寄存器具体是个什么？他的物理地址怎么看_百度知道
寄存器具体是个什么？他的物理地址怎么看
每个芯片都有寄存器啊用之前都要先配置寄存器？CPU的寄存器是怎么找到的有地址吗？还是只用名字就能寻到？就是寄存器的问题请从宏观角度讲解一下谢谢还是说是用之前先通过编程给各芯片...
每个芯片都有寄存器啊 用之前都要先配置寄存器？CPU的寄存器是怎么找到的 有地址吗 ？还是只用名字就能寻到？就是寄存器的问题请从宏观角度讲解一下 谢谢还是说是用之前先通过编程给各芯片寄存器分配地址？
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tslimaoqing
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解答：寄存器是集成电路中非常重要的一种存储单元，通常由D触发器组成，由不同数量的 D触发器组成不同位数的寄存器，如8位寄存器、16位寄存器、32 位元寄存器等等，包括通用寄存器、专用寄存器、控制寄存器。每一个寄存器都对应一个真实的物理空间，可以通过地址寄存器以直接或间接寻址的方式访问寄存器。
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寄存器是CPU内部的存储器，不多，只是为了减少数据与内存的交换次数而设置，每个寄存器都有专用的名称，所以访问寄存器只需要写出寄存器的名称即可。物理地址是存储器的地址，在物理位置上看，寄存器在CPU内部，存储器在CPU外部
你好 其他芯片的寄存器地址怎么寻呢 还是也用名字就行 还是要事先分配地址 还是都有固定的地址 谢谢哇
CPU寄存器的寻址基本上都是用寄存器名的，也有例外，即使是用地址也不是内存的地址，CPU内部会有一套独立的寻找方案
那 像每个芯片都有自己的寄存器，像RTL8019as他的寄存器要怎么配置，地址是固定的还是用之前配置的，还是根本就不用地址直接用名字找到某个寄存器？麻烦了谢谢你
看来你是把CPU和接口芯片搞混了，CPU内部的寄存器是有自己的地址的，一般是通过寄存器名访问，而接口芯片中寄存器的地址是要在接入系统后看地址线的连接情况才能确定它们的地址
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cpu的寄存器有地址的，不同的微处理器的寄存器组的数目可能不一样，地址也可能不一样，一般我们直接用名字就可以找到它，我们初始化后直接用默认的就可以了，如果功能要强大，有各种cpu的工作模式之间的转换，就要配置寄存器了，寄存器是cpu生产厂家设置好的，我们不能修改，它方便数据的存取，
那其他芯片的寄存器是怎么回事呢 要地址吗 谢谢啊 非常感谢
寄存器就是一组存储器，比如可以用cmos管做成，状态导通为1，反之为0。外部芯片的寄存器的地址也是厂家设定好的，比如一个液显模块，它内部有控制寄存器，数据寄存器，在使用他的时候要考虑与cpu的硬件地址线连接方式，
不傻不笨不弱智
不傻不笨不弱智
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你看看 汇编的 书吧..刚开始 就介绍寄存器的...cpu 寄存器不用找..直接用的..什么ax bx 什么的...
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＞＞＞阅读下面的文字，按要求作文。（60分）也许将来有这么一天，我们发..
阅读下面的文字，按要求作文。（60分）也许将来有这么一天，我们发明了一种智慧芯片，有了它，任何人都能古今中外无一不知，天文地理无所不晓。比如说，你在心里默念一声“物理”，人类有史以来有关物理的一切公式、定律便纷纷浮现出来，比老师讲的还多，比书本印的还全，你逛秦淮河时，脱口一句“旧时王谢堂前燕”，旁边卖雪糕的老大娘就接茬说“飞入寻常百姓家”还慈祥地告诉你，这首诗的作者是刘禹锡，这时一个金发碧眼的外国小女孩抢着说，诗名《乌衣巷》，出自《全唐诗》365卷4117页……这将是怎样的情形啊！读了上面的材料，你有怎样的联想或思考？请就此写篇文章^要求：①自选角度，自拟标题;②文体不限（诗歌除外）,文体特征鲜明：③不少于800字；④不得抄袭，不得套作。作文评分表等级类别一等（20~17 分）二等 （16?12分）三等 （11~7分）四等 （6?0分）内容（20分）&&&&表达（20分）&&&&特征（20分）&&&&无标题、错别字、字数不足、标点错误 &&&减分&
题型：写作题难度：中档来源：不详
略试题分析：今年的作文题目，类似于1999年高考题“假如记忆可以移植”。用“智慧芯片”概念替换了“记忆移植”，体现时代特色，是“新瓶旧酒”；不采用99年的命题作文，采用材料形式，增加限制，内涵更多，是“旧瓶新酒”。想到99年的作文引起一股科幻热，让《科幻世界》洛阳纸贵，不知这次能否再有此轰动效应。本次作文在审题上，要注意：（1）智慧芯片是知识，能帮助记忆，但不能帮助理解，并在此基础上创造，（2）材料中举了两种情形，一种是科学，一种是文学，这种情形，是普及，还是贬值？需要思考。在立意上可以谈拥有智慧芯片的好处，也可以谈拥有智慧芯片的坏处——单纯记忆，难于创造；失去个人个性；知识的贬值……在文体选择上，记叙文比较好操作，写科幻文注意一定要立足现实，适当想象，不能凭空乱想。但也可以写议论文，谈自己不愿拥有智慧芯片的理由。也可以写书信、病情诊断书、调研论文等新文体。在选材上要化大为小，写智慧芯片在身边的作用，有助于增强文章的真实性，尽量不要选择大而空的科学家等自己不熟悉的场景。该题留给考生的写作空间较大，但考生要防止受99高考优秀作文的影响，尽量跳出科幻泥潭，理性思考，方成雄文。如何界定与以前的优秀作文的边界，可能也是阅卷者需要厘清的问题。该题在旧题上形式上有创新，既保留了旧题发挥学生想象力的优点，又呈现出适度的思辨性与开放性，是一道大胆突破、颇具亮点的高考作文题。本题大胆不避重题，阅卷后仔细分析本题的得失，对作文教学、二次写作必有裨益。
马上分享给同学
据魔方格专家权威分析，试题“阅读下面的文字，按要求作文。（60分）也许将来有这么一天，我们发..”主要考查你对&&材料作文&&等考点的理解。关于这些考点的“档案”如下：
现在没空？点击收藏，以后再看。
因为篇幅有限，只列出部分考点，详细请访问。
材料作文：是根据所给材料和要求来写文章的一种作文形式。材料作文的特点是要求考生依据材料来立意、构思，材料所反映的中心就是文章中心的来源，不能脱离材料所揭示的中心来写作，故材料作文又叫“命意作文”，属于自命题。命题作文与材料作文：材料作文，一般是指出题者只给出一些文字或图画材料，要求应试者根据所给文字或图画的内容自己命题进行写作。材料作文是只给材料不给题目，题目的确定，完全是靠应试者自己对所给材料的理解与把握而定。从命题的角度看，命题作文实际上是他命题，而材料作文则是自命题，这就是二者的主要区别。写作策略：
①引：恰当地引用材料，开头既要引述材料，在论证时还要回扣材料(不能全部照抄)，对材料进行分析后，或摘要或概述，三言五语即可。
②议：是对材料中提供的信息进行分析议论，对人物关系的分析，对结果的预测，对原因的追问等，目的是为了提出观点做铺垫，这部分不能太长，百字左右即可。
③提：提出论点（或观点），文字简炼，一两句话就可以，观点明确。
④联：这是文章的关键，可由材料推开去，可联系历史人物、历史故事，可联系现实生活，今人今事；可以正面举例也可以反面证明；可以摆事实，也可以讲道理。最少要举两个例子，一古一今或一正一反，多角度多侧面得把中心论点阐述得深刻有力，三四百字即可。
⑤深：深入分析。怎样深入分析？？分析原因，说明好处（或危害），找出症结。
⑥结：收敛全篇，总结全文，宜对论述的问题有所深化，不要故作惊人之语，强调精炼有力，不要画蛇添足。&&&
在话题作文出现之前，材料作文是中考试卷中经常出现的一种作文考查形式，在话题作文中，材料只是提出话题的背景，材料与文章是一种疏远的关系；而材料作文中的材料则是作文观点的重要载体，是写作内容选择和立意的依据，考生必须从材料中提炼出一个观点进行写作，离开了材料就是离题，文章与材料是一种很亲密的关系。由此可见，写作材料作文，必须针对其“材料重要性”特点，采取有效的写作的策略，才能更好地写出高质量的考场作文，具体来说要特别注意以下三个方面：
一、读懂材料，全面把握读懂材料是材料作文写作的重要前提，没有读懂材料必然会模糊作文，以致出现偏题或者离题的现象，读懂材料必须全面把握，切不可断章取义，执其一端，而要抓住重点，明白内容，理清关系，理解中心，为立意奠定一个较好的审题基础。全面把握材料和理解材料，不可从某一局部入手，只抓住片言只语不放，否则容易跑题。但是要抓住材料中的关键词语或语句，深刻理解其本质意义，这对于把握材料的中心很有帮助。
二、立意求准，力求新颖材料作文也是“命意作文”，立意好坏直接影响到作文的深刻与否和创新程度，因此，写材料作文，在读懂材料的基础上，要尽量在立意上求准求新。所谓求准，就是要把握住材料的内容，牢记主题必须从材料中得来，切不可脱离材料，否则就容易写出失败之作。所谓求新，就是要努力突破思维定势，超越一般人的惯常思路，应该发人之所未发，言人之所不能言，力争做到“人无我有，人有我优”，在“新”字上下功夫，这样写成的文章才有希望焕发出创造的光彩。
三、使用材料，恰当巧妙在材料作文中，材料在文章中的使用，也是一个不可忽视的问题。一般来说，引用材料有两种形式，即直接引用和间接引用（化用）。根据文体的不同，使用材料也有不同，一般而言，写成议论文，开头最好引述材料，以便更好地提出自己的观点；其他文体也不能完全脱开材料，要在恰当的地方直接和间接引用一下材料，否则容易造成于材料疏远的感觉。材料的类型：
故事型梗概、片断、寓言……
论说型名言警句、哲理、议论文段……
事例型名人事例、凡人小事……
情景型生活场景、特别的细节……
图表型一幅漫画或一个图表……
审题就是领悟题旨，是一种思维取向过程，也是写好作文的第一步。如果是写提供文字材料的作文，那么必须要正确全面地把握文字材料的意思。
方法：首先要透视文题的字面意义，即显性要求；然后再深入把握其内在的关系，即隐性要求。对显性要求要全面、完整地理解文字材料的内容；对隐性要求要明了文字材料的情感意向，即材料所指的人或事、现象或问题所表现出来的肯定或否定的态度。
误区：1．误把材料作文的材料，当作话题作文的材料。2．误把材料作文的材料，看作命题作文的提示。材料作文的材料是命题的有机组成部分，往往很具体，有完整意思，命题从材料中来，作文内容又离不开材料。而命题作文有时附有的提示，一般来说，或说明或阐述，并不含有具体内容。有时附了二或三则材料，必须抓准材料之间的联系点或对比点，不能只看一则材料而不及其余。有时材料蕴含了比喻义，要求类比阐述，如“‘回声’的启示”所附的小孩和小山的对话，如果就事论事地谈文明礼貌而不去阐述人与自然或人与他人的关系，就在理解上发生了偏差。
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通信集成电路芯片物理设计难点及解决方案
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　　随着半导体工艺的不断发展和通信技术的不断提高，以超大规模、高集成度和复杂性为特征的通信集成电路芯片物理设计，相比于普通的消费类产品芯片，在超深亚微米工艺下面临着更为严峻的挑战：一、工艺特征尺寸的不断缩小、电源电压的不断降低、电源噪声对芯片性能的影响日益凸显，已成为超大规模通信集成电路物理设计中一个不可忽视的问题；二、随着工艺技术的进步，高速通信集成电路芯片的时序对于芯片制造过程中产
　　随着半导体工艺的不断发展和通信技术的不断提高，以超大规模、高集成度和复杂性为特征的通信集成电路芯片物理设计，相比于普通的消费类产品芯片，在超深亚微米工艺下面临着更为严峻的挑战：一、工艺特征尺寸的不断缩小、电源电压的不断降低、电源噪声对芯片性能的影响日益凸显，已成为超大规模通信集成电路物理设计中一个不可忽视的问题；二、随着工艺技术的进步，高速通信集成电路芯片的时序对于芯片制造过程中产生的偏差越来越敏感，精确的电路模型及准确的时序分析方法成为制约通信集成电路芯片能否实现快速时序收敛的关键；三、通信集成电路芯片通常需要支持各种高速接口电路的应用，从而造就了独特的时钟树拓扑结构&&网状时钟树，而通信芯片固有的超大规模的特性更加重了这种复杂高速时钟树优化的难度；四、随着通信技术的飞速发展、数据传输速度和容量的不断提高、信道噪声对信号质量的影响越来越大，高速串并/并串转换器（HighSpeedSerdes，HSS）的抗噪性、传输信道数量及其建模仿真的精确度成为影响通信系统设计的重要因素。本文针对这些通信芯片的物理设计难点，较为详细地介绍了IBM相应的解决方案。
　　2物理设计难点分析及解决方案
　　针对超深亚微米工艺下超大规模通信集成电路所面临的物理设计难点，IBM提出了相应的解决方案，具体介绍如下。
　　2.1电源噪声分析
　　目前通信集成电路的规模不断增大、工艺特征尺寸不断减小，芯片的功耗不断增加而电源电压则不断降低，电源噪声已成为超大规模集成电路设计中一个不可忽视的问题。由于大规模通信集成电路芯片通常带有各种复杂的高速接口，并在整个产品的工作过程中要求有很高的可靠性，因此芯片的电源设计起着至关重要的作用。为了保证芯片的电源完整性，在芯片的设计流程中必须对IO的同步开关噪声SSN（SimultaneousSwitchNoise）、芯片上的动态电源噪声、静态压降、ESD（Electro-StaticDischarge）静电保护以及电迁移EM（ElectroMigration）进行有效的检查和签收。
　　IBM在进行超大规模集成电路的设计过程中，有一套完整的流程对电源噪声进行分析（图1），能够在芯片的布局阶段尽早发现和解决芯片布局与电源设计上存在的问题，从而减少了设计反复的时间。电源噪声检查在芯片设计过程中是一个重要的签收环节，完整的设计和分析流程保证了IBM能够提供高质量的专用集成电路芯片。
图1电源噪声分析流程
　　IBM的电源噪声分析流程贯穿了整个芯片设计过程，其中包含了两个噪声评审会议和一系列分析工具。在每个项目开始布局之前，噪声分析小组会和项目的物理设计工程师一起召开PINT(Post-IDRNoiseTeamReview)会议，对芯片的设计规格进行审查，找出设计中可能存在的风险，提出在芯片布局时需要注意的事项，让物理设计工程师在布局前对整个芯片的电源噪声情况有所了解，尽量避免由于电源噪声无法满足而反复修改布局。在芯片布局阶段，负责电源噪声分析的工程师会紧跟布局的变化，利用IBM的GPM（GenericPackageModel）和ALSIM（AustinLinearSimulator）系列工具及时评估芯片的电源噪声。
　　GPM是一个可以快速分析IO同步开关噪声的建模和分析工具。GPM针对芯片中包含IO的局部区域建立HSPICE模型，其中包含通用的封装RLC模型，芯片上的电源分配网络，IO驱动器模型和模拟一般逻辑电路翻转的等效模型。由于GPM分析不需要成熟的芯片布局，建模和仿真速度快，因此可以尽早分析IO对电源噪声的影响，为芯片的IO布局提供快速的参考，评估IO所需的电源滤波方案，避免在设计中形成电源噪声的热点。一旦芯片布局确定，GPM模型可以代表实际芯片的IO翻转情况，该模型可以交付客户，让客户联合系统的板级模型进行芯片、封装和PCB的信号完整性分析和时序分析。分析的结果可以帮助客户在芯片设计早期评估系统的性能，同步地进行PCB的设计，确定更加合理的芯片时序约束。
　　ALSIM_TA（TransientAnalysis）是一个高效的全芯片动态电源噪声仿真分析工具。仿真过程中使用了芯片的封装模型，片上电源网络模型和代表各种逻辑电路翻转的电流波形。通过ALSIM_TA仿真可以得到整个芯片电源噪声峰峰值，动态压降等信息在芯片上的分布情况，并以二维图形直观地显示，如图2所示。ALSIM_TA的结果可以直观地评估芯片的布局和电源滤波方案对电源噪声的影响。
图2ALSIM_TA仿真结果
　　根据早期的ALSIM_TA和GPM分析结果，物理设计工程师可以尽早优化芯片布局，通过增加噪声源和噪声敏感的器件之间的距离，增加片上去耦电容等方式获得较好的噪声性能。
&　　在芯片布局最终确定之前，噪声分析小组会和物理设计工程师召开NTFR（NoiseTeamFloorplanReview）会议，再次对芯片的布局和电源滤波方案进行评审，对高速接口的相关问题进行讨论，检查芯片是否可以满足电源噪声签收的标准并提出建议和进一步的分析、优化方案。
　　除了利用GPM和ALSIM_TA对电源动态噪声进行分析，IBM还使用ALSIM_ETIR对全芯片的静态电源压降进行分析。在每个设计阶段，ALSIM_ETIR会提取每个电路上的压降并反标到时序分析工具中从而得到更真实的静态时序分析结果。在每个设计的签收阶段，ALSIM_PGA和ALSIM_ESD是对EM和ESD进行检查和签收的工具，而GPM则是动态电源噪声的签收工具。通过在每个设计阶段对芯片的电源噪声进行完备的检查，IBM可以设计出具有高可靠性的大规模通信集成电路芯片，保证一次设计成功率。
　　2.2统计静态时序分析（SSTA）
　　随着工艺技术的进步，芯片制造过程中产生的偏差成为影响芯片性能的重要因素，必须在芯片设计的阶段就考虑这个问题。传统的静态时序分析（StaticTimingAnalysis,STA）方法，建立在以工艺角为基础的器件时序模型上。然而随着工艺技术的进步，反映偏差的参数迅速增加，不仅包括晶片内或晶片间的偏差，还包括各种片上偏差（On-ChipVariation,OCV），例如芯片不同位置上沟道长度、阈值电压、金属层厚度等，这导致工艺角的数目和时序分析的时间呈指数增长。除此之外，STA的另一大缺陷是预测的时序过于悲观，因为器件工作在每个参数的最坏情况下的机率是很低的，这导致设计的时序过于保守，从而增加了设计难度和时间。因此，我们需要建立一个更完备的模型以反映各种工艺偏差对时序的影响，并在有限的时间内，更准确地进行时序分析。
　　IBM很早就开始对统计静态时序分析方法（StatisticalStaticTimingAnalysis,SSTA）进行研究，并已取代STA应用于65nm、45nm工艺中。SSTA是利用统计的方式去描述制造工艺中的偏差，采用的模型描述的是各个偏差的概率分布曲线。
　　下面我们举例说明SSTA与STA的不同。如图3所示，寄存器A和寄存器B的时钟端接在同一个门控时钟源，但分别在M5和M6金属层上布线。传统的STA没有考虑不同金属层之间由于CMP工艺造成的偏差，因此假设两条路径工作在相同的工艺角下，导致实际的时钟偏移（Skew）大于估计的结果，电路可能无法正常工作。图4描述了M5和M6金属层阻抗偏差的分布，实际电路可能工作在整个坐标平面内的任意一个点。PrimeTime中通过引入比例因子（DeratingFactor）[1]来解决类似的工艺偏差，两个参数的偏差遵循线性关系，所覆盖的范围为图4中条状区域，比例因子的值决定了所覆盖区域的大小。SSTA是基于各个偏差的概率分布曲线，得到联合概率分布曲线，采用3&分析方法，覆盖区域所占比例高达98.9%。
图3金属层制造偏差引起的时钟偏移
图4不同时序分析方法对工艺偏差的覆盖率
　　SSTA不以slack作为时序检查的依据，而是预测电路性能对工艺偏差的敏感程度，作为评价设计可靠性的指标。SSTA可以分析出芯片上每个部分能工作在多高的时钟频率下，并为测试方案的设计提供依据。SSTA的基础是建立可靠的模型来反映工艺偏差的概率分布，IBM已经将SSTA应用于自主研发的时序分析工具Einstimer中，并从65nm工艺开始，作为Sign-off的必要条件。同时，IBM还将SSTA的理念应用于布局布线，信号完整性分析等工具中，从统计学的角度对电路进行优化，使设计更符合DFM的要求。
　　2.3时钟树优化
　　通信集成电路通常需要支持各种应用，如HSS、SRAM、DDR、TCAM等；而这些接口电路一般都工作在不同的时钟域下。为了实现各接口电路之间高速的数据传输，往往需要一些计算/控制逻辑电路能够可配置地工作在不同的时钟域。这样就形成了通信领域集成电路芯片独特的时钟树拓扑结构&&网状时钟树。如图5所示，多个异步时钟源从PLL、HSS或者IO引入芯片内部，经过几级选通器或分频器，最终到达每个时序器件的时钟端。时钟结构相同的一组逻辑电路，可以在不同的时段采用不同的时钟频率；而时钟结构不同的逻辑电路，经过配置，可以工作在同一时钟域下，进行同步信号传输，满足特殊的通信需求。因此，在建立和优化时钟树时，需要对芯片上各个时钟的到达时间进行一个整体的约束，使可能工作在同一时钟域下的逻辑电路的时钟信号到达时间尽量保持一致，从而保证时序电路正常工作。
图5网状时钟树结构
&　　IBM常用的时钟树优化机制主要由描述时钟树结构的CDOC（ClockDesignerOptimizationControlFile）文件和时钟树优化工具BCO两部分组成。基本工作原理为：首先通过CDOC文件确定需要优化的时钟树&&CDOC文件描述了各条时钟树的起始点和一个停止点，从起始点开始向后追溯，直到所有分支都遇到停止点为止；其间穿过的结构，就是需要优化的时钟树；然后BCO根据CDOC文件所描述的时钟树结构，按前后顺序依次优化&&在优化每一条时钟树段落时，BCO会按照由叶至根的顺序，插入一系列缓冲器或者反向器，使得各个叶节点的时钟到达时间偏差和整个时钟树延迟都尽量小，BCO还会对时钟树穿过的组合逻辑结构进行复制，放在各个叶节点附近，从而满足优化前后逻辑功能的一致性。
　　针对通信芯片相对复杂的时钟树结构，BCO在原有机制的基础上提供了一种逐级优化时钟树的方法：如图6所示，首先将整个时钟网络以选通器或分频器为节点分段，按照时钟信号的流向，靠近时钟源的为父时钟树，反之为子时钟树。然后从最末端的子时钟树开始进行优化，并将优化后的延时信息标记在子时钟树的根节点上；优化父时钟树时，根据其所有子时钟树的延迟信息，采用时钟偏差技术（PlannedSkewScheduling），使得其下所有时序器件（包括它的子时钟树）的时钟信号到达时间相同；以此向前递归，直到时钟源；从而实现了整个时钟网络优化。
图6网状时钟树优化方法
　　2.4HSS
　　随着信息技术的飞速发展，特别是通信要求的飞速提高，大容量、高速度的业务需求成为了通信系统设计的关键考虑因素。在这种背景下，Serdes（串并/并串转换器）应运而生，并凭借其抗噪性强、传输信道数量少等优点，越来越显示出替代高速并行接口电路的趋势。然而随着数据传输速度和容量的不断提高，信道噪声对信号质量的影响也越来越大，而且不同的业务需求也需要有多种的Serdes进行支持。如何选择一款能够充分满足业务要求的Serdes是大容量通信系统设计中的难点。
　　针对这种需求，IBM提供了多种型号的HSS（HighSpeedSerdes），能够充分满足客户需求。HSS提供了一种可以在多种条件下运行的高速串并转换接口，它保证了发送端数据的低噪声并且能够根据接收数据提取时钟。HSS支持包括从130nm到45nm的半导体工艺，可以达到最高14Gb的数据吞吐率。HSS由接收数据、发送数据和内建PLL三大部分组成，支持双工和单工等多种工作模式。HSS支持多种应用环境，包括电缆连接、扩展连接单元接口（XAUI）、InfiniBand协议、串行ATA接口、串行连接SCSI接口、光纤互联、SONET以及背板（backplane）应用等。
　　出于减少功耗的考虑，HSS支持多种低功耗模式，所有的数据通道可以被关闭，内建PLL也可以被关闭。通过关闭不需要的通道和PLL，可以节省大部分的动态功耗。另外支持输出端信号强度调节等多种低功耗选择。
　　针对越来越复杂的信道环境，为了满足高速大容量业务的需要，IBM为HSS提供了完备而精确的仿真和模拟环境，能够得到精确的HSS配置结果从而得到最佳的信号质量。客户通过提取S-parameter，采用IBM提供的HSSCDR工具或者采用业界通用的AMI模型，以比Hspice高数十倍的仿真速度，得到最佳的HSS配置，调节发送和接受端的内建有限冲激响应滤波器（FIR），配合眼图（Eye-diagram）进行信号质量检测，得到包括频谱分析在内的多种图表，从而有效地辅助客户设计，如下图所示。
图7HSSCDR眼图分析示意图
　　本文针对超深亚微米工艺下通信集成电路芯片物理设计的各个难点，提出了相应的解决方案。本文首先分析了由通信集成电路固有特性所决定的，超深亚微米通信芯片物理设计所面临的挑战，如电源网络的稳定、时序的收敛问题、复杂时钟树的优化、高速串并/并串转换器应用等；接着较为详细地介绍了IBM解决方案，如基于ALSIM系列工具的电源网络的分析设计流程、统计静态时序分析方法（SSTA）、时钟树优化工具BCO，多种高性能的高速串并转换器及其完备而精确的仿真和建模环境等。因此，IBM所提出的芯片物理设计方法能有效地解决通信集成电路芯片在超深亚微米工艺下的物理实现难点，从而极大地促进通信芯片的开发与应用。
　　在结束之际，由衷感谢IBM电源噪声组EdwardP.Sayre博士的在本文写作过程中的悉心指导，感谢IBMHSS专家DanielW.Storaska在HSSCDR方面的大力支持，感谢IBM时序分析专家UweFassnacht在SSTA方面提供的详细资料。
　　参考文献
　　[1]ChanduVisweswariah:Within-DieVariationsinTiming:FromDeratingtoCPPRtoStatisticalMethods,Full-daytutorial,InternationalConferenceonComputer-AidedDesign(ICCAD),SanJose,CA,Nov.2007
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