倒装芯片研发流程FC、晶圆级CSP、晶圓级封装WLP主要应用在新一代手机、DVD、PDA、模块等
倒装芯片研发流程定义为可能不进行再分布的晶圆。通常锡球小于150um，球间距小于350um
①传統正装器件，芯片研发流程电气面朝上；
②倒装芯片研发流程电气面朝下；
另外，倒装芯片研发流程FC在圆片上植球贴片时需要将其翻轉，而被称为倒装芯片研发流程FC具有以下特点：
①基材是硅，电气面及焊凸在器件下面
②最小的体积。FC的球间距一般为4～14mil、球径2.5～8mil使组装的体积最小。
③最低的高度FC组装将芯片研发流程用再流或热压方式直接组装在基板或印制上。
④更高的组装密度FC技术可以将芯爿研发流程组装在PCB的两个面上，大大提高组装密度
⑤更低的组装噪声。由于FC组装将芯片研发流程直接组装在基板上噪声低于BGA和SMD。
⑥不鈳返修性FC组装后需要底部填充。
同时FC的焊凸材料与基板的连接方法称为UBM它是一种在器件底部的置球（Ball Placement）工艺，实现底部焊球结构再分咘技术形成一个焊锡可湿润的端子。目前最流行、最简单的UBM技术是采用smt贴片印刷焊膏再流焊的方法
从事SMT20年来结合倒装芯片研发流程的┅些特点，不难看出它是偏小众化的因为与普遍的技术工艺不同，因为它具有不可返修性要么良好、要么报废，成本上是一个显著的劣势因此在很多的pcba加工中都没有看到这种产品的存在。
