k1249irf3710场效应管参数引脚参数

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-07-12 00:15 标签： 场效应管引脚
  　　场效应晶体管(FET)简称irf3710场效应管參数利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分1960年Dawan Kahng发明叻金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET而目前大家听的最多的MOSFET其实就是IGFET。南电森美为北京南电科技分公司经营产品种類繁多，二三极管、整流桥、集成电路、MOS管以绝缘材料等均可提供下面就由小编告诉大家irf3710场效应管参数常用型号及相关参数。
　　74HC595是硅結构的CMOS器件兼容低电压TTL电路，具有速度快、功耗小、操作简单的特点595具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能8位串行/串行或並行输出移位寄存器，在电子显示屏制作中有广泛的应用三态分别为高阻、关、断状态。
　　2N7002为N沟道增强型场效应晶体管漏极电流Id 最夶值为280mA，电压,Vds 最大为60V
　　IR2113由低端功率晶体管驱动级、高端功率晶体管驱动级、电平转换器、输入逻辑电路组成。它把驱动一高压侧和一低压侧MOSFET或IGBT所需要的绝大部分功能集成在芯片内 可以根据自举原理工作或加一浮动电源，外围电路简单
　　2SK1336N沟道irf3710场效应管参数，为高速電源开关管具有低导通电阻，适用于电机驱动及DC-DC控制
　　IRC540为N沟道MOSFET，导通电流为28A Vdss为100V ，导通电阻为0.077Ω，具有快速开关、驱动简单等特点
　　AO3400为N沟道增强型的MOSFET，主要用于高密度电池设计适用于超低导通电阻。
　　IRF3710为N型irf3710场效应管参数IRF3710的HEXFET功率irf3710场效应管参数采用先进的工艺技術制造，具有极低的导通阻抗IRF3710这种特性，加上快速的转换速率和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3710成为极其高效可靠、应用范围超广的器件漏极电流Id最大值为59A，电压Vds最大为100V
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