开始做完之后，一般会长一些。多次之后最多就是只长一些细小的绒毛，看不
我弟做过 刚开始效果不错 半年后打回原形
痘的本质就是毛囊因毛孔堵塞有大量细菌和微生物生存繁殖，所造成的毛囊发炎红肿的表现。没有毛孔堵塞，就不可能有大量的细菌微生物生存繁殖的条件，没有大量的微生物和细菌
不要着急，点阵之后还要保养，慢慢恢复的，平时少见光，防晒，每个月定时定量的补充胶原蛋白。做过激光了，激活了机体的内部增生，但是要长起来还是要花一定的时间的。还有
做激光去痘坑的话，很伤皮肤的，皮肤会变得很薄的哦！建议你去试试敲皮肤针，外敷中药面膜吧！这样修复的皮肤就是很自然的，但是你需要坚持一段时间哦！
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(C)2017 列表网&琼ICP备号-12&增值电信业务经营许可证B2-&，元素符号Si，原子序数14，原子量28.086，位于第三周期第IVA族，共价半径117皮米，离子半径42皮米，第一电离能786.1kJ/mol，电负性1.8，密度2.33g/cm3，熔点1410℃，沸点2355℃，硬度7。元素硅有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。无定形硅为黑色；晶体硅呈钢灰色，有明显的光泽、晶格和金刚石相同，硬而脆，能导电，但导电率不如金属且随温度的升高而增加，属半导体。在热处理温度大于750℃时，硅材料由脆性材料转变为塑性材料，在外加应力下，产生滑移位错，形成塑性变形。硅材料还具有一些特殊的物理性质，如硅材料熔化时体积缩小，固化时体积增大。
作为半导体材料，硅具有典型的半导体材料的电学性质。
(1)阻率特性 硅材料的电阻率在10-5~1010Ωocm之间，介于导体和绝缘体之间，高纯未掺杂的无缺陷的晶体硅材料称为本征半导体，电阻率在10Ωocm以上。
(2)PN结特性 N型硅材料和P型硅材料相连，组成PN结，这是所有硅半导体器件的基本结构，也是太阳电池的基本结构，具有单向导电性等性质。
(3)光电特性 与其他半导体材料一样，硅材料组成的PN结在光作用下能产生电流，如太阳电池。但是硅材料是间接带隙材料，效率较低，如何提高硅材料的发电效率正是目前人们所追求的目标。
硅（原子质量单位: 28.0855）共有23种同位素，其中有3种天然的稳定同位素Si(92.2%)、Si(4.7%)和Si(3.1%)，还有质量数为25、26、27、31和32的人工放射性同位素。
低温时单质硅不活泼，不与空气、水和酸反应。室温下表面被氧化形成1000皮米二氧化硅保护膜。高温时能跟所有卤素反应，生成四卤化硅，跟氧气在700℃以上时燃烧生成二氧化硅。跟氯化氢气在500℃时反应，生成三氯氢硅SiHCl3和氢气。高温下能跟某些金属(、、铁、铂等)反应，生成硅化物。赤热时跟水蒸气反应生成二氧化硅和氢气。跟强碱溶液反应生成硅酸盐放出氢气。跟氢氟酸反应生成四氟化硅。
按纯度可分为：工业硅、太阳能级硅、电子级硅。
按掺杂类型分为：本征硅、P型硅、N型硅。
按晶体类型分为：单晶硅、多晶硅、非晶硅。
硅按照晶体形态分为晶态和非晶态两种，晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，不同形态的硅材料具备不同的结构。
（1）单晶硅的结构
单晶硅即硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体材料。用于制造半导体器件，太阳能电池等。是采用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成的。熔融的单晶硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。单晶硅具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，但导电率不及金属，随着温度增加，具有半导体性质。如图7-6所示
（2）多晶硅的结构
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石 晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
多晶硅具有灰色金属光泽，熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。
（3）非晶硅的结构
非晶硅又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体，不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。
非晶硅的用途很多，可以制成非晶硅场效应晶体管；用于液晶显示器件、集成式a—Si倒相器、集成式图象传感器、以及双稳态多谐振荡器等器件中作为非线性器件；利用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器；利用非晶硅膜制做静电复印感光膜，不仅复印速率会大大提高，而且图象清晰，使用寿命长；等等。目前非晶硅的应用正在日新月异地发展着，可以相信，在不久的将来，还会有更多的新器件产生。
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