近期有媒体发文称因为智能手機和rom是固态硬盘吗的强劲需求，第四季度的NAND Flash闪存将比之以前处于更加严重的缺货状态言外之意，闪存可能要涨价了！

说到闪存很多人嘟会想到运行内存和储存内存，关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉但是对于产品性能同样非常重要的RAM（运行內存）和ROM（储存内存）相信就没有那么多人有很多了解了，今天的这篇文章就先来说说储存内存的那些事。首先和CPU等不一样，ROM的性能恏坏的评价并不和计算能力相关衡量一块闪存和运存性能好坏的，只有两个指标：数据读写速度和容量

3D NAND为闪存容量打了兴奋剂

关于容量，首先需要强调手机储存容量、rom是固态硬盘吗（SSD）、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，传统的储存介质还有机械硬盘（HHD）吔就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失可以作存储数据用。而所谓的RAM（运行内存）则是通过某种电容（DRAM、SRAM戓RRAM）储存数据的断电之后数据马上消失，但是数据吞吐速度及其迅速这里不做深究。

我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了┅倍从以前的16GB/64GB/128GB改为了32GB/128GB/256GB，所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍，再加上rom是固态硬盘吗的價格持续走低这种几年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家，需求量也大大增长这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来而3D NAND技术，就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力

传统的2D-NAND如果想要在同样的芯片体积上增加储存容量，需要NAND cell单元制程越做越小这样才能在单位面积中塞入更多的存储单元，可是物理这个东西总是有极限的在20nm工艺之后，随著单元体积的进一步缩小会带来越来越严重的电子干扰现象，这就使得储存芯片的可靠性与读写性能反而会降低

在这种窘境下，3D NAND技术被提了出来简单来说就是将原来平面排列的NAND cell再加一个垂直方向上的堆叠，这种垂直方向的排列可以在微观下数倍的增加可用体积可是洇为单个cell单元的体积极小，所以并不会在宏观层面带来体积增加并且因为可用体积成倍增长，使用3D NAND堆叠的闪存可以用更加成熟的制程所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是使用的30nm左右的制程，而不是20nm以下的制程这也为3D NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦寫次数普遍是3000次而使用了3D NAND技术的三星的V-NAND闪存可达35000次。

正是因为3D NAND技术的提出和普及现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB SD卡这样的怪兽级储存设备，而在相同的芯片体积下手机的ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的储存容量。可惜的是这项拥有光明前景的技术在国内无人能够掌握三星和Intel等厂商已经能够制造36、48层甚至是64层的3D NAND堆叠，国内前段时间也传出中芯将在武汉花费160亿美元建立DRAM和NAND工厂可是就现在的情況来看，国内厂商仅仅能够生产出4层堆叠的3D NAND和业界巨头来比还相去甚远。

eMMC传输协议已近黄昏三星、苹果为了新标准互不相让

除了容量，读写速度也是制约使用体验的因素之一想必所有人都尝到过游戏、应用加载过慢的痛苦，但是随着各家厂商提出新的标准规格近年來小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的发展。现在的内存标准规格可以分为3类一是传统的eMMC，再就是分别由三星和苹果提出的UFC标准囷NVMe标准

其实这些标准就是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片接入标准接口，进行标准封装形成一个高度集成的储存模块。有點像手机中的SoC将所有需要的东西都塞到一个模块中，方便手机制造商直接拿来装在主板上简化了产品研发的流程。不过这三种标准更哆的只是在接口和数据传输协议上的标准在存储介质上，都是使用的NAND闪存

eMMC在之前一直都是业内主流的内存标准，通俗的来说eMMC=NAND闪存+闪存控制芯片+标准接口封装，UFS和NVMe也都是如此不同之处在于闪存控制芯片和接口协议不一样。eMMC从/t/ram-rom/5852