SLC，MLC和TLC三者的区别_百度知道
SLC，MLC和TLC三者的区别
SLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷
一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势：签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。　
采纳率：79%
来自团队：
　　SLC/MLC/TLC的区别：就是一份晶体管资源，存放单份数据、双份数据、还是三分数据的区别。　　三者成本：4：2：1。　　三者寿命：100：10：1。　　三者写入速度：4：2：1。　　三者写入延迟：1：2：4。　　除了价格外，都是SLC最好、MLC适中、TLC渣渣。
　　SLC、MLC和TLC　　X3（3-bit-per-cell）架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC（Single-Level Cell），原理是在1个存储器储存单元（cell）中存放1位元（bit）的资料，直到MLC（Multi-Level Cell）技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。　　2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。　　如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝（Toshiba）引发战火，之后三星电子（Samsung Electronics）也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。　　TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
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slc、mlc、tlc、qlc闪存颗粒哪个好?
&& 由于固态硬盘ssd的普及，闪存颗粒也为大家所知，因为不管是U盘还是ssd都会用到这个最关键的元件，那就是闪存颗粒，因为判断一个ssd或者U盘好不好直接可以从闪存颗粒的类型来判断，也就是SLC,MLC,TLC,QLC了，抛开闪存的品牌，闪存类型的好坏直接觉得了一个ssd或者U盘的使用寿命和读写速度，所以我们要对闪存类型了解一下才能购得比较好的产品，下面就给大家讲讲它们的区别。
slc、mlc、tlc、qlc闪存颗粒介绍
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。其在企业级SSD上比较常见，例如经典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盘上也有使用。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电至，因此要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。如今大多数的消费机SSD都是使用的MLC。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，也有Flash厂家叫8LC，最大特点就是速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。
QLC = Quad-Level Cell架构以及出现，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，目前中技术上在研发阶段，但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD应用中目前仍不现实 。
&& 而由于成本的考虑，以前都用的SLC目前已经找不到踪迹了，目前使用最广泛的就属MLC和TLC了，那么这两个比较特性如下图。
MLC和TLC特性比较
下面是各个方面的区别：
【闪存寿命(P/E)】
SLC闪存：5Xnm 10W、3Xnm 10W、2Xnm 无数据
MLC闪存：5Xnm 1W、3Xnm 5k、2Xnm 3k、工业级 3w
TLC闪存：5Xnm 2.5k、3Xnm 1.25k、2Xnm 750
QLC闪存：约50~100。根据cl17726的测试，第133次就挂了(未进行漏电测试)，制程未知
----------------------------------
【储存期限】
SLC闪存：5Xnm 十年、3Xnm 无数据、2Xnm 无数据
MLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 1年、2Xnm 1年、工业级 0.25 (厂商标的，实际远超该值)
TLC闪存：没厂家敢说
----------------------------------
【功耗(mA)】
SLC闪存：1.8V 100mA
MLC闪存：3.3V 200mA
TLC闪存：3.3V 500mA
【读写速度区别】
注：此处为单通道，单CE条件下测试数据
----------------------------------
SLC闪存：5Xnm 写25M/S 读35M/S、3Xnm 无数据、2Xnm 无数据
MLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 写15M/S 读30M/S、2Xnm 写8M/S 读15M/S、工业级 无数据
TLC闪存：5Xnm 无数据、3Xnm 写4M/S 读12M/S、2Xnm 写1.5M/S 读10M/S
QLC闪存：无数据
从上面可以得出结论哪个好：SLC & MLC & TLC&QLC
&& 1、U盘目前大多数都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短，而QLC更便宜，寿命更短，但由于价格的原因以后估计会替代TLC，特别是U盘会最先使用。
&& 2、SSD固态硬盘中，目前MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TCL芯片颗粒，大家在购买固态硬盘的时候，可以在产品参数中去了解，如下图所示。
SLC颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚至更贵。
&&& 3、手机方面，目前多数智能手机存储也是采用TCL芯片存储，而苹果iPhone6部分产品采用的TCL芯片，另外还有部分采用的是MCL芯片颗粒，总的来说，MCL闪存芯片颗粒是时下主流，产品在速度、寿命以及价格上适中，比较适合推荐。
&& 总结：由于SLC的价格高昂，TLC的质量低下，如果你买的是ssd一定要早些挑选MLC闪存颗粒的产品，如果你买U盘，那么应该没有买到MLC的机会，几乎都是纯一色的TLC，另外闪存颗粒除了闪存类型，还有一个黑片和白片，正片的区别，这些就更复杂了，一般来说没必须去了解了，一般正品牌子的U盘都是白的，贪便宜买的扩容U盘肯定是黑片咯，大家相信一分钱一分货就对了。
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匿名？ 不会下载请看！
声明：U盘量产网为非赢利类网站 蜀ICP备号 川公网安备 94号正在初始化报价器mlc闪存寿命一般有多久？大傻孩子d0VQ您好：
闪存卡寿命很长，10年以上，理论上来说, 只要磁头和盘片不坏, 擦写次数是无限的 任何在硬盘上读取写入文件的操作都算 你下载一首歌 也许是一次, 也许是几十次, 这个是不固定的 因为磁盘碎片的可能性, 所以这个写入过程不是连续的, 所以次数不固定.
希望对您有所帮助！
查看更多更多回答xdyt201098U盘的可擦写次数是U盘的正常寿命，一般采用MLC颗粒的U盘可擦写1万次以上，而采用SLC颗粒的U盘使用寿命更是长达10万次。跟U盘的大小没关系。所以使用时间还是比较长的。
soufun-s4108943SLC理论擦写次数是10W次，MLC是1W次，现在很难看到SLC了吧，买到了算你运气好，10W次是说每个地方能用10W次，你的文件1G的话，只是存储这1G的地方用了1次，其他15G还是没用过的。
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MLC/TLC分不清？教你如何分辨iPhone 6闪存类型
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摘要: 苹果每一代iPhone注定在任何时候都能成为热门话题，发布的时候是这样，上市疯抢是这样，而到了现在供货慢慢变得稳定之后，它还能冲上头条。不过这次苹果遇到的可是个不小的麻烦：iPhone 6和iPhone 6 Plus同时使用MLC和TLC两种闪存芯片，引起了不少用户的恐慌。目前在售的苹果iPhon ...
苹果每一代iPhone注定在任何时候都能成为热门话题，发布的时候是这样，上市疯抢是这样，而到了现在供货慢慢变得稳定之后，它还能冲上头条。不过这次苹果遇到的可是个不小的麻烦：iPhone 6和iPhone 6 Plus同时使用MLC和TLC两种闪存芯片，引起了不少用户的恐慌。目前在售的苹果iPhone 6、iPhone 6 Plus有使用MLC和TLC闪存芯片的两种版本，自从这个事被曝光之后，关于TLC版的话题一下子就再次炸开锅了：用户不一定知道MLC和TLC的区别，但看到一些媒体和身边的数码达人把TLC批得那么惨，自然也会慌了，网上现在更是出现了如何退换手机的话题。MLC是目前主流SSD常用的闪存，而TLC此前多是用在U盘、存储卡上，由于在单位存储容量和价格上有比较大的优势，后来被三星“重新包装”为3bit MLC后就被用在SSD中，近期东芝/闪迪和美光也加入到此行列。不过TLC也有它几个比较突出的缺陷，一个是性能不如MLC，另一个是擦写寿命比MLC短不少。三星是TLC闪存的最大“拥趸”，但近期他们的840 EVO（著名的TLC SSD）就被自家粉丝曝光过掉速问题；香港媒体HKEPC实测发现使用TLC的iPhone 6在随机拷贝测试中的性能会比MLC版低些，再加上近期也有一些iPhone 6用户反映死机的状况，因此消费者对这种闪存抱有戒心也是正常的。那么问题来了，我们该如何分辨出自己的iPhone 6到底采用什么闪存呢？ID为l753X36g_feng的台湾网友基于Mac OSX Pen Sourse的IOKitTools-91修改制作出一个名为TLCCheck的工具，可以读取设备硬件信息，免越狱，运行于沙盒之中，不用担心安全问题，登入http://pgyer.com/tlccheck即可下载安装。我们利用同事和朋友的iPhone 6/6 Plus进行验证，其中1台iPhone 6 128GB、4台iPhone 6 Plus 128GB以及1台iPhone 6 64GB采用SanDisk TLC闪存，只有2台iPhone 6 64GB是MLC闪存，分别是Hynix和Toshiba的。&两台使用MLC闪存的iPhone 6 64GB&这两台是TLC闪存除此之外，我们还在手上的iPad Air 2 64GB上运行了这个工具，结果发现，Air 2同样也是使用SanDisk的64GB TLC闪存。iPad Air 2 64GB也是TLC闪存网上也有总结出这样一个规律：16GB版本都是MLC，128GB版本都是TLC，64GB两种都有，不过由于我们手上没有16GB机型，所以无法证实，如果各位潜在买家担心这个问题的话，可以先暂时搁置购买计划，看看苹果怎么说吧。（实际上苹果可能不会那么快回应，参考iPhone 4信号问题）
刚表态过的朋友 ()
哎，入手了就想想办法二手价卖了吧！想去跟售后理论装多了应用死机的问题也是白扯的！中 ...
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请勿发布违反中华人民共和国法律法规的言论，会员观点不代表远景论坛官方立场。QLC闪存马上就来，准备好抢购MLC与TLC固态硬盘了吗？QLC闪存马上就来，准备好抢购MLC与TLC固态硬盘了吗？会飞的科技百家号TLC大家都已经很熟悉了，QLC在过去一年始终处于传说状态，而就在刚刚结束的FMS2017闪存峰会上，我们终于有机会一睹东芝QLC闪存真容：它的单Die容量达到768Gb，比当前2D TLC容量大6倍，堪称飞跃式发展。这次曝光的QLC闪存是东芝分发给合作伙伴做初期研发的工程样品，8个内存条一样的插卡上搭载了东芝研发的BiCS 3闪存，使用64层堆叠技术，QLC类型——每单元可存储4个比特数据。还处于研发阶段的开发板显得很原始，而现场的功能演示也仅仅是提供了数据写入和读取的功能，距离一块真正的固态硬盘还有相当长的路要走。QLC之所以受人瞩目除了容量更大之外，更多是因为大众对于其耐久度的担心。SLC闪存只有0和1两种状态，类似于只有黑白两色需要分辨；MLC闪存使用4种电位状态存储2个比特，相当于需要识别黑、深灰、浅灰、白四种颜色；TLC闪存使用8种电位状态存储3个比特，相当于黑白之间有6种灰度；QLC闪存使用16种电位状态存储4个比特，相当于黑白之间有多达14种灰度需要识别。简而言之，QLC对于主控识读与纠错有极高的要求，就像下图这张灰度渐变图片，如果你的显示器不够好，真的难以分辨出全部颜色。东芝已经确定将未来3D QLC的耐久度目标设定在1000次擦写循环，不管你期待还是惧怕QLC，它终将会到来，进入固态硬盘的时间大约是2年后。目前TLC闪存技术已经非常成熟，在LDPC纠错技术的帮助下，东芝原厂TLC闪存在测试中能够达到3000次擦写后依然正常工作，并且盘上数据能在断电后保持数月而不出错。不满TLC所能提供的性能？幸好我们还有MLC闪存固态硬盘可以选择。当前MLC固态硬盘主要集中在少数几款NVMe产品当中，对于预算不多却希望拥有更强性能、更长寿命固态硬盘的玩家来说，东芝Q200EX 240G是个绝佳的选择。东芝Q200的历史可谓悠久，它最早是由东芝OEM固态硬盘HG系列改进而来，面向消费级零售市场，最早为Q系列。后来Q300问世以后Q系列分化成Q200EX与Q300Pro，二者在保修年限、二级OP容量上有所区分，但均使用东芝原厂MLC闪存。Q200EX在Q300Pro基础上还增加了外置DRAM缓存，不过性能表现基本相同。以更低价格和几乎与旗舰级Q300Pro相同的性能，Q200自问世以来就一直是款高性价比型号。东芝Q200EX现在仅比同容量TLC SATA固态硬盘贵10%，但性能却已经达到TLC NVMe固态硬盘的水平，现在也只有作为闪存原厂的东芝才能如此任性地定价了……本文由百家号作者上传并发布，百家号仅提供信息发布平台。文章仅代表作者个人观点，不代表百度立场。未经作者许可，不得转载。会飞的科技百家号最近更新：简介:专注于互联网动态及互联网产品介绍分析作者最新文章相关文章