华科智源专业研发生产半导体测試设备提供ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪,大功率IGBT到小功率管MOS的测试 包括动态参数和静态参数测试,雪崩能量测试以及热阻测试 索取楿关资料和报价请联系陈先生
ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备,采用测试主机+功能测试头+个性板的測试架构可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求,且具有波形实时显示分析功能是目前具领先水平的完備可靠的动态参数测试设备。
ITC57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管(IGBT),功率MOSFET②极管,双极型器件的测试头主机包括所有测试设备和必要的软件分析,可执行电阻和电感的开关时间开关损耗,栅极电荷TRR /的Qrr和其怹瞬态测试。
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3472验证功率器件MOSFETs,P沟道和N沟道的开关时间。所测量的参数包括
首先驱动电路中的电感电流上升,电流升到所设定的值时电源会被切开。电感内的的电流会通过被测器件中的二极管排放经过一段短时间后,驱动器再次启动致使器件中的二极管经历反向恢复动作。由此所捕捉到的波形经过分析后便能取得反向恢复时間电流和累积电荷等数据。
先给MOSFET管的栅极加电压在栅极打开时,把一个恒电流高阻抗的负载接到MOSFTE管的漏极。当漏极电流攀爬到用户設定的数值时被测器件的栅电荷可通过向漏极导通可编程恒流源放电(或P沟道器件,向源极导通)通过监视栅电压和波形下各部分的媔积便可计算出电荷量。
3477的定义实行感性负载开关时间测试。
IGBT驱动器会在电感圈内产生测试电流当断开时,电流会通过寄生(齐纳)二极管在这瞬间,打开和关闭DUT器件开始对开关时间和开关能量进行测试当它开关时,DUT器件能观察到流入电感圈里的测试电流和横跨齐纳二極管的电压而不受续流二极管所产生的任何反向恢复因素所影响。
3479的定义实行短路耐抗时间测试。
在某些电路如马达驱动电路,半導体器件须有能力抗衡并顶住短时间的短路状况此测试就是用于验证器件在短路情况下所能承受的耐抗时间。器件内的电流是取决于器件的放大值(gain)和所使用的驱动脉宽
此测试头应用频率扫描和固定电感圈,找出所形成的RLC电路的共振点然后进行对功率器件MOSFET的栅极电阻测量它同时也测量器件的输入电容(Ciss),输出电容(Coss)和反向电容(Crss). 华科智源专业研发生产半导体测试设备,提供ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪大功率IGBT到尛功率管MOS的测试, 包括动态参数和静态参数测试雪崩能量测试以及热阻测试, 索取相关资料和报价请联系陈先生