RF sputtering 　　在射频电压的作用下，主要利用离子对靶材表面的轰击进行的溅射称为射频溅射。在射频溅射设备中，阴极安置在绝缘靶材后面，把射频电压加在靶上。射频电压的正半周扫掉（中和）了靶材周围的空间电荷（它妨碍溅射），而负半周内溅顺利产生。这就是射频溅射的基本原理。射频溅射主要用于溅射介质材料，也可射频金属和半导体等材料。

　　射频溅射的特点是；溅射速率快，膜层致密，针孔少，纯度高，膜与基片的附着牢。所以在集成电路的制作中得到广泛应用。

　　在典型的二极溅射设备中添加一个产生等离子体的装置就组成等离子体溅射。产生等离子体的方法很多。有用热灯丝发射电子的，称为四极溅射，在这种装置中，除灯丝外还有一个辅助阳极用来加速电子，一个外加磁场用来聚集等离子体。也有用高频线圈激励产生等离子体的。高频溅射中的双高频溅射就属于此类。用等离子溅射薄膜的密度和纯度，制作薄膜的重复性好。

　　离子束溅射是指在高真空中离子以束状(动方向一致)轰击靶材而进行的溅射，其基本原理是采用一个产生离子的离子枪，离子枪充入氩（Ar）、氙（Xe）等惰性气体，离子枪工作时真空气压为10^-5~10^-6毫米汞柱。采用一定的方法使离子枪中的气体电离，形成等离子区。然后向高真空中引出离子束打击靶材料而发生溅射，溅射出来的原子淀积在基片上而形成薄膜。

　　这是借助在沉积过程中将用于沉积膜层的化合物在高温下分解沉积，或在高温下添加氢一类的还原剂化合沉积，从而在基片上形成一层薄膜的方法。

　　沉积用的材料，主要是挥发性化合物，如各种卤化物、碳络金属及金属化合物。

　　它是一种复印图象和化学腐蚀相结合的表面加工技术。先用照相复印的办法，将光刻掩膜上的图形精确地印制在涂有光致抗蚀剂基片的金属薄膜上，然后用光致抗蚀剂的选择性保护作用，对金属薄膜进行化学腐蚀而刻出相应的图形。光刻工艺一般分为涂胶、前洪、显影、坚膜、腐蚀和去胶等工序。

　　光刻通常可以分为正刻（直刻）和反刻。直刻就是通过光刻掩模直接刻出所需薄膜图形。反刻是先对一层易于腐蚀的过渡金属膜（通常采用铜）刻出与所需图形相反的图形，然后淀积上所需薄膜，再腐蚀掉过渡金属膜，即可得到所需薄膜图形。

　　所谓封装就是将已经做好的厚膜、薄膜集成电路（单片或者多片），封在一定结构的外壳内，并通过过渡引线（或没有）与外壳的外引线连接，构成一单元电路，以保护电路不受或少受外界气氛的影响。所有封装材料不同，可分为塑料封装、金属壳封装和陶瓷金属封装（前者属半密封、后两者属全密封）。同一种封装材料可以作成不同形式的外形封装结构，因此厚膜、薄膜集成电路的封装如按照其外形结构分，有晶体管罩式封装、立式封装、卧式封装以及同轴引出金属空腔封装等。

　　塑料封装的优点是能减轻电路重量，缩小体积，节省金属材料，降低成本，减少工序，提高生产效率，并且适宜于机械化、自动化生产，同时可靠性也较高。缺点是气密性差。

　　一般是指以氧化铁和其它铁族或稀土族氧化物为主要成分的复合氧化物。它们大都具有亚铁磁性。
　　常用的铁氧体材料按晶格类型分为三种：1.尖晶石型铁氧体，主要用作软磁、旋磁、矩磁材料；2.石榴石型铁氧体，主要用作旋磁材料和磁泡材料；3.磁铅石型铁氧体，主要用作永磁、高频软磁、毫米波旋磁材料。

　　与金属磁性材料相比，铁氧化具有下列特点：1.铁氧体的电阻率远比金属高，约为1~1012欧姆.厘米。因此，在交变磁场中涡流损耗和趋肤效应均比较小。在微波领域中，铁氧体还具有旋磁性，可制成各种旋磁器件。2.饱和磁化强度低。因此，不适用于需要高磁能密度的场合（如电力工业）。3.居里温度一般比较低。

　　是“铁氧体”的旧名称。

　　对某些电介质施加机械力引起内部正负电荷中心相对位移而发生极化，导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷，其电荷密度与外力成比例，这种现象称为压电效应（或正压电效应）。反之，如果将具有压电效应的介质置于外电场中，由于电场的作用会引起介质内部正负电荷中心位移，而这一位移又导致介质发生形变，这种效应称为逆压电效应。

　　用于制作电真空器件的密封和绝缘结构零件的陶瓷，称为电真空瓷。属于这一类陶瓷材料的有氧化铝瓷、氧化铍瓷、镁橄榄石瓷和氧化硼瓷等。

　　电真空瓷必须具备下列几种特性：真空气密性好，高温下蒸气压低，低的介质损耗角正切值，小的介电常数，高的绝缘强度和机械强度，高的导热系数，适当的线膨胀系数，热稳定性好和化学稳定性好，以及瓷件尺寸精度高等。

　　氧化铍（BeO）瓷的最大特点是导热系数高，近似于金属铝，又具有良好的绝缘性能。氧化铍的导热性能受氧化铍（BeO）含量的影响较大，如95%氧化铍瓷的导热性能只有99%氧化铍瓷的80%左右。

　　氧化铍瓷的主要原料是氧化铍粉未。另外，为了降低烧成温度，常加入适量的添加剂氧化镁（MgO）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化钙（CaO）、二氧化硅（SiO₂）等。工艺流程与一般的电子陶瓷相同，只是它的烧结温度较高，通常在氢气炉或真空炉中进行烧结；烧成气份对致密烧结影响较大。为提高制品的致密度，也可采用热压烧结。由于氧化铍粉未有剧毒，在生产上需采取特殊的防护措施，如抽风，防尘和污水处理等设施。

　　氧化铍瓷是优良的高导热绝材料，其电性能近似于氧化铝瓷。它用于制作晶体管的管壳、管座、散热片、功率较大的集成电路和微波集成电路基片、波导窗，以及用空间技术、电子能等方面。

　　是利用压电无件受到冲击力产生高电压，该电压通过间隙放电，产生火花，导致气体引燃的装置。制作这种元件的压电陶瓷要求具有较大的压电电压系g和尽可能高的介电常数ε。同时还要求它具有较好的机械强度和耐冲击的稳定性。

　　压电陶瓷气体火花塞除在民用装置中用作点火元件外，在军用装置中（如弹药的引信等）也得到较多的应用。

　　用电压电陶瓷做成的打火机，称压电打火机，又称电子打火机。其工作原理和基本要求与“压电陶瓷气体火花塞”同。

　　在电池的正、负极间起离子导电作用的导体。电池的电解质主要有酸类、碱类、盐类的水溶液以及有机溶剂和熔融盐。电解质为液体状态的电解液。

　　电池的电动势等于组成电池的两个电极的平衡电位之差，它是电池在理论上能够输出多大能量的重要量度之一。如果其它条件相同，则电池的电动势愈高，理论上输出的能量就愈大。

　　又称闭路电压、工作电压或放电电压。是指电池接通负荷时在放电过程中所显示的电压。负荷电压的大小，不仅随所加的负荷不同而异，贮存条件、工作温度对它也有影响。

　　也称标称电压，是指按技术标准规定应当达到的电压。

　　电池内阻是指电池内部元件（如电极、隔膜、电解液等）所具有的电阻以及电化学反应过程中电极极化所引起的阻抗之总称。它是决定电池工作制度的重要参数之一。电池的内阻大，放电时电池内部的能耗就大，因而电池的工作电压和输出电流就小，电池就不能用于大电流放电。反之，电池的内阻小，放电时电池内部的能量消耗就小，电池的工作电压和输出的电流就大，就可以用于大电流放电。

　　电池容量即电池所能输出的电量，也就是放电电流与放电时间的乘积。通常以安培?小时（A?h）来表示。

　　电池能量是指电池在一定条件下所能给出的电能。电池的实际能量，等于电池的实际容量与平均工作电压的乘积。能量通常用瓦时（Ｗ?h）表示。

　　电池功率是指电池在一定放电规则下，于单位时间内所给出的能量大小，其单位为瓦（Ｗ）或仟瓦（kW）。电池的功率决定着电池的工作能力，如果一个电池的功率大，则表示该电池在单位时间内输出的能量多。

　　指循环次数或使用期限。每充电和放电一次，叫做一次循环或一个周期。在保证输出一定容量的前提下，蓄电池所能经历的循环次数或时间，称为蓄电池的使用寿命。

　　是以硅为基体材料的太阳能电池。它分为以Ｐ型硅为基体的Ｎ＋/Ｐ型电池和以Ｎ型硅为基体的Ｐ＋/Ｎ型电池两种。前者耐辐照性能好，后者效率较高。硅太阳能电池光电转换效率高，产品效率在8～13%之间，最高达成19%，重量轻，可靠，能长期工作，能经受外层空间的复杂环境等。缺点是成本高、占面积大、机械性能差、材料利用率低。它已广泛用于人造卫星、宇宙飞船和星际站作主要电源。地面上可用于无人灯塔、无人气象站、微波中继站、航标灯、地震观察站等作电源。还可作光电元件用于自动化系统中。

　　在电压较高的整流器中，整流元件所受的反向电压较高，可以把一定数目的整流元件串联起来。在要求输出电流较大的整流器中，可以把一定数目的整流元件并联起来。

　　在整流元件串联或关联使用时，要求各整流元件的性能应基本上一致，否则在串联使用时各整流元件的反向电压分配不均匀，引起击穿，在并联使用时正向电压分配不均匀，引起过载。但是半导体二极管各有其自己的温度系数，不可能做到在不同温度下性能基本一致，因此有时在串联或关联时采用的均衡电阻，以使的反向电压或正向电流更接近于均匀分配。当然，这样做会使整流效率略有下降。

　　在高压整流器中，整流元件所承受的反向电压很高，为了满足这个要求，采用一种耐高反压高压硅堆，它是由相当多的硅二极管串接起来组成柱状体，并带有电压均衡电阻。

　　它是佛电源变压器和整流元件所组成的电路。
　　整流线路的形式很多，但常见的可根据如下特征来分类：
　　(1)按电源变压器初级绕组相数分，有单相和三相整流线路；
　　(2)按所供交流电变化一周时，电源变压器的每个次级绕组仅在半周内通过整流电流或正、负两面三半周内都通过整流电流来分，有半波和全波整流线路。

　　整流器可按所用整流元件不同分类，也可按整流线路不同来分类。在按整流线路分类时，整流器可分为：单相半波、单相全波、三相半波、三相全波整流器。还应指出，在单相全波整流器中，如果整流元件接成电桥电路，则通常称其为单相桥式整流器；三相全波整流器的整流器的元件实质上是由三组电桥电路组成的，故常称三相桥式整流器。

　　可控硅做整流元件的整流器叫做可控硅整流器。实现这种整流器的输出电压调节，常用触发电路，送给可控硅的控制极以不同相位的功率很小的触发信号，这就使调压装置的体积、重量大为减小，效率大为提高。

　　可控硅整流元件简称可控硅，它是一种新型的大功率硅半导体器件，其电气性能与闸流管类似，又称为硅闸流管。其内部是由PNPN四层半导体构成，它中间形成三个P-N结：J1、J2和J3。有三个电极，分别为阳极、阴极和门极（或称控制极）。

　　如果门极不加电压，在阳极与阴极间加上正向电压时，因有反向P-N结在J2阻挡，可控硅不导通。阳极与阴极加反向电压时，有两个反向P-N结J1、J2阻挡，可控硅也不能导通。所以门极不加电压，在正常的情况下，可控硅两个方向都不通，处于阻断状态。如果在阴极与阳极间加上正向电压，同时在门极与阳极间也加上一个小的正向电压时（常称此电压为触发信号），可控硅就变成导通状态，通过较大的电流，但正向电压降很不（约1伏），外加电压几乎全部加到负载回路上去。可控硅一旦导通，门极就失去控制作用，即使去掉触发信号、或者触发信号极性相反，可控硅都将继续保持导通状态。要使可控硅恢复阻断必须使通过阳极与阴极间的电流（阳极电流）小于某一数值（称为维持电流，约几十毫安），或所加正向电压为零，或加上反向电压，可控硅才恢复阻断状态。可见，可控硅与一般硅整流元件相比，除具有单向导电性外，主要的是具有可控的特性，即用一个小的控制电流，就可以控制一个很大的功率（几百安培、甚至1000安培以上）。由于可控硅具有体积小、重量轻、寿命长，效率高、功率大、耐震、防潮等一系列优点，因此广泛地应用于可控整流、交流调压，无触点开关、逆变器等装置中。

　　将直流电源变换成固定频率可频率可调的交流电源的可控硅装置，称为可控硅逆变器。逆变器种类很多，按不同分法有：有源或无源逆变器，串联或关联逆变器，以及单相或三相逆变器等。它可作为电子设备的电源或应急电源等。

　　现以单相串联逆变器来说明其工作过程：当可控硅SCR1被触发导通时，电流经L1、C、R回路流通，由于L1C振荡，在负载R上得电流的正半周，同时给电容C充电（左正右负），若在充电电流下降为零时（此时Uc=E），触发SCR2，则电容C沿L2、SCR2、R回路放电，又形成一次振荡，负载R上得到电流的负半周。在C放电的同时，在电感L2上产生感应电势（上正下负），此电势给SCR1施加反压，使其关断。当负半周电流降到零时再触发SCR1，同时将SCR2关断，如此循环下去，SCR1，SCR2轮流导电，负载上就可得到交流电。交流电的频率由触发信号频率决定。

电容滤波器和电感滤波器
　　这两种滤波器仅由一电容器或阻流圈组成，所以叫做电容或电感滤波器。
　　电容滤波器的滤波作用是由于电容C0对于整流后电压交流分量起着旁路作用，从而负载电阻RL上电压的交流分量就下降了。显然C0越大，滤波作用越大。

　　电感滤波器的滤波原理是这样的，阻流圈的电感相当大，整流后电压的交流分量的大部分降落在电感上，因而负载电阻RL上的电压就比较平滑了。显然阻流圈的电感越大，阻流圈的滤波作用越大。

　　这种滤波器可接成倒L型、л型和多节的。
　　倒L型LC滤波器的滤波作用是这样的，整流后电压的交流分量一部分降落在电感L上，同时电容C1又起着旁路作用，从而负载电阴RL上电压交流分量大为降低。

　　л型LC滤波器是在倒L型滤波器的输入端再并接电容C0，从而滤波系数比倒L型的增大了。如果需要再增大滤流系数，可用多节LC滤波器。

　　这种滤波器有倒L型或л型电路，有时为了得到两种不同整流电压，采用RC滤波器作为LC滤波器辅助滤波器。

　　RC滤波器具有较小体积和重量，并且比较经济，但是滤波电阻R既产生整流电压的交流分量电压降，又引起直流电压降，后者应该尽可能小一些，因此RC滤波器适用于负载电阻较大而负载电流较小的场合，这时R上直流电压降就比较小。

　　前面所进的RC滤波器，如果滤波电阻R和电容C1愈大，则滤波作用愈强。但是电阻R又不能取得太大，因为R太大直流电压损失太大；其体积、漏电、成本也就增加了。如何解决这个矛盾，即要求有较好的滤波作用，直流电压损失和电容C1又不太大？这可采用晶体管滤波器。

　　基本晶体管滤波器。偏流电阻Rb一般是很大的，它与电容C1组成具有很强滤波作用的RbC1滤波电路，使晶体管BG的基极波纺极小，从而射极波纹也极小。但由于Ie=(β+1)Ib,，基极电阻Rb折合到发射极来相当于Rb/β+1，因此这样的滤波器的滤波作用相当于普通RbC1滤波器，而直流电压的损失减小了（β+1）倍。此外，晶体管滤波器提电容C1的一端是接在基极的，它所起的滤波作用与一端接于发射极的电容（β+1）C1相当。因此晶体管滤波器较好地解决了上面提出的矛盾。

　　凡是稳压器的闭环控制系统可以看成线性调整系统的就称为线性稳压器。其中的电子管和晶体管都工作在线性放大区，例如电子管稳压器、晶体管串联稳压器、晶体管并联稳压器都是线性稳压器。它们具有稳定度高、波纹小的优点，缺点是效率低、体积大。

　　稳压器的性能参数分为两种。一种是特性参数：输出电流，输出电压和电压调节范围；另一种是质量参数，反映一个稳压电源的优劣，包括：稳压系数、输出阻抗、温度系数、波纺电压、调整时间和效率等。

　　它是电子设备中用以通、断开和转换电路的机电元件。
　　电子设备用的传统的机电开关一般由动触点、定触点、传动定位机构（如旋转式开关的跳步机构）以及装置部件等组成。

　　对开关的主要性能要求是：接触良好、换位清晰、转换力矩适当、定位准确可靠、绝缘良好、使用寿命长。对某些应用场合还要求具备特殊环境适应能力。

　　开关的分类，按驱动方式可分为手控和检测两个大类；按应用区分，则有波段开关、电源开关、控制开关、转换开关、断路开关、行程开关、终点开关、门开关等等；按有无触点区分，则有机电开关与固体开关之分。

　　目前在各类手控开关中采用固体开关技术的有键盘开关、微动开关以及指轮开关等。而在键盘开关中已采用的固体技术有电容耦合、霍尔效应半导体、磁敏变阻器、铁氧体磁芯等型式。

　　用转轴带动带有动触点的绝缘基片旋转，使动触点与定触点接通、断开和换位的开关，称为旋转式开关。

　　旋转式波段开关主要用于电子设备中换接高频低电流负荷（一般在0.5安以下）的电路。
　　旋转式波段开关的接触开式大多采用切入式触点。其定触片和动触片分别装在每层开关片的绝缘基片上，动触片绝缘基片装在转触轴上，定触片绝缘基片装在框架上，通常用旋钮来转动转轴，使动触片依次与定触片接通或断开，以进行电路换接。

　　旋转式波段开关可组装成不同的层数，并常按位数和刀数（即动触片数）组成不同规格，以满足不同数目电路的换接需要。

　　旋转式波段开关的结构类型很多，跳步机构有片簧式、拉簧式、滚珠式和滚轮式等；开关片有敞开式、封闭式等；安装方式还有半密封式结构；绝缘基片有纸胶板、塑料、陶瓷等几种；接触形式还有滑动式（压接式）结构。

　　钮子开关主要用于交直流电的通断控制，但一般也能用于几千赫或高达1兆赫的电路中。
钮子开关的动定触点及转换机构装在绝缘壳体内，其上部是螺管和钮柄。当拨动钮柄时，钮柄借助弹簧的作用，推动其动触点与定触点进行快速接通与断开，从而实现了电路的换接。
钮子开关由螺管和螺母安装在机架面板上，露出钮柄，以便操作。

　　钮子开关动触点的配置分单刀、双刀、三刀、四刀等。钮子开关操作位置有二位和三位两种。三位开关又可有某种一边位置不定位等。同时，其连接电路种类也较多。

　　钮子开关的钮柄种类繁多，如金属圆锥钮柄、塑料圆锥钮柄、荧光钮柄、塑套钮柄、桨式钮柄等。锁杆式钮柄适用于有危险的操作场合。还有“提拔解锁”式钮柄，其上加有弹簧，螺管口端有铣槽，操作人员须先把钮柄提起，而后推向另一位置，以保证安全工作。

　　滑动开关又称拨动开关。它主要供要求占空小、操作轻快的小型电子仪器设备及收音机中换接电路和波段之用。

　　滑动开关的定触片安装在绝缘座上，动触片安装在钮柄上。常用的双珠压簧式跳步机构的滑动开关，当手指推动钮柄时，钢珠在压簧的作用下，从一个定位槽进入另一个定位槽中，这样便使安装在钮柄上的动触片从一个定触片换接到另一个定触片上。

　　滑运开关的跳步机构有心形式、双珠压簧式、单珠压簧式。接触形式有切入式、滑动式、对接式。

　　滑动开关的刀数有二刀、三刀、四刀和六刀等，其位数一般有二位和三位等。由于刀数、位数较少，因而只适用于简单电路中。

　　琴键开关又叫键式开关（key switch）
　　键式开关是由若干档单键开关组成的开关组，形同琴键，故称键式开关。
　　键式开关每档由按钮部分（按键）、传动机构和接触部分组成，并通过安装键架、以及联动机构组成键式开关。键式开关一般是多档单排的，也可做成单档的、或多档双排、多档多排等。

　　键式开关各档的按钮可以有各种颜色的，形状可以做成方形、矩形、圆形等。按钮部分也有带照明指示及显示符号、文字的。一般要求外形美观。

　　接触部分一般采用滑动式触点组，也有簧片式等其它形式，滑动触点组每档有2、4、6、8等不同刀数的转换触点组，供转换低电流电路用。有的键式开关带有电源开关档，专供电源通断用。

　　键式开关常见的有直键开关和琴键开关。直键开关按键的动作方向与传动方向不一致，一般差90°。

　　它是在电子设备中作为波段转换用的开关。

　　它是用于控制电源电路通断的开关。

　　它又称门锁开关。系指在危险区门上（或其它地方）的联锁安全保护开关。当门打开时，门开关就将电源切断。

　　系指触点部分密封在高真空中的继电器。一般可供自动装置作快速开闭高压或大功率电路之用。

　　系指用直流电进行控制的继电器。其铁芯极面一般采用极靴，以改善吸力特性；为了提高释放电压（电流），通常在衔铁与铁芯极面之间加隔磁钉。

　　它是用交流电进行控制的继电器。由于其磁路的导磁零件存在涡流和磁滞损耗，因此一般采用硅钢片制成；为了减小或消除衔铁颤动，通常在铁芯部分极面上加短路环。

　　系指利用场效应管开关特性制成的一种固体斩波器。其主要特点为：由于没有象机械斩波器那样的不可避免的触点故障，故可靠性较高；借助集成电路化，有进一步小型化的可能性；借助集成电路化，有进一步小型化的可能性；噪声电平较低。与晶体管斩波器相比，其优点是：开路电阻高达１兆欧以上；驱动电压和信号电压本质上是隔离的。

stepping motor 　　步进电动机是一种将电气脉冲信号转换成机械角位移或线位移的可控的机电伺服元件。转换成角位移的称为旋转式步进电动机；转换成线位移的称为直线步进电动机；能够转换成平面座标上任一位置的称为平面型步进电动机；能够转换成空间任一位置的称为立体型步时电动机。

　　所谓“步进”是指：在绕组上只要施加一个电脉冲，电机就旋转一步或移动一步，加两个脉冲就走两步，加几个脉冲就走几步。其机械位移量与脉冲数在误差范围内严格成正比。

　　步进电动机一般都是在数字程序控制系统中用作伺服元件，例如在数控线切割机床、数控铣床中，用其带动一些断续控制的系统与仪表中。

　　变压器是变换电压、电流和阻抗的器件。它是利用电磁感应的原理制成的。当初级加上交流电源电压后，在铁心中产生交变磁通，从而在次级上产生感应电压。由于利用磁耦合来达到变换电压的目的，因而在初级和次级之间没有电的连接，这样就可以较好地分隔两个回路。在理想情况下，初、次级的电压与初、次级的线圈匝数成正比，初、次级电流与初、次级线圈匝数成反比，初、次级的阻抗与初、次级的线圈匝数的平方成正比。

　　一般变压器主要由铁心和线圈（又叫线包）两部分组成。线圈有两个或更多的绕组，接电源的绕组叫初级，其余的绕组叫次级。

　　采用变压器后，虽然达到了对电压、电流和电阻抗进行变换的目的，但增加了电子设备的体积、重量，产生了杂散磁场干扰。因此，在研制新型的电子设备变压器时，就力求体积小、重量轻、成本低；同时，也要考虑在电路中少用或不用变压器的可能性。

　　变压器的主要参数有：电压比、电压调整率、铜阻、效率、温升、抗电强度等。不同类型的变压器又各有一些特殊要求。

　　电子设备用的变压器应该有足够长的奉命。对低压变压器来说，决定寿命的主要因素是热老化：绝缘系统长期在高的温度下工作时，由于漆膜挥发、绝缘材料脆化、开裂，因而产生电击穿。工作温度每增加8～10℃，寿命就会降低一倍。对高压变压器来说，电晕放电往往是决定寿命的主要因素：存在电晕放电的变压器的寿命长短与工作频率、电场强度、绝缘材料的而电晕性、工作电场强度等有关。为了保证高压变器的寿命，应避免出现电晕放电现象。

　　在各种环境条件中，对变压器可靠性影响最大的是潮湿。防潮性能不好的变压器长期暴露在湿热的气候条件下，会出现绝缘电阻严重下降、绝缘击穿、烧毁等故障。在此较重要的无线电产品上使用的变压器，必须采取有效的防潮措施。

　　电源变压器有狭义的和广义的两种意义。一般小型无线电设备电源部分只有一只变压器，它具有供整流电路用的高压绕组，又有供灯丝加热用的灯丝低压绕组，狭义的电源变压器仅指这一类变压器。在大、中型无线电设备中，电源部分比较复杂，往往使用较多种类和较多数量的变压器。这时，电源变压器就成了电源部分所采用的各种变压器的通称。

　　无线电设备电源部分所用的变压器分类如下：

　　对一只电源变压器来说，主要的技术指标有：工作温度等极、额定功率、温升、额定电压和电压比、电压调整率、绝缘性能和防潮性能。对某些无线电设备来说，还要力求减小电源变压器所产生的杂散磁场的干扰，有时需要在电源变压器外加上短路环或磁屏蔽罩。为了防止电源线传来的各种干扰，往往在电源变压器初、次级之间加入静电屏蔽。

　　次级电压供给整流器的变压器件叫整流变压器或阳极变压器。中小功率的整流变压器与一般电源变压器的技术要求相同。大功率的整流变压器则有时用三相电源，可以大大减小整流后的平滑滤波器的体积。

　　由于整流变压器线圈内电流的波形和导通角是由不同的整流电路决定的，故它的初、次级电压、电流的换算关系要根据整流电路的特点来决定。

　　一般电源用的硅钢铁心电源变压器很笨重，在电子设备中占的体积、重量比例很大。为了进一步使电子设备小型化，近年来研制出了开关式电源。市电电源直接整流（不用变压器），然后用大功率晶体三级管将直流转换为25千赫～50千赫频率的方波，通过一只采用铁氧体磁心的电源变压器按需要变换出不同电压后供给电子设备。

　　这种变压器的特点是：采用铁氧体磁心，而且体积小、重量轻；工作频率高于音频，无噪声。目前能达到的功率为几百瓦。

　　输入变压器是接在放大器输入端的音频变压器。它的初级接到传输电缆（如广播、通信设备中）或话筒，次级接到放大器第一级的栅极或基极。它的作用主要是升高信号电压，并且保证放大器输入阻抗与传输线或话筒阻抗匹配。这类变压器的输入信号电平都比较低，往往需要磁屏蔽和静电屏蔽。初级接话筒的叫话筒变压器。输入变压器的铁心常用坡莫合金和高磁导率铁氧体制成。

　　习惯上也把晶体管收音机低放级与功放级之间的变压器也叫作输入变压器，实际上这种变压器属于级间变压器。

　　行输出变压器是接在电视设备行扫描电路输出级的变压器。它的主要作用有两方面：一方面，使行偏转线圈与行输出管匹配。对行输出管只要供给较小的电流，那么，只要对变压器圈数比进行变换，就可在行偏转线圈中得到所需的较大电流；另一方面，变压器的高压线包将行扫描逆程产生的高压升高到需要的数值，经过整流后供给显像管。专业用的某些电视设备中的行输出变压器有时没有高压线包。

　　行输出变压器的某些参数会影响电视设备的图像指标。例如，变压器的自感的大小以及接行偏转线圈的抽头圈数的选择，将会影响光栅的水平幅度和水平线性；变压器的漏感和分布电容有时产生所谓振铃效应（即一定形成的振荡），使电视机荧光屏左端出现垂直黑白条纹。行输出变压器较常出现的故障是，高压线包被击穿烧毁。

　　行输出变压器的铁心均采用铁氧体。它要求损耗低、并且在较高的工作温度和磁通密度时磁导率较为稳定。

　　近年来，在一些新型电视接收机中采用了无电源变压器电路。这种电路中的行输出变压器次级增加了一组或几组低压线圈，经整流滤波后。这种电路中的行输出变压器一般不采用自耦式，以便与市电电源隔离，避免机壳带电。

　　由于铁心的磁导率高，故在变压器中使用铁心就能用很小的电能来产生所需的交变磁通，或以较少的圈数得到所需的电感量。因此，除工作频率较高的变压器外，一般变压器都具有铁心。铁心由磁导率较高的软磁材料制成，一般要求它的磁导率高、损耗小、磁感应强度高。由于铁心损耗与工作频率有关，因此，随着频率的不同，制造铁心所有的材料也不同。

　　电源变压器的工作频率一般约为50~1000赫。它往往采用电工硅钢板或硅钢带，其厚度常用的有0.35、0.2、0.08毫米等。

　　音频变压器的工作频率从几十赫到若干千赫，一般也采用电工硅钢带或硅钢板。低电平的音频变压器由于工作磁通密度很低，要求在低磁通密度下也具有高磁导率，故常采用坡莫合金或高磁导率铁氧体。

　　中频和高步变压器的工作频率由几百千赫到若干兆赫。它一般采用铁氧体材料作心。

　　利用化学方法在物质表面上覆盖一层金属叫化学镀，或称它化学沉积。目前在印制线路板的制作中，孔金属化的第一道工序就是化学镀（沉铜）。

　　将导电箔的不需要部分以化学或电化学方法去除以获得导电图形的过程叫腐蚀。

　　在制作多层印制线路板时，在若干块内层图形之间隔以粘结层，并在外层上下叠加两片覆箔板极，在精确定位的情况下，热压成一整体的过程叫多层板压制。

　　指电缆导体的直流电阻。在直流时，电流在导体内是均匀分布的，其电阻值为R0=ρ（L/S）欧姆，其中ρ――导体电阻率，与温度有关，一般以20℃时为标准，单位为欧姆?毫米2/米；
　　S――导体截面积，单位为毫米2；
　　L――导体长度，单位为米。
　　通常，电缆导体的直流电阻以每公里的欧姆数表示。

　　双线回路两根导线的直流电阻之和称为环路电阻。环路电阻的单位为欧姆/公里。

　　有效电阻是一次参数。交流下由于集肤效应、邻近效应等的影响，使导线回路通过电流的有效截面减少，因而电阻增加。此电阻为有效电阻，一般用符号R表示，单位为欧姆/公里。

　　电感是回路的一次传输参数，它由内电感和外电感二部分组成。通过回路的电流产生交变的磁通，一部分存在于导体本身之内称为内磁通，一部分存在于回路导体之外称为外磁通。内、外磁通与回路电流之比分别称为内、外电感。对称电缆回路的内电感为双线内电感之和（单线内电感之两倍），同轴电缆回路的内电感为内、外导体内电感之和。一般用于符号L号表示，单位亨/公里。

　　绝缘体严格地说并不是绝对绝缘的，因而绝缘体的绝缘程度常用绝缘电阻来表示。
　　电缆的绝缘电阻是指电缆绝缘层的绝缘电阻，它反映了导体间或导体对地间的绝缘程度，电缆的出厂性能体验指标一般都有这一项目。

　　额定电压是指电缆在工作时所允许的最高电压。在此电压以上长期连续工作是不安全的。

　　为了检验电缆产品是否能在某额定电压下安全工作，必须在更高的电压下作短时间试验，此电压即称试验电压。

　　这种电阻器在一定的使用条件下，加在其两端的电压与通过的电流的关系服从欧姆定律。如各种膜式电阻器、线绕电阻器等。

　　在规定的使用条件下，加在电阻器上的电压和通过的电流的关系，不服从欧姆定律，这种电阻器称为非线性电阻器。如压敏电阻器，热敏电阻器等。

film resistor 　　膜式电阻器是在绝缘基体上被覆一层薄膜电阻体（电阻膜）而制成的一类电阻器。为了免受外界影响，电阻膜外部常涂覆保护层，或者用陶瓷、金属外壳密封。根据所用材料和电阻膜形成工艺的不同，这种电阻器分为碳膜电阻器。金属膜电阻器、化学沉积膜电阻器、块金属膜电阻器和碳全成膜电阻器等。

　　这类电阻器易于小型化，阻值范围宽。用途广，不仅可用作通用电阻器，还可制作各种特殊用途（如高频、高压等）的电阻器。

　　热分解碳膜电阻器通常称为碳膜电阻器，是用碳氢化合物在真空下高温热分解的碳沉积在绝缘基体上制成的。这种电阻器性能稳定，功率和阻值范围宽，价格低廉，是目前应用最广泛的一种电阻器。

　　金属膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料，用真空蒸发或溅射的方法，在陶瓷或玻璃基体上形成电阻膜层的电阻器。这类电阻器一般采用真空蒸发工艺制得。它的耐热性、噪声电势、温度系数，电压系数等电性能比碳膜电阻器优良。金属膜电阻器的制造工艺比较灵活，不仅可以调整它的材料成分和膜层厚度，可以通过刻槽调整阻值，因而可以制成性能良好，阻值范围较宽的电阻器。这种电阻器作为精密和高稳定性的电阻器而广泛应用，同时也通用于各种无线电电子设备中。

　　这种电阻器是由能水解的金属盐类溶液（如四氯化锡和三氯化锑）在炽热的玻璃或陶瓷的表面分解觉积而成。随着制造条件的不同，电阻器的性能也有很大差异。

　　这种电阻器的主要特点是耐高温，工作温度范围为+140~235℃在短时间内可超负荷使用；电阻温度系数为±3×10-4/℃；化学稳定性好。这种电阻器的电阻率较低，小功率电阻器的阻值不超过100千欧，因此应用范围受到限制，但可用作补充金属膜电阻器的低阻部分。

　　化学沉积膜电阻器是用单纯的化学反应在基体上沉积一层电阻膜而制成（如镍―磷合金膜电阻器）。它的工艺特点是将基体经过敏化、活化处理后，再进行化学沉积制成电阻膜，膜电阻为0.01欧/方~1兆欧/方。这种电阻器的优点是生产效率高、设备简单，可以沉积任何形状的基体。但重复性差，薄膜易受潮气和电解腐蚀的影响，所以需要外加可靠的保护层。
　　这种电阻器主要用来弥补金属膜电阻器的低阻值部分。

　　这种电位器的电阻体是用电阻线绕在绝缘骨架上制成的。按其功率可分为小功率和大功率两种。这种电位器的优点是：容易按照要求做出规定阻值；接触电阻低；精密高；温度系数小。缺点是：分辨率差；易断线，可靠性差，特别是高阻，因为采用的电阻线很细；标称阻值低（一般只有100千欧左右）；由于线匝间存在分布电感、电容，故不宜用于高频。

　　合成碳膜电位器习惯上也称碳膜电位器。特点是：分辨力高，阻值范围宽，成本低，制造工艺简单。缺点是难以作成低阻值（小于100欧）的电位器；因粘合剂是有机物，所以耐温耐湿性差，阻值稳定性差。

　　实芯电位器是用电阻材料和有机或无机粘合剂加填料

　　金属膜电位器的电阻体是用特种合金在绝缘基体上，用真空蒸发、溅射、化学沉积、烧渗还原等方法形成。其特点是耐高温、分辨力高、温度系数小。缺点是阻值范围窄、价格贵。其基本性能、材料、工艺与金属膜电阻器相似。金属膜电位器包括：合金膜、金属氧化膜、金属复合膜、氧化钽膜电位器等。

　　直线式电位器又叫做线性电位器，即输出特性与接触点位移（或转角）成直线关系的电位器。

　　输出特性与接触点位移（或转角）不成直线关系，而面一定函数关系的电位器叫函数式电位器。输出特性成指数规律的叫指数式电位器；输出特性成对数规律的叫对数式电位器；输出特性成三角函数规律的叫三角函数式电位器。

　　多圈电位器亦称螺旋电位器。其电阻体呈螺旋形，工作时接触点沿电阻体滑动的轨迹也呈螺旋形，可提高线性度和分辨力。一般用线绕电阻体，也可采用非线性绕电阻体。多圈电位器属于精密微调电位器的一种，主要用于电子计算机，伺服系统和自动控制等。

　　多联电位器由若干个电位器组合而成，可获得若干个电压输出。由两个电位器组成的称双联，有三个的称三联，等等。多联电位器可以是同轴或是异轴的，同步或是异步的。

　　从使用上来说，凡调节机构（轴，导杆）作旋转运动的电位器就叫作旋转式电位器。可分为有止挡的和无止挡的两种。

linear sliding potentiometer 　　在使用时，凡滑柄是作直线运动的电位器就叫直滑式电位器。它的特点是调节位置直观。

　　微调电位器是作微量调节用的电位器。它是通过慢速旋转机构，使机械转动量大而电参量变化小来实现微量调节的。

　　这种电位器的电阻体上带有抽头引出端，使用时根据需要灵活选用。它有多种用途，如作线性补偿、获得函数式输出等。

　　指电容量可以在较小范围内调整，并于调整后固定在某个数值上工作的可变电容器。微调电容器又称半可变电容器。这纺要用作为垫整和补偿电容器。

　　氧化物半导体是指具有半导体性质的氧化物，如MnO Cr2O3 FeO Fe2O3 Cu2O 等。大多数氧化物半导体的主要用途是制作热敏电阻。

　　电阻率也叫电阻系数。它代表一个1厘米，截面积为1平方厘米的物体的电阻，用符号P表示，单位是欧姆?厘米。电阻率反映物体导电本领的大小，电阻率越低，物体的导电本领越强。

　　电阻率是由材料本身的固有性质决定的。温度的变化能引起电阻率的变化，尤其是半导体材料，其电阻率随着温度和材料的掺杂浓度灵敏地变化。

　　对于无补偿或补偿可忽略的非本征半导体材料，由欧姆欧姆定律可以推得电阻率。因此在一定温度下的电阻率直接反映了材料的纯度，故电阻率是半导体材料的重要电参数之一。

　　测量半导体材料电阻率的方法较多，测试单晶硅时一般采用直流二探针法和直流四探针法。对于微区电阻率均匀性的检测，一行般采用单探针扩展电阻法。

　　电导率是电阻率的倒数，用符号ó表示,单位是欧姆-1.厘米-1.电导率更直观地反应物体导电能力的大小，物体的电导率愈大，导电能力就愈强。

　　半导体材料的电导率不仅与载流子浓度有关，而且还与迁移率有关。

　　由于磁场的作用，使半导体电阻增大的现象，称为磁阻效应。当磁阻的方向与外电场垂直时，称为横向磁阻。

　　对于矩形样品，载流子在垂直于电场的磁场作用下，受到偏转力，使它产生横向运动，如同在原来的电流上加上一个横向电流。这个电流立即引起横向电场。如果横向电场的作用刚好抵消磁场的偏转作用，则小于此速度的电子将沿横向电场方向偏转。这种偏转将使沿电场方向的电流密度减小。也就是磁场的存在增大了电阻，这称为物理磁阻。

　　对于大面积接触的薄片样品，同样施加磁场时，由于横向磁场在终端短路的样品中建立不起横向电场，而电流矢量旋转并建立横向电流分量。由于电流路径增加而电阻的增大，系由特定样品的几何边界条件决定的，这称为几何磁阻。

　　对于任意样品，其磁阻应为物理磁阻与几何磁阻之和。在特定情况下可忽略其中的一种。这样，磁阻迁移率与霍耳迁移率之间可建立一定的关系。

　　横向弱场磁阻主要给出迁移率平方的度量，低温下迁移率显著增大，磁阻效应也增大。77°K下横向弱场磁阻的测量，已成为确定具有单一能级的P型硅样品杂质尝试的有效方法，并可以了解载流子有效质量的各向导性。

  电声学是研究声音相互转换的原理和技术及声音信号的储存，加工，测量和利用的学科，从频率范围来讲主要是可听频段，有的也涉及次声和超声频段。

　　电声技术主要应用于有线或无线通信系统，有线或无线广播系统以及会场，剧院，录音棚，高保真度录放系统等，此外还应用于发展中的声控，语控，语言识别和声测等新技术，它在政治，军事，经济，文化等各个领域内有着愈来愈广泛的应用。

　　电声学是一门与人的主观因素密切相关的物理学科，原因是从声源到接收都摆脱不了人的因素。声音是多维空间的问题（音调，音色，音长，声级，声源方位以及噪声干扰等），每一维的变化都对听感有影响。复杂的主观感受并不是任何仪表所能完全反映，这必然联系到生理和心理声学，语言声学，甚至音乐声学等各个方面问题，形成了电声学的特色和它的复杂性。

　　当一物体振动时，就会激励它周围的空气质点振动。

　　泛指声波；也指声波作用于人耳所引起的感觉。

　　可听声是人耳可以听到的声音。人耳对声音能否听到，取决于声音的强度和频率。频率太低或太高时，人耳便听不到。可听声的频率范围一般选为20～20000赫。这是根据大量实际的调查统计而选取的。

　　能在周围弹性媒质中激发起声波的振动着的物体叫声源。日常生活中到处可见到各种各样的声源，例如人喉的声带就是最普遍的一种声源，其它如扬声器，乐器以及运转着的机器等等都能成为声源。

　　分频器是一种滤波网络，又称分频网络或交叉网络，它是根据组合扬声器的需要，使用两种或多种带通滤波网络，把输入信号分成几个频带，分别加到不同频率范围的扬声器上。

　　用于语言的传声器叫做送话器。当语言信号作用到送话器振膜上，通过机电换能，变成相应的电信号输送的电信号输送出去。

　　送话器与传声器一样，有压强式与压差式两类。所采用的换能方式了基本上同于传声器、如碳粒式，电磁式、电动式、压电式及半导体式等。它的传导方式有空气传导与接触传导两种。按使用角度来分类，有近讲送话器，手持送话器，头戴连杆式送话器、面罩送话器、声力送话器及喉式送话器等。在特殊情况下，需要使用各种指向性的送话器或抗噪声的送话器。

　　送话器的主要目标是使语言传输达到最大的可懂度，频率范围一般为300～3400赫。它的主要参数有灵敏度、频率响应、输出阻抗、语言清晰度及信噪比等。对于碳类送话器，还有静态与动态电阻、输出幅度特性、倾斜角特性变化等参数。

　　是语言通信中把电信号转换成相应的声信号而紧密耦合于耳朵的一种电声换能器。
　　它的换能原理基本上与耳机相同，但考虑到它主要是用来长距离传输语言，因此在频率特性方面与耳机有所不同。它的频率范围一般为300～3400赫。目前应用得最广泛的是电磁受话器，另外还有压电陶瓷受话器、动圈受话器等。在特殊情况下，受话器可采用骨传导的方式。
受话器的主要主要参数有灵敏度、频率响应、阻抗等。

　　远红外是电磁谱中介于红外与微波之间的光谱区，一般指30～1000微米。
　　远红外探测器可分为热探测器和光子探测器两大类。探测器中包括室温型的温差电偶、气动探测器（高莱探测器）、热电探测器、测辐射热器等，它们对整个远红外波段都响应，但响应速度较慢，探测度较低。光子探测器包括低温型（液氦温度），有锗掺铜、锗掺锌、锗掺镓、宽带锑化铟、调谐锑化铟等探测器，它们只对一定波长范围响应，响应速度较快，探测度较高；但都须在深测低温下工作。

红外遥感就是在较远（高空）的地方（可离地面几百公理以上）用红外敏感装置不与被测目标接触就完成要求测量的任务。例如，将红外遥感装置用在侦察卫星上，拍摄或探测军事目标。近来红外遥感技术已被用于农业资源的开发。它还可用于土壤调查（鉴别地质、地势和生态的微小差别)、水源灌溉管理、探测作物病虫害、预报灾害性气候、估算作物产量、森林防火等。红外遥感技术对于农业生产也提供可靠的及时的情报，有利于农业计划、发展和管理。

　　用不同波长的红外线照射作物的种子（或植株及其它器官）使作物种子染色体臂产生一定断裂发生突变，形成后代定向遗传型变，产生各种变异再经过选择或杂交育出优良品种，以达到作物具有抗病虫害、抗旱性、抗盐碱性、早熟、高产等目的。

　　目前辐射定向型变育种的方法除红外辐照育种外还有用γ射线、x射线、CO，等等。

　　近年来在中、近红外波段的激光育种和产生近红外光源的红外灯、氙灯等对水稻、有抗病性强、早熟、丰产等可喜的成效。

　　不同的植物的叶片，对红外辐射的反射不同，这就可用红外线软片来鉴别作物和进行作物产量的预估。如阔叶树，在近红外区反射的能量比在可见光谱区还大，绝大多数的阔叶树反射在红外软片上呈现出红色到洋红色，而针叶树则与阔叶树不同。反射较少且随季节和树种的不同而异。从阔叶树和针叶树在不同的季节对红外辐射反射的差别，就可以用红外软片来鉴别木材的类型，同理可用红外软片来鉴别其它作物的类型。

　　森林火灾是一种严重的灾害，对森林资源构成很大威胁。树木起火和燃烧时都发射强烈的红外辐射，所以红外探测技术便自然成为发现和分析森林火情的重要手段。为了进行大面积搜索和监视，常用的是机载红外行扫描装置或两维扫描的机载红外热像仪，使用的主要探测波段是3～5微米大气窗。目前，在这方面已有一定应用，例如在几百米低空从飞机上透过茂密的林冠发现几平方米的初发或复燃火场，为早期扑救创造了条件。卫星载红外装置亦可发现大面积的火情。探火仪有三种，两种是机载的，一种是地面的。机载的均为行扫描的红外相机，其中一种采用可见和3～5微米波段，用来排除太阳反射干扰；另一种采用3～5和8～14 微米两个波段，前一波段用来探火，后一波段用来指示火场位置。地面探火仪为360度扫描的辐射计，使用3～5微米室温探测器探火，用前截止滤光片排除阳光干扰，在天气良好条件下，探测距离超过20公里，经改进定型后一定会大量用在林区建设中。

　　无线电工业中，对零件，材料进行除气、定形、退火、净化、提纯、烧结、被覆、封接和熔炼等，用以完成其热加工工艺规范要求的设备，统称加热设备。按加热能源和能量转换方式 ，加热设备可分为：电热设备、非电热设备。

　　是拉制锗、硅、砷化镓、低溶点化合物及激光材料等单晶的设备。
　　运动部分：籽晶杆和坩埚，均可按需要进行旋转和升降运动。
　　加热方式：有石墨加热和高频加热两种。
　　温度控制：有开环稳压、闭环电压反馈、温度信号反馈和光信号反馈等方式。
　　速度控制：多采用无级调速，其方式有调节直流电机端电压的、有控制SYL系列力矩电机的，还有控制液压系统节流阀的。
　　就其结构分；有单轴单晶炉、双轴（两个籽晶轴）单晶炉、双室（两个炉堂）单晶炉、液压（传动系统是液压的）单晶炉和片状单晶炉等。

cutting machine 　　把陶瓷、石英、玻璃、铁氧体、半导体单晶等材料切成一定形状的设备。这类设备种类很多，按节割原理分类如下：刀刃切割机、超声切割机、电子束切割机、激光切割机。

　　电子穿过电磁透镜跟光线穿过光学透镜有着相似的成象规律，这种规律是电子光学的研究对象；作为物质的基本粒子之一的电子，象光子一样，不仅有粒子的特征，也具有波动的习性，它构成了量子电子学的研究内容。电子显微镜便是电子光学和量子电子学的实用产物。

　　电子显微镜用电子枪和电、磁透镜作“光源”来照射样品，样品是按被观察实物的表面复制成薄膜。由于复制成的薄膜的厚薄随实物面的凹凸而异，所以穿透“样品――光栏”系统的电子经散射后也相应的疏密各异。

　　激光显示的原理是：连续波激光束靠调控器控制它的输出量，靠偏转器控制它的偏转，从而实现对屏幕上扫描形成显示，一般是用作大屏幕显示，即激光束直接在大屏幕上扫描，不再需要其它的光源。如果同时采用三种基色的激光束，则可构成彩色大屏幕显示。由于激光器的功率、效率以及偏转转角度的问题，故有时仅用激光束在较小的画面上扫描成图象，再用外光源投射形成大屏幕显示的方案。

　　作为显示用的激光器多用连续波激光，例如气体离子（氦氪离子 氩离子等）激光器。也可以用固体激光、半导体激光等。

　　由于调速控制器要求高速度、高性能、（即高宽带），故多利用电光效应、声光效应磁光效应等来实现调制器的调制。在电光效应中用的材料有：磷酸重氢钾(kD2P)钛酸钡 铌酸锂等等。

　　微波在大气中的传播特性和气象有着密切关系。随着波长的缩短，大气中的水或冰的质点所引起的电磁波散射作用将急剧增加，以至能够在分米波和厘米波波段阻碍通信。雨雪天和云层的反射波可以使雷达站阴极射线管上出现明显的发光图形，给雷达观测带来极大的不便，不过，这一现象却可用来向飞行员预报危险。

　　雨点、冰雹和雪对波长很短的无线电波有很大的吸收作用，它们限制了利用毫米波来进行远距离传播通讯或测位。同时，空气中的氧对波长接近5毫米的无线电波有选择性吸收。为了广泛利用微波远距离散射传播，应该研究大气折射率随高度的变化、大气偶然不均匀性对微小传播的影响等。

　　微波在农业上的应用目前主要是基于微波的两种效应：一是利用微波辐射的加热效应；一是利用微波加速器的电离辐射和ν射线等。

　　在利用加热效应方面较为成熟的应用是用微波来烘干谷物（一般采用S波段10千瓦的波导型微波加热器，配合热空气对传送带上的谷物进行连续烘干）；此外，利用微波杀虫，在仅约60℃的温度下可以全部杀死谷物中的害虫。其它应用方面的实验还有：微波辐射催芽、微波辐射保护大田农作物不受冷冻、用微波加热使小麦面粉内的淀粉酶钝化以及木材烘干，等等。实验已初步证明有效。

　　在利用加速器方面，实验表明，加速器所产生的电离辐射可以用来改变植物的遗传特性，得到具有抗锈、抗旱、早熟和不倒伏的良种。关于虫害问题，近年推广的小型土圆仓最适合射线杀虫处理。用射线处理桑蚕，可增多雄性，获得产蚕率高的品种。

　　微波在医学上主要是应用于对一些疾病，特别是对于癌症的放射治疗，目前一般用电子加速器产生的电子或者γ射线来治疗，其缺点是癌区以外受到的剂量损伤。新的方案是利用微波中能加速器产生的π-介子进行放射治疗，这种系统对剂量的监测与控制较易掌握。此外，正在开展利用高能质子进行治疗的研究。

　　微波的选择加热方法（即有选择地加热于人体不同部位），也可望同其它方法（如化学疗法）结合用于脑癌的辅助治疗。

　　此外，某些药品和手术用的羊肠线等，不能用高温灭菌消毒，化学灭菌处理也不彻底。而用微波加速器的强X射线灭菌则很彻底。用射线还可以改变微生物细菌的遗传性，培养有用的良菌种。

　　微波对人体辐射，能量可深入皮下组织，加剧新陈代谢，有利于人体创伤的愈合和增强抵抗能力。微波热疗已证明对关节炎和风湿症有效。在输血前用S波段1千瓦的微波炉对血液加温，可以加速输血，适应紧急大量输血的需求。

  微波气象学是利用微波在大气中的传播特性来研究气象因素和对流层中各种过程及对流层中与气象学有关的各种物理参数。微波气象学的研究对于气象预报，通信、测位、雷达以及科学研究等都具有实际意义。

硅整流二极管 (硅整流器)
　　硅整流二极管是将交流电流变成直流电流的一种硅PN结二极管。这种二极管是一种大面积的功率器件。

　　因为硅的禁带宽度比较大，导热性能也较好，所以这种二极管的击穿电压高，反向漏电流小，散热性能良好。因为这种器件的结面积较大，结电容也较大，因而工作频率很低，一般在几十千赫以下。通常电流容量在1安以下的器件叫整流二极管，在1安以上的叫整流器。

　　由多个硅整流器件串联组成的硅整流器具有工作结温高、电流容量大（可达几百安）、反向耐压高（可达几千伏）、正向压降小、反向漏电流小等特点，目前已广泛用于各种工业及交通部门中作大功率整流电源装置。

　　硒整流器是目前常用的一种整流器。它的制法是：将纯度很高的硒真空蒸发在铝板上，再在硒上涂敷一层锡镉合金，经过适当的热处理及电处理后，就制成硒整流器。这时阳极是铝板，阴极是锡镉合金。由铝板到锡镉合金是电流容易流过正向，反之是反向。一片硒整流片一般只能耐压几十伏，可将许多硒整流片串联起来，组成硒整流器或硒堆。

　　硒整流器在自然条件下，整流电流约为每平方厘米70毫安。在强制空冷下，可达到每平方厘米200毫安。要得到大的整流电流，可以并联若干个硒整流器或采用面积较大的硒整流片。

　　隧道二极管是结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡，能够产生隧道将效应的PN结二极管。这种二极管的伏安特性是在较小的反向偏压下，有很大的反向电流；在正向偏压下，有一段负阻区。

　　二极管加上反偏压时，P边价带上升，其中的电子通过隧道效应流入N边导带中，形成较大的反向电流，加上小的正偏压时，P边价带下降，N边导带中的电子通过隧道效应流入P边价带中，形成正向电流，并随正向电压而增加到极大值。这个电流的极大值，叫做峰值电流。与其对应的电压，叫做峰值电压。正偏压进一步增加时，P边价带进一步下降，使N边导带中一部分被电子占据的能级面对禁带，不能发生隧道效应。因而，正向电流随正向电压的增加而减小，出现负阻区。正向电压进一步增加到结两边的能带没有交叠，隧道电流等于零。但由于其它原因，此时仍有一定的电流，这个电流叫做谷值电流。与其对应的电压，叫做谷值电压。正向电压进一步增加，出现注入载流子的扩散电流，这一电流随正向电压而迅速增加。

　　由于正向伏安特性中有一段负阻区，而且没有渡越时间效应，因而隧道二极管可用于低噪声放大器及振荡器中，频率可达到毫米波段，也可以用作超高速开关器件。

　　隧道二极管可用锗。砷化镓、锑化镓等材料制成。微波隧道二极管多用锗、锑化镓制成。锑化镓器件的噪声低，缺点是在50℃以上性能变坏。微波低噪声放大器用的隧道二极管多用锗制成。

　　隧道二极管的主要缺点是功率容量太小。而且，与肖特基二极管混频器和低噪声晶体管中频放大器相比，隧道二极管放大器的低噪声性能并不突出。这些缺点限制了隧道二极管微波低噪声放大器的发展。

　　薄膜晶体管是由淀积在绝缘衬底上的金属、半导体、绝缘体等薄膜构成的一种金属绝缘体，半导体场效应晶体管。它是全薄膜化电路中的一种重要元件。

　　按薄膜淀积次序的不同，薄膜晶体二极管的结构有多种形式，如交叉结构及共平面结构。绝缘衬底一般用玻璃或蓝宝石，半导体一般用硫化镉或硒化镉，金属电极用金或铝，绝缘层用二氧化硅或氧化铝。

　　薄膜晶体管的电特性基本上与金属氧化物半导体场效应晶体管相同。

　　场效应四极管是一种结栅场效应晶体管。在沟道两边的两个重掺杂区上，分别有电极引线，也就是有两个栅极，连同源、漏两个电极，共有四个电极，所以叫做场效应四极管。两个栅极上可以加不同的电压，分别控制漏电极电流，但控制程度不同。

　　金属一氧化物一半导体场效应晶体管简称MOS场效应晶体管。在P型硅衬底上有两个N+区，分别叫源极和漏极。栅极上没有外加电压时，源、漏极之间不通导。栅极上加上相当大的正电压(源极接地)时，栅极下面的P型硅表面上出现N型反型层，成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中的电子密度，从而改变沟道电阻。

　　出现沟道后，保持栅压不变，在漏极上加一个小的正电压VDD均,这时沟道是一个电阻，漏、源极之间的沟道电流ID随VD而线性增加。VD增大时，栅极与沟道各点间的电位差减小，沟道电阻增大，这时，ID～VD。特性曲线向下弯曲。VD进一步增大时，栅极与沟道漏端的电位差减小到不足以在漏端维持反型层，沟道在漏端中断。这时的VD叫饱和漏极电压。VD进一步增大，沟道中断点向源极移动，但沟道两端的电压及电流几乎保持不变。此时沟道与漏极的关系类似于双极晶体管基区与集电区之间的关系。

　　上述MOS场效应晶体管在零栅压下不通导，需要加正栅压才能在P型硅表面出现连接源、漏极的N型沟道。这种MOS场效应晶体管，称为N沟道增强型场效应晶体管。

　　如果P型硅衬底表面上不加栅压就已存在N型反型层沟道，加上适当的栅压，可使沟道电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管，称为N沟道耗尽型场效应晶体管。

　　若上述MOS场效应晶体管的衬底是N型硅，则同样可以有P沟道增强型及耗尽型MOS场效应晶体管。

　　MOS场效应晶体管的金属栅极由二氧化硅膜所绝缘，所以又称为绝缘栅场效应晶体管。

　　MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，用于集成电路中，具有结构简单等优点。

　　用两只以上的可控硅器件，按不同电路功能联接而成的可控硅装置，称为可控硅堆，如单相全波整流器、三相半波桥式整流器（经反并联构成）等。

　　用高能电子轰击半导体样品，将其价带内的电子激发到导带上，形成电子空穴对，这些电子一空穴对复合时就会发光。当激发强度提高以致粒子数分布发生反转时，发出的光通过谐振腔面的来回多次反射就逐渐被放大，形成激光。利用这种原理制造的激光器，称为电子束半导体激光器。这种激光器的谐振腔可以利用半导体样品的两个端面形成，称为“内腔式”；也可以利用外加半透明反射镜来形成，称为“外腔式”。这种激光器发光区的宽度取决于电子流的穿透深度。激励电子的能量愈高，穿透愈深，发光区就愈宽，能承受的发光功率也就愈大。电子的加速电压一般为数十千伏至100～200千伏，并在脉冲条件下工作。

　　这种器件不需要制备PN结，因而可以利用某些不易制成PN结的半导体材料作为工作物质，从而扩展了半导体激光的波段，扩大了半导体激光器的应用范围。例如，用硫化镉作为工作物质，可以得到波长约为6300埃的绿色激光。由于这一波长接近海水的透射“窗口”，故这种激光器可直接用于水下通信、制导和观测等。这种激光器的缺点是效率低，最高只能得到约30%的效率，体积也大一些。此外，它需要与高压电源配合使用，因而也增加了一些麻烦。

　　光电晶体管的结构与一般双极晶体管相似。没有光照射时，通过晶体管的电流很小。有光照射在基区上时，在基区中出现光生电子一空穴对。空穴扩散到集电结耗尽层，被其中的电场扫入集电区。在基区留下的光生电子的负电荷，使发射结处于正偏置，因而有空穴注入基区并向集电结运动，形成由发射极流向集电极的较大的电流，使信号电流放大。光电晶体管事实上相当于一个光电二极管加上一级晶体管放大。

　　以N型沟道MOS器件构成的集成电路，称为N沟MOS集成电路；以P型沟道MOS器件构成的集成电路，称为P沟MOS集成电路；二者统称单沟MOS电路。由N沟、P沟MOS器件互补构成的集成电路，称为互补MOS电路。

　　N沟器件的多数载流子是电子，P沟器件的则是空穴。场效应器件是多数载流子工作的器件，电子比空穴的有效质量小，迁移率高，故N沟电路的速度要比P沟电路快。

　　与双极电路相比，MOS电路具有工艺结构简单、输入阻抗高、功耗低和集成密度高等优点。通过发展新型的结构、工艺，MOS电路也在不断降低阈值电压和提高速度。MOS电路可以构成数字电路和线性电路。

　　数字集成电路按开关速度(即按传输延迟时间)划分，可分为低速、中速、高速和超高速电路数种，它们的速度范围的定义并无确切的标准。

　　一般认为，平均传输延迟时间td≥50毫微秒的电路，称为低速电路；Ed在10～50毫微秒之间者，称为中速电路。

　　工作在1千兆赫以上的微波频段的集成电路，称为微波集成电路。它是采用半导体和薄、厚膜集成工艺，在绝缘基片上将有源、无源元件和微带传输线或其它特种微型波导联系成一个整体构成的微波电路。

　　在微波集成电路中，通过电路的设计、制作过程使有源元件得到良好的阻抗匹配和连接，更有效地发挥了有源元件的参数性能；另外，根据频段和电路的特点不同，采取集总或分布参数的无源元件，可有效地考虑寄生参数的影响。微波集成电路中的传输线，目前广泛使用微带线，并且发展了各种微型特种波导，它们取代散装电路中的同轴线和波导，避免了复杂的机械加工，显著减小了电路尺寸，提高了微波传输性能。因而，微波集成电路显示了体积小、重量轻、性能好、可靠性高和成本低等优点。

　　随着微波测量、微波地面通信、卫星通信、导航、雷达、电子对抗、导弹制导和宇宙航行等重要电子应用领域的发展，迫切需要小型化、固体化、高性能高可靠性化，微波集成是实现这些要求的关键部分。而微波功率振荡、放大及微波低噪声接收是微波固体化的中心环节，因而微波集成电路成为半导体技术的一个重要发展方向。

　　阴极射线示波器(简称示波器)是利用阴极射线示波管将电信号转换成肉眼能直接观察的随时间变化的图象的电子仪器。在电视、广播、雷达、导航、自动控制、计算技术、宇宙飞行和核物理研究等现代科学技术领域中，示波器已成为一种主要的测量设备。

　　示波器通常由垂直系统、水平系统和示波管电路等部分组成。

　　垂直系统将被测信号放大后送到示波管垂直偏转板，使光点在垂直方向上随被测信号的幅度变化而移动；水平系统产生用作时基信号的锯齿波，经水平放大器放大后送至示波管水平偏转板，使光点沿水平方向匀速移动，这样就能在示波管的屏幕上显示出被测信号的波形。示波器的分类有多种方式。按时间关系可分为实时示波器和取样示波器；按所用示波管可分为通用示波器；多线示波器、记忆示波器、行波示波器等；按示波器所具有的功能可分为通用示波器、矢量示波器、电视示波器、程控示波器、X-Y示波器、数字处理示波器、乘法示波器、多用示波器、逻辑示波器、自动示波器等；按结构形式可分为便携式示波器、台式示波器和上架式示波器等。从不同的观点出发，同一台示波器可以归入不同的类别或给以不同的名称，以着重强调其某方面的特色。

　　从广义上说，凡是采用数字电路或数字显示技术的示波器，都可称为数字示波器。
　　一般具有下列几种含义：
　　1)在用示波管显示被测波形的同时，采用数字显示方式来读取一些定标值(如扫描速度、垂直偏转灵敏度等)的示波器；
　　2)在用示波管显示被测波形的同时，采用数字显示方式来读取某些测量结果(如脉冲上升时间、脉冲宽度等)或其他参量，并具有数字输出的示波器；
　　3)应用数字电路将被测模拟信号进行处理后,再经数／模变换，并以形式显示在示波管屏幕上的示波器；
　　4)与数字处理示波器为同义语。见“数字处理示波器”。

　　它是具有计算功能的示波器，也可称为计算示波器。它通常由示波器、信息处理机和计算机组成。示波器内部装有数字读出电路，在显示波形的同时，还可把经计算机处理的信息以字符形式显示在屏幕上。信息处理机包括伪随机取样器、模/数变换器和存储器等，它起着示波器和计算机之间接口装置的作用。计算机是小型计算机，可根据信息处理机的指令进行计算。有时也可以通过适当接口与大型电子计算机联用。

　　在工作时，被测信号经示波器输入端输入，送到信息处理机存储起来，操作人员根据需要按下信息处理机上的按键，控制计算机进行加、减、乘、除、快速傅氏变换、微分、积分、信号平均等计算。经过计算机处理的信息再经信息处理机送到示波器的显示电路进行显示。

　　这种示波器除了具有通用示波器的功能外，还有许多独特的用途。例如，将含有很多噪声的信号进行数千次的平均处理，从而取出有用信号清晰地显示在示波管屏幕上；将电压波形与电流波形及其乘积(功率波形)同时显示出来；将用时域显示的信号快速变换为频域显示，以便于进一步分析。

　　这是一种用来观察数字设备和数字电路逻辑关系的专用示波器，也叫逻辑状态分析器。它具有多个输入通道，可以同时观测多个被测点之间的逻辑关系。逻辑示波器的显示方式目前有两种:一种是显示逻辑电平,另一种是显示逻辑关系图。这种示波器是七十年代初期才出现的，目前正处于发展阶段。

　　标准信号发生器是一种频率、输出电平和调制系数皆能均匀调节准确读数并对漏信号有严格要求的信号源。它能模拟广播台、电视台、雷达发射机、通信发射机的各类调制信号。标准信号发生器主要用来测试各种接收机的灵敏度、选择性、信噪比等各项技术指标。对于微波标准信号发生器而言，由于测试雷达接收机的要求，还必须具有方波、内部和外部脉冲幅度调制。

　　标准信号发生器已成为一个系列，信号频率范围可以从超低频直到微波频段。

数字式电压表及电压标准
　　数字电压表是利用模/数(A/D)转换器将直流电压以数字显示出来并能输出数字信号的一种测量仪器。与指针式仪表相比，它具有精度高、速度快、抗干扰能力强、便于数字输出等优点。目前，广泛用来测量电压和校准电压。还可根据需要，配以各种不同的输入装置，直接显示电的(如电流、电阻等)和非电的(如温度、速度等)参量。同时它也是集中检测和自动化测量中不可缺少的一部分。

　　数字电压表按其应用可分为直流数字电压表和交流数字电压表。直流数字电压表按其工作原理可大致分为四类（比较式、电压――时间变换式、积分式、复合式）交流数字电压表按原理大致分为三类：

　　也叫做频率特性。指一种仪器或一种电路的性能特性与输入信号频率的依赖关系。例如，放大器的频率响应表示它的放大量与输入信息号频率的依赖关系；扬声器的频率响应表示由它产生的声强与外加电压的频率（当此时电压幅度不变时）的依赖关系等。

　　红宝石激光器是最早制成的激光器。它的输出为深红色。常温时淡红宝石最常用的输出波长为0.6943微米(R1线)。也可得到0.6929微米(R2线)的输出。深红宝石在低温77°K时可得0.7009微米(N1线)和0.7041米N2线)的激光输出。通常多模振荡的线宽典型值为0.1埃。输出的偏振性和红宝石晶体的生长取向有关。若棒轴与晶体的光轴成60度或90度角(称为60度或90度红宝石)，则输出是偏振的。

　　红宝石材料属三能级系统，阈值高，且室温时导热率低，故室温下连续工作比较困难，通常只用于单脉冲或低重复频率工作。但因为可制得较大晶体，故至今在输出大功率、大能量脉冲方面，只有钕玻璃激光器可与它相匹敌。

　　用掺有钕离子的玻璃作激光工作物质的固体激光器。玻璃有很好的光学均匀性，可以制成各种形状和大尺寸材料，成本低。掺钕量高，可达6%。由于Nd+3在玻璃中受到的点阵作用不均匀，线宽的非均匀加宽较宽，故荧光线宽很宽。玻璃的另一特点是导热率低，因而在高重复率脉冲工作和连续工作时受到限制，较适宜于大功率和大能量脉冲工作。 钕玻璃虽然是四能级系统，但由于呈线状吸收而荧光线宽又宽，所以效率并不很高。钕玻璃激光器通常只输出1.06微米的线，只有在特定的条件下，才能得到1.37微米或0.914微米的输出。

　　原子气体激光器的工作物质是中性气体原子。原子气体激光器可以分为两类：
　　1．惰性气体原子激光器；
　　2．金属蒸气原子激光器。
　　已观察到几十种具有受激振荡的气体元素，共拥有数百条发射谱线，其波长分布在可见光到远红外波段内。

　　惰性气体原子激光器的工作物质是纯的惰性气体，如氩、氪、氙、氖、氦。这类激光器中，用得最广，到现在研究得最详细的是氦氖激光器。

　　上述几种惰性气体，除氙外，增益大多数比较低，一般都利用氦作为辅助气体，借以提高增益来提高输出功率，而且还可以使某些原来在纯气体时不产生激光的一些波长上也能形成激光。它的输出波长大部分为红外和远红外，少数在可见光范围。

　　金属蒸气放电管一般都是一根玻璃管，其上接有几根旁管，旁管内放金属，管外有一个温度可调的加热器以控制工作时的金属蒸气压。

　　这种激光器在放电时容易产生电晕现象，即金属蒸气在管内分布不均匀，使激光减弱甚至不产生。所以在结构考虑上往往采取加回气管等措施。

　　离子气体激光器的工作物质是气态离子。它大致分为两类：氩、氪、氙等惰性气体离子激光器和镉、硒、锌等金属蒸气离子激光器。输出波长大多数在紫外和可见光部分。输出功率比原子气体激光器高。

　　惰性气体离子激光器使用较多的是氩离子和氪离子激光器。金属蒸气离子激光器中较重要的是氦镉激光器。

　　分子气体激光器的工作物质是中性气体分子。它可以分为三类：CO、N2、H2等双原子分子气体激光器，CO2、H2O、N2O等三原子分子气体激光器和NH4、C2H2、CH3CN等多原子分子气体激光器。其中，二氧化碳激光器是目前应用最广泛的一种分子气体激光器。

　　分子气体激光器主要的特点是：1．波长范围最广，从真空紫外到远红外都有激光产生；2．输出功率大，能量转换效率高。

　　原子气体激光器中最早制成且最常用的是氦氖激光器。其结构参看“气体激光器”的附图。它的工作物质为氖，辅助气体为氦。它能获得数十种谱线的连续振荡，目前应用最多的6328埃的红光，此外还有1.15微米和3.39微米的红外光。它的单色性好，谱线宽度很窄，可获得极高的频率稳定度。它的方向性强，发散角小(约为一毫弧度)，相干长度可达几十公里。因而可用在精密计量、准直、全息照相、测距仪、陀螺仪、通信、跟踪等方面。它的缺点是增益低，输出功率小(十分之几毫瓦至一瓦)，能量转换效率约为万分之一。

　　在离子气体激光器