通过特定的方式可获得外延氧化物，从而摆脱了对单晶衬底的依赖。
现代薄膜制备技术已经可以实现原子精度的膜厚控制，但在氧化物薄膜制备中仍难以可靠地控制薄膜的截止面，限制了对氧化物薄膜表面与界面中本征量子现象的探索。近日，南京大学现代工程与应用科学学院、量子材料微结构研究中心潘晓晴教授团队的聂越峰教授课题组发现一个在单原子层精度原位控制化学成分变化的新方法，并利用此方法可靠地制备出理想单一的氧化物外延薄膜截止面与明锐的氧化物界面。该成果以《Chemically specific termination control of oxide interfaces vialayer-by-layer mean inner potential engineering》为题发表在Nature Communications上（DOI:10.-018-04903-4），这一工作将有望推动氧化物表面与界面新颖量子现象研究的新发展。界面是现代电子器件的核心，比如半导体场效应器件就是通过调控界面二维电子气的开关状态来实现“0”和“1”的逻辑计算。过渡金属氧化物中存在包括高温超导在内的极为丰富的物理现象，研究氧化物界面的新颖量子现象及其在新一代多功能电子器件中的应用具有重要的意义，也是近年来的一个研究热点。然而，氧化物界面量子现象对界面的精确构型有极高的要求，例如近年来H. Hwang等人在两个绝缘体钙钛矿氧化物铝酸镧（LaAlO3)和钛酸锶（SrTi O3)的界面中发现的二维电子气与界面超导就只存在于 n型（LaO/TiO2）界面中，而其p型（AlO2/SrO）界面则处于绝缘态。（注：Eom课题组近期报道了通过特殊方法也在p型界面得到空穴载流子）尽管现代外延薄膜生长技术的发展已经可以实现单原子层精度的薄膜厚度的控制，但仍难以可靠地获得具有完整单一截止面的理想氧化物外延薄膜。其主要原因在于薄膜生长精确控制所依赖的反射式高能电子衍射（RHEED）的强度振荡在复杂氧化物薄膜生长中展现出更复杂的形态，其内在机理仍不清楚。如图1a所示，RHEED的原理在于利用电子的波动性在小角度入射到薄膜表面后出射电子在屏幕上会形成衍射图样。掠入射的电子衍射对薄膜表面晶体结构极其敏感，单晶态的平整表面可以获得清晰的对应于二维表面的（H，K）衍射斑点、多晶的表面可获得衍射环、非晶的表面则观测不到清晰衍射图样、而岛状生长的晶体可出现电子透射而形成的成套的反映三维结构的（H，K，L）衍射斑点。通常，二维逐层外延生长中（H，K）衍射斑点强度随薄膜生长过程而出现周期性的振荡，其周期对应于单层薄膜厚度的变化。如图1b所示，一个最基本的模型解释是“台阶密度模型”（step-edge density model），粗糙薄膜表面形成的漫反射降低衍射强度，强-弱-强的RHEED衍射强度振荡对应于从平整-粗糙-平整的单原子层薄膜生长过程。因此，通过简单统计振荡周期的数目就可以精确实现单原子层精度的膜厚控制。然而在氧化物薄膜生长中RHEED强度振荡模式更为复杂，难以通过该简单模型加以解释。如图1d所示，一个SrTiO3单胞包括两个原子层（SrO及TiO2），RHEED强度振荡通常对应于两个单原子层的生长。最常见的规律是衍射强度上升对应SrO 层的生长，下降则对应TiO2层的生长，并不明显展现出对单个原子层粗糙度起伏的依赖性。更进一步，如图1e所示，我们还观测到峰和谷与截止面的对应关系也随电子入射角度的改变出现截然不同的变化，衍射峰和谷与截止面并不存在一一对应的关系。在特定入射角度，振荡的频率还出现倍频现象。因此，难以简单地通过在RHEED强度振荡的峰和谷的时间点停止薄膜生长来获得完整单一的氧化物薄膜截止面。正因为氧化物薄膜生长中RHEED衍射的复杂性，尽管通过简单计算RHEED强度振荡的周期数可以实现对膜厚原子精度的控制，但到目前为止还难以在外延薄膜生长过程中可靠精确地控制得到单一截止面。高质量的氧化物界面主要通过在具有理想截止面的单晶衬底的基础上进一步沉积另一个氧化物薄膜来获得。这种对单晶衬底的严重依赖对研究新奇氧化物界面的本征量子相的探索造成了极大的阻碍。
图1：氧化物外延薄膜制备中复杂的反射式高能电子衍射（RHEED）强度振荡现象。a) RHEED衍射原理示意图；b) 简单薄膜材料生长中的“台阶密度模型”示意图；c) 外延SrTiO3生长中SrO-及TiO2-截止面都可以通过调节衍射角度对应于衍射最强或最弱；d) 氧化物外延薄膜制备中RHEED振荡周期通常对应于两个原子层而不是“台阶密度模型”认为的单个原子层；e）RHEED强度振荡相位及频率对电子入射角度的依赖。利用氧化物分子束外延薄膜生长系统，聂越峰教授课题组通过对反射式高能电子衍射（RHEED）谱图中的菊池线（Kikuchi）进行了精细分析，首次观测到逐层生长SrTiO3外延薄膜过程中菊池线位置出现周期性变化。通过菊池线的拟合可以得到和薄膜表面成分相关的平均内势能，该平均内势能的周期性变化提供了薄膜表面的化学成分的相关信息（如图2）。
图2：氧化物薄膜逐层生长过程中反射式高能电子衍射（RHEED）谱图中的菊池线（Kikuchi）出现周期性变化。通过对菊池线位置的拟合可以得出平均内势能的信息，从而反映出薄膜表面化学成分的变化。考虑平均内势能及粗糙度的共同作用，文章还对氧化物外延薄膜生长中的复杂RHEED强度振荡现象的内在机理提出了进一步的模型解释。基于该模型，文章总结出控制氧化物薄膜表面的几个规则。其中，最重要的是通过依次逐层沉积各个原子层比共沉积的生长方式更容易获得单一完整的外延薄膜截止面。另外，在特定电子入射角度下，可以将衍射最强或最弱对应于特定的单一截止面，从而根据RHEED衍射最强或最弱的位置来获得特定的外延薄膜截止面。通过这些方法，文章成功制备出具备完整单一TiO2-截止面的任意厚度的SrTiO3外延薄膜，并在此基础上得到了高质量的LAO /STO n型界面以及高迁移率的二维电子气。本工作展示了在特定入射角度观测RHEED强度振荡下通过依次逐层生长的外延方式可获得具有完整单一截止面的高质量外延氧化物，从而摆脱了制备氧化物界面时对特定单晶衬底的依赖，为探索氧化物界面的新奇量子现象开辟了广阔的新天地。该成果以《Chemically specific termination control of oxide interfaces vialayer-by-layer mean inner potential engineering》为题发表在Nature Communications上（DOI:10.-018-04903-4）南京大学现代工程与应用科学学院硕士研究生孙浩滢与毛张文是论文的共同第一作者，聂越峰教授为论文通讯作者，潘晓晴教授对本工作给予了精心指导。本工作还得到团队顾正彬副教授、合作单位康奈尔大学D. G. Schlom教授、香港理工大学Y. Zhu教授以及香港科技大学N. Wang教授等支持。本项研究得到国家重点基础研究发展计划（973计划：）、国家自然科学基金、中组部“青年千人”及江苏省“双创人才”等项目的资助。感谢南京大学现代工程与应用科学学院、固体微结构物理国家重点实验室、人工微结构科学与技术协同创新中心、江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室的大力支持。https://www.nature.com/articles/s903-4看论文===================================================本文系网易新闻·网易号“各有态度”特色内容特别声明：本文为网易自媒体平台“网易号”作者上传并发布，仅代表该作者观点。网易仅提供信息发布平台。
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问题描述：
+3价磷元素的氧化物是什么
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3个铜原子：3Cu3个水分子：3H2O4个硫酸根离子：4SO4ˉ+5 +5价磷元素：P（在P的正上方写+5）2个铁离子：2Fe3+（右上角化合价3+）空气中含量最多的气体N2
5 N型半导体
OmH2H2OP(+5),+5在P的上方Fe3O42O2
Cl2O5五氧化二氯五氧化二氯　　中文名称：五氧化二氯 英文名称：dichlorine pentoxide　 化学式：Cl2O5 水化物为氯酸：HClO3 理论上是氯酸的酸酐,实际上并不存在这种物质
CL2O是正一价氯的氧化物一氧化二氯
Mn2o7 七氧化二锰~(下面是参考~)
五氧化二氮满意请采纳
三磷酸腺苷ATP,
1、n个碳酸根；2、 +5 P2O5；3、H2O.
Na3PO4中磷元素的化合价为+5价 ,其氧化物的化学式为：P2O5
由于R+6价,所以推测化学式为RO3,又R的质量分数为40%,所以氧含60%,RO3式量为16*3/60%=80,所以R的相对原子质量为32,又因为相对原子质量约等于质子数加中子数,R质子数等于中子数,所以R质子数为16,R为硫元素,所以化学式为SO3
在非金属氧化物中非金属呈 正价氧元素呈 负价 例如：SO2
磷的化合价最高是正五价羟基、磷酸钙是正盐所以显正五价
本题意在考学生的非金属元素在其最高价氧化物的价态判断.非金属元素在其最高价氧化物里的价态一般是其最外层电子数（F等元素例外）S外层有6个电子 所以其最高价态为+6价即有SO3（氧为-2价）
+3价的金属元素的氧化物的分子式为:X2O3.设该金属的原子量为m,则有：（2×m）/（3×16）＝9/8,解得m＝27.所以该金属元素为Al（铝元素）,相对原子量为27.Al2O3中的氧元素质量分数为8/（9+8）＝8/17,Fe3O4中的氧元素质量分数为（4×16）/（4×16+3×56）＝64/232设x克四氧化
kclfe（cl）2al（cl）3
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ） A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素N：negative（负）的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于（ A ）A 发射结正偏、集电结反偏 B
Fe2O3根据化合价代数和为0的规则. 再问： 怎么算的啊 再答： （+3）*2+（-2）*3=0再问： 能说详细点吗 再答： 上面的就是比较详细的过程了。 （+3）*[2]+（-2）*[3]=0 （）里的是化合价，[]里的是系数。
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本论文采用改进的溶胶－凝胶法制备了两个系列光催化负载膜：⑴ 不同基底（钠钙玻璃、石英玻璃、单晶硅、Al2O3、Al）的TiO2、Fe2O3、ZnO负载膜；⑵ 石英玻璃基底sandwich结构异质结型ZnO/TiO2、TiO2/ZnO、Fe2O3/TiO2、TiO2/Fe2O3复合光催化膜。应用X-射线衍射仪、俄歇电子能谱议、原子力显微镜、时间分辨光电导谱仪、X射线荧光元素分析、原子吸收光谱、紫外-可见-近红外分光光度计及OCA20型接触角仪对负载膜进行了表征和活性评价，研究了负载膜的光致亲水性与基材结构之间的关系及异质结对负载膜光催化活性及光致亲水性的影响。研究结果表明：⑴ 半导体氧化物负载膜存在本征接触角。基材不含Na＋的负载膜在氮气气氛保护下、500℃高温烧结后清洁表面的初始角即其本征接触角；当基材中含有Na＋，高温烧结时由于热运动，Na＋扩散到负载膜表面，掩盖了其本征接触角的存在；在Fe2O3、ZnO负载膜中掺入Na＋，则&
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半导体氧化物在太阳能电池、发光二极管、光探测器、透明导电薄膜、光催化等方面都具有重要的应用。为了获得高性能的半导体氧化物光电器件,高质量p型导电层是必须具备的,而高性能的p型半导体一直较难制备,存在掺杂固溶度较低,稳定性较差,本征p型材料载流子传输能力不高等缺点。因此,本论文针对这个问题,以p型半导体氧化物微晶制备为突破口,进而制作光电器件验证其电学和光学特性。在本论文工作中制备出性能优异Sb掺杂p型ZnO微米线,以及生长高质量的本征p型的CuGaO_2六角纳米片,并以此为基础构造同质/异质p-n结光电器件。本论文取得的创新性结果如下:1.采用双温区同步掺杂生长的办法,制备出Sb掺杂p型ZnO微米线;掺杂后的ZnO微米线在低温发光光谱中观测到受主发光峰;通过对单根微米线进行电学测试(I-V及场效应FET测试),发现其导电类型呈现p型。2.用掺杂后的p型ZnO微米线和未掺杂的n型ZnO微米线构造交叉结构的同质p-n结,器件具有良好...&
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由于能源短缺和环境恶化问题的持续威胁,类石墨相氮化碳(g-C_3N_4)作为一种新型的可见光响应型光催化剂已经成为热门研究课题。然而,体相g-C_3N_4由于存在着比表面积小,光生载流子易复合和太阳能利用率低等缺点而使得光催化活性较低。因此,本文旨在解决上述提出的体相g-C_3N_4的缺点来优化其光催化性能。取得的主要成果如下:1.在氩气气氛下,采用热剥离体相g-C_3N_4法制得超薄氮化碳(UGCN)纳米片。通过多种测试方法对样品的结构、形貌、比表面积和光电性质等进行了表征,并探讨了样品UGCN的光催化反应机理。与体相g-C_3N_4相比,样品UGCN的比表面积由58.5 m2g-1增大至131.2 m2 g-1,可见光吸收作用增强。在可见光照射下,样品UGCN光催化降解罗丹明B(RhB)的动力学速率常数是体相g-C_3N_4的6.1倍,同时,其产氢速率是体相g-C_3N_4的2倍。2.采用等离子体处理修饰g-C_3N_4的表...&
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&稀土氧化物本征超疏水材料（Nature Materials 2013），江雷并在NM上做了评论
稀土氧化物本征超疏水材料（Nature Materials 2013），江雷并在NM上做了评论
作者 Jeveels
超疏水材料具有自清洁和抗污染等许多优良的性质，传统的超疏水材料的制备都是在具有微纳结构的基材上修饰疏水分子制备而成。而对于大部分的疏水材料都是高分子聚合物或者氟化物等具有低表面能的材料，而这些材料由于其不能耐高温和摩擦而使其应用受到了极大的限制。最近MIT的Kripa K. Varanasi课题组研究发现（发表在nature materials上）：镧系稀土元素氧化物本征具有疏水性，表面结果粗糙处理后，成功制备了不需要表面修饰的超疏水材料。这种材料在高温下以及摩擦后具有超疏水性质，这种新材料在恶劣环境下具有很大的应用前景。[ Last edited by Jeveels on
at 19:50 ]
能够添加到玻璃中形成超疏水玻璃吗
引用回帖:: Originally posted by fengbing105 at
能够添加到玻璃中形成超疏水玻璃吗 可以，
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