在分压式稳定静态工作点分压共射放大电路路中,空载指的是

2.4.1 温度对静态工作点的影响

晶体管昰一个温度敏感器件当温度变化时,其特性参数(β、ICBO、VBE)的变化比较显著实验表明:温度每升高1℃,β约增大0.1%左右VBE 减小(2~2.5)mV,温度每升高10℃ICBO 约增加一倍。晶体管参数随温度的变化必然导致放大电路静态工作点发生漂移,这种漂移称为温漂

以基本放大电路為例,当温度t↑升高、VBE↓、其静态电流IB↑、β↑则IC↑↑; 可见无论是VBE的减小,还是β、ICBO的增大都使IC增大,从而使Q点向饱和区移动

静態工作点的移动,将影响放大电路的放大性能为此,必须设法稳定静态工作点稳定静态工作点的方法经常采用分压式偏置电路。

2.4.2 分压式偏置电路

分压式偏置电路如图2.4.1(a)所示其中:

Rb1和Rb2是基极偏置电阻。

C1是耦合电容将输入信号vi耦合到三极管的基极。

Rc是集电极负载电阻

Re是发射极电阻,Ce是Re的旁路电容它为交流信号提供通道,避免了Re对输入信号的衰减Ce的电容量一般为几十微法到几百微法。

C2是耦合电容将集电极的信号耦合到负载电阻RL上。

图2.4.1(b)是图2.4.1(a)电路的微变等效电路

2.稳定静态工作点原理

、的电流IR>>IB,因此可以认为基极电位VB只取决于分压电阻VB与三极管参数无关,不受温度影响

静态工作点的稳定是由VB和Re共同作用实现,稳定过程如下:

设温度升高→IC↑→IE↑→VBE↓→IB↓→IC↓

其中:IC↑→IE↑是由电流方程 IE = IB+IC得出IE↑→VBE↓是由电压方程VBE= VB-IERe得出,IB↓→IC↓是由 IC =βIB得出

由上述分析不难得出,Re越大稳定性樾好但事物总是具有两面性,Re太大其功率损

1.分压式偏置放大电路的直流通路当温度升高时,三极管的IC会增大从而使得( )趋势,导致IC减小稳定静态工作点。*

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