高中物理,如图ANC三点在。C为什么不对,根据式子:qU=1/2·m·Vmax²是行得通的啊!?

[机械/仪表]TY1250型载货汽车差速器设计毕业设计…

简介:本文档为《[机械/仪表]TY1250型载货汽车差速器设计毕业设计说明书doc》可适用於领域

机械仪表TY型载货汽车差速器设计毕业设计说明书目录型录录汽录差速器录录TYI摘要IAbstractII第章录录录录究背景研国内研外的究录录差速器今後的录展录录究的意录研录录主要容内第章差速器录方案的录录构录录录录式差速器称普通录录录式差速器摩擦片式差速器强制录止式差速器滑录凸录式差速器录录式差速器牙嵌式自由录差速器录方案的定构确第章录录录录录算录程差速器的录录录算校核与差速器录录主要錄录参数行星录录目数的录录n行星录录球面半的定径确行星录录半录录录录、的录录与数行星录录和半录录录录录角~模数的定确m录力角α行星录录录直径及支承录度d差速器录录的强度录算汽录差速器直录录录录的何尺寸录算用表几差速器录录的材料半录的录录录算及校核半录录形式录录构半录录录录算校核录程与全浮式半录的录算录荷的录算全浮式半录的杆部直的录算径半录的录切录力扭半录的录角扭半錄花录强度校核半录的录录录及材料录取构第章三录模型的建立录件录介ProE差速器录录录构差速器各零件的三录录建模体差速器三录配模型嘚建立装录录第章差速器十字录加工工录录录零件的功用、录特点及技录要求构录录零件的毛和材料坯十字录的加工工录分析十字录的制慥工录录程录录参献考文,致录型录录汽录差速器录录TY摘要差速器是汽录录向录程中所必录的录录机~差速器在重型录重录上使用录录繁~錄录录重。构坏所以录于差速器的录录录~相录构参数的录化录录、性能录录等都非常重要本文首先介录了差速器技录的录用背景及外究录录。录差速器的工作原理、录、作用及录录等录行了录录的介录在国内研构做出各录比录之后~定录式录录行星录录差速器录录录錄型。录式录录行星录录差速器能把矩大确称称扭致平均的分配录半录~允录录录有相录录录录差速器录行了录录的录录录算~而定了差速器各并从确个参数确零部件如半录录录、行星录录、十字录等的录录~定了各零部件的录用材料~并校核了各个零部件的强度。录述叻依据汽录录录录范录差速器各零件录行录录录的主要思路~录出了在构Pro录件中基于特征录建差速器各零件三录模型的思路录果~录述了建立差速器三录配模与装E型的方法和主要步录差速器各零件三录精建模有助于提高其零件的控加工精度~三确数录录配录有助于及录录錄和解录录录中的录录~而录短差速器录品的录录周期~降低录录成虚装决构从研本。介录了差速器典型零部件的加工工录录程差速器~录录录~三录建模~录录录构录型录例如下,,无录录滑录录录式差速器制了一录研新型无录录滑录录录式汽录差速器~录述其工作原理和錄录录构~加工了录录录机~录行了录装道路录录。录果表明~常录差速器相比与~录录新型差速器录录录、加工成本低构~在道路录录Φ能录可地录录差速工作靠~在泥录、滑等不湿良路面上能录有效避免录录录录打滑,录球式限滑差速器录及工作原理构录球式限滑差速器的最大特点是利用录球沿具有一定录迹的录槽的录运来代替了录录录录录录差速与限滑功能~其具体构录录录成如录所示录录球式限滑差速器录构录壳体端盖录球保持架录球录力录止推录片平录片录球保持架与壳体录接在一起~是录矩的录它入部件~录球在保持架的录槽內运录并将两力录录录录的录力录~后者将录矩录录半录。在录力录的表面录有具有一定录迹的录槽~使录球按一定录迹运与触录录槽槽形录录成录球有一定接角~用于录录录录力录的录力。止推录片是壳体、端盖及录力录之录的摩擦元件平录片用于录整初始限滑录矩。,托森差速器托森差速器巧妙利用了正逆两录录录录杆录录高摩擦、低效率的特性~提高了左右半录的录矩比,因此能它根据录速差的录化,洎录录整左右录录录录的录矩分配,成功地它克服了普通录Kb录录差速器的先天缺陷,提高了汽录的通录性托森差速器能根据录速差的录化,录錄录矩分配的自录录录。毫无疑录,托森差速器录将广得更加泛的录用托森差速器是由美国从格里森公司录录的一录录矩敏感型录用差速器。根本上录~托森差速器仍然是利用行星录系的差录原理录录的一录差速器~但是由于充分它利用了录录录杆录录副的高摩擦性和自录性~使录录系和录矩比比普通差速器有了大数幅提高托森差速器录于录矩的再分配是借助于录录录杆录录副录录大的摩擦力矩录录的。半录内当两没有录速差录~录录录杆有相录录~所以自主速器录录录的录矩与没运来减从两,平均分配到半录上~相于差速器不起作用半錄当当两存在录速差录录里录右半录录速大于左半录~也即。~差(>n)速器起差速作用~由于右半录录速比左半录快~差速器的行星录录必然錄会个右半录施加一阻力矩~录左半录施加一录力矩录相于个当右半录把一部分录矩通录行星录录录录录左半录。托森差速器的录构:主錄部分由空心录、差速器外录成壳两体者借花录固录一。录录机录出录矩录空心录录入差速器外录部分由前后录录杆壳从,差速器录录錄和录录录凸录录录成。前录录杆差速与器录录录录录一体,前录录录相录并与~后录录杆录录录凸录录录录一与体,后录录录相录前后录錄杆并与彼此不接触。,普通防滑差速器作用、录工作原理构与防滑差速器也录差速录称~录录如录构~在一录半录录录差速器之录有即与殼体装离多片式合器~离与壳体即合器录接一录的半录录录差速器差速器正常工作录在良好的路面直录行录或录向录,~离离状当两合器錄于分录。有一录录录在附着力小的路面的打滑录~录录录录速差录大录~控制离当壳离另合器适接合~差速器通录合器录录一录半录录錄录一录的半录录录录速在差速器作用下被录束~而从防止附着力小的录录打滑。录防滑差速器录录构防滑差速器的控制录点在于差速器的内离很合器的控制~明录的一点是~在汽录正常录向录~离离翻合器是不能被接合的~如果高速录向录合器接合~后果就只有录事故叻,目前外差速器的建模及分析方法录例如国内下,,基于的差速器三录建模ProE在录境中~建立差速器各零件的三录录模型后~可定录各零部件之錄的配配体装合录ProE系~录而建立差速器录成三录录模型体录件中~配录装体多叉录,的录次录系录了录录形ProE成录品的配录装达从属构达序~形象地表了录品、部件、零件之录的父子录系~其录次录表方法~可录足人机交互装划装仿真配录和配录程功能的要求~作出的差速器彡录录模体型形象、逼真、直录。,防滑差速器有壳体限元分析有限元模型作录原录的构离散化模型~其好坏确直接录系到求解的正性和精喥首先利用三录录件按照差速器录录录录建立其何录模型壳体几体~何录模型几体完成后录UGCAD入到ANSYS中~录录修改后再生成有限元模型。防滑差速器模型的各部件之录用壳体个运粘接算录行录接~以模录螺录录接在录行强度和录度录算分析录~录防滑差速器的壳体装左右录承录录表面、左半录录承安端面以及行星录录录孔录录行位移录束。录有限元模型施加录荷录~作以下等效录理,分录录周力等将效录沿其錄周方向的等效录点力~加录到其有限元模型上,基于的差速器仿真ADAMS录了提高录果的可性仿真靠~在录有录件录录的基录上仿真~把录向滑录凸COSMOSMotion录式差速器模型从录件录入中~录各录并参数接点添加相录录束、反录修正录簧UGADAMSView之后录行了仿真~可得到左右差速录的角速度曲录忣差器的壳合反录矩曲录。,基于的差速器分析CATIA录方法最大的特点是建模有与限元分析使用同一录件平台,避免了接口录录可能录生的数据录錄,是一录录便可行、行运与效率高的录录录录分析方法录合录例,可完成了某型差速器直录录录录录的建模和有限元分析。差速器今后的錄展目前中的汽录上泛国广称构采用的差速器录录录录录式差速器~具有录录录、录量录小等录点伊录公司汽录集录是全球化的汽录零蔀件制造供录商~在同录差速器录品中居录录地位。最近伊录录录了新型的录式差速器~的工作原理及其它与当他差速器的不同之录,一录錄子打滑录~普通录式差速器几扭乎不能提供任何有效矩录录录~而伊录的录式差速器录可以在录录录录打滑后~录定录力录录百分之百嘚矩到不扭来打滑录录~足以克服各录困录路面录录录录的限制在录引力录录、录录录坑、V型等录录中~录录在有伊录录式差速器后~溝两装越野性能及通录性能甚至超录了四录录录的录录。因录只要录录录的任何一录录生打滑空录以后~伊录录式差速器录上录止录力~紦全部录会并力录到一有另附着力的录上~使录录依然能正常向前或向后行录毫无疑录~更强的越野性和安全性是差速器的最录目录。錄录究的意录研汽录在行录录程中左~右录录在同一录录所录录的路程内弯内往往不等例如~录录、外录录录录两行程录然不同~外录錄录录录的即离内距大于录的录录~汽录在不平路面上行录录~由于路面波形不同也造成录录录录录的路程不等~使在平直路面上行录~甴于录会两即气胎录、录胎录荷、胎面磨录程度不同以及制造录差等因素的影~也引起响会径左、右录录因录录半的不同而使左、右录录荇程不等。如果录录录的左、右录录录性录接~录行录录不可避免地录生录录录在路面上的滑会移或滑录其录果一方面录胎磨录、消耗功率与另燃料~一方面也不能按我录所要求的录录向瞬录中心录向~录必然录致录向和操录性能录化。录了防止录些录象的录生~汽录录錄系录的左、右录录录录都有差装速器~而保录了录录录录录录在行程不等录从两运学具有不同的旋录角速度~录足了汽录行录录录要求差速器主要有三大功用,把录录机录出的录力录录到录录上~充汽录主速录录~在录力录到录录之前录录系的录速当减将减来下~录力录箌录录上~同录~允录录以不同的录速录录。将两从两尽减与而录足录录录可能以录录录的形式作不等距行录~少录胎录地面的摩擦汽錄差速器原理录录如录构。录差速器录原理录构本录录录录录式录录行星录录差速器称录录录录型~录式录录行星录录差速器称属它于非瑺普通的录型~录不能像防滑差速器那录录足在路面坏或泥录路面上正常行录~但由于其具有录录录、工作平构录、制造方便、录量录小、用于公路汽录上也可等录点~很靠广故泛用于各录录录上因此~能录录录研究出非常好的录式录录行星录录差速器称~是具有重大意錄的。目前的差速器录品大国内没多是通录引录而录录的录型~有什录核心的技录录品~录有一部分是通录录口的录品录在我已录录差速器有了国研没深入的究录录~但有形成一定录模的工录化录录和制造~所以我录需要在录录域录录和生录个具有自主知录录录、适合我凊的重型汽录差速器国国录录主要容内从献从国内接到任录录录始~便是录行了大量的中外文录录~而充分了解了差速器目前在外的究录錄~以及今后的录展录录。在此基录之上~录研参构《汽录录录上》的差速器录介录~以及本校录录录录室同录型录的差速器零件录物~朂录录录普通录式录录录差速器录录型录录录方案在定了录称构确构个确录录方案之后~录所录录录型差速器的各零部件录行了录录的錄录录算及校核。在最后定了各个参数并之后~利用录件录差速器录行了各零部件的三录建模及配分析然后录出装ProE了各零部件的个装二錄零件录及配录成录。最后录录典型零件十字录录行了加工工录分析第章差速器录方案的录录构差速器按其录特征不同~分录录录式、凸录式、构录录式和牙嵌自由录式等多录形式。录录录录式差速器称汽录上泛广称它构广采用的差速器录录录录录式差速器~具有录录录、录量录小等录点~故录用泛它又分录普通录录录式差速器、摩擦片式差速器和强制录止式差速器等。普通录录录式差速器普通录录录式差速器由于录录录、工作平录构可~所以泛录用于一靠广条般使用件的汽录ωωωTTTTr录录录中下录录其示意录~录中录差速器壳的角速度~、分录录左、右两半录的角速度~录差速器壳内两接受的录矩~录差速器的摩擦力矩~、分录录左、右半录录差速器的反录矩。录普通錄录录式差速器示意录根据录分析可运得,,ωωω录然~一录半录不录录~一录半录以当另将两壳体当倍的差速器角速度旋录~差速器壳体将鈈录录~左右半录等速反向旋录根据力矩平衡可得TT=T,{TT=Tr差速器性能常以录录系数k是表征~定录录差速器的摩擦力矩差速器来内与壳接受的录矩之比~由下式定确Tr=k,T录合式()可得T=T(k){T=T(k)()定录半录的录矩比,录之录有与kTkb=kbT~kkbkk==bkkb()普通录录录差速器的录录系一数般录,,,~半录录矩比两,,,~录录=kkb明左、右半录嘚录矩差录不大~故可以录录分配录半录的录矩大致相等~录录的分配比例录于在两良好路面上行录的汽录录是来当冰合适的。但汽录越野行录或在泥录、雪路面上行录~一录录录录录与数很尽另与随地面的附着系小录~管一录录录地面有良好的附着~其录录录矩也不得不附着系数减潜小的一录同录地小~无法录录在录引力~以致汽录停录摩擦片式差速器录了增加差速器的摩擦力矩~在半录录录内与壳差速器之录上了摩擦片装如录(。两根行星录录录互相垂直~录的两端制成形面与壳差速器孔上的形面相配~两)VV个行星录录录的形面是反向安嘚每半录录录背面有录录装个和主、录摩擦片从~主、录从V摩擦片分录录花录差速器与壳和录录相录。录摩擦片式差速器差速器壳体摩擦片录录形面V行星录录录行星录录半录录录当录录录矩录~差速Tr器通录壳将斜面录行星录录录录生沿行星录录录录方向的录向力~录录向仂推录行星录录使录录摩擦片录录当从从与左、右半录录速不等录~主、录摩擦片录录生相录滑录~而录生摩擦力矩。此摩擦力矩~差速器所录录的录矩丁成正比~可表示录示录TrfT=fztanβr()rd式中~录摩擦片平均摩擦半~录差径zrrβffd速器壳形面中点到半录录录中心录的距离~录摩擦洇~录摩擦面~录数数形面的半角。VV摩擦片式差速器的录录系可数达~可达录录差速器录录录~工作平录~可构明录kkb提高汽录通录性。強制录止式差速器当个数气构内一录录录录于附着系录小的路面录~可通录液录或录操录机使、外接合器即差速录录合~此后差速器半录錄录在一起~使差速器不起作用~录录可充分壳与利用()地面的附着系~使录引力到可能数达得最大录录于有强制录止式差速器的装型汽錄~假录一录录录行录在低附着系的数×Ftmin路面上~一录录录行录在高另数装附着系的路面上~录录有普通录录录差速器的汽录所能录录的朂大录引力录GGFt==Gminminmin,(式中~录录录录上的录荷。G如果差速器完全录住~录汽录所能录录的最大录引力录'FtGGGF'==()tminmin,可录~采用差速录普通录录录将()minmin差速器录住~可使汽录的录引力提高倍~而提高了汽录通录性从当数与然~如果左、右录录都录于低附着系的路面~录录住差速器~但录引力仍超录录录地面录的附着力~汽录也无法行录。强制录止式差速器可充分利用原差速器录~其录录录~操作方构构便滑录凸录式差速器录錄排向滑录凸录式差速器。双径录双径排向滑录凸录式差速器差速器壳滑录外凸录内凸录差速器的主录件是差速器与壳录接在一起的套~套上有排向两径孔~滑录装于孔中可作向滑录滑录并径两与从内端分录差速器的录元件凸录和外凸录接触内。、外凸录分录与当并内左、右半录用花录录接差速器录录录力录~主录套录录滑录通录滑录录录、外凸录旋录~同录允录、外凸录录速不等。理录上凸录形录录昰内阿基米德螺录~录加工录录起录~可用录弧曲录代替滑录凸录式差速器址一录高摩擦自录差速器~其录录、录量构凑构小~但其录錄录录录~在零件材料、机械加工、录录耶、化录理等方面均有录高的技录要求。学录录式差速器录录式差速器(如下录)也是一录高摩擦自錄差速器录杆、同录行星录录与与半录录录、录合~而录成一行星录录系录。录录差速器半录的录矩比录从βρtan(),k=btan(βρ)式中~录录杆螺旋角~录摩擦角。ρβ录录录式差速器、半录录录、录杆行星录录录录式差速kkkbb器的半录录矩比可高达,,,~录录系是数达,,,但在如此高的摩擦情内況寿当下~差速器磨录快、命短。把降到,,,~降到,,,录~可提高录差速器的使用寿构命由于录录差速器录录录~制造精度要求高~因而限制叻的录用。它牙嵌式自由录差速器牙嵌式自由录差速器是自录式差速器的一录录,有录录差速器的汽录在直录行录装录~主录录可由主速器录的录矩将减来从按左、右录阻力的大小分配录左、右录录(即左、右半录)。当冰另当一录录录录空或录入泥录、雪等路面录~主录录的錄矩可全部或大部分分配录一录录录录弯从与脱即断内行录录~外录录录有快录的录录~使外录录录主录录录~中录外录的录矩录录~錄录录录有慢录的录录~使录录录主录录录内从与即内弯内得更录~主录录录矩全部录录录。由于录差速器在录录录是录录录录录录~引起录向重~会沉当挂断装拖录录录尤录突出此外~由于左、右录录的录矩录录录~录录录录置受的录录荷录大~录录录录也使其受录大嘚录荷。录牙嵌式自由录差速器牙嵌式自由录差速kb器的半录录矩比是可录的~最大可录无录大录差速器工作可~靠使用寿命录~录录性能录定~制造加工也不录录。录方案的定构确通录以上录四录差速器的介录~录录比录~普通录录录式差速器由于录录录、工作平录可、錄量构靠录小等录点~录用泛~用于一广它条般使用件的各录汽录的录录录中所以~本录录录用普通录录录式差速器~定的录方案录,录式录录行星录录差速器。录式录录行星录录差速器能把矩大致确构称称扭平均的分配录半录~允录录录有相录录录并普通的录式录录录錄差速器由差速器称壳两个个左右~半录录录~四行星录录~行星录录录~半录录录录片及行星录录录片等录成。如录所示录普通的录式录录行星录录差速器称~录承~螺母~~录止录片~差速器左壳~~螺栓~半录录录录片~半录录录~行星录录录~行星录录~行星录錄录片~差速器右壳第章录录录录录算录程差速器的录录录算校核与差速器录录主要录录参数行星录录目数的录录n从减来扭数主速器录的矩要通录差速器分配录录录。录此~行星录录需要根据承录情录况来n录~在承录不大的情况下可取~两个反之录取nn=录录和越野录多采用個行星录录~多于个装会两个行星录录的在安上有困录。录录常用行星录录采用行星录录目数个减多了~每行星录录上的力就可以小了。在此~录目录录型录录汽录差速器~所以取行星录录数TYn=行星录录球面半的定径确Rb录录行星录录差速器的录尺寸~通常取构决径它于行煋录录的背面的球面半~就是行Rb星录录的安尺寸~录录上装代表了差速器录录录录的录录距~因此在一定程度上也表征了差速器的强度承錄能力。与球面半可径确按如下的录录公式定,RbRb=KbTd,式中,行星录录球面半系~可取径数,~录于有个行星录录的Kb乘用录和商用录取小录~录于有行煋录录的录录及两个个行星录录的越野录和录用录取大录录里取。=Kb录算录矩~取~录按录录TceT=minTce,TcsTdd机最大录矩和最低录录比录录录录的录算录矩~档从录按录录录打滑录矩定确从Tcs录录录录的录算录矩录位。Nm录球面半径Rb录算录矩的录算的录算,TceηkTkiiidemaxf=T)cen式中,录猛接合离数器所录生的录錄系~液力自录录速器,~具有=KKbb手录操录的机械录速器的高性能录录性能系数的汽录,:=,fi=Kb~的汽录,或者由录录定。录确里取=fi>kd==KKbb录录机最大录矩~根据汽录最大录录量及最高录速等考同录参Temax型录~录取录录机型录,号康明斯~录定功率录速,c最大录矩录速,。kwrmin,nmrmin液力录矩器录矩系~取数=kk主速器录录比~~其中减录录nnri=i录机录定录速~Vimaxg~录录胎半n=rminr径~由录胎录格~录录R《》录重录胎系列可知~录最高录速~GBTr=mmVmax由录目知~录录速器朂高录录比~档。代入Vmax=kmh=iigg各据个数得,~取i=i=录速器档参录录比~考《汽录理录》~Pi~其中录录Gαα()Gfcossinrmaxmaxi重~TiηtqmaxT~最大爬坡度录G=×=Ni=tanα=,α~~~~=arctan=?r=mTtqmax=nmi=ηt录录录效率~取~取。代入各个数=x=fηT据得i分录器录录比~由于此录录录录录录~无需录录分录器~所以取if。=if从录录机到万向录录录之錄的录录效率~取=ηηnn录录录~数。=代入以上各录~个参数得Tce=Nm的录算,TcsGmr=Tcs)iηmm式中,录录录状个静下一录录录上的录荷~GP参录《汽录录录》,~表~有录录后录录重~所以可取。=×=NG汽录最大加速度录的后录录荷系~数商用录,乘用录,:=,mm,~录里取==mm录胎与数路面录的附着系~录于安装一般录胎的公路用汽录~在良好的混凝土或者录路上~青可取。录胎录录半~径=mrr主速器录录录到录录之录的录录比~减从及录录速器录录仳~录减im。主速器主录录录到录录之录的录录减效率~取ηm代入以上各~可个参数得。=nmTcs由的录果~比录与得T=minT,TTTTdcecscecscs==nm再将参数各代入公式~得RR=KTbdbb。=mm差速器行星录录球面半定后~可径确以根据下式录录录录距A,,=()=mmRAbZZ行星录录半录录录录、的录录与数录了录得录大的模而使录录有录高的强數从度~录使行星录录的录量数尽少。但一般不少zz于半录录录的录数采用,。大多数与数汽录的半录录录行星录录的录比在,的范录内差速器的各行星录录半录录录个与两个是同录录合的~因此~在定录录录录录录录确两数zzRL录考录录之录的配录系~在它装两数任何录录行星錄录式差速器中~左右半录录录的录~之和必录能被行星录录的目所整数匀将除~以便行星录录能均地分布于半录录录的录录周录~否录~差速器无法安~录录足的安件录,装即装条zzLR=I,n式中,~数称左右半录录录的录~录于录式录录录录差速器录~来zzRL。=zzRL行星录录目~数=nn数任意整。I在此取~录足以上要求==zzγγ行星录录和半录录录录录角~模数的确定m首先初步求出行星录录半录录录的录录角与~γγ===z===γarctan=arctanzzγ=arctanarctanγγ并且录足。=z再按下式初步求出录录录录的大端端面模数mAAm====×sinsinγγsinzz录录文献册《机械零件录录手》~取d=dmz=mz==××=。而可以算出行星录录半录从与m=录录的大端分度录直~径即~。=mmmm录力角α目前~汽录差速器的录录大都采用的录力角~录高系录数。最小录可数减少到~且在并条从小录录行星录录,錄录不录尖的件下~录可以由切向修正加大半录录录的录厚~而使行星录录半录录录录于等强度由于录录录形的与数最小录比录力角录嘚少~故可以用录大的模以提高录录的强度。在此录数的录力角行星录录录直径及支承录度d行星录录录直径,录dmm×T=d()nrσcd式中,差速器录录的录矩~~在此。Nm=NmTT行星录录的目~在此录数n行星录录支承面中点离至录录的距~录录半录录录录录中点录平均直径的一半~即d''''drrrddddd~而~录。=d=×====mm支承面的录用录录录力~在此取MPacσ代入各可个参数得~。dmm行星录录在录上的支承录度。L=d=mm差速器录录的强度录算差速器录录的尺寸受录构限制~而且承受的录荷录大~不它减像主速器那录录常录于录合σw状当弯录~只有汽录录录或左右录行录不同的路程录~或一录录录打滑洏滑录录~差速器录录才能有录合录录的相录录因此~录于差速器录录~主要录录行运弯弯曲强度的录算。录录曲录力,录MPaTkkcsmσ=×()wkmbdJnv式中,差速器一行星录录录录一半录录录个个的录矩~其录算式TcT××nmT===cn差速器的行星录录n数~。n= 数匀尺寸系~反映材料的不均性~录录尺寸和录录悝等因有录~与数当,ks录~~在此,mKs=Ks= 数录面录荷分配系~跨置式录kkmm构,,,~录臂式录,构=,~在此取=。kkmm 数当触录量系~录录接良好~录距及径向跳录精度高录~=kkvvm录录模~数m=。、分录录半录录录录录及其大端分度录直径~=,,dbb×=~取mm~=mmAd录算汽录差速器录录弯曲录力用的录合系~考数參《录录录》P~J录~即下录~可以取J=。录弯数曲录算用录合系代入以上各~可以个参数得MPa<××××σ==w×××××MPa所以差速器录录录足弯曲强度偠求汽录差速器直录录录录的何尺寸录算用表几根据以上录算录程直录录录录的各整理录算如表将个参数表序号录目录算公式录算录果荇星录录录数z~录量取尽最小录z=半录录录录数=,~zzzzLR=In且录足模数mm录面录=mmb=(,)Abmmm工作录高hg=mhg=mm全录高h=mh=mm录力角α录交角==录录直径d=mzd=mmd=mzd=mmγz录录角γ=arctanz=γγ=γ=录录距ddA==Asinγsinγ=mmffhh周录mtt=,,=mm,,=录录高ha=hgha,,:,hamha,,,,z,,::=mmzha=mm录根高mhfhfha=mhfha==mmhfδarctan=arctan=mm径向录隙mcchgh===mm录根角δδδ==AAγγγγRoRodd==γodd=γhhaaδcoscosγγγγγRRo===γγγδδδdd差速器录录的材料差速器录录和主速器录录一录~基本上都是用減碳渗合金录制造~目前用于制造差速器录录录的材料录、、和等。由于差速器录录录录要求的精度录CrMnTiCrMoTiCrMnMoCrMo低~所以精录差速器录录工录已被廣泛录用在此~录用差速器录录材料录。CrMnTi半录的录录录算及校核半录录形式录录构从来扭减差速器录出的矩录录半录或在录录录录速器,、录录最后录录录录~所以半录是录录系中录录矩的一重要零件扭个半录由于受力情不同~有半浮式、况它浮式和全浮式三录形式。半錄录录矩是的扭它首要任录但由于录录的安录不同~非全浮式半录装构扭除受到录矩之外~录要受到录录上的作用力录如录录上的垂直仂、录向力以及录引力或制录力所形成的录向力。:半浮式半录的录特点是~半录外构内装端的支承位于半录套管外端的孔中~录录在半录仩半浮式半录除录录录矩外~其外端录承受由路面录录录的反作用力所引起的全部力和力矩。半浮式半录录录录~所构受录荷大~只用於乘用录和录录量录小的商用录上全浮式半录的录特点是~半录外构与两个端的凸录用螺录录录相录~而录录又借用录录录子录承支撑茬录录录的半录壳来弯套管上。理录上录~半录只承受录矩~作用于录录录上的其他反力和矩全部又录承壳来壳与受~但由于录录形、录錄差速器半录录录不同心、半录法录平面相录其录录不垂直等因素~引起半录的会弯弯曲录形~由此引起的曲录力一般录到全浮式半录主要MPa用于录录量大的商用录上。根据以上部分录并合录目要求~录录半录形式录,录有凸录的全浮式半录半录录录录算校核录程与全浮式半录的录算录荷的录算其录算录荷可按录录附着力矩录算~即按下式录算MMmGr=,(式中,录录录的最大录荷~静。=NGGrr录录半~径=m录荷录移系~数。=mm附著系~取数录代入以上各~可个参数得。=NmM全浮式半录的杆部直的录算径全浮式半录的杆部直径录算公式如下dd=kM()式中,半录录算录矩~=NmMM直系~径数,~录里取。==kkk代入以上各~可个参数得dmmτ半录的录切录力扭Mτ=πd()式中,录半录录算录矩~~录半录杆部直~径~取~代入公=Nmdd=mmτπMM式可得。而半录录切录力扭宜录,~在此范录之~内=MPaMPaMPa所以录足强度要求θ半录的录角扭Ml:,θ=,,()GIπ::P式中,半录承受的最大矩扭~。=NmMM半录的录度~=mmll的材料嘚剪切录性模量~半录材料录~上录网得其录性模量录。CrGPaG半录面的录性矩~断极IπdPI=P代入各~可个参数得~而录角宜在,之录。θ=???半录婲录强度校核根据半录杆部直录取花录型录,径号,~考参《机械零ZD×d×b××P件录录手》册册~上~。半录在承受最大矩录其花录的扭剪切录力與两个录录录力的录算可按如下公式录算:στM×()τ=Dd:,BAZLbφ,,PM×::σ=DdDd:,:,BABA,ZLφ,,,,P::::式中,半录承受的最大录矩~MM=Nm半录花录录外~径。()=mmDDBB相配的花录内径孔~=mmddAA花录錄~在此数。=ZZ花录工作录度~=mmLLPP花录录录~。=mmbb录荷分匀数布的不均系~取φ代入各~可个参数得~。=MPa=MPaστ根据要求录录的录矩当最大录~半录花录的切录力不录超录~录录录力不录超录MPaστ~以上录算录果均录足要求。MPa半录的录录录及材料录取构录了使半录的花录不内径径將并当小于其杆部直~常常加工花录的端部做得粗些~适地减数小花录槽的深度~因此花录录必录相录地增加~通常取录录录半录至录录錄汽录半录。()()半录的破坏扭坏构尽径减形式多录录疲录破~因此在录录录上录量增大各录渡部分的录角半以小录力集中重型录半录的杆蔀录粗~外端突录也大~很当两无录大录造录录录可采用端均录花录录接的录~且取相同花录以录化工录。在录构参数广代汽录半录上~錄录录花录用得录~但也有采用矩形或梯形花录的半录多采用含录的中碳合金录制造~如~~~~~等。在此录取半录材料CrCrMnMoCrMnSiCrMoACrMnSiCrMnTi录Cr第章三錄模型的建立差速器的录录录录录基本上构构状灵采用二录系录~缺点是零件的录形不能活改录~同录~零部件之录的配录系通录装装达裝二录配录表使录录人录只能由二录录想象零部件的三录安定位情况装确装会~录录配中若录品的录录有录差而无法录行准的配录~录往往录致录品的重新录录~使录录周期延录、录录成本增加。录代差速器录录采用化录录~是一录使用参数参数构几快速造和修改何模型的慥型方法~大大录短了录录周期、降低了录录成本而基于化录录的录件一参数般都是三录建模录件。在机械行录之中~三录建模的录件囿很多~高端的有、~中端的有UGNXCATIA、等~低端的有、等在录次录录录录之中~需要建立的差速器ProESolidEdgCAXASolid零件模型有行星录录、半录录录、十字录、差速器、半录录录壳推力录片、行星录录球面录片~在此录用录件录行差速器的各零件的建模及配。个装ProE本文在差速器录录录构完成后~基于录件平台~先化技录引将参数入差速器零件ProE三录建模录录中~再将体虚装已建立三录录的各零部件录行录录配~其录点是一旦录录幹涉录象或存在尺寸录录~可录随装并修改相录零件尺寸~且零件和配件的相录部分自录修改~按比例自录重新生成~能录真状确反映零蔀件的录录形和相互位置录系~便于录修改录果录件录介ProE是一款录秀的录算机录助录录制造录件~以其与它学易易用、功能强大和互录互通的ProE特点~推录了录品录录机中构个它既人效率和录程效率的提高。能录省录录和成本~有能提高录品录量录版本建于构野火版的成熟技录之上~包括了多录增强功能和录多新增功ProE能~使系录的互录互通性能又上了一个新的台录。CAD公司率先在机械录子行录的录算机录助錄录系录中提出了化的念~成功的录录了参数概PTC以化录基录~以三录造型录录录模式的参数系录~改录了录录的录录录念~录录了整行录嘚录展个ProE参数清达几化的录录模式~不录能录楚的表录录录象的何尺寸~而且具有录录的物理意录。三录录造型可以使用体将概真来随鍺的录录念~以最录的模型在录算机上呈录出~录ProE录算出录品的面录、录、录心、重量、录性矩等性~解录录录品之录的体属决干涉~提高效率~降低成本~便于录录人录之录的交流它体避免了录录二录下的点、录、面录录的不足。三录录模式录录形象、逼真、直录~而②录录录需要用录录行空录想象是一基于特征的录建模工个体体具~以特征录录成模型的基本录元~录模型是通录ProE特征完成录录的~录模型是特征的加。例如~可以通录使用即体叠体拉伸特征生成零件主录~使用切除材料等特征形成最录零件是一化的系录~个参数参数幾状参数根据录建录录模型~何形的大小都由尺寸控ProE制~用录在录品录录录程中使用的所有尺寸参数与参数数随物理都在于录一的据中~鈳以录修改录些~可录录录录参数并体象录行录录的分析~录算出模型的录、录量和录性矩等。特征之录存在着相互依录的录系~使得某┅录特征的独会数学运修改~录录其他特征的改录用录录可以使用算方式建立各特征的位置。录其化的特点体参数录建的三录模型可鉯录生成随它双二录工程录~而且自录录注尺寸。录之录具有向录录的ProE特征~采用录一的据数管理不录在或录形上做尺寸修改~同录配、制造等相录录录装DD也自录会确确并确数与修改~可保录料的正性~避免反录修正的耗录性~保工程据的完整录录修改的高效。差速器录錄录构差速器录录录是其零部件三录建模的基录~必录录构参数合考录匹配录型、录力录成特性、汽录通录性参数条将构内如地隙,、平均蕗面件等录此~其录录录主要容和思路录述如下,一般需依据汽录录录录范~录录录录公式录表录行差速器录录包括行星录录、半录录录,基本参数包括各录录录、模、录力角、行星录录安尺寸等数数装几与,录录~再录行差速器录录何尺寸录算强度校核。由于行星录录在差速器工作中录常只起等臂推力杆的作用~录在左、右录录有录速差录行星录录和半录录录录才有相录录录~故录差速器录录可不考录其疲录壽弯即命~录录行曲强度校核可~强度校核中差速器录录录的材料可录录、和等CrMnTiCrMoTiCrMo差速器是在主速器录录录上~壳装减从确减从故在定主速器录录录尺寸录~录考录差速器的安。差速器的录装壳从壳体构参廓尺寸也受到录录录及主录录录录向录承支座的限制差速器的录数殼体壳体径内径径壳体内径主要有厚度、外部直、部直、录度及半录直等。差速器的部直主要由行星录录和半录录录的直定~差速器的外蔀直录有径决径壳体内径决厚度和部直定差速器壳与内壳体决沿录录录方向的录度半录录录、行星录录及半录录录部花录的录度有录。嘚厚度主要定因素是差速器强度~在录足强度和足录的安全系件壳体数条壳体尽减下~厚度录量小~以减录重量~录录成本同录差速器嘚录录半录的录有录~特录是半录的直录系壳体构参数与构参数与径最密切。如半录差速器录与数数径决壳接录的花录的录、模及直直接萣了差速器沿录录录方向的录度差速器各零件的三录录建模体差速器录录录构构参数完成后~就可以使用各零件的录在录件中录行其三錄录精体确ProE建模了。录于十字录、差速器左右,半、录片等零件~因录壳涉及的基本特征~操作ProE相录录录~录里录录出其三录建模录果~如錄和录所示其中十字录可利用拉伸和旋录特征生成~差速器壳利可用拉伸、旋录以及孔、筋、录列和倒角等特征生成。录十字录录差速器壳至于依据基本录构参数~如各录录录、模、录数数力角、行星录录安尺寸装等录行行星录录和半录录录的三录录建模体因涉及中高ProE录操作~录将主要思路录述如下,由于录录录廓是录录曲录录录录~可以通录来曲录录录中的曲录方程录合录录录录录~即个两采用“自方程錄立基准曲录”的方式~通录直接录入录录录方程录建一录槽录录录录~再利用录描混合特征,生成录录录录录~最后~通录录列特征,完成铨部录录录廓的blendpatterntool三录建模行星录录三录建模效果如录。半录录录的三录建模行星录录基本相同~其录程和与体具步录略~半录录录三录建模效果如录录行星录录录半录录录差速器三录装配模型的建立在录境中~ProE建立差速器各零件的三录录模型后~体可定录各零部件之录嘚配配装体合录系~录而建立差速器录成三录录模型。录件中~配录装多叉录,的录次录ProE系录了录录形成录品的配录体装达从属序~形象地表了录品、部件、零件之录的父子录系~其录次录表方法~可录足构达装划装仿真人机交互配录和配录程功能的要求根据差速器零件三錄模型录特点及其功能要求~可定各零部件录的配录构确装束录系。中提供了录录准配合录束录系~,即,匹配,或匹配偏距ProEmate,~,录录,或录录偏距,~,定向,~mateoffsetalignalignoffsetorient,入插,差速器配中主要用到装与两匹配录录录录将束录系。利用录元件添加到录insert件等操作可生成差速器录成配录~如录装在根據录录的配录系录差速器零件录行配录~装装录注意录行零件之录干涉分析和录录~以便及录录录录录并构参数更改零件录录录录录。利鼡中录录ProE分解分解录录命令~完成配录的装初步分解~录一步可生成差速器录成爆炸录录~如录录差速录成器配录装录差速器录成爆炸錄录录录以基于特征的化建模方法~可以建立汽录差速器各零件的三录录模型~而录参数体从差速器各零件的录配、控加工提供精的录字囮模型虚装数确数信息。将虚装构并决构录配技录引入差速器录录录中~有助于录录在录录录段及录解零部件干涉等录录录录录录~录短叻差速器录品的录周期~加研断响快了汽录录品录不录化的客录需求录行及录录的速度~降低了录录成本~提高了录录录量第章差速器┿字录加工工录录录零件的功用、录特点及技录要求构录录零件是机器中录常遇到的典型零件之一。主要用支承录录零部件~录录矩和承咜来扭受录荷录录零件是旋录零件~其录度大于直~一体径内般由同心录的外录柱面、录录面、孔和螺录及相录的端面所录成。根据录形的不同~录录零件可分录构状光录、录梯录、空心录和曲录等录的录比径小于的录短录~大于称的录录录录~大称数两多录介于者之錄。录用录承支承~录承配与称装它合的录段录录录录录是录的配基准~录的精度和表面录量一般要求录高~其技录要求一般根据录的主要功用和工作件制定~通常有以条几下录,尺寸精度起支承作用的录录录了定录的位确置~通常录其尺寸精度要求录高,。配录录装IT~IT件的录錄尺寸精度一般要求录低,IT~IT何形精度几状录录零件的何形精度主要是几状将指录录、外录面、莫氏录孔等的录度、录柱度等~一般录其公差限制在尺寸公差范录。录精度要求录高的外录表面~录在录录上录内内注其允录偏差相互位置精度录录零件的位置精度要求主要是由錄在机械中的位置和功用定的。通常录保录配录录决装件的录录录支承录录的同录度要求~否录影录录件会响并噪声录录等,的录录精度~錄生普通精度的录~其配合录段录支承录录的向径跳录一般录~高精度录如主录,通常录~mm。~mm表面粗糙度一般与径糙录录件相配合的录表面粗度录~录承相配与径合的支承录的表面粗Ra~μm糙度录Ra~μm录录零件的毛和材料坯录录零件的毛坯录录零件可根据使用要求、生录录型、录錄件及录~录用条构坯棒料、录件等毛形式。录于外录直径径相差不大的录~一般以棒料录主~而录于外录直相差大的录梯录或重要的录~常录用录件~录录录录材料既减又少机械加工的工作量~录可改善机械性能根据生录录模的不同~毛的录造方式有自由录和模录录。Φ坯两小批生录多采用自由录~大批大量生录录采用模录录录零件的材料录录零件录根据不同的工作件和使用要求录用不同的材料条并采用不同的录录理录范如录录、正火、淬火等,~以录得一定的强度、录性和耐磨性。录是录录零件的常用材料~它价格便宜录录录录或正吙,后~可得到录好的切削性能~而且能录得录高的强度和录性等录合机械性能~淬达火后表面硬度可~HRC等合金录录构淬适用于中等精度而錄速录高的录录零件~录录录录录录和火后~具有录好的Cr录合机械性能。录承录和录簧录~录录录和表面高录淬达火后~表面硬度可~并具GCrMn~HRC有录高的耐疲录性能和录好的耐磨性能~可制造录高精度的录精密机床的主录例如磨床砂录录、坐录录床主录,可录用氮氮化录。录录錄录录录和表面CrMoAIA化后~不录能录得很冲与碳淬高的表面硬度~而且能保持录录的芯部~因此耐录录性好渗火录比录~有录录理录形它很尛~硬度更高的特性。十字录的加工工录分析录零件录用材料录~能录得录高的强度和录性等录合机械性能十字录加工录程中不但要考錄前后工序之录的录系,录要在加工每一部位、每一尺寸录兼录之相录的尺寸要与素,好像把两个工件录合在一起加工一录。加工中的重点录放在形位公差的控制上,只有把录录要素控制好才能加工出合格的录品其零件录如录。录十字录零件录录零件录大批量生录~尺寸和形位狀置精度都有一定要求~录保障录量和提高生录率~因此录用多录多共位录用录录、录用卡具、高效率的半自录或自录通用机床和无心磨床等无心磨削方法是用外录面自身定位~不能录正形录差。录了提高定位基状准的精度~首先安排外录磨床磨削录录~而提高了从无心磨削的加工精度但是~录录又不能保录四个录录尺寸的一致性。所以接着安排双确砂录无心磨削~录后面工序准录精的定位基准~保录叻最录加工精度端面的位置精度要求比录录格~所以安排在录录录加工后~在到了录录尺寸精度一致的件达条下~定位精度高~端面的加工精度也就容易保录了。十字录的制造工录录程,毛坯采用模录~录丸录理,正火,录四个录录中心孔录式录床~型中心孔录~安装四次,CA,在四個录录上录录深的退刀槽录式录床~普通切录断刀~mmmmC安装四次,,中录录录~录削加工前先录录录录的两条垂直度方法如下以一录录上录条两:錄基径准录削录录后录录直尺寸径其互差控制在以内~由一次装录,,mm,录录的同录度可以保录两径装另径录一录录录工件回录录用百分表录量巳录削录,录录径并数数用录表录录录数录录差如果小于录明两条录录垂直,,mm,度合格数录录差大录录录录大数小及方向重新修中心孔保录录录兩条垂,,,直,粗录四个录录~留加工余量录式录床~硬录合金外录录刀~中心mmC孔定心~录录录定位基准~安装四次,,粗录四个录录~留加工余量~并倒角录式录床~硬录合金外录录mmC刀~中心孔定心~录录录定位基准~安装四次,,双砂录横向录录无心磨削四个录录~留加工余量无心外录磨床~被磨mm外录面录定位面~横磨法~安装两次,,在四个录录上录平台立式录床~立录刀~安装四次,XK,表面渗深碳度,~表面高录淬火~硬喥,在录录上录录,mmHRC,用无心磨床半精磨四个录录~留磨量同第步,mm,用无心磨床精磨四个录录至尺寸~达到表面粗糙度录同第步,,录录录四端个两双媔至尺寸工位端面机床~录用录具~端录刀~以录录录精基准,,最录录录~主要看加工好的录录与端面的垂直度是否完全在公差之内以及四錄录的同录度与垂直度。录录录式录录行星录录差速器~由于其称构具有录录录、工作平录、制造方便、录量录小、用于公路汽录上也可等录点~很靠广称扭故泛用于各录录录上录式录录行星录录差速器能把矩大致平均的分配录半录~允录录录有相录录录。此并称参数与佽录录的录式录录行星录录差速器录录录型、录算录录、强度校核及三录建模等多个录程~最录能录录足录目所要求录录的TY型录录汽录差速器的各个参数要求~如最高录速、最大爬坡度、最大录录量等等录式录录行星录录差速器~录录差速器录矩均分特性能录足汽录在称良好路面上正常行录。但当坏响当个另汽录在路上行录录~却录重影通录能力例如汽录的一录录录陷入泥录路面录~录然一录录录在良恏路面上~汽录却往往不能前录俗称打滑,。而防滑差速器就能很好的克服录个坏装缺点~录提高汽录在路上的通录能力~某些越野汽录及高录录录上置防滑差速器此外录有很条没多录差速器~不同的录型在不同的件下都有其各自的录缺点~有录录好的录型~有有录录不没即好的录型。但差速器今后的录展目录是唯一的~“更强的越野性和安全性”~然录也是其当最录目录我录只有充分了解各录差速器的使用特性及其录缺点~才能在不同录型及不同路面录境的件条当从寿下~使用最恰的差速器录型~而更好的改善汽录操录性能、提高汽录命等~只有录录~我录才能录录录录出使用性能更录、适录性能更好的新录录的差速器~也只有录录~汽录行录才能更好的录展~更快的赱向新的录煌,通录录次录录录录~录我录差速器有了全面的新的录录了解~也录我重新学录或者录得了更多的汽录方面的知录。外~在录件录用~文录录方面另献两很知录上~我也有了录大的提升我录得在录次录录录录期录~我最大的收录是录使用了学录件录行建立三录模型。ProEProE是一款录秀的录算机录助录录制造录件~以其与它学易易用、功能强大和互录互通的特点~推录了录品录录机中构个它既人效率和錄程效率的提高能录省录录和成本~有能提高录品录量。录版本建于构野火版的成熟技录之上~包括了多录增强功能和录多新增功能~使ProE系录的互录互通性能又上了一个个懂新的台录录于录录件~录录之初基本不。我是在有一CAD定的录用知录基录之上~通录借录自~以及學不懈的努力~录于录在掌握了一定得UGNX建模知录~录录款录件也算是有了个吧初录入录,ProEProE参献考文,录立录~毛录滇~唐自玉~录春录~录恒詠,防滑差速器有壳体限元分析,拖拉机录用录录与运~,,,录斌~高洪~胡录明,汽录差速器录录录、三录建模录配录究构与虚装研,汽录制造技录~吴勃生~王洋~录强等,无录录滑录录录式差速器,哈录录理工大录学学~,靳立强~宋录学~王录年,录球式限滑差速器录及工作原理构,汽录技录~录录祝~录云理~化吴勇,基于的录向滑录凸录式差速器仿真,机械录录与研ADAMS究~,,,录录~宋录学~王建录~王云成,基于的差速器直录录錄录录化建模有参数与CATIA 限元分析,机械录录~,,,侯运丰刘~雨,托森差速器的录录特性分析,机械录录~,,()刘哲录~曹泗秋,托森差速器录特征工作原理析构与浅,汽录究录录研与~,,录珂~国富~汪永超,汽录后录差速器录录录录录录化究构研,机械录录~,,李录录~王录录~李录录,录录录录差速器录化录录,录机化究研~,(录珂~殷富国~录武,基于知录融合的汽录后录差速器录录录录化构,四川大录学学~()胡录录~蔡咸健,差速器的錄录制作与,机器人技录录用与~)王望予,汽录录录,第四版,北京,机械工录出版社~,录家瑞,汽录,构册下,第二版,北京,机械工录出版社~,录勇~录~錄吴江宏,,中文版,北京,录大出清学版社~ProENGINEERWildfire原健录~文录~王文涛~蒋勇平,重型柴油录录汽录差速器的录录改录与,机械录录与制造~,,,录黎明~錄等,机黄册国械零件录录手,北京,防工录出版社~李益民,机械制造工录录录录明手册,北京,机械工录出版社~余志生,汽录理录,第五版,北京,机械笁录出版社~曾志新,机械制造技录基录,武录,武录理工大出学版社~,廖念录~录录录等,互录性技录录量,第与国五版,北京,中录量出版社~,录录強~录麟,工程制录制录及录算机录录,学国北京,防工录出版社~郭录,十字录加工工录分析及改录,重技录~,,:刘惟信,录录录,北京,人民交通出版社~刘青芬~李录民,差速器的故障分析,录山机械~,,,,,~HeislerHVehicleandenginetechnologyndedLondonSAEInternational,,HBayrakcekenFailureanalysisofanautomobiledifferentialpinionshaftEngineering~,,FailureAnalysis–~,, NanawareaGKPablebMJFailuresofrearaxleshaftsofDItractorsEngFailureAnal  ,()–~~,,LaiFeiDengZhaoxiangZhangJianTheVibrationandNoiseResearchofDriveAxle~ChongqingUniversityTechnologyPaper~,,MakevetERomanIFailureanalysisofafinaldrivetransmissioninoffroadvehiclesEng  ~,,FailureAnal–致录我录录录文,期录都是在录瑞亮老录全面、具体指錄下完成录行的我的录录录老录在录段录录录我录注了大量的心血~录录到录录录从从写体告~作提录~到一遍又一遍地指出每稿中的具录录~都录格把录~循循善录~在此我表示衷心感录。录老录渊学浅并博的录、敏录的思录、民主而录录的作录使我受益非~录生录忘没有录老录的辛勤栽培、孜孜教没录~就有我录文的录利完成。感录同录的录志录、录浩和于金波同~以及录录系的各位同~学学与他錄的交流使我受益录多同录~感录所有录录系的任录老录在录一年录我的来帮教会教会学教会指录和助~是他录了我录录知录~了我如哬录~了我如何做人。正是由于他录~我才能在各方面取得录著的录步~在此向他录表示我由衷的录意~并祝所有的老录培录出越越多来嘚录秀人才~桃李录天下,最后要感录我的家人以及我的朋友录录我的理解、支持、鼓励帮和助~正是因录有了他录~我所做的一切才更有意录~也正是因录有了他录~我才有了追求录步的勇气和信心由于录录的录促及自身录录水平的不足~整篇录文肯定存在尚未录录的缺點和录录。录录录录此篇录文的老录、同学~多予指正~不录感激

第四章 高频小旌旗灯号缩小器&#40;高频电子技巧&#41;…

简介:本文档为《第四章 高频小旌旗灯号缩小器&#40;高频电子技巧&#41;76630[新版]doc》可适鼡于综合领域

第四章高频小旌旗灯号缩小器(高频电子技巧)新版高频电子技术第四章高频小信号放大器概述低频放大器:工作频率较低但带宽較宽高频放大器:工作频率很高(中心频率在几百千赫至几百兆赫以上)但带宽很窄。故高频放大器一般都是采用选频网络组成谐振放大器或非諧振放大器()谐振放大器:采用谐振回路(串、并联或耦合回路)作负载的放大器。它又分为调谐放大器(高频放大器)和频带放大器(中频放大器)()非调谐放大器:由滤波器和阻容放大器组成的各种窄带、宽带放大器。高频小信号放大器的主要质量指标:()增益:放大器输出电压与输入电压之仳()通频带:放大器的电压增益下降到最大值的倍()时对应的频率范围:db带宽放大器的电压增益下降到最大值的倍()时对应的频率范围:db带宽()选择性:抑淛干扰的能力()工作稳定性:电路元件参数发生改变时放大器的稳定程度。()噪声系数:噪声系数,输入端信噪比输出端信噪比如放大器内部噪声接近于零则噪声系数接近于说明放大器本身引入的噪声很小晶体管高频小信号等效电路与参数晶体管高频小信号等效电路的两种形式:形式等效电路和物理模拟等效电路。形式等效电路:将晶体管等效为有源线性四端网络优点:分析电路方便具有普遍意义缺点:网络参数与频率囿关。物理模拟等效电路:用RLC元件表示晶体管内部的复杂关系即每一元件与晶体管内发生的某种物理过程有明显的关系用这种物理模拟的方法得到的物理等效电路就是混合π等效电路。优点:各个元件在很宽的频率范围内保持常数缺点:分析电路不够方便形式等效电路(网络参数等效电路)(P)一、双口网络压控型伏安关系VAR(y参数):IIVVN''都外接电压源。端口和端口端口电流的表示式:II,(电压源V单独作用在端口产生的电流)(电压源V单独作鼡在端口产生的电流)(只由网络N中所有独立源作用在端口产生的电流),,,,,,,III,yVyVIsc端口电流的表示式:II,yVyVIsc其中I,y为端口(输出)短路策动点(输入)导纳yiVV,,I,scIy,为端口(输入)短路反向转移导纳yrVV,,I,scIy,y为端口(输出)短路正向转移导纳fVV,,I,scIy,为端口(输入)短路策动点(输出)导纳yoVV,,I,scI,I为两端短路时端口的短路电流scV,,V,I,I为两端短路时端口的短路电流scV,,V,写荿矩阵形式:yyIIVsc,I,YVI即,,,,,,sc,,yyIIVsc一个双口网络可以用短路导纳矩阵Y和短路电流向量I来表征矩阵Y中的各元素称为y参数sc二、双口网络流控型伏安关系VAR(z参数):端口囷端口都外接电流源。写成矩阵形式:zzVVIoc即,V,ZIV,,,,,,oc,,zzVVIocV为端口开路策动点阻抗z,II,,V,ocV为端口开路反向转移阻抗z,II,,V,ocVz为端口开路正向转移阻抗,II,,V,ocVz为端口开路策动点阻抗,II,,V,ocV,V为兩端开路时端口的开路电压ocI,,I,V,V为两端开路时端口的开路电压ocI,,I,一个双口网络可以用开路阻抗矩阵Z和开路电压向量来表征矩阵Z中的各元素称为z参數Voc三、双口网络混合型伏安关系VAR(h参数):(混合I型:端口电流源端口电压源写成矩阵形式:hhVVIoc,,,,,,,,,hhIVIscV,h为端口短路策动点阻抗IV,,V,ocVh,为端口开路反向电压转移比VI,,V,ocIh,为端ロ短路正向电流转移比IV,,I,scIh,为端口开路策动点导纳VI,,I,scV,V为端口短路时端口的开路电压ocI,,V,I,I为端口开路时端口的短路电流scI,,V,矩阵H中的各元素称为h参数。(混合II型:端口电压源端口电流源四、晶体管y参数等效电路如果双口网络内部不含独立电源(如晶体管)则压控型VAR为yyyyIVVir,,,,,,,,,,,,yyyyIVVfoIyVyV,irIyVyV,fo得y参数等效电路:图(P)IIyVryVyVoiyVf此时短路导纳参數仅与晶体管的参数有关与外电路无关所以称为内参数如果晶体管接入外电路由于输入端和输出端接有外电路此时得出的y参数不仅与晶體管有关而且与外电路有关所以称为外参数。以晶体管共射电路(带外电路)为例:图(P)IIyVYreYioyyYVoeYVsieILsyVfe()IyVyV,iereIyVyV,()feoe()IYV,,Lyy,,refe,,I,y,V由以上公式消去可得IVie,,yyoeL,,因此输入导纳:yyIrefeY,,y,iieVyyoeL可见输入导纳与负载导納有关晶体管内部有反馈yyiL求输出导纳时应由以上公式消去求的关系此时应将电流源开路(电压源短IVIV路)有(理解:求伏安关系实际上是求电路本身的阻抗或导纳特性此时电路中的电压和电流为设定的虚拟量并不真实存在因此应去除电路中存在的的有固定值的电压、电流源的影响。求输出电阻两种方法:一、输出开路电压和短路电流实际上测电流时输出加负载二、将输入信号短路保留信号源内阻在输出加电压求此时的電流由电压和电流得到输出电阻)代入()可得IYVIyVyV,,,sierey,re代入IyVyV()可得,VV,feoeyyiesyy,,refe,,I,y,Voe,,yYies,,输出导纳:yyIrefeY,,y,ooeVyYies可见输出导纳与信号源导纳有关也反映了晶体管内部有反馈yyosIyVyV,由()和()消去可得电壓增益:IYVI,,feoeL,yVfeA,,与正向转移导纳有关导纳越大阻抗越小放大器增益越大。vVyYoeL混合π等效电路图(P)C,bc,bbcrr,,bbbcrrCce,,bebegV,mbee:基极电阻r,bb:基射极间电阻r,be:发射结电容C,be:集电结电阻r,bc:集电结电嫆C,bc:集射极间电阻rce:晶体管放大作用的等效电流发生器称为晶体管跨导ggV,mmbe混合π等效电路参数与形式等效电路y参数的转换C,bcIIbcII,bbcbcrr,,bbbcyVrecrrCyVyceVVoeVie,,bebeccbbgV,mbeyVfebe根据混合π等效电路可得I,(V,V),bbeber,bb,,bcbe(V,V),yVy(V,V)(即可以分成和两条支路电流的和),,,,,bebebebebcbecer,bbI,gVVy(V,V),,,cmbecebccebercer,be,jC,be其中y,,jC,gjC,,y,gj,C,,,,,,,bebebebebcbcbcr,ber,bejC,,be另整理得V,VV,Vbbecceyyy,,,bebcbc(消掉),,IVVV,bbcber(yy)r(yy),,,,,,bbbebcbbbebc,,gyyr(gy),,,,mbcbcbbmbc,(消掉)IVgyVV,,cbcebccber(yy)r(yy),,,,,,bbbebcbbbebc对照和并满足可得I,yVyVg,,yy,,yg,,gI,yVyV,,,,cfbocmbcbebccebcbibrc,yyygjC,,,,,bebcbebebey,y,,,iier(yy)ry(rg)j,Cr,,,,,,,,,bbbebcbbbebbbebebb,,y,y,(gjC),,,,bcbcbcbcy,y,,,rrer(yy)ry(rg)j,Cr,,,,,,,,,bbbebcbbbebbbebebbg,ygg,mbcmmy,y,,,ffer(yy)ry(rg)j,Cr,,,,,,,,,bbbebcbbbebbbebebbyr(g,y)yrg,,,,,bcbbmbcbcbbmy,y,gy,gy,,ooecebccebcr(yy)ry,,,,,bbbebcbbbe,gjC,,bcbc,,gjCrg,,cebcbbm(rg)j,Cr,,,,bbbebebb四个参数均为复数可以表示为y,gj,Cieieiey,gj,Coeoeoey,y,fefefey,y,rererea,rgb,,Cr令则,,,,bbbebebbagbCC,,,,bebebeg,C,ieieababaCgr,bgbCgr,,,,,,bcmbbbcmbbbcC,Cg,gag,,oecebcoebcababgbm,,,arctany,fefeaabCb,,,bc,,(arctan)y,,rereaab晶体管的高频参数(P)(截止频率f,共射电路的电流放大系数随工作频率的上升而下降当降低至低频值的时的,,,频率称为截止频率用表示。f,,,,,,绝对值,,f(ff)j,f,随着从直流逐渐增大分母逐漸增大逐渐减小当f,f时减小为的,f,,,(特征频率fT,频率增加使下降至时这时的频率称为特征频率用表示(单位增益带宽)。fT,,由得ff()T,f,f,,,,f特征频率T,,ff,,T,,f,,f由上式可得当時,,(ff)(ff),,fTf,f,,,上式可变为或Tf,f即特征频率等于工作频率和晶体管在该频率的的乘积(增益带宽积)T(最高振荡频率fmax晶体管的功率增益时的工作频率称为最高振荡频率。它表示晶体管所能适用的A,fpmax最高极限频率在此频率晶体管得不到功率放大(电荷储存效应PN结两端加正向电压即PN结正向偏置时电子甴N>P并在P区内形成一定的浓度分布并形成P>N的正向电流如果此时突然出现电压反转则P区内的电子在反向电压的作用下突然向N区流动(电子流向P>N)瞬間形成了较大的N>P的反向电流这种现象叫做电荷储存效应。电荷储存效应会引起放大器波形失真对高频性能产生负面影响单调谐回路谐振放大器单调谐回路谐振放大器原理性电路图:图(a)(P)LLC负YLVV载V输入Vi信VCC号LC构成并联回路作为集电极负载调谐于放大器的中心频率LC回路与集电极的联结采鼡抽头电路的形式(自耦变压器)LC回路与下级负载Y的联接采用变压器耦合的方式用来减弱本级输出导纳和下级晶体管输L入导纳Y对LC回路的影响L通過选择初级线圈抽头位置与初次级线圈的匝数比可以使负载导纳与晶体管的输出导纳相匹配以获得最大的功率增益。***********************************************************************************最大功率传递定理(电蕗分析上册第四章(P)):负载应与戴维南(诺顿)等效电阻相等uRRdp(,)uocoLoc功率使p最大则p,iR,()R,,LLdRRRRR()LoLoL解得R,RLo*正弦稳态最大功率传递定理(电路分析下册第十二章(P))负载阻抗与电源内阻抗互为公轭复数。VsI,(RR)j(XX)sLsLVsI,模(RR)(XX)sLsLVs,,pIRR功率LL()()RRXXsLsLX,,XR,R若要使P最小首先必须有再根据最大功率传递定理得LsLo*阻抗匹配:是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配得到朂大功率输出的一种工作状态()在纯电阻电路中当负载电阻等于激励源内阻时则输出功率为最大这种工作状态称为匹配否则称为失配。()当噭励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时为使负载得到最大功率负载阻抗与内阻必须满足共扼关系即电阻成份相等电抗成份绝对值相等而苻号相反这种匹配条件称为共扼匹配。*变压器两端的电压、电流、阻抗变换关系MLNk,,理想变压器:耦合系数R=R=LL和互感M无穷大,,nLNLL设变压器变比(次级线圈与初级线圈的匝数比)为n:则VI电压比电流比次级负载R变到初级变为R初级串联电阻R变到,n,LLnInV次级变为(匝数少的一边得到的输入电阻是减小的匝数多嘚一边则是增大的)nRL**********************************************************************************单调谐回路谐振放大器等效电路:图(b)(P)a晶体管负载YNLNINVoo,YggCCGoiLVpiVioCLoLyVfeib()图中仅画出集电极部分的等效电路(参考y参数与混合π模型):I,yV晶体管放大作用嘚等效电流源ofeiy,gj,C分别表示晶体管输出电导与输出电容oeooG,()代表并联谐振回路本身的损耗pRpY,gj,C()代表负载导纳(下一级晶体管的输入导纳)Lii电压增益由晶体管y参数等效电路(式p)可得放大器的电压增益,yVfeoA,,v,VyYioeL,YY其中是晶体管从输出端之间看出去的负载导纳(负载与LC谐振回路折算至两点LL,间的等效导纳)。由等效電路可知若把视为等效电源导纳则可视为两点之间yyYfeoeL的总等效导纳将等效电路图(b)的所有元件参数折算到LC回路两端:图(p),,YY,,g,GG,gLL,CCCCiVVppoi,ooo,,,,Y,pyY,pYooeLL(a)(b)NN令初级线圈抽头与初级線圈匝数比p,次级线圈与初级线圈匝数比,则有:pNN,,晶体管输出电导输出电容g,pgC,pCoooo,即晶体管输出导纳y,pyooe,,负载电导负载电容g,pgC,pCiiii,,,,,等效到LC回路两端的总电导G,Ggg总电容C,CCCppoi,oi,,從LC回路两端看的总等效导纳Y,p(yY)oeL,ypyVfefeoA,,,,则增益v,,VyYYioeL实际上从整体电路输入和负载Y来看的电压增益应为LNpVV()()oopyppyVpNpfefeiA,,,,,,,()()()v,,VVVpYYiii由于并联谐振曲线中电压与并联等效阻抗是正比例关系(与导纳反比例)而上式中的电压增益与LC并联等效阻抗也是一样故电压增益曲线与回路的谐振曲线形式相同。其中由图(b)可知,,,YGjC,(,)p,,L,,,电路谐振时()故谐振时的电压增益Y,G,,,,Cp,,LppyppyfefeA,,,,()v,,,GGggppoi根据最大功率传递定理应选取适当的和值使负载导纳与晶体管的输出导纳相匹配ppYL即需要满足负载阻抗与电源内阻抗互为公軛复数电抗由于谐振(晶体管输出电抗与负载电抗的和为零)已满足共轭关系。,Gp,,,,,,,电导且因此G,Gggg,Ggg,Gg,ipoipoppoi,Gp即LC回路本身的损耗很小故Gpg,Gpg,ipop,Gppg,Gpg,pg,ipoo则接入系数(匝数比),,ppyGGfeppp,p,A,,代入vgg,Goipppyyfefe匹配时的电压增益(A),,,,vmax,Gggpoi例(P)谐振时的功率增益Ap谐振时的简化等效电路:图(P)aGppgI,pyViofeipgobppg设为放大器的输入功率为输出端负载()获得的功率则oiip,Vg为晶体管输入端电压平方乘以晶体管输入电导iiipyVIfeiop,Vpg,()pg,()pg为ab两端电压平方乘以负载等效电导。oabiii,,GGpppyVfeipg()ippy,GpggfepoiiA,,,,A()()谐振时的功率增益:pv,pVgGggiiipii分别为本级放大器的输入电导和下一级晶体管输入电导ggii若两级采用相同的晶体管则故A,(A)g,gpviippyyfefe()如果忽略LC回路的损耗时电压增益G(A),,,,pvmax,GggpoiyfeA,(A),则最大功率增益pvmaxggoi()如果考虑损耗引入插入损耗K有Gp回路无损耗时的输出功率p,K,(越大(樾接近)越好故显然越小越好)pKp,回路有损耗时的输出功率pIIoop,()pg,()pg无损耗时ii,GpgpgpoiIIoo,p,()pg,()pg有损耗时ii,GpgpgGpoip再考虑品质因数:,QG无载Q值为即,pG,LQ,LpQ,有载Q值为L(pgpgG),LoippgpgG,,,(,)即oipQ,L,LQQLLpgpgG,oipQ,LLpgpgGpgpg将和带入到K中可得oipoi,,,,,,,pQLL,,,,K,,,Q,,,pL,,(,),,,,,,QQLQL,,用分贝(dB)表礻,,,,QL,,KdB(),lg,lg(,)Q,,QL,,,Q,,QL可见回路的损耗和无载品质因数有载品质因数有关:越小越小损耗越小。QQKLQyQfeL,A,AK,(,)考虑损耗之后最大功率增益:ppmaxmaxggQoiyQfeL,此时电压增益:A,(,)vmaxQggoi通频带与选择性一、通頻带由()和()得电压增益和谐振时电压增益之比ppyppyppyfefefeA,,,,A,,()()vv,,,,YGGggppoi,GApv,,,,,GZp,AYv,Z,,,其中Qf,,YL,,,GjCGj()(),,pp,Lf,,,,,,C(,),f,,,,,,,Q()C,,GQ(,),GQ,GQL,pLpLpL,,,GGL,,,,,LfppAAvv,,当()时得,,GZ,,pAAQ,fvvL()ff通频带:f,QL可见越大通频带越窄QLC,,,CfC,,,,Q,由可知G,,,,,fCLp,,GQf,fpLppyppyfefeA,,,,v,G,,fC,p上式说明:晶体管确定后当接入系数和不变时放夶器的谐振电压增益由回路总电容和通频带ppC,的乘积决定。回路总电容越大通频带越宽电压增益越小C,因此要想同时保证高增益和足够的带寬就需要选用较大的晶体管或减小回路总电容。yCfe,对于回路总电容:如果电路不外接电容回路电容由晶体管输出电容、下级晶体管输入电容、C,電感线圈分布电容、器件的封装电容等不稳定电容组成这些电容会随着晶体管工作状态的变,化(电压变化或更换晶体管)而变化从而影响谐振曲线的稳定性改变通频带(产,C,,L生变化)因此往往外接电容使较大减小不稳定电容的影响。C,对宽带放大器:可以尽量小对谐振曲线性能影响较微弱C,对窄带放大器:外接电容使尽量大些提高谐振曲线的稳定性C,二、选择性,fK,矩形系数定义(P):(电压增益下降到的频带宽度与通频带的比值)r,fAv当相对增益时得,,AQ,fvL()fffff,,,,,而QQLL,f故单调谐回路放大器的矩形系数:远大于所以频率选择性K,,,,r,f较差。级间耦合网络(方式)图(P)(a)(b)(d)为电感耦合(c)为电容耦合(a)(b)(c)都是将初级的高阻忼变为次级的低阻抗故适用于输出阻抗较高、下一级输入阻抗较低的情况方便与下一级阻抗进行匹配(d)并联串联式:当下一级采用共基极电路時由于输入阻抗太小用上述抽头的方式将导致次级线圈匝数过少难以实现因此在次级采用串联谐振的形式由于在串联谐振中谐振时的等效電阻很小因此可以与下一级的小输入电阻相匹配。多级单调谐回路谐振放大器当单级放大器的增益不能满足要求时就需要采用多级放大器设放大器有m级则总增益等于各级增益的乘积:A,A,A,?,Amvvvm如果各级放大器由完全相同的单级放大器组成则总增益:mA,Amv谐振曲线表达式:Am可见它等于各单级諧振曲线的乘积故级数越多谐振曲线越尖锐,mA,,mQ,fL,,(),,f,,选择性越好但通频带也越窄。图(P)通频带的计算应满足:,m,,Qf,L,,(),,f,,fmm故通频带(,f),,,,(,f)mQLm即多级调谐回路串联的通频带昰单级调谐回路通频带的(小于)倍显然级数越多,总通频带越小fmQ,,由上式可得单级调谐回路的品质因数即每一级的品质因数变为多级L(,f)mmm调谐回路品质因数的倍。称为带宽缩减因子,,ppyppyfefeA,,,,品质因数降低则每级回路通频带越宽由()可知通v,G,,fC,p谐振时放大倍数下降因此通频带变宽是以降低增益为代價的。频带变宽则m(,f),m多级调谐回路的矩形系数K,,rm(,f),m表(P)级数增加时矩形系数有所改善但随着级数增加矩形系数变化越来越缓慢双调谐回路谐振放夶器双调谐回路谐振放大器频带较宽选择性较好。图(P)a(集电极输出与负载的输入通过互感耦合的方式连接b(初次级均有抽头接入系数分别为p和pc(耦合线圈的两端初次级回路调谐于同一频率fd(初次级谐振回路本身的损耗都很小可以忽略e(两个回路元件参数相同为了计算方便将各参数都折匼到LC电路两端:电感初次级回路总电容折合到初次级的导纳L,L,LCpC,CpC,CoeieC,谐振频率初次级品质因数QQ,,,,,pg,pg,gLLoeiegLgLC,等效电路图(c)(P)VopgILLiegppCpCCCoeiepgoeI,pyVgfei**********************************************************************************由相关推导可知(P):VVoi,,VV令对等效电路初次级分别列電流方程得,,oipp,,,IpyVVpggjCV初级回路:,,,,()(())gfeiioeoj,Lj,M,,,VpggjCV次级回路:,,,(())oieij,Lj,M,,,,Q(,)引入广义失谐则上式变为,,,,,IVgjV初级回路:,(),gioj,M,,,VgjV次级回路:,(),oij,MC,令(伊塔)由以上两式可得,(电容则为),Mgg,,,jMgIjIjIggg,V,,,,,,o,,,,g(Mg)(j)g(j),,g(j),,jIg,,g,,,j,,Ig,V,故模og(,,,),VVoi,,将代入上式得VI,pyVV,,gfeoipp**********************************************************************************ppy,VfeoA,,,电压放大倍数:vVg(,,,),ippy,fe諧振时得,,A,,v(,)g可见双调谐回路谐振放大器的电压增益也与晶体管正向传输导纳y成正比与回路电导gfe成反比且与,相关根据,不同分为以下三种情况:图(P))弱耦合谐振曲线在()处出现峰值f,,,,o)临界耦合谐振曲线较平坦在f()处出现峰值(这种情况较常用),,,,o,,,,,)强耦合谐振曲线出现双峰峰点位置,,临界耦合时的通頻带:ppyfe,g,,,A,fv,,,,,Q(,),Q,令()得LLA,,ppyf,vfegff,,故临界耦合通频带:QLf由()知单调谐放大器通频带为可见临界耦合情况下双调谐回路放大器的通QL频带为单调谐放大器的倍。临界耦合时嘚矩形系数:Av,,,A,f,v()QLff得f,,,QL,f矩形系数:K,,r,f(单调谐放大器矩形系数为)可见双调谐回路放大器的矩形系数远比单调谐放大器小谐振曲线更接近于矩形m,,级双调谐放大器的矩形系数为K临界耦合时mrm,注:临界耦合的情况应用较多弱耦合时谐振曲线与单调谐放大器相近而强耦合时谐振曲线顶部出现凹陷回路調节麻烦仅用于特殊场合。谐振放大器的稳定性与稳定措施谐振放大器的稳定性根据y参数模型可得yyrefe放大器的输入导纳Y,y,,yYiieieFyyoeL为输出短路时晶体管夲身的输入导纳是通过的反馈引起的输入导纳它体现了负载yyYiereF的影响见图(P)放大器等效输入端回路yLYYsiygLCyiesF可写成其电导和电纳是频率的函数。YY,gjbFFFF电导蔀分的引入可以改变回路的有载品质因数电纳的引入可以引起回路失谐在某些频率上为负值使回路总电导减小品质因数增大通频带减小增益增加。gF当负值正好抵消回路原有电导时输入端回路总电导为零放大器处于自激振荡状态这种情况显然是不允许的自激振荡条件:yyYyyy()()refesieoeL,Yy即,,sieyyyyrefeoeLj,Yy,(gg),j(CC),(gg)(,j),(gg),esiesieiesiesiejL,ff(CC),ie,Q,Q,其Φ,()f,,,arctan,,ffgg,L(CC)sieiej,yy,(gG),e,,arctan,其中,oeLoeL,,,,,,,,,,若,jYyyygggGe()()()()(),sieoeLsieoeL,,则j(,,)fereyyyyereferefe要同时满足幅值和相位条件即gggG()()(),sieoeL幅值:,yyrefe相位:,,,,fere,,fere因此得相位条件:tan,,(gg)(gG)(),sieoeLS定义稳定系数,()yyrefe显然反向传输导纳越小S越大离自激条件越远。yreS,S,,S,~若放大器自噭当时放大器才能稳定工作一般要求稳定系数,在实际中即主要以电导形式存在即主,,y,yy,,j,C,,,fefefererere,,feretan要以电纳形式存在代入中得自激相位条件,,,,,(gg)(gG)()gg(),,sieoeLS,,代入()中得yyyyreferefeggS,,CyrefeS,,若使应选用C尽量小的晶体管同时回路的谐振电导和越大越好。ggreyyfefeA,,由()知放大器电压增益vgGgoeL可见放大器的稳定与增益的提高是相互矛盾的增大g提高稳萣系数必然降低增益yggfeg,g,S当g,g时将代入中得,A,CyvrefeyfeA,vS,CreS,取得yfeA,称为保持放大器稳定工作所允许的电压增益稳定电压增益。vS,Cre放大器的电压增益不允许超过如果超过太小将影响放大器的稳定性AgvS单向化由于晶体管中的反馈作用影响晶体管的稳定性如何设法消除的反馈作用变“双向元yyrere件”为“单向え件”这个过程叫单向化。中和法在晶体管的输出和输入之间引入一个附加的反馈抵消的反馈作用但是频率的函数yyrere晶体管的参数也具有离散性难以把握所以这种方法现已很少使用失配法通过使负载电导或信号源电导的数值加大使得输入或输出回路与晶体管失去匹配叫gGsL“失配法”。(信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配晶体管输出不与负载阻抗匹配)yyyyreferefe如如果取的很大则后一项趋向于零这样Y,y,Y,y,,yyiieiieieLyyyyoeLoeL就消除了的反馈作用yre夨配法的典型电路是“共发共基级联放大器”前一级为共射电路后一级为共基电路共射电路的输入阻抗高能保证较大的电压传输系数有利於提高信噪比而共基电路输入阻抗小(输入导纳大)输出阻抗大(输出导纳小)和共射电路连接后相当于共射电路的负载导纳很大因此晶体管内部嘚反馈影响可以相应减弱提高电路的稳定性。(共集电路为电压跟随电路),,y由式(~)(P)可以看到输入导纳y和正向传输导纳大致与单管情况相同fi,,y,,yyy反向传輸导纳远小于单管情况的反馈导纳()约为的三十分之一这yyfererererr,说明级联放大器的工作稳定性得到了大大提高输出导纳y是单管输出导纳的几分之一洇此o级联放大器的输出端可以直接和阻抗较高的调谐回路相匹配不需要抽头接入“共发共基级联放大器”已成为典型的低噪声电路。放夶器中的噪声内部噪声的来源与特点放大器内部噪声主要是由电路中的电阻、谐振回路和电子器件(晶体管、场效应管、集成块等)内部所具囿的带电微粒无规则运动所产生的这种无规则的运动具有起伏噪声的性质是一种随机过程因此不能用确定的时间函数来描述但可以用概率汾布特性来描述它的特性)起伏噪声的平均值Tv,limv(t)dtnn,,,TT为噪声起伏电压的瞬时值则为平均值也代表的直流分量。v(t)vv(t)nnn)起伏噪声的均方值一般更常用起伏噪声电压的均方值来表示起伏噪声电压是在其均值(直流分量)附近上下起伏的令瞬间起伏强度为v(t)vnn,v(t),v(t),vnnn则起伏噪声电压的均方值(方差)为TT,v(t),v(t),v,lim,v(t)dt,limv(t),vdt,vnnnnnnn,,,,,,TTTT如果把横軸上移去除直流分量(直流分量不表示噪声的起伏强度)则此时均方值表示为Tv,limv(t)dtnn,,,TTvv表示起伏噪声电压的均方值代表功率的大小。均方根值表示起伏噪声电压交流分量的nn有效值它与信号电压的比值称为信噪比电阻热噪声电阻中的带电微粒(自由电子)在一定温度下受到热激发后在导体内蔀作无规则运动相互之间发生碰撞产生一种持续时间很短的脉冲电流。许多电子随机运动产生的脉冲电流的组合在电阻内部形成了无规律嘚电流起伏电流流经电阻在电阻两端就产生了噪声电压和噪声功率天线热噪声天线本身热噪声很小但天线周围的介质微粒处于热运动状態这种热运动产生扰动的电磁波辐射这种扰动辐射被天线接收和辐射形成了天线热噪声。晶体管噪声r)热噪声:与电阻一样也由电子的不规则熱运动引起主要存在于基极电阻内,bb)散粒噪声:单位时间内流经PN结的载流子数目不同由此引起的噪声主要表现为发射极电流及集电极电流的起伏现象。)分配噪声:载流子在基区复合的数量时多时少从而引起集电极电流的变化由此引起的噪声)f噪声(闪烁噪声):主要在低频范围产生影響(噪声频谱与频率近似成反比)产生原因不明。

学位论文独创性声明 本人郑重声奣: 1、坚持以“求实、创新”的科学精神从事研究工作 2、本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究 成果。 3、本论文中除引文外所有实验、数据和有关材料均是真实的。 4、本论文中除引文和致谢的内容外不包含其他人或其它机构 已经发表或撰写过的研究成果。 5、其他同志对本研究所做的贡献均已在论文中作了声明并表示 了谢意 作者签名:1缉鎏乌 日 期:!QQ§生垒旦 学位论文使用授权声明 夲人完全了解南京师范大学有关保留、使用学位论文的规定,学 校有权保留学位论文并向国家主管部门或其指定机构送交论文的电 子版和紙质版;有权将学位论文用于非赢利目的的少量复制并允许论 文进入学校图书馆被查阅;有权将学位论文的内容编入有关数据库进 行检索;有权将学位论文的标题和摘要汇编出版保密的学位论文在 解密后适用本规定。 作者签名: 逝 日 期: 2QQ§至垒旦 南京师范大学硕士论文 摘偠 本文建立了一套能够适应于在泡囊水溶液中进行的磷脂酶A2催化水解蛋黄 卵磷脂的紫外在线检测方法该方法具有实验误差小、使用样品尐、操作简单等 优点。 在卵磷BB/十六烷基三甲基溴化胺((;TAB)/庚烷/水形成的泡囊水溶液中 通过在线检测产物与酚红的作用物在559nm处的吸光喥变化,研究了磷脂酶 3.1.1.4)催化水解蛋黄卵磷脂的行为研究结果表明:(1)磷脂酶 A2(PLA2,Ec A2催化活性受温度、底物浓度、酶浓度、表面活性剂浓喥、钙离子浓度等因素 的影响 氏常数J0和表观最大反应速率常数‰。 关键词:磷脂酶A2泡囊水溶液,卵磷脂水解 ————一 堕重堕蔓茎蘭塑主堡壅 ABSTRACT An for the method of A2 improved

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