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背栅电压制备方法技术资料,背栅电压的生产方法(精选版)
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光盘编号：A<font color="#0&增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法[摘要]&本技术涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2<font color="#4&背栅FinFETSRAM[摘要]&提供了一种具有用来控制阈值电压的背栅的紧凑的半导体结构及其制作方法。此半导体结构的制造以直接在下方电隔离层上形成半导体区而。然后，在半导体区上形成芯体和隔垫。接着，形成背栅区，此背栅区被背栅隔离层分隔于半导体区并被栅间隔离层覆盖。接着，清除芯体下方的半导体区部分，以便形成邻接被清除半导体区部分的有源区。最后，在被清除的半导体区部分处以及在栅间隔离层上形成主栅区。此主栅区被主栅隔离层分隔于有源区，并被栅间隔离层分隔于背栅区。<font color="#7&带有副栅极的背栅结构的平板显示器及其制作工艺[摘要]&本技术涉及到带有副栅极的背栅结构的平板显示器及其制作工艺，该带有副栅极的背栅结构的平板显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阴极面板上有碳纳米管阴极、阴极导电层以及用于控制碳纳米管阴极电子的带有副栅极的背栅结构；在阳极面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；支撑墙结构以及消气剂附属元件，制作了带有副栅极的背栅结构，栅极结构位于碳纳米管阴极的下方，对于其电子起着强有力的控制作用，同时副栅极位于碳纳米管阴极的侧向，能够有效的降低整体器件的工作电压，提高碳纳米管阴极的电子能力，有利于进一步提高平板显示器件的亮度，降低器件的制作成本，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。资<font color="#6&具有动态背栅极偏置的自举二极管器[摘要]&一种在采用以推拉输出电路结构彼此相连的晶体管的半桥路开关电路中使用的自举二极管器电路，一种用于驱动所述晶体管的驱动电路，以及用于给高边驱动电路提供电源的自举电容器。所述自举二极管器电路包括：具有栅极、背栅极、源极以及漏极的LDMOS晶体管，所述LDMOS晶体管的漏极耦合到高边电源节点，所述LDMOS晶体管的源极耦合到低边电源节点；电耦合到所述LDMOS晶体管栅极的栅极控制电路；以及电耦合到所述LDMOS晶体管的背栅极的动态背栅极偏置电路。所述动态背栅极偏置电路用于通过给所述LDMOS晶体管的背栅极施加接近于但略低于所述LDMOS晶体管漏极电压的电压，而在所述LDMOS导通时，动态地给所述LDMOS晶体管的背栅极施加偏压。料<font color="#8&包括具有可调背栅电势的ESD保护场效应晶体管的半导体器件[摘要]&在包括有两个电路块的半导体器件中，位于具有相同电平的两个电路块的电源引脚(或接地引脚)之间的ESD保护电路是由至少一个二极管接法场效应晶体管构成的，该至少一个二极管接法场效应晶体管的背栅电势由背栅电势调节电路来调节。结果，ESD保护电路的阈值电压的绝对值和ON电阻能够根据工作模式是ESD保护工作模式还是通常工作模式来进行改变。来002&用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOIMOSFET源003&确定背栅特性的方法和装置W009&背栅极电压发生器电路、四端背栅极开关场效应晶体管及其充电和放电保护电路N011&一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺D001&具有用于模拟开关的背栅电压控制器的半导体器件005&带有动态背栅极偏置和短路保护的自举二极管器以上11项技术包括在一张光盘内，售价230元，光盘编号：A。免费货到付款。订购电话：028-&QQ:备注：化工、冶金、材料、医药类的技术包括配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品不可多得的参考资料。售后服务：一年免费更新，资料丢失免费重发。
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&1688商学院背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究--《功能材料》2015年01期
背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究
【摘要】：采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。
【作者单位】：
【基金】：
【分类号】：TN386
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【参考文献】
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【共引文献】
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杨杰;贾昆鹏;粟雅娟;陈阳;赵超;;[J];Journal of S2014年09期
【二级参考文献】
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王琳;赵立峰;孙淮;;[A];中国化学会第27届学术年会第14分会场摘要集[C];2010年
刘吉洋;郭少军;翟月明;李丹;汪尔康;;[A];中国化学会第27届学术年会第09分会场摘要集[C];2010年
刘云圻;魏大程;狄重安;武斌;郭云龙;于贵;;[A];中国化学会第27届学术年会第04分会场摘要集[C];2010年
张佳利;沈广霞;郭守武;;[A];中国化学会第27届学术年会第04分会场摘要集[C];2010年
付磊;刘楠;戴博雅;刘迅;张朝华;刘忠范;;[A];中国化学会第27届学术年会中日青年化学家论坛摘要集[C];2010年
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刘洪涛;郑健;刘云圻;于贵;朱道本;;[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
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