为什么选用稀土元素Nd掺杂ZnO晶体掺杂作为研究对象?

  通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上淛备了未掺杂和镧、钕掺杂ZnO薄膜XRD分析表明,ZnO薄膜具有C轴择优生长,镧、钕掺杂ZnO薄膜为自由生长的纳米多晶薄膜。用AFM观测薄膜的表面形貌,镧、釹掺杂ZnO薄膜表面形貌粗糙


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稀土掺杂ZnO纳米颗粒的制备及光学性能研究

掺杂是改变半导体物理性质的重要手段稀土掺杂的纳米晶体掺杂由于在室温条件下都具有高效的光学特性,在制备集成光电器件如可见光器件(蓝绿,红)等方面具有广泛的应用前景ZnO是一种良好的宽禁带半导体发光材料,作为稀土掺杂改性中的基体材料是一種相当好的选择将稀土离子掺到ZnO中,能使掺杂后的ZnO具有不同于本征ZnO的新特性进行适当的掺杂可以提高它的光、电、磁等...  

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