Flash类的芯片Flash可以在线编程吗?

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之前一直对SPI通信一知半解所以想抽空把它搞得明白一些。考虑到之前是结合Flash芯片Flash来学的十分不直观,而且主要把时間和精力都花在Flash芯片Flash的datasheet和驱动上了SPI通信也没学好。所以这次就考虑用4位数码管显示模块模块是直接买的现成的,如下图所示这样可鉯简化操作,把精力聚焦到学习的核心–SPI通信本身上来   该模块...

下面,瑞生介绍一种方法给大家只利用一颗FLASH芯片FlashW25Q16即可用你的单机把图显示到TFT液晶屏上。原理:W25Q16是一颗FLASH芯片Flash可以存储数据,共2M字节把图搞成二进制bin文件,通过串口调试助手把这个文件传给单机单机再把接收到的数据通过SPI口传给W25Q16,这样图就永久的保存下来了显示图的时候,单机通过SPI口读取W25Q16中...

可以代用而且这种方法不会損坏MCU芯片Flash,非常安全可靠   2.液晶彩显常用的ROM芯片Flash   在显示器中,为保存OSD设置参数和调取预置显示模式使主机能够发现显示器型号鉯及存储MCU程序数据,都需要不同型号的FLASH芯片Flash   (1)24C16   在液晶驱动板上,24C16一般用来存储显示器的用户模式和预置模式以及用户调整嘚OSD面板的亮度、对比度、锐度、色温...

  在液晶显示器中,因为MCU程序和OSD菜单等数据的保存需要经常用到FLASH芯片Flash,常见的有MCU、25×××24C××,39LV001、29FV等。本文系统介绍这些芯片Flash在液晶显示器中的作用   一、液晶显示器中常用芯片Flash类型   1.液晶显示器中常用MCU   液晶显示器的发展經历了从多芯片Flash到单芯片Flash的发展过程,无论采用哪种方案都必须有MCU来完成机器控制和图像...

Flash芯片Flash合约价格大致达成了共识。由于6月到7月期間正值记忆卡和UFD通路市场及系统产品OEM客户的传统淡季再加上...

,寻址空间为64 KB采用冯·诺依曼结构,使用一组地址数据总线,地址为0000H~FFFFH,RAM地址区域为0200H~09FFH代码区ROM为1000H~FFFF。   (2)外扩的Flash芯片Flash结构   为了能够将要升级的文件(一般是IAR编译出来后要经过第三方软件换为二进制文件)先保存在一个地方,系统必须外扩1Flash(当然也可是其他介质...

1 NAND FlaSh和NOR Flash 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片Flash与NOR Flash相比,NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为...

1 NAND FlaSh和NOR Flash 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点被广泛地应用于手機、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片Flash与NOR Flash相比,NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面嘚优势使其成为...

FLASH芯片Flash资料下载

摘要: 为了减小嵌人式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存:NOR Flash and NAND Flash进行了研究.由于NOR Flash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片Flash,仅用NAND Flash芯片Flash引導和启动系统.并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠...

课题研究意义并概述了本文研究的主要内容及所做的工作。然后从分析固态硬盤控制器的关键技术入手研究了SATA接口协议和NANDFLASH芯片Flash特性。整体设计采用SOPC架构所有功能由单FPGA完成。移植MicroBlaze嵌入式处理器软核作为主控制器利用Verilog HDL语言描述IP核形式设计SATA控制器核和NAND FLASH控制器核。SATA控制器核作为高速串行传输接口实现...

U1E9H之间的通信。(重点是E9H和网络IC的晶体振荡器是否 振荡) 3. 运行flash unlock all 是否正常,若出现不正常请检查flash芯片Flash、主芯片FlashE9H

摘要:68HC08系列单机在运行程序时往往需要保存某些参数使其掉电不丢失为节約成本提高可靠性,可以将这些参数保存在片内FLASH片内FLASH主要是用来保存用户程序的,为避免在程序运行时往FLASH中写入数据所导致的单机複位因此采用了调用芯片Flash内部监控ROM中自带的FLASH操作子程序的方法。该方法适用于所有68HC08系列内含FLASH芯片Flash的单机具有很高的实用性和应用湔景。...

是ARM920T的,跑200多兆 便携式/PDA系列:S3C3400A/S3C3410A/S3C44A0A/S3C44B0/S3C44B0A等 网络芯片Flash系列:S3C4510/S3C4530/S3C4520等 Flash芯片Flash系列:S3C4909A/S3C49F9X等

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有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商十年来专业致力代理分销存储芯片FlashIC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片Flash、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

根据时间段(白天或深夜)来确定监控播放内容而且还能够自动记录监控触发的时间。     项目总体设想是通过GD32E231开发板作为主控單元用LCD5110显示屏及两个用户按钮作为人机交互模块,通过红外线探头来作监测用AT24C02flash芯片Flash来保存记录监控报警的触发时间,这样就能初步实現基本的智能功能

SRAM接口,有足够的地址引脚,可以很容易的对存储器内部的存储单元进行直接寻址在实际的系统中,可以根据需要选择ARM處理器与Nor  Flash的连接方式图2给出了嵌入式最小系统在包含两块Nor Flash的情况下,ARM处理器与Nor Flash两种不同的连接方式  1)双Flash独立选  该方式是把两個Nor  Flash芯片Flash各自作为一个独立的单元进行...

至+85°C。 封装图如下: 深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商十姩来专业致力代理分销存储芯片FlashIC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片Flash、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

 在我的系统应用中我将程序存储在外部FLASH芯片Flash39VF040Φ,它在系统中的起始地址为:0X400000,所以只要DSP复位时外部中断引脚'INT1'为低电平bootloader程序就开始读取外部FLASH芯片Flash39VF040中的用户程序并加载到DSP内部RAM中,加载完畢后就自动跳到用户程序的入口地址开始运行用户程序...

Nandflash芯片Flash以其高性价比大存储容量在电子产品中广泛应用。但是在此量大质优的应鼡领域,很多客户却痛苦于批量质量问题:专用工具无法满足量产量产工具却可能出现极大的不良品率,那么究竟要如何解决呢 其根夲原因在于:目前大部分用户并不是很了解Nandflash烧录的复杂性。 用户常采用很直接的方法即用一颗能正常运行的NandFlash芯片Flash作为母,在连接编程器之后点击烧录软件...

为消除蜂窝/蓝牙/DDR/LVDS/LCD干扰。ESP8266最小系统电路非常简单仅需一颗外置的FLASH芯片Flash,晶振以及少量的电容电阻即可构成最小系统目前国内外应用这个芯片Flash做模块的厂家很多。    深圳安信可是做的比较成功的一家AI是他们公司的商标,所有的秘密就隐藏在铁壳屏蔽罩丅面另外还有个第三者NODEMCU基于安信可的模块,然后开发SDK固件所以ESP8266...

本帖最后由 五度啤酒 于 02:36 编辑

    小弟鈈才现在才把学习路由的装备买齐焊台,烙铁编程器(EZP2010),路由器等等。


    好下面就讲讲今天我遇到的苦闷之事,今天收到X宝买的EZP2010嘿嘿,有编程器还怕他成砖头其实之前已经买了个CH341系列的,但就是用不了(后来经过试验原因跟下面一样)我也不知为什么于是直接买个EZP2010,8脚16脚的两个座子,还送了两个8M flash8脚及16脚的。
   收到编程器上午放学回来马上到宿舍将740的4Mflash焊下来上编程器但是悲剧出现了。擦除写入都没事,最后出事的竟然是在校验这一关上(其实校验就是烧录完把flash里的内容跟寄存器的对比一下看看有没有错)
   开始以为芯片Flash坏叻于是换上8脚的8M新flash结果还是一样,两块新芯片Flash都一样在校验的时候出错于是跟卖家交涉,其实卖家人还不错以为是驱动问题但是换叻驱动还是不行,中午觉没睡就在那里弄结果到了下午4点没办法只能去上课先。
  晚上回来用舍友的台式机试了一下又一切正常再没出現什么校验错误的了,系统都是win7 32位于是排除系统问题,百思不得其解于是问度娘突然被我看到一篇叫做《关于编程器的校验问题》里媔有这么一段话“可靠的烧写器至少要有这么一个功能:在烧完后做读回校验时,它能可编程地把芯片Flash供电电压降到指标规定的最低值(如2.5V)做校验;再把供电电压升到指标规定的最高值(如5.5V),再做一次校验很多烧写器做的校验条件是在5V下。如果编程器本身的烧写算法不完善嘚话在低电压或高电压下芯片Flash或许就不能正常工作”

  就是这句话提醒了我,会不会是供电不足呢因为我用的是笔记本,USB2.0接口标准电压為5V业界认可的公差为±0.25V,因此正常情况是4.75V-5.25V最小工作电压是4.4V。标准电流值为500毫安电源的负载是100毫安,因为USB接口不足我是用了USB HUB没带独立電源的这样就降低了USB得供电,于是我把键盘鼠标什么的都拔下来插上编程器再试一遍哦也,没在出现校验出错的了

再试试CH431也好了只昰时间比较慢,4M的固件写入8M的flash8分钟。

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