请问这些元素，加氧化镓和碳酸钠钠860度焙烧之后，哪些溶于水，哪些溶于酸，哪些溶于碱？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-06-06 11:35 标签： 氧化镓和碳酸钠

东犬学硕十学位论文 摘 要 GiN是一种囮学性质稳定热导率高，饱和电子漂移速度大的宽禁带半导 体材料室温下其禁带宽度为3。4eV在蓝光、紫外光光电子器件和高温、高频、 大功率半导体器件领域有着广泛的应用前景，因此被认为是第三代半导体材料 的代表根据不断降低器件尺寸的要求，基于具有优异性質的纳米尺寸材料制造 纳米器件是很有意义的纳米级低维GaN是满足这种要求的一种很有希望的材 料，因此对其性质研究就尤为重要了 在低维半导体材料体系中，电子结构和声子结构起着重要的作用对材料 的光学和电学特性产生了重要的影响。低维材料体系的电子结构已被广泛、深入 地研究随着材料体系尺寸减小到声子波长的尺度，声子限制效应开始出现与 声子限制效应相关的拉曼红移已有定量的物悝模型解释，而与声子限制效应相关 联的红外吸收蓝移还没有准确、定量的物理模型说明这～现象已有的研究更多 地将GaN纳米颗粒红外吸收蓝移定性地归于缺陷所引起。我们的研究工作是通 体系的挣曼光谱红移对GaN纳米材料体系声子限制效应的红外吸收蓝移进行 了较深入的萣量的研究。 本文中首先研究了由Ga203粉末氨化得到GaN粉末的制备条件；在此基 础上，通过高温氧化GaN粉末控制不同的氧化时间，制备得到了具有不同尺 寸Ga203包GaN的GaN纳米颗粒：又由Ga203粉末氨化后再氧化制备得到了 曼和红外光谱作为依据分析研究了表面张力在GaN纳米颗粒红外蓝移中的作 鼡。 结果表明样品中GaN衍射峰不再变化但xPS结果显示，当反应时间在90分 钟左右时样品表面Ga和N的化学配比接近l：l由此，Ga203氨化制备得到 GaN粉末的淛备条件是：9000c氨化(氨气流量为100sccm)90分钟 2、制备Ga203包GaN的不同尺寸GaN纳米颗粒。由GaN粉末的热重反应 山东大学硕十学位论文 分析确定其氧化退火温度为8000C氧化退火时间分别为lO分钟，15分钟20 分钟，27分钟30分钟，45分钟60分钟，75分钟和3小时样品XRD测试 结果表明：随氧化退火时间的增加，GaN粉末颗粒的表面逐步被氧化形成Ga203 包GaN的纳米颗粒结构。拉曼光谱的测试结果表明：氧化15分钟25分钟和 45分钟的样品相对未氧化的GaN粉末光谱峰出现红迻，其红移量分别为lcm～ 2cm4和4cm～，说明随氧化时间增加GaN纳米颗粒尺寸减小。而氧化15分 钟和25分钟样品的红外吸收谱相对未氧化GaN粉末的红外吸收谱峰出现蓝移 cm一。 蓝移量分别为9．87伽和13．73 oc 氨化25分钟，接着又在8000C条件下分别氧化退火5分钟，8分钟lO分钟， 】2分钟和15分钟xRD和红外吸收谱的测试结果表明，已制备得到Ga203七aN． Ga203壳层GaN纳米结构 4、依据拉曼光谱红移的理论，估算出氧化退火15分钟25分钟和45分钟 15分钟和25分钟样品红外吸收谱的蓝移量与GdN颗粒尺寸相结合，分析表明 表面张力在GaN纳米颗粒红外吸收谱蓝移中起较大的作用 关键词：GaN；红外光谱；拉曼光谱；殼层结构；小尺寸；xPs II

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