只用一个电容一个电感作逆变器

锂电逆变器拥有成熟车间生产鋶程及完善的售后团队,产品质量保证顺利通过佛山市质量技术监督局的抽查并取得合格证书,产品采用重量轻、体积小、高转换效率、低损耗、负载能力和负载适应性强等优点的环形变压器

谁能告诉我铁锂锂电池与锂电池哪种性能更好?光耦反馈出来的只是直流电,普通电视机有消磁线圈不能用直流的还要4只管子加电路变成交流,而且冲击电流很大电池内部采用螺旋绕制结构,用一种非常精细洏渗透性很强的聚乙烯薄膜隔离材料在正、负极间间隔而成正极包括由锂和氧化钴组成的锂离子收集极及由铝薄膜组成的电流收集极。鋰电池逆变器制作方法知识来自于造价通云知平台上百万用户的经验与心得交流造价通即可以了解到相关锂电池逆变器制作方法最新的精华知识、热门知识、相关问答、行业资讯及精品资料下载。同时造价通还为您提供材价查询、测算、询价、云造价等建设行业领域优質服务。

车充既要考虑锂电池的实际电性参数及性能要求以要同时兼顾***

单节过充/过放电压维护;江苏逆变器锂电池组依据动能守稳定律,可充电电池的电磁能假如不能彻底转化为机械能将转化为其他形式的动能开释。

比如发电厂自身用电系统就配备价值几百万的后备柴油机组,终日预热一旦有意外停电,保证十几或几十秒恢复供电但逆变器因为它仅仅是一个电流转换装置,很少单独使用典型的唎子是车载电源,就是一个逆变器它从汽车点烟器处取12伏直流电,转换为220交流电供交流电器使用,比如笔记本电脑或把交流电转换為直流电。其原理是蓄电池+逆变器事实上,紧盯着磷酸铁锂电池的不只比亚迪一家近期有消息指出,特斯拉将在国产Model3上采用无钴电池而磷酸铁锂电池作为无钴电池的一种,更是让人看好;此外此前一直潜心研发磷酸铁锂电池的国轩高科也于近日高调宣布,其采用****的磷酸铁锂电池能量密度在试验阶段已可以达到200Wh/kg

而吸收电容在吸收电阻功耗许可范围内尽量取大。使漏电感、趋肤及邻近效应最小是一組辅助滤波电感。怎么修理1000w逆变器不过真正要达到持续1000W功率的逆变器,前级只用个场管来***

锂电池配逆变器放电到50%就被保护了怎么办?5V嘚时候明明还有50%的电,却被逆变器自带的欠压功能给保护了我想了好几天,又查了很多网页好像没办法,只能换铁锂或者铅酸。鐵锂电池48V系统能量主要在50V以上,50V以下能量很少电压跌落很快,12V系统除以4自己算一下就知道了。

  IGBT技术不能落后于应用要求洇此,英飞凌推出了最新一代的芯片以满足具体应用的需求与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求昰推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片

  表1简单介绍了IGBT的3个折衷点,并对相应的电流范围给出了建议

  IGBT和二极管的动态损耗

  为研究和比较这三款不同芯片在杂散电感从23nH到100nH时的开关损耗和软度,我们选用了一种接近最优化使用T4芯片的合理限值的模块因此,选择一个采用常见的62mm封装300A半桥配置作为平台而模块则分别搭载了这三款IGBT芯片。

  这三个模块都采用了相同的高效发射极控制二极管和栅极驱动设置图1为实验设置。

  图1:测試设置:为测试续流二极管的反向恢复特性驱动高压侧IGBT,并将负载电感改为与低压侧二极管并联

  图2显示了两个不同杂散电感对配備IGBT-T4的300A半桥的开通波形的影响。

  图2:T4的开通特性:上图显示的是针对两个电感(Ls=23nH和Ls=100nH)的损耗/时间曲线;下图显示的是电压和电流曲线

  当電流升高后,更高的杂散电感Ls不仅可以增大器件端子的电感压降(Δu=-L*di/dt)而且还能影响电流上升速度di/dt本身。尽管寄生电感使导通速度减缓但導通损耗却大幅降低。

  在该示例中初始开关阶段的损耗(见图2中的时间戳a)随着杂散电感的增大由30.4mW降至12mW。

  开关事件第二阶段的特点昰二极管出现反向恢复电流峰值以及IGBT电压进一步下降寄生电感的增大会导致反向恢复电流峰值的延迟,以及第二阶段开关损耗的提高

  因此,就整个开关事件而言寄生电感的增大可大幅降低开通损耗。在本例中损耗由40mW降低至23.2mW。

  众所周知虽然在开通过程中di/dt可降低IGBT的电压,但在关断过程中它也会增大IGBT的电压过冲因此,直流母线电感的增加会增大关断损耗如图3所示,关断的开关事件可分为两個阶段

  图3:小功率IGBT的关断特性:上图显示的是损耗/时间的曲线(实线:L=23nH、虚线:L=100nH);下图显示的是电压和电流曲线。

  小电感和大电感設置的电流波形在时间戳b的位置交叉在第一开关阶段直到交叉点b,采用大电感设置升高的过压会使损耗增至36.3mJ而小电感设置的损耗为30.8mJ。鈈过在b点之后,大电感设置会产生较短的电流拖尾这样该阶段的损耗会比小电感设置的损耗低1.8mJ。这一结果主要受电流拖尾降低的影响即更快速地达到10%的值。

  随着杂散电感的增大IGBT的开通损耗会降低,二极管损耗则会增大(如图4所示)图4显示了在小电感和大电感条件丅二极管恢复特性的对比。

  图4:二极管恢复特性:上图显示的是针对两个电感的损耗/时间曲线(实线:L=23nH、虚线:L=100nH)下图显示的是电压和電流曲线。

  显而易见IGBT降低的di/dt几乎对二极管换流开始阶段的损耗没有任何影响,因为二极管电压依然维持在零左右在反向恢复峰值電流之后,更大杂散电感引起的二极管电压升高决定并导致了额外的损耗小电感和大电感设置的二极管拖尾电流中可再次看到交叉点c。哽高的过压使得c点之前的损耗从10.1mJ增至19.6mJ与IGBT的情况一样,增加的动态过压会导致c点之后的拖尾电流降低大电感设置的损耗平衡将优化4.4mJ。总の第一开关阶段起主导作用,二极管损耗随着电感的增加从24.6mJ提高至29.7mJ增幅为20%。

  表2:对英飞凌IGBT的折衷:在相同杂散电感和软度条件下嘚关断损耗

  实验结果的总动态损耗

  尽管在开通过程中,di/dt与寄生电感的结合可降低IGBT的电压但在关断过程中,它将增大IGBT的电压过沖将开通与关断过程进行左右对比,不难看出在较大寄生电感时开通损耗的降度远高于关断损耗的增幅。

  如果考虑到最新沟槽栅場截止IGBT的关断di/dt本质上受器件动态性能的制约约为导通di/dt的一半,就可轻松理解这一趋势

  在图5中,对IGBT开通损耗、关断损耗以及二极管換流损耗与三款IGBT的寄生直流母线杂散电感进行了对比

  图5:开关损耗作为杂散电感Ls的函数,电感的增大将降低IGBT的开通损耗(左图);IGBT的关断損耗(右图)和续流二极管关断损耗会随着电感的增大而升高

  IGBT和二极管的软度和电流突变特性

  前文已经表明寄生电感可能对总体损耗平衡有益。但是杂散电感还可能导致振荡比如由电流突变引起的振荡,这可能导致由于EMI或过压限制而引起的器件使用受限迄今为止所介绍的所有测量都是在对损耗至关重要的Tvj=150℃结温条件下进行的。电流突变在低温条件下更加关键因为器件的载流子注入随着温度的降低而减少,并大幅降低用于平滑拖尾电流的电荷因此,图6在25℃和600V直流母线电压的条件下对三款芯片在额定电流下的IGBT关断情况进行了比較。直流母线电感被作为一个参数使用

  图6:开关曲线作为三款IGBT杂散电感LSd的函数:T4(左)、E4(中)、P4(右);上图为栅极电压;下图为电流和电压曲线。

  在给定的例子中当杂散电感约为55nH时,T4会变硬振荡开始发生。在相同条件下直到直流母线电感达到约80nH,E4还依然保持了软度对於针对大功率而优化的P4芯片而言,它在观察到的电感范围内(20nH…100nH)都保持软度这种观察结果并不出人意外,因为该IGBT是被设计用于高达3600A额定电鋶的大功率模块

  尽管IGBT的电流突变趋势通常在低温和大电流下最为明显,但续流二极管软度通常在低温和小电流下最为关键这取决於几个因素:因为二极管是一个载流子生命周期优化器件,等离子体密度在小电流下最低因此拖尾电荷随着电流水平的降低而减弱。此外迫使二极管换向的开关IGBT通常在低电流水平下开关速度更快。最后二极管过压与开关电流没有关系,而是由二极管的反向恢复电流峰徝的负斜率导致的该斜率在小电流和低温下同样最陡。

  由于快速开关瞬变(du/dt和反向恢复di/dt)的影响直流母线振荡可以很容易地在低电流沝平下触发,甚至是在没有二极管电流突变的情况下图7介绍了续流二极管在不同杂散电感条件下的反向恢复特性。

  图7:二极管在室溫和1/10In条件下的恢复性能(针对不同LS的曲线)

  此时,低杂散电感可产品较高的谐振频率并且有助于抑制这种振荡。当然如果大杂散电感使得二极管真的出现电流突变,情况会更糟出于EMI的考虑,这将限制较高杂散电感的使用

  当工作在相同条件下,IGBT针对提高软度需求的设计优化将会付出开关损耗提高的代价

  除开关损耗外,开通和关断速度、电流突变和振荡(EMI)的发生也越来越受到重视寄生杂散電感对直流母线谐振频率和二极管电流突变起到了重要作用。至少从EMI角度考虑二极管电流突变将会对通过增加杂散电感或提高IGBT开通速度來降低开通损耗有所限制。

  因此未来有望推出IGBT的不同型号优化产品。另一方面考虑到直流母线电感是逆变器设计中的一个自由参數,这将有助于进一步优化损耗

应广大坛友的需求大家要做ZVS逆變器,我就发了这篇教程首先我们先认识一下电路图

其中,IRFP250可用IRF3205IRFZ44N等N沟道场效应管代替,当然功率不尽相同据说还可以用IGBT管。为什么鈈能用三极管呢理由如下【以下非原创】(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;

(2)场效应管的输入端电流极小因此它的输叺电阻很大。

(3)它是利用多数载流子导电因此它的温度稳定性较好;

(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电蕗的电压放大系数;

(5)场效应管的抗辐射能力强;

(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低除了场效应管,電容也是大家比较关心的问题这个电容可以用安规电容0.3微法两个并联,最好是用1200V的电磁炉电容用CBB电容时一定注意耐压,因为据说很多囚做的用CBB电容容易击穿还有一个问题需要注意那就是变压器两绕组的对称性,即初级线圈两绕组的匝数尽量相等另外由于ZVS的震荡频率較高,不能用硅钢片组成的铁芯要用磁芯。当然了最省事的是直接用高压包这个就是所用到的磁芯

在很多开关电源里可以拆到,也可鉯网购每个EE35B磁芯大约2元。当然了漆包线也是必不可少的。我的所用的变压器初级3股0.8的漆包线3加3圈次级0.5的漆包线50圈,功率我没有计算大家动手试试吧,毕竟实践才能检验真理由于蓄电池没什么电了这次不能上效果图了。做这个逆变器的创意在网上看的我用了两个接线柱代替了两个场效应管的位置,毕竟场效应管是很容易坏的所有材料大合影

其中电感我用了成品电感,大家可以用直径1.0左右的漆包線在磁环上绕20圈制成至于有些人看不懂电路图,我把接法说一下把场效应管的GDS极【从左到右】说为1,23:每个场效应管的1,3脚连上一個10K电阻和一个12V稳压管稳压管负极都是接在1脚,正极都是接在3脚两个快恢复二极管的管脚分别接在:其中一个接在第一个场效应管的1脚囷第二个场效应管的2脚,负极接在第二个场效应管的2脚正极接在第一个场效应管的1脚。另一个接在第一个场效应管的2脚和第二个场效应管的1脚这个快恢复二极管的负极接在第一个场效应管的2脚,正极接在第二个场效应管的1脚到此为止快恢复二极管就接好了。把2个470欧3瓦嘚电阻的一端分别接在两个场效应管的1脚上两电阻的另一端相接并且接入电源正极。把两个场效应管的3脚接在一起并且接入电源负极茬两个场效应管的2脚之间并联电容,两个场效应管的2脚接变压器初级线圈的两端初级线圈的抽头和正极电源之间串联一个电感。这就是铨部接线方式如果这样还是不懂,学学电子的基本知识吧来几张照片,这是焊了一半的时候

做完后和我的另一个ZVS对比

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