以( )导电为主要导电方式的半导体能不能导电称为N型半导体能不能导电

因为2113半导体中有两种5261载流子即價带中的空穴和4102导带中的电子,以电子导1653电为主的半导体称之为N型半导体与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体 参与导電的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供空穴由热激发形成。掺入的杂质越多多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子这就形成了半导体中导带電子浓度的增加,该类杂质原子称为施主

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体,如ZnO、Ta2O5等其化学配比往往呈现缺氧,这些氧空位能表现出施主的作用因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体真空加热,能进一步加强缺氧的程度这表现为更强的电子导电性。

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