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定义在R上的函数f（x）满足f（x+1）=2f（x）．若当0≤x≤1时．f（x）=x（1-x），则当-1≤x≤0时，f（x）=______．
题型：填空题难度：偏易来源：安徽
当-1≤x≤0时，0≤x+1≤1，由题意f（x）=12f（x+1）=12（x+1）[1-（x+1）]=-12x（x+1），故答案为：-12x（x+1）．
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据魔方格专家权威分析，试题“定义在R上的函数f（x）满足f（x+1）=2f（x）．若当0≤x≤1时．f（x）=x（1-x），..”主要考查你对&&函数解析式的求解及其常用方法&&等考点的理解。关于这些考点的“档案”如下：
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函数解析式的求解及其常用方法
函数解析式的常用求解方法：
（1）待定系数法：（已知函数类型如：一次、二次函数、反比例函数等）：若已知f（x）的结构时，可设出含参数的表达式，再根据已知条件，列方程或方程组，从而求出待定的参数，求得f（x）的表达式。待定系数法是一种重要的数学方法，它只适用于已知所求函数的类型求其解析式。 （2）换元法（注意新元的取值范围）：已知f（g（x））的表达式，欲求f（x），我们常设t=g（x），从而求得，然后代入f（g（x））的表达式，从而得到f（t）的表达式，即为f（x）的表达式。（3）配凑法（整体代换法）：若已知f（g（x））的表达式，欲求f（x）的表达式，用换元法有困难时，（如g（x）不存在反函数）可把g（x）看成一个整体，把右边变为由g（x）组成的式子，再换元求出f（x）的式子。（4）消元法（如自变量互为倒数、已知f（x）为奇函数且g（x）为偶函数等）：若已知以函数为元的方程形式，若能设法构造另一个方程，组成方程组，再解这个方程组，求出函数元，称这个方法为消元法。 （5）赋值法（特殊值代入法）：在求某些函数的表达式或求某些函数值时，有时把已知条件中的某些变量赋值，使问题简单明了，从而易于求出函数的表达式。
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如果0＜m＜10，并且m≤x≤10，那么，代数式|x-m|+|x-10|+|x-m-10|化简后所得到的最后结果是（　　）A．-1
如果0＜m＜10，并且m≤x≤10，那么，代数式|x-m|+|x-10|+|x-m-10|化简后所得到的最后结果是（　　）A．-10B．10C．x-20D．20-x...
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∵0＜m＜10，m≤x≤10，∴|x-m|=x-m，|x-10|=10-x，|x-m-10|=10+m-x，∴原式=（x-m）+（10-x）+（10+m-x），=20-x．故选D．
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超级电容器又叫双电层电容器(ElectricalDoule-LayerCapacitor)是一种新型储能装置，它具有充电时间短、使用寿命长、温度特性好、节约能源和绿色环保等特点。超级电容器用途广泛。用作起重装置的电力平衡电源，可提供超大电流的电力；用作车辆启动电源，启动效率和可靠性都比传统的蓄电池高，可以全部或部分替代传统的蓄电池；用作车辆的牵引能源可以生产电动汽车、替代传统的内燃机、改造现有的无轨电车；用在军事上可保证坦克车、装甲车等战车的顺利启动（尤其是在寒冷的冬季）、作为激光武器的脉冲能源。此外还可用于其他机电设备的储能能源。目录 [隐藏] 1 简介 2 原理 3 分类 4 工艺 5 优点 6 选择 7 应用领域 8 使用注意事项 9 前景分析 10 相关词条 11 参考资料
超级电容器-简介     超级电容器 由于石油资源日趋短缺，并且燃烧石油的内燃机尾气排放对环境的污染越来越严重（尤其是在大、中城市），人们都在研究替代内燃机的新型能源装置。已经进行混合动力、燃料电池、化学电池产品及应用的研究与开发，取得了一定的成效。但是由于它们固有的使用寿命短、温度特性差、化学电池污染环境、系统复杂、造价高昂等致命弱点，一直没有很好的解决办法。而超级电容器以其优异的特性扬长避短，可以部分或全部替代传统的化学电池用于车辆的牵引电源和启动能源，并且具有比传统的化学电池更加广泛的用途。正因为如此，世界各国（特别是西方发达国家）都不遗余力地对超级电容器进行研究与开发。其中美国、日本和俄罗斯等国家不仅在研发生产上走在前面，而且还建立了专门的国家管理机构（如：美国的USABC、日本的SUN、俄罗斯的REVA等），制定国家发展计划，由国家投入巨资和人力，积极推进。就超级电容器技术水平而言，目前俄罗斯走在世界前面，其产品已经进行商业化生产和应用，并被第17届国际电动车年会（EVS—17）评为最先进产品，日本、德国、法国、英国、澳大利亚等国家也在急起直追，目前各国推广应用超级电容器的领域已相当广泛。在我国推广使用超级电容器，能够减少石油消耗，减轻对石油进口的依赖，有利于国家石油安全；有效地解决城市尾气污染和铅酸电池污染问题；有利于解决战车的低温启动问题。目前，国内主要有10余家企业在进行超级电容器的研发 超级电容器是建立在德国物理学家亥姆霍兹提出的界面双电层理论基础上的一种全新的电容器。众所周知，插入电解质溶液中的金属电极表面与液面两侧会出现符号相反的过剩电荷，从而使相间产生电位差。那么，如果在电解液中同时插入两个电极，并在其间施加一个小于电解质溶液分解电压的电压，这时电解液中的正、负离子在电场的作用下会迅速向两极运动，并分别在两上电极的表面形成紧密的电荷层，即双电层，它所形成的双电层和传统电容器中的电介质在电场作用下产生的极化电荷相似，从而产生电容效应，紧密的双电层近似于平板电容器，但是，由于紧密的电荷层间距比普通电容器电荷层间的距离更小得多，因而具有比普通电容器更大的容量。双电层电容器与铝电解电容器相比内阻较大，因此，可在无负载电阻情况下直接充电，如果出现过电压充电的情况，双电层电容器将会开路而不致损坏器件，这一特点与铝电解电容器的过电压击穿不同。同时，双电层电容器与可充电电池相比，可进行不限流充电，且充电次数可达106次以上，因此双电层电容不但具有电容的特性，同时也具有电池特性，是一种介于电池和电容之间的新型特殊元器件。超级电容器-原理     超级电容器 超级电容器的原理并非新技术，常见的超级电容器大多是双电层结构，同电解电容器相比，这种超级电容器能量密度和功率密度都非常高。同传统的电容器和二次电池相比，超级电容器储存电荷的能力比普通电容器高，并具有充放电速度快、效率高、对环境无污染、循环寿命长、使用温度范围宽、安全性高等特点。其基本原理为：当向电极充电时，处于理想极化电极状态的电极表面电荷将吸引周围电解质溶液中的异性离子，使这些离子附于电极表面上形成双电荷层，构成双电层电容。由于两电荷层的距离非常小（一般0.5nm以下），再加之采用特殊电极结构，使电极表面积成万倍的增加，从而产生极大的电容量。超级电容器-分类     超级电容器 超级电容器的类型比较多，按不同方式可以分为多种产品，以下作简单介绍。按原理分为双电层型超级电容器和赝电容型超级电容器：双电层型超级电容器，包括1.活性碳电极材料，采用了高比表面积的活性炭材料经过成型制备电极。2.碳纤维电极材料，采用活性炭纤维成形材料，如布、毡等经过增强，喷涂或熔融金属增强其导电性制备电极。3.碳气凝胶电极材料，采用前驱材料制备凝胶，经过炭化活化得到电极材料。4.碳纳米管电极材料，碳纳米管具有极好的中孔性能和导电性，采用高比表面积的碳纳米管材料，可以制得非常优良的超级电容器电极。以上电极材料可以制成：1.平板型超级电容器，在扣式体系中多采用平板状和圆片状的电极，另外也有Econd公司产品为典型代表的多层叠片串联组合而成的高压超级电容器，可以达到300V以上的工作电压。2.绕卷型溶剂电容器，采用电极材料涂覆在集流体上，经过绕制得到，这类电容器通常具有更大的电容量和更高的功率密度。赝电容型超级电容器：  超级电容器 包括金属氧化物电极材料与聚合物电极材料，金属氧化物包括NiOx、MnO2、V2O5等作为正极材料，活性炭作为负极材料制备的超级电容器，导电聚合物材料包括PPY、PTH、PAni、PAS、PFPT等经P型或N型或P/N型掺杂制取电极，以此制备超级电容器。这一类型超级电容器具有非常高的能量密度，目前除NiOx型外，其它类型多处于研究阶段，还没有实现产业化生产。按电解质类型可以分为水性电解质和有机电解质类型：水性电解质，包括以下几类1.酸性电解质，多采用36％的H2SO4水溶液作为电解质。2.碱性电解质，通常采用KOH、NaOH等强碱作为电解质，水作为溶剂。3.中性电解质，通常采用KCl、NaCl等盐作为电解质，水作为溶剂，多用于氧化锰电极材料的电解液。有机电解质通常采用LiClO4为典型代表的锂盐、TEABF4作为典型代表的季胺盐等作为电解质，有机溶剂如PC、ACN、GBL、THL等有机溶剂作为溶剂，电解质在溶剂中接近饱和溶解度。另外还可以分为：1.液体电解质超级电容器，多数超级电容器电解质均为液态。2.固体电解质超级电容器，随着锂离子电池固态电解液的发展，应用于超级电容器的电解质也对凝胶电解质和PEO等固体电解质进行研究。超级电容器-工艺     超级电容器 超级电容器的工艺流程为：配料→混浆→制电极→裁片→组装→注液→活化→检测→包装。超级电容器在结构上与电解电容器非常相似，它们的主要区别在于电极材料。早期的超级电容器的电极采用碳，碳电极材料的表面积很大，电容的大小取决于表面积和电极的距离，这种碳电极的大表面积再加上很小的电极距离，使超级电容器的容值可以非常大，大多数超级电容器可以做到法拉级，一般情况下容值范围可达1-5000F。超级电容器通常包含双电极、电解质、集流体、隔离物四个部件。超级电容器是利用活性炭多孔电极和电解质组成的双电层结构获得超大的电容量的。在超级电容器中，采用活性炭材料制作成多孔电极，同时在相对的两个多孔炭电极之间充填电解质溶液，当在两端施加电压时，相对的多孔电极上分别聚集正负电子，而电解质溶液中的正负离子将由于电场作用分别聚集到与正负极板相对的界面上，从而形成双集电层。超级电容器-优点     超级电容器 如果使用不当会造成电解质泄漏等现象；和铝电解电容器相比，它内阻较大，因而不可以用于交流电路；1、超级电容器不同于电池，在某些应用领域，它可能优于电池。有时将两者结合起来，将电容器的功率特性和电池的高能量存储结合起来，不失为一种更好的途径。2、超级电容器在其额定电压范围内可以被充电至任意电位，且可以完全放出。而电池则受自身化学反应限制工作在较窄的电压范围，如果过放可能造成永久性破坏。3、超级电容器的荷电状态（SOC）与电压构成简单的函数，而电池的荷电状态则包括多样复杂的换算。4、超级电容器与其体积相当的传统电容器相比可以存储更多的能量，电池与其体积相当的超级电容器相比可以存储更多的能量。在一些功率决定能量存储器件尺寸的应用中，超级电容器是一种更好的途径。5、超级电容器可以反复传输能量脉冲而无任何不利影响，相反如果电池反复传输高功率脉冲其寿命大打折扣。6、超级电容器可以快速充电而电池快速充电则会受到损害。7、超级电容器可以反复循环数十万次，而电池寿命仅几百个循环超级电容器-选择     超级电容器 超级电容器的两个主要应用：高功率脉冲应用和瞬时功率保持。高功率脉冲应用的特征：瞬时流向负载大电流；瞬时功率保持应用的特征：要求持续向负载提供功率，持续时间一般为几秒或几分钟。瞬时功率保持的一个典型应用：断电时磁盘驱动头的复位。不同的应用对超电容的参数要求也是不同的。高功率脉冲应用是利用超电容较小的内阻(R)，而瞬时功率保持是利用超电容大的静电容量(C)。不管是功率保持还是功率脉冲应用都可以用上公式计算．当电路的工作电压超过超电容的工作电压时，可以用相同的电容器串联．一般地，串联应该保持平衡以确保电压平均分配．在脉冲功率应用中由超电容内阻引起的压降通常是次要因素。电容器超低的内阻提供一种克服传统电池系统阻抗大的全新的解决方案。超级电容器-应用领域     超级电容器 超级电容器的应用范围极为广泛，小到存储器的备用电源、电动玩具的电源，大到航天导弹发射的大功率启动系统、电动汽车的能量功率系统等一切与能量功率相关的仪器设备系统均有超级电容器的身影。超级电容器在军用、民用领域均有广泛的应用前景。小电流放电的双电层电容器可用作微机等的备用电源或小型装置如玩具、打印机、报警器、信号灯等的一次电源；安培级大电流放电双电层电容器可单独或与蓄电池一起构成电源系统，既可作为起动电源也可作为小型负载的驱动电源，如用于坦克、飞机、火箭、导弹等作为起动电源；人造卫星、宇宙飞船空间站、潜艇水下推进，尤其是在电动车辆方面的应用越来越多；利用其良好充放电性能可作为快速充电简易电源；利用其输入小电流输出大电流可作为充放电周期循环的电源；因其容量大，还可用于微分和积分电路、简易计时电路、超低频信号处理电路等。随着电极材料的改进和电解质的合理选用，双电层电容器的功率密度和能量密度逐步向理论值靠近，其应用前景更为广阔。超级电容器的研究目标之一是单独用双电层电容器或将其与蓄电池联用，作为电动汽车和混合动力汽车的动力电源。上千法拉级的双电层电容器用作电动汽车的短时驱动电源，可以在汽车启动和爬坡时快速提供大电流从而获得大功率以提供强大的动力；在正常行驶时由蓄电池快速充电；在刹车时快速存储发电机产生的瞬时大电流，回收能量。这可以减少电动汽车对蓄电池大电流放电的限制，极大的延长蓄电池的循环使用寿命，提高电动汽车的实用性。日本富士重工推出的电动汽车已经使用日立机电制作的锂离子蓄电池和松下电器制作的储能电容器的联用装置；日本本田公司更是将双电层电容器与汽油机相结合，研制出一种综合电动机助力器系统，使内燃机主要工作在最佳工况点附近，大大降低内燃机的排放，并可回收制动能量，通过装在小客车上极大的降低汽油机燃油消耗量成为低排放的节能汽车；日本丰田公司研制的混合电动汽车，其排放与传统汽油机车相比CO2下降50％，HC、CO和NOx排放降低90％，燃油节省一半。电动助力车市场正在大力扩展，其电源与电动汽车相似，蓄电池由于其充放电电流要求苛刻，能量难以进行瞬时回收，同时其功率性能不佳也直接影响其应用，而超级电容器非常容易满足这些要求，采用超级电容器在其起动、加速与爬坡时对系统进行能源补充，并在刹车时完全回收能量，提高系统性能。在风力发电或太阳能发电系统中，由于风力与太阳能的不稳定性，会引起蓄电池反复频繁充电，结果大大缩短电池寿命，利用双电层电容器吸收或补充电能的波动，可以轻易解决这一问题。此外，在有瞬间强负载系统中，利用双电层电容器可以起到稳定系统电压，减少系统电源容量配制的作用。超级电容器在有些场合可以替代电池工作，同时，可以避免由于瞬间负载变化而产生的误操作。在便携式仪器仪  超级电容器 表中驱动微电机、继电器、电磁阀等，在一些带有机械动作功能的电话中，由于电话网的电流较小，不可能实现动作功能，因此要有一个电源对这一动作进行支持，电池也是一种选择，由于存在更换及维修的问题，超级电容器显示出优越性。超级电容器还可用于对照相机闪光灯进行供电，可以使闪光灯达到连续使用的性能，从而提高照相机连续拍摄的能力；另外，德国Epcos公司还用该器件对相机快门进行控制。机动无线通讯设备往往采用脉冲的方式保持联络，由于双电层电容器的瞬时充放电能力强，可以提供的功率大，在这一领域的应用也非常广阔。大容量超级电容器的另一个重要应用在电力系统上，运用超级电容器进行重要系统的瞬态稳压稳流，特别是在大功率系统上，几乎是不可替代的器件。在这方面，据华北电力大学电能质量所的调查，在众多大型石化、电子、纺织等企业，各企业每年因电力波动的损失可能高达上千万；另外，芯片企业在选址时考虑电力的波动也是一个非常重要的环节，而超级电容器系统则可以完全解决这个问题。另外，随着电子与能源工业的发展，超级电容器在短时UPS系统、太阳能电源系统、汽车防盗系统等免维护系统上具有不可替代的作用，在一些电磁操作机构电源、汽车音响系统等领域均具有非常广泛的应用。1、税控机、税控加油机、真空开关、智能表、远程抄表系统、仪器仪表、数码相机、掌上电脑、电子门锁、程控交换机、无绳电话等的时钟芯片、静态随机存贮器、数据传输系统等微小电流供电的后备电源。2、智能表（智能电表、智能水表、智能煤气表、智能热量表）作电磁阀的启动电源3、太阳能警示灯，航标灯等太阳能产品中代替充电电池。4、手摇发电手电筒等小型充电产品中代替充电电池。5、电动玩具电动机、语音IC、LED发光器等小功率电器的驱动电源。　超级电容器是介于传统电容器和蓄电池之间的一种新型储能装置,它具有功率密度大、容量大、使用寿命长、免维护、经济环保等优点。超级电容器-使用注意事项     超级电容器 1、超级电容器具有固定的极性。在使用前，应确认极性。2、超级电容器应在标称电压下使用：当电容器电压超过标称电压时，将会导致电解液分解，同时电容器会发热，容量下降，而且内阻增加，寿命缩短，在某些情况下，可导致电容器性能崩溃。3、超级电容器不可应用于高频率充放电的电路中，高频率的快速充放电会导致电容器内部发热，容量衰减，内阻增加，在某些情况下会导致电容器性能崩溃。4、超级电容器的寿命：外界环境温度对于超级电容器的寿命有着重要的影响。电容器应尽量远离热源。5、当超级电容器被用做后备电源时的电压降：由于超级电容器具有内阻较大的特点，在放电的瞬间存在电压降，ΔV=IR。6、使用中环境气体：超级电容器不可处于相对湿度大于85%或含有有毒气体的场所，这些环境下会导致引线及电容器壳体腐蚀，导致断路。7、超级电容器的存放：超级电容器不能置于高温、高湿的环境中，应在温度-30+50℃、相对湿度小于60%的环境下储存，避免温度骤升骤降，因为这样会导致产品损坏。8、超级电容器在双面线路板上的使用：当超级电容器用于双面电路板上，需要注意连接处不可经过电容器可触及的地方，由于超级电容器的安装方式，会导致短路现象。9、当把电容器焊接在线路板上时，不可将电容器壳体接触到线路板上，不然焊接物会渗入至电容器穿线孔内，对电容器性能产生影响。10、安装超级电容器后，不可强行倾斜或扭动电容器，这样会导致电容器引线松动，导致性能劣化。11、在焊接过程中避免使电容器过热：若在焊接中使电容器出现过热现象，会降低电容器的使用寿命，例如：如果使用厚度为1.6mm的印刷线路板，焊接过程应为260℃，时间不超过5s。12、焊接后的清洗：在电容器经过焊接后，线路板及电容器需要经过清洗，因为某些杂质可能会导致电容器短路。13、将电容器串联使用时：当超级电容器进行串联使用时，存在单体间的电压均衡问题，单纯的串联会导致某个或几个单体电容器过压，从而损坏这些电容器，整体性能受到影响，故在电容器进行串联使用时，需得到厂家的技术支持。14、其他：在使用超级电容器的过程中出现的其他应用上的问题，请向生产厂家咨询或参照超级电容器使用说明的相关技术资料执行。超级电容器-前景分析     超级电容器 从结构上看，超级电容器主要由电极、电解质、隔膜、端板、引线和封装材料组成，其中电极、电解质和隔膜的组成和质量对超级电容器的性能起着决定性的影响，采用何种电极板和电解质材料将基本决定最终产品的类型与特性。日，美国得克萨斯州一家研制电动汽车储能装置，名为EEStor的公司打破沉默，对外宣告了他们“里程碑”式的成果：他们的自动生产线已经由独立的第三方分析验收，其产品的关键物质钡钛酸盐粉末已经完成了最初的纯化，纯度达到了99.9994%。这一技术一旦进入成熟的工业生产，他们所研制的新型超级电容器动力系统将替代包括从电动汽车到笔记本电脑的一切电化学电池。按照2006年4月发表的专利，EEStor这种能量存储装置是用陶瓷粉末涂在铝氧化物和玻璃的表面。从技术上说，它并不是电池，而是一种超级电容器，它在5分钟内充的电能可以让一个电动车走500英里，电费只有9美元。而烧汽油的内燃机车走相同里程则要花费60美元。与传统的电化学电池相比，超级电容器有很多好处。它可以无限制地接受无数次放电和充电，，超级电容器没有“记忆”。但是，一般的超级电容器也有其弱点，就是能量存储率有限，市场上的高端超级电容器每0.4536千克的存储能量只有锂电池的1/25。而EEStor开发的超级电容器，由于钡钛酸盐有足够的纯度，存储能量的能力大大提高。EEStor公司负责人声称，该超级电容器每公斤所存储的能量可达0.28千瓦时，相比之下，每公斤锂电池是0.12千瓦时，铅酸电池只有0.032千瓦时，这就让超级电容器有了可用在从电动车、起搏器到现代化武器等多种领域的可能。好的铅酸电池能充电500～700次，而根据EEStor的声明，新的超级电容器可反复充电100万次以上，也不会出现材料降解问题。而且，由于它不是化学电池，而是一种固体状态的能量储存系统，不会出现锂电池那种过热甚至爆炸的危险，没有安全隐患。这一发明的意义相当重大，该突破不仅从根本上改变了电动车在交通运输中的位置，也将改进诸如风能、太阳能等间歇性能源的利用性能，增进了电网的效率和稳定性，满足人们能源安全的需求，减少对石油的依赖。显然，该突破也对下一代锂电池的研制者造成威胁。EEStor公司负责人暗示，他们的技术不仅适用于小型旅客电动车，还可能取代220500瓦的大型汽车。
半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。
目录 [隐藏] 1 基本简介 2 主要种类 3 实际运用 4 宽带隙半导体材料 5 低维半导体材料 6 特性参数 7 特性要求 8 材料工艺 9 早期应用 10 发展现状 11 战略地位 12 相关词条 13 参考资料
半导体材料-基本简介     半导体材料研究所 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体、和绝缘体三大类。半导体的电导率在103～10-9欧／厘米之间。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰好相反。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。 由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。半导体材料-主要种类     LED灯泡 半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
半导体材料 无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有 的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。 三元系包括：①族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。②族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。③：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代 族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系（例如Cu2FeSnS4）和更复杂的无机化合物。 有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。 非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。半导体材料-实际运用    
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80％的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。半导体材料-宽带隙半导体材料     半导体材料 氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广播电台、电视台，唯一的大功率发射管还是电子管，没有被半导体器件代替。这种电子管的寿命只有两三千小时，体积大，且非常耗电；如果用碳化硅的高功率发射器件，体积至少可以减少几十到上百倍，寿命也会大大增加，所以高温宽带隙半导体材料是非常重要的新型半导体材料。 现在的问题是这种材料非常难生长，硅上长硅，砷化镓上长GaAs，它可以长得很好。但是这种材料大多都没有块体材料，只得用其它材料做衬底去长。比如说氮化镓在蓝宝石衬底上生长，蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶格常数相差很大，长出来的外延层的缺陷很多，这是最大的问题和难关。另外这种材料的加工、刻蚀也都比较困难。目前科学家正在着手解决这个问题。如果这个问题一旦解决，就可以提供一个非常广阔的发现新材料的空间。 半导体材料-低维半导体材料     半导体材料 实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，主要是不想与现在热炒的所谓的纳米衬衣、纳米啤酒瓶、纳米洗衣机等混为一谈！从本质上看，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物传感器件等，以造福人类。可以预料，纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式，也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。 电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动，另外两个方向上受到限制；量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小，电子在三个方向上都不能自由运动，能量在三个方向上都是量子化的。 由于上述的原因，电子的态密度函数也发生了变化，块体材料是抛物线，电子在这上面可以自由运动；如果是量子点材料，它的态密度函数就像是单个的分子、原子那样，完全是孤立的 函数分布，基于这个特点，可制造功能强大的量子器件。 大规模集成电路的存储器是靠大量电子的充放电实现的。大量电子的流动需要消耗很多能量导致芯片发热，从而限制了集成度，如果采用单个电子或几个电子做成的存储器，不但集成度可以提高，而且功耗问题也可以解决。目前的激光器效率不高，因为激光器的波长随着温度变化，一般来说随着温度增高波长要红移，所以现在光纤通信用的激光器都要控制温度。如果能用量子点激光器代替现有的量子阱激光器，这些问题就可迎刃而解了。 基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟，广泛地应用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。量子级联激光器是一个单极器件，是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源，在自由空间通信、红外对抗和遥控化学传感等方面有着重要应用前景。它对MBE制备工艺要求很高，整个器件结构几百到上千层，每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度，中国在此领域做出了国际先进水平的成果；又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱激光器，它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点，中国已有很好的研究基础；在量子点（线）材料和量子点激光器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成绩。半导体材料-特性参数     LED灯泡 半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。 半导体材料-特性要求     LED灯泡 半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。 晶体管对材料特性的要求 ：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。禁带宽度越大，晶体管正常工作的高温限也越高。 光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关。材料的非平衡载流子寿命越大，则探测器的灵敏度越高，而从光作用于探测器到产生响应所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长。因此，高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。对于太阳电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的非平衡载流子寿命和适中的禁带宽度(禁带宽度于1.1至1.6电子伏之间最合适)。晶体缺陷会使半导体发光二极管、半导体激光二极管的发光效率大为降低。 温差电器件对材料特性的要求：为提高温差电器件的转换效率首先要使器件两端的温差大。当低温处的温度（一般为环境温度）固定时，温差决定于高温处的温度，即温差电器件的工作温度。为了适应足够高的工作温度就要求材料的禁带宽度不能太小，其次材料要有大的温差电动势率、小的电阻率和小的热导率。 　　 半导体材料-材料工艺     硅 半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化，而载流子迁移率和非平衡载流子寿命一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。另一方面，半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。而对于晶体缺陷，除了在一般情况下要尽可能减少和消除外，有的情况下也希望控制在一定的水平，甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的，需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法，即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。 半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分凝现象，当此熔区从一端至另一端重复移动多次后，杂质富集于锭条的两端。去掉两端的材料，剩下的即为具有较高纯度的材料（见区熔法晶体生长）。此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。锗、硅是能够得到的纯度最高的半导体材料，其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。 半导体材料的单晶制备：为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较好的单晶。具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶。前两种方法用来生长体单晶，用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1～2米的锗、硅单晶体。后两种方法主要用来生长薄层单晶。这种薄层单晶的生长一般称外延生长，薄层材料就生长在另一单晶材料上。这另一单晶材料称为衬底，一方面作为薄层材料的附着体，另一方面即为单晶生长所需的籽晶。衬底与外延层可以是同一种材料(同质外延)，也可以是不同材料（异质外延）。采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；采用从汽相中生长单晶原理的称汽相外延。液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质，例如GaAs)，溶于某一溶剂（例如液态镓）成饱和溶液，然后将衬底浸入此溶液，逐渐降低其温度，溶质从过饱和溶液中不断析出，在衬底表面结晶出单晶薄层。汽相外延生长可以用包含所需材料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原等化学反应淀积于衬底上，也可以用所需材料为源材料，然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使源材料变为气态，再在衬底上凝聚。分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法可以精确控制射向衬底的蒸气速率，能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶，并可得到不同材料不同厚度的互相交叠的多层外延材料。非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题，但制备工艺与上述方法相似，一般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。
硅 半导体材料中杂质和缺陷的控制：杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。这些杂质原子最终在晶体中的分布，除了决定于生长方法本身以外，还决定于生长条件的选择。例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外，还受到熔体中不规则对流的影响而产生杂质分布的起伏。此外,无论采用哪种晶体生长方法,生长过程中容器、加热器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质，这种情况称自掺杂。晶体缺陷控制也是通过控制晶体生长条件（例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等）来实现的。随着器件尺寸的日益缩小，对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也要有所限制。因此如何精心设计，严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。半导体材料-早期应用     半导体材料 半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于侦探飞机和船舰。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次侦探到了德国的飞机。半导体材料-发展现状     实验室设备－HL5500霍尔效应测量系统 相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。半导体材料-战略地位     电子元件 20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。　可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。目录 [隐藏] 1 简介 2 工作特性 3 工作原理 4 主要参数 5 参数符号说明 6 主要用途 7 结构和特性 8 可控硅的种类 9 如何鉴别可控硅的三个极 10 常用封装形式 11 参考资料
可控硅-简介     可控硅 晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。可控硅-工作特性    为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，首先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这说明要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管的特点：是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。可控硅-工作原理     可控硅工作原理 可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路，从晶闸管的内部分析工作过程： 可控硅基本伏安特性 晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管，当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0，晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1 Ic2 Ic0或Ia=a1Ia a2Ik Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0 Iga2)/（1-（a1 a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1 a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2，产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。当a1和a2随发射极电流增加而（a1 a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1 a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia，这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1 a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1 a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。可控硅导通和关断条件表状态 条件 说明 从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流 两者缺一不可 维持导通 1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可 从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可
可控硅-主要参数     可控硅 1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。可控硅-参数符号说明    IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流可控硅-主要用途     可控硅 普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形(c)及(d)，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。可控硅-结构和特性     三极度可控硅 可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。可控硅-可控硅的种类     可控硅 可控硅有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。可控硅-如何鉴别可控硅的三个极    普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结(a)，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。可控硅-常用封装形式    常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。可控硅的主要厂家主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR等。
在我国的改革开放中，提出并实践着把马克思主义基本原理和中国社会主义实践相结合的政治经济学的创新。自古典经济学大师亚当·斯密的《国富论》发表以后，经济学的发展以此为基点分两条道路进行：一条是以劳动价值论为基础，以批判传统资本主义经济、建设社会主义经济为主题的发展，代表人物有以李嘉图为代表的古典经济学家，还有马克思、恩格斯、列宁以及第二次世界大战以后兴起的社会主义国家的马克思主义经济学家。在我国都为马克思主义经济学的发展做出了重要贡献。另一条则是以均衡价格与效用价值论为基础、以资源配置与经济运行机制为主题的发展，其中以马歇尔、凯恩斯及凯恩斯以后的欧美发达国家的一些西方经济学家为代表。经济学的发展分别以两个不同基础、不同主题发展起来，各自都经历了不同的发展时期与阶段，也都遭遇过不同的命运。尤其是马克思主义经济学伴随着社会主义经济发展的不断深化及前苏联、东欧等社会主义国家的挫折，经历了一个深刻甚至是根本性的变化与变革。马克思主义经济学理论体系和基本内容，包括研究主题也发生了根本性的变化，从以计划经济为主题，转变为以市场经济为主题从而使马克思主义经济学从重点批判资本主义经济不合理及资源配置低效率性的传统阶段转变到了重点建设社会主义市场经济的现代阶段。因此，当前中国经济学的发展也面临二条道路。一条是以马克思主义经济学理论为基础，广泛吸收和正确借鉴国外经济学发展的优秀成果，密切联系中国改革和发展的丰富实践，努力发展具有中国特色的经济学理论，为建设中国特色的社会主义和实现中华民族的伟大复兴服务；另一条是否定马克思主义的指导地位和科学价值，否定中国社会主义革命和社会主义建设的历史意义，否定中国改革开放的独特的经验和理论，主张全盘西化，按西方发达资本主义国家的经济模式改造中国经济学的教学、科研和人才培养。为此，我们要充分认识马克思主义政治经济学的时代意义，坚持马克思主义的指导，努力发展具有中国特色、中国风格、中国气派的经济学理论。当今世界和当今中国都正发生深刻变化，社会思想空前活跃，各种观念相互交织，各种文化相互激荡，各种思潮在全球化的背景下广泛传播，从新自由主义在西方的长期统治到新保守主义的后来崛起，从民主社会主义思潮的流变到“第三条道路”理论的兴起，从亨廷顿的“文明冲突”到罗伯森的“文化全球模式”等，令人目不暇接。西方敌对势力借助于经济实力、科技实力，极力把资产阶级意识形态推向世界，社会主义中国始终是其重点。而我国高校历来是各种社会思潮聚集和交流的前沿阵地。为培养高素质人才，推动高等教育改革发展、维护学校和社会稳定，坚持和巩固马克思主义在高校意识形态领域的指导地位，离不开马克思主义政治经济学科学地揭示客观经济规律，使我们进一步掌握社会发展的必然规律，坚定社会主义信念。为深入学习贯彻党的十七大精神，充分发挥学生党员的先锋模范作用和学生党支部的战斗堡垒作用，进一步推进我院学生党建工作，规范发展，科学培养，创新机制，不断加强基层党组织思想建设和作风建设，提高基层党支部的活力、创新力、凝聚力，为建设优良校风、院风、学风提供坚强的政治、思想和组织保证。按照学校党委相关工作部署，结合我院实际，经学院党委讨论通过，决定在本科学生党员和学生党支部中开展“学习贯彻十七大 积极践行‘六个一’”主题活动，创建“六个一”品牌工程。一、 开展“六个一”品牌工程创建工作的指导思想以邓小平理论和“三个代表”重要思想为指导，贯彻落实科学发展观，坚持以人为本、继承创新，加强党的先进性建设，增强基层党组织的创造力、凝聚力和战斗力，不断巩固和完善我院保持学生党员先进性的长效机制。通过“学生党员践行六个一”及学生党支部“六个一”创建活动，进一步激励全院学生党员和学生党支部树立先进性意识，实践先进性要求，发挥先进性作用，立足岗位，以奋发有为的精神状态、与时俱进的思想品格、百折不挠的坚强意志和严谨求实的学习态度，影响和带动全院学生，积极创建优良校风、院风、学风，推动我院教育教学质量的全面提高，为构建和谐校园贡献力量。二、 学生党员践行“六个一”主题活动具体内容为进一步探索党员教育长效机制，加强学生党员的继续教育，以保持党员先进性为核心目的，通过学生党员践行“六个一”活动的开展，使学生特别是学生党员提高思想政治素质，增强为人民服务的意识。学生党员践行“六个一”的主要内容是：坚定一种信念，精读一本好书，办好一件实事，帮助一名同学，负责一个寝室，联系一批入党积极分子。真正做到“一名党员就是一面旗帜”，树立良好的学生党员形象，充分发挥学生党员的先锋模范带头作用。“坚定一种信念”：入党既是一个信仰、也是一种责任、一种使命，作为青年大学生党员一定要牢记党的宗旨，坚定共产主义和有中国特色社会主义的理想信念。加强理论学习，积极投身实践，不断提高党性修养，在改造客观世界的同时努力改造主观世界，始终保持政治上的清醒与坚定，全身心地投入到建设有中国特色社会主义伟大事业中去，以实际行动实践共产主义理想信念。“精读一本好书”：书本是最好的精神食粮，与时俱进更是我党坚持先进性和增强创造力的决定性因素，青年学生更应该营造积极向上的学习风气，提高理论素养。此项活动要求学生党员每学期精读一本好书（可以是理论文集、励志书籍、时事论著等对学习生活有意义的书），并撰写一篇读书心得。“办好一件实事”：党的根本宗旨是“全心全意为人民服务”，学生党员要积极参与到为群众服务的工作、活动中，从身边小事做起、细节做起，帮助同学、服务同学，为他们解难题、办实事。“帮助一名同学”：每位学生党员以“结对子”的形式从生活和学习等各方面帮助一名同学，坚持解决思想问题与解决实际问题相结合，及时了解帮扶对象的学习生活情况及思想动态，及时了解和疏导结对帮扶对象的心理压力和心理障碍，力所能及地帮助其解决生活困难、学习困难，关心学生成才就业，切实为学生做实事，以实际行动体现党员的先进性。“负责一个寝室”：每位学生党员负责联系一间学生寝室，对负责寝室成员的学习、生活、工作进行指导帮助；对负责寝室卫生、纪律和日常行为进行督察，协调同学关系，建设健康、向上、文明的寝室文化；及时掌握、反映寝室同学要求和思想动态；充分发挥自身的先锋模范作用，带动和引导寝室同学学先进、赶先进、争先进。“联系一批入党积极分子”：壮大入党积极分子队伍是大学生党建工作的重要环节。学生党员要负责向联系对象宣传党的路线方针政策、基本知识、基本理论，引导联系对象积极向党组织靠拢，营造“知党、爱党、向党”的良好氛围。认真负责地做好所在支部制定的入党积极分子的培养和考察工作，帮助联系对象解决入党过程中遇到的各种问题，以自己的实际行动带动一批积极分子。 如何认识中国共产党的先进性在20世纪，中国共产党领导中国各族人民取得了新民主主义革命的伟大胜利，社会主义改革和建设事业也取得了巨大成就。这一切充分证明中国共产党是一个先进的党。面对新的历史条件下的新情况、新问题，中国共产党将如何始终保持先进地位，带领中国人民完成新的历史使命，创造新的历史辉煌，是一个迫切需要解答的重大现实课题，而如何理性地、客观地认识党的先进性，是这一重大课题的理论前提。一、认识中国共产党先进性的思想方法理解共产党的先进性，首先应该依据上述辩证的、历史的观点，判断党在不同历史时期最高纲领和最低纲领的先进性。江泽民同志在纪念中国共产党成立80周年大会讲话中指出：“一个政党的纲领就是一面旗帜。在革命、建设和改革的各个历史阶段中，我们党既有每个阶段的基本纲领即最低纲领，也有确定长远奋斗目标的最高纲领。我们是最低纲领与最高纲领的统一论者。”党的发展史业已证明，党在不同时期的最高纲领和最低纲领，基本上是依据当时中国革命形势的需要并根据当时的国情特点所制定的。最高纲领和最低纲领之间，不仅体现了辩证的统一性，也体现了不同的历史内涵。如在新民主主义革命中，党的最低纲领是反帝反封建，建立新民主主义的国家和社会。这个纲领，体现了新的时代内涵，具有历史的先进性。理解共产党的先进性，同样应依据辩证的、历史的观点，客观地分析党在中国现代历史的不同时期所起的历史作用。在新民主主义革命时期，党领导了中国人民，推翻了帝国主义、封建主义和官僚资本主义的统治，实现了中华民族政治上的彻底独立；在社会主义建设时期尤其是在改革开放的二十多年间，党又领导中国人民摆脱了经济上的贫困，实现了中华民族在经济上的独立和初步繁荣。理解共产党的先进性，还要摆脱种种简单化的认识，运用辩证的观点、历史的观点来认识党的性质和阶级基础。比如，在对党的性质的理解上，有人认为：既然党是工人阶级先锋队，那就只能以工人出身的成份为主体。历史上党内“左”的观点，曾将党狭隘地圈为“工人党”或“农民党”。现阶段，基于中国产业工人状况的变化，又有人责难中国工人阶级由此失去了先进性，工人阶级已经不再是中国共产党的阶级基础了。长期以来，我们对党的先进性的认识，比较多的是强调“中国共产党是中国工人阶级的先锋队，是中国各族人民利益的忠实代表”。在新的历史时期，对党的先进性的认识，不仅要从政治的角度来理解，而且要从经济和文化的角度来理解。中国共产党80多年的实践道路同样不是笔直的，在发展过程中经历了大大小小的曲折，甚至是严重挫折。中国共产党80多年的历史经验证明，由于党的事业符合历史发展规律，无论在认识上发生偏差，还是实践上遭遇失败，党都有能力纠正错误，继续前进。党的这种自我纠错能力恰恰是党的先进性的另一种体现。二、决定中国共产党先进性的主要因素（一）从党的阶级基础来看阶级性是政党性质的基础。中国共产党是中国工人阶级的政党，中国共产党先进性源自中国工人阶级的先进性。马克思主义认为，任何政党都有其阶级基础，代表着一定阶级的意志和利益，是这个阶级的组织者和领导者。工人阶级只有建立自己的独立的政党，它“才能作为一个阶级来行动”。中国共产党在1921年成立时明确指出：它是按照马克思主义原则建立起来的中国工人阶级政党。在党的二大通过的《关于共产党的组织章程决议案》中指出，中国共产党“不是知识者所组织的马克思学会，也不是少数共产主义者离开群众之空想的革命团体”，而是“为无产阶级之利益而奋斗的政党，为无产阶级做革命运动的急先锋”。1982年通过的党章又进一步规定“中国共产党是中国工人阶级的先锋队，是中国各族人民利益的忠实代表，是中国社会主义事业的领导核心”。这些定义尽管在表述上各有不同，但均把阶级性视为政党性质的基础，中国共产党是中国工人阶级的政党，工人阶级的先进性是中国政党先进性的基础因素。在建党初期，工人阶级同其他劳动者相比，具有如下的先进性：首先，工人阶级是同大工业生产相联系的，是先进生产力的代表者。他们与小资产阶级和农民的不同在于：其他的劳动者随大工业的发展不断地分化和破产，而惟有工人阶级则随着大工业生产的发展日益壮大，因而是最先进最有前途的阶级。其次，工人阶级在旧社会受剥削最重，在革命中失去的只是锁链，因此相对于其他阶级最富于革命的彻底性。第三，工人阶级在社会化大生产中，养成了集体主义和团结互助的精神，具有高度的组织性和纪律性。在半封建半殖民地的旧中国，工人阶级所受压迫更为深重，其先进性也更为明显。因此，建党初期，把工人阶级先锋队作为党的阶级性质，从根本上确保了中国共产党的先进性。在当代中国，工人阶级内部结构发生了种种变化，“工人阶级”这个概念的内涵已经深化，外延正在扩大，其主要表现为：一是中国工人阶级中增加了一个新的组成部分——知识分子。这种情况随着现代化进程的前进还会有所增加。邓小平早已从科学技术与生产力关系的分析中，做出了“知识分子是工人阶级一部分”的科学论断。江泽民同志也指出：“知识分子作为工人阶级的一部分，大大增强了工人阶级的科技文化素质”。二是中国工人阶级的主体发生了变化。过去，中国工人阶级的主体是产业工人，主要是体力劳动者，因为产业工人代表了社会先进的生产力。现在，在知识分子成为工人阶级一部分的条件下，掌握着先进科学技术的脑力劳动者更体现了先进的生产力，同时也具有了主体的意义；三是产业工人结构本身的变化。随着现代化进程逐步推进，第三产业将大大超过第一产业和第二产业，这是现代化进程的要求。在这种情况下，工人阶级原来从事的传统产业正在缩小，而那些符合社会需要的新兴产业正在扩大。在党的阶级性质问题上，工人阶级中所出现的下岗和失业等新情况，这些新现象会不会改变党对工人阶级是先进生产力代表的看法，会不会改变工人阶级的地位？工人阶级是同先进的社会化大生产相联系的社会集团，社会化大生产的发展意味着工人阶级整体素质的提高、整体队伍的发展和整体优势的发挥。淘汰，死亡、新生、发展的过程，正是当代中国社会经济结构特别是产业结构的战略性调整所带来的先进取代落后的进程，中国工人阶级的整体素质和整体优势正在通过这些阵痛性的大嬗变，进一步提高起来。正确对待这个问题，应谨防将工人阶级的地位和先进性，同旧体制下的“大锅饭”混为一谈。中国工人阶级结构的大变化，整体素质的提高，非但没有反而更强化了中国工人阶级的先进性和原有的历史使命，党作为中国工人阶级先锋队的性质没有改变。在党的阶级性质问题上，如何看待吸收有产者入党？有产者入党是否会破坏党的先进性？认识这一问题的关键是怎么看待财产，包括生产资料的所有问题。马克思恩格斯在《共产党宣言》中曾经说过：“共产主义并不剥夺任何人占有社会产品的权力，它只剥夺利用这种占有去奴役他人劳动的权力。”随着经济的发展，人民群众生活水平的提高，劳动者买股票办实业，投资行为不断增多，个人的财产也逐渐增加。江泽民同志在纪念中国共产党成立80周年大会讲话中指出：“不能简单地把有没有财产、有多少财产当作判断人们政治上先进与落后的标准，而主要应该看他们的思想政治表现和现实表现，看他们的财产是怎么得来的以及对财产怎么支配和使用，看他们以自己的劳动对建设有中国特色社会主义事业所作的贡献。”在社会主义条件下，劳动者与有产者并不是绝对对立的，有产与剥削并不是必然联系的。吸收那些靠劳动取得财产并通过支配财产为社会作贡献的有产者入党，会进一步扩大党的阶级基础，决不会改变党的先进性。（二）从党的指导思想来看政党的纲领和指导思想是其决定先进性的重要因素。中国共产党是马克思列宁主义毛泽东思想武装起来的党，这是党在思想上先进性的标志。马克思恩格斯在《共产党宣言》中明确指出，共产党人是工人阶级中最坚决的、始终推动运动前进的部分。马克思恩格斯认为，工人阶级不能自发地成为共产主义者，必须将科学理论灌输给工人阶级，才能由自发变为自为的阶级。列宁在缔造俄国布尔什维克的过程中指出，党是阶级的先进觉悟阶层，是阶级的先锋队。提出党是以马克思主义理论武装的工人阶级先进部队，认为党并非工人阶级全部，而是工人阶级的先进部队，其先进性的标志是马克思主义理论武装。列宁在同第二国际机会主义的斗争中，高度评价了革命理论对无产阶级政党的指导作用。他强调指出：“只有以先进理论为指南的党，才能实现先进战士的作用。” 马克思主义作为指导思想是共产党的灵魂，科学的世界观是共产党先进性的源泉。中国共产党是马克思主义武装起来的党，这是党在思想上先进性的标志。由于中国近代特殊的国情，中国革命采取农村包围城市的方式，使得党内以农民出身的党员为主要成份。毛泽东在红四军第九次党的代表大会决议中讲：“共产党内存在着各种非无产阶级的思想……种种不正确思想的来源，自然是由于党的组织基础的最大部分是由农民和其他小资产阶级出身的成份所构成的”。对于中国共产党来说，从思想上建党的问题显得尤其重要。工人阶级必须用先进理论来武装，农民、小资产阶级必须用先进理论改造思想。在指导思想方面，中国共产党为保持其先进性十分强调了以下三点：一是反对教条主义。党在成长过程中，教条主义、本本主义曾给党带来了巨大危害，但党也对此进行了不懈的斗争。原则不是出发点，理论不是教条而是行动的指南，这是经典作家公开申明的。马克思主义之所以在中国得以传播发展，就是因为它所具有的实践功能，满足了中国革命的需要，因而才产生了马克思主义与中国革命实践相结合的理论成果——毛泽东思想。二是马克思主义中国化。马克思主义在中国必须得到新发展。马克思主义作为一种科学的世界观，具有与时俱进的理论品质，是开放的而不是封闭的体系。在当代中国，邓小平理论、“三个代表”思想以及科学发展观，就是在新的历史条件下对马克思列宁主义毛泽东思想的新发展，与马克思列宁主义毛泽东思想是一脉相承的科学体系。三是党的指导思想一元化。指导思想不能多元化，一元化与“双百”方针是辩证统一的。指导思想本身必须保持先进地位，必须与时俱进，符合人类文明发展的方向，与中国现代化实践相结合。在不同历史时期，党必须根据指导思想及时调整政策，适应历史变化的要求。（三）从组织制度来看组织制度对政党具有约束、强制、保障的特性。中国共产党的民主集中制，在一定程度上成为确保党的先进性的一个强有力的组织保障。中国共产党实行民主集中制，首先是以党内政治民主为基础和前提。正如恩格斯所说：“其组织本身是完全民主的”，“现在一切都按这样的民主制度进行” 。党内民强调党内“员的平等性、充分的权利、领导者权利的限制性以及重大问题集体决策性。党的这种政治上的民主性，构成了党的先进的政治路线。中国共产党实行民主集中制，同样强调健全党的有效监督和约束机制。邓小平说：“所谓监督来自三个方面。第一，是党的监督。……要求党的生活严一些，也就是说，党对党员的监督要严格一些……。第二，是群众的监督，要扩大群众对党的监督，对党员的监督。第三，是民主党派和无党派民主人士的监督。要扩大他们对共产党的监督，对共产党员的监督。” 。正是这三种监督，在一定程度上使得党能不断克服各种可能滋长的毛病，从而确保它的先进性。中国共产党实行民主集中制，重在四个服从：即党员个人服从组织，少数服从多数，下级服从上级，全党服从中央。尤其是党中央坚强的领导集体的权威作用，保证了党的各项正确方针、政策及目标的实现。中国共产党实行民主集中制，特别重视决策的科学化、民主化。江泽民在党的十四大报告中指出：”决策的科学化、民主化是实行民主集中制的重要环节，是社会主义民主政治建设的重要任务。领导机关和领导干部要认真听取群众意见，充分发挥各类专家和研究机构的作用，加速建立一套民主的科学决策制度。“把决策的科学化、民主化看作是民主集中制的重要环节，必将使中国共产党保持活力和战斗力，永葆其先进性。三、判断中国共产党先进性的主要标准江泽民同志在庆祝中国共产党成立八十周年大会讲话中指出：”看一个政党是否先进，是不是工人阶级先锋队，主要应看它的理论和纲领是不是马克思主义的，是不是代表社会发展的正确方向，是不是代表最广大人民的根本利益。“在新的历史条件下，中国共产党要保持自己的先进性，就必须做到三个代表。因此，三个代表就是判断中国共产党是否具有先进性的标准。三个代表是有机统一的整体，先进生产力是基础，先进文化是灵魂，广大人民根本利益是宗旨。（一）生产力标准生产力是人类征服自然改造自然的能力，是人类社会发展的最终决定力量。中国共产党领导人民进行解放生产力和发展生产力的各项变革及其所取得的成就，构筑了其先进性的生产力基础。20世纪20年代，曾在中国思想界发生过一场社会主义大论战，论战双方在同一个问题上即如何迅速发展生产力的问题上展开争论，一方认为中国生产力水平低，先通过发展资本主义使生产力水平提高，等生产力发展到一定水平，再实行社会主义；另一方认为，发展生产力可采取社会主义方式，社会主义为生产力的迅速发展提供了比资本主义更为优越的条件。后者的观点正是中国早期共产党人的主张，实践证明，这一主张具有划时代的历史意义。邓小平在强调发展社会主义生产力的重要性时，曾指出：“讲社会主义，首先就要使生产力发展，这是主要的。只有这样，才能表明社会主义的优越性。社会主义经济政策对不对，归根到底要看生产力是否发展，人民收入是否增加。这是压倒一切的标准” 。马克思主义关于生产力是社会发展的最终决定力量的科学原理，特别强调科技发明在推进生产力发展及社会进步中的伟大作用。中国共产党提出科学技术是第一生产力，并极力推进”科教兴国“战略的实施，大大提高了全民的科学技术水平，进而促进了生产力水平的整体提高。产业结构的战略性调整，是当代中国先进生产力的发展要求。中国共产党大胆地领导了对中国传统产业的改造，调整并优化了中国的产业结构，从而提升了中国生产力的总体水平。先进生产力要求生产关系不断地为其开辟发展道路。中国共产党领导的经济体制改革，其主要目的在于改革那些与生产力发展不相适应的生产关系，二十多年的改革成就已经证明，中国生产力的发展速度一直位于世界前列。（二）文化标准先进文化是人类文明进步的结晶，是推动人类社会前进的精神动力和智力支持。中国共产党领导中国人民所进行的中国特色社会主义文化建设，形成了其先进性的内在灵魂。从历史上看，中国共产党的诞生是新文化运动的产物。马克思主义是作为超越西方资本主义文化弊病的新文化来被先进的中国人所接受的。党成立后，在领导中国革命的过程中，特别重视文化建设，批判封建主义文化和帝国主义文化，努力建设新民主主义文化。新民主主义文化，便是半殖民地半封建中国社会的先进文化。中国共产党把一个被旧文化统治因而愚昧落后的中国，变为一个被新文化指导因而文明先进的中国。历史昭示出文化的先进性与政党先进性的关系。从现实来看，文化是综合国力的重要标志，文化建设与精神文明建设是一致的，文化建设的根本是在全社会形成共同理想和精神支柱。中国共产党领导的中国特色社会主义文化建设的伟大实践，首先坚持的是马克思主义的指导，坚持马克思主义的实践性和批判性。坚持实践性，党强调文化建设要与时俱进，保持时代精神的精华，实现改造世界的功能，体现时代精神；坚持批判性，党强调文化建设要自我变革、自我扬弃，在发展中不断实现否定之否定，体现创造精神。其次贯彻的是百花齐放、百家争鸣的方针，主张古为今用、洋为中用、批判继承、综合创新，正确处理中国传统文化、西方近现代文明与马克思主义的关系，反对民族虚无主义和全盘西化。既唱响社会主义文化的主旋律，又继承和发扬一切优秀的文化成果；既与中国现代化实践相结合，又引领人类文明发展的方向；既保持文化的民族性，又体现文化的人类性。中国共产党所领导的新时期先进文化建设，保证了社会主义先进文化的与时俱进的时代内涵。（三）利益标准先进的政党之所以是先进的，归根到底要看它是否能够代表最广大人民的利益。中国共产党正是因为能始终坚持人民利益至上的宗旨，所以其先进性才经得起检验。中国共产党是为绝大多数人谋利益的政党，这与历史上为少数人谋利益的政党有着根本的区别。它能够而且必须能够始终代表人民的利益，而以往的政党和阶级的统治者也可能在夺取政权之前能够顺应民意，而在掌权之后就会逐渐走向人民的对立面。毛泽东在《论联合政府》中讲到，共产党人的一切言论行动，必须以合乎最广大人民群众的最大利益，为最广大人民群众所拥护为最高标准。应该使每一个同志懂得，只要我们依靠人民，坚决地相信人民群众的创造力是无穷无尽的，因而信任人民，和人民打成一片，那就任何困难也能克服，任何敌人也不能压倒我们，而只会被我们所压倒。正因为如此，党能够始终代表人民群众的根本利益，并始终保持同人民群众的血肉关系。在革命时期，人民的根本利益是翻身解放做主人，在社会主义建设时期，人民的根本利益则是发展社会生产力，满足人民日益增长的物质本，可持续发展，体现了党中央求真务实的精神，体现了发展为了人民、发展依靠人民、发展成果由人民共享的要求，通过统筹兼顾各方面利益群体，建立和谐社会，通过可持续发展保证人民的最根本、最长远的利益。我们相信，中国共产党是能够与时俱进的，是能够经受住新时代考验的，是能够带领中国人民走向新的胜利的先进的