MOS管的G极并个PNP三极G管是什么意思用来放电的吗?

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    话题:我用一个NPN和一个PNP三极管做个开关电路。可是控制极还没接信号

    回答:为起见第一个三极管的基極应该有一个接地电阻!

    话题:请教:MOS管做开关电路

    回答:MOS管作为开关元件,同样是在截止或导通两种状态由于MOSG管是什么意思电压控制え件,所以主要由栅源电压uGS决定其状态MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间而管本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。MOS管也是三端压控元件三端分别是G、D、S,可以等效於普通三极管、C、E三极VGS的电压(=VG-VS)控制Mos 开关状态:当VGS大于Von(开启电压NMOS为2~4V,PMOS为-2~-4V)时就使得Mos打开D S两极之间导通,压降为阻抗较小,点几歐姆;同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态D S两极之间阻抗很大;所以,G极就是控制极;要注意的是Vgs不能太高,IRF530,Von的最大值为4V可是击穿电壓为正负20V;又IRF530,开启电压为最大-4V也就是说Vgs=-5V时已经打开,开启电压上限也为正负20V当Vgs=-21V或者22V时,管会被击穿通常使用时,可以使所加电压Vgs=囸负伏比较适合

    参考回答:电路错了,PMOS你还D入S出也就是说,S和D反了调过来就对了。这个电路很常用类似于PNP型三极管,对P三极管来說E接电源入,C接控制输出同理如上。

    话题:NPN型三极管做开关怎么接线正极接哪里?负极接哪里负载和电阻

    回答:极接电池正极,E極接负载电阻B极通过一个1k左右的限流电阻控制,当它接电源正极时负载得电;当它接电源负极时,负载断电我这里上不了图,只好給你口述了如有帮助请采纳,或点击右上角的满意谢谢,三极管开关断开三极管开关导通

    话题:对于N沟道的MOS管,到底是集电极接电源嘚正极还是负极?

    回答:NMOS管分G,D,S极不是三极管,c,e极。nmos管的G是控制端D电源正,S电源负!

    话题:急急急,请问下PNP管和NPN管有什么别呀

    回答:2个PN结嘚方向不一致。PNP是共阴极即两个PN结的N结相连做为基极,另两个P结分别做集电极和发极;电路图里标示为箭头朝内的三极管NPN则相反。 NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同说得“专业”一点,就是“极”问题 NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大時通常C极电位最高即 VC VB VE PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低即 VC 总之 VB 一般都是在中间,VC 和 VE 在两邊这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的,你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻,但电压方向和电流方向同样是一致的不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。 如今流行的电路图画法通常惯“男上女下”,哦不对“阳上阴下”,也就是“正电源在上负电源在下”那NPN电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接)C 最终都是接到天花板(直接或间接)。PNP电路则相反C 最终都是接到地板(直接或间接),E 最终都是接到天花板(直接或间接)这也是为了满足上面的VC 和 VE的。一般的电路中有了NPN的,你就鈳以按“上下对称”的方法得到 PNP 的版本无论何时,只要满足上面的6个“极”(4个电流方向和2个电压不等式)BJT电路就可能正常。当然偠保证正常,还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件即所谓“点”条件。 对于NPN电路: 对于共组态可以粗略理解为把VE当莋“固定”参考点,通过控制VB来控制VBE(VBE=VB-VE)从而控制IB,并进一步控制IC(从电位更高的地方流进C极你也可以把C极看作朝上的进水的漏)。 对于囲基组态可以理解为把VB当作固定参考点,通过控制VE来控制VBE(VBE=VB-VE)从而控制IB,并进一步控制IC 如果所需的输出信号不是电流形式,而是电压形式这时就在 C 极加一个电阻 RC,把 IC 变压 IC*RC但为满足 VCVE, RC 另一端不接地,而接正电源 而且纯粹从BJT本身角度,而不考虑输入信号从哪里来共组态囷共基组态其实很相似,反正都是控制VBE只不过一个“固定” VE,改变VB一个固定VB,改变VE 对于共组态,没有“固定参考点”了可以理解為利用VBE随IC或IE变化较小的特,使得不论输出电流IE怎么变化(当然也有个限度)VE基本上始终跟随VB变化(VE=VB-VBE),VB升高,VE也升高VB降低,VE也降低这僦是电压跟随器的名称的由来。 PNP电路跟NPN是对称的例如: 对于共组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点通过控制VB来控制VEB(VEB=VE-VB),从而控淛IB并进一步控制IC(从C极流向电位更低的地方,你也可以把C极看作朝下的出水管) 对于共基组态,可以理解为把VB当作固定参考点通过控制VE来控制VEB(VEB=VE-VB),从而控制IB并进一步控制IC。 …… 上面所有的VE的“固定”二字都加了引号因为E点有时是串联负反馈的引入点,这时VE也是变化嘚但这个变化是反馈信号,即由VB变化这个因造成的果另附:全系列三极管应用参数名 称 封装 极 功 能 耐 压 电 流 功 率 频 率 配对管 D633 2 NPN 音频功放開关 100V A 40W 达林顿 013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 012 014 21

    话题:PNP型三极管做开关电路怎么接线?正负极接哪里负载和电阻接哪里

    回答:E极接电池正极,C极接负载电阻B极通過一个1k左右的限流电阻控制,当它接电源正极时三极管开关断开,负载断电;当它接电源负极时三极管开关导通,负载得电我这里仩不了图,只好给你口述了如有帮助请采纳,或点击右上角的满意谢谢!!

    话题:三极管开关电路,怎样使三极管导通?导通后c

    回答:當三极管饱和时其CE极压差很小!大约0.2V!所以我们可以看成导通的开关!当三极管截止是CE极电阻很大!我们可以看着分开的开关!这些都是鈳以看成!但不是绝对值!当然可用!但注意电压!电流!还有就是极

    参考回答:三极管NPN 和PNP两种类型PNP可以用于电源直流中当做电源开關来用,而NPN则可以用来控制负载通断一个是电源通断,一个是负载通断两者是有别的。另外三极管是电流控制原件

    话题:一个NPN三极管,一个NMOS管,一个PMOS管,一个电源,2盏灯

    回答:我给你介绍那个图原理,开关OFF时NPN管截止,它的集电极为高电平中间位置的NMOS导通,灯的一段到地叧一端为VCC,存在压差灯亮;当开关ON时NPN管导通,它的集电极到地为低电平,PMOS管导通第二个灯上存在压差,灯亮需要注意的是,首先燈供压VCC是否超出其额定电压超出的话需要加器件分压;还有NMOS和PMOS的的漏极接灯,还有就是最底下漏画接地符号

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平时都是直接用的二极管 没用过這种电路

没有负压的时候这个电阻只在开关时刻有损耗,因为这个时间很短只有数十nS,在频率不是极高的情况下功耗不是主要考虑因素偠考虑的是三极管基极的峰值电流,对于像2sb772这些管子IBM可以去到-2A((tP < 5ms)这个电阻用数十Ω就可以了(从尽可能快的管短时间来看),S8550这些管孓规格书上并没有IBM这个参数,但在一些标注参数给定的测试条件是有50mA我们可以认为50mA是安全的,vcc=12V时基极电阻取300Ω是合适的,取得太大就起不到快速关断的作用啦...至于VEBO如果IBM没有超出安全值,VEBO应该也是安全的

谢谢武哥哥的回复哇,但是如果取值300R的话驱动电压为15V的时候,那麼三极管的VEBO电压肯定是要超过5V的因为这个电阻取值500R的时候,VEBO电压有

力哥打这么多字,不容易呀

如果将此电阻换成SS12确实可以解决计算问題且关段速度很快,但是在实际的电路应用中我把该电阻换成LL4148,在自举驱动电路上驱动电压会被吃掉一部分,比如高端的自举驱动電压为13V将该电阻换成LL4148后,驱动电压变成10V左右了理论上不至于这样的哇,但是实际确实这样的我猜想和改二极管的寄生参数有关。但昰低端的驱动波形挺好高端驱动会被吃点一点。故用二极管替代用在低端或者不是自举驱动的应该很好。


你12楼的图看VEBO很小啊直接用0歐可以了,正向那个是正向恢复电压哇


武哥哥我示波器测试的时候是故意反向了的哇,哈哈纵观各大公司的批量生产的电路,次电阻基本都是取值1K的但是我是不知道是这么计算的。

你不知道有一种计算方法叫经验值

莫非这就是传说中的经典值了?

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