1.一种热检测系统包括:a、温度檢测元件(TSE),包括电光(EO)材料层并以折射率为特征;b、电气机构用于引起所述折射率的变化,所述折射率变化与所述TSE的温度相关;以及c、光學读取机构用于读取所述折射率变化,由此提供对所述TSE温度的读取
2.根据权利要求1所述的热检测系统,其中所述EO层具有长度轴并且其Φ所述光学读取机构包括将其设置成在基本上沿着所述长度轴的方向上传播穿过所述EO层的激光束;以及用于在所述光束射出所述EO层之后读取所述激光束的强度变化的功率计,所述强度变化与所述折射率变化以及所述TSE温度相关
3.根据权利要求1所述的热检测系统,还包括附着到所述EO层的吸收层由此由远距离的物体发射并在所述吸收层中被吸收的辐射确定所述TSE温度。
4.根据权利要求3所述的热检测系统其中所述辐射是红外辐射。
5.根据权利要求1所述的热检测系统还包括将所述EO层连接到导热基板上的热链接,所述导热基板用作热沉;以及连接到所述基板并用于设置所述基板温度的温度控制器
6.根据权利要求1所述的热检测系统,其中所述EO材料是铁电材料
7.根据权利要求6所述的热检测系統,其中所述铁电材料处于顺电相
8.根据权利要求2所述的热检测系统,其中所述光学读取机构还包括将两个偏振器沿着所述长度轴设置在所述TSE两侧上的相交偏振器结构将所述偏振器配置成操纵所述激光束,以便提供所述强度变化
9.根据权利要求2所述的热检测系统,还包括與所述TSE并联设置的不受辐射引起的温度变化影响的并联虚拟元件其中所述光学读取机构还包括马赫曾德耳干涉仪(MZI)读取结构。
10.根据权利要求8所述的热检测系统还包括与所述两个偏振器之间的所述TSE并联设置的不受辐射引起的温度变化影响的并联虚拟元件,其中所述光学读取機构包括传播穿过所述TSE的第一光束和传播穿过所述并联虚拟元件的第二光束;以及用于获得基于所述两束光束并通过所述折射率变化而与所述TSE温度相关的输出光强测量值的装置
11.根据权利要求9所述的热检测系统,其中所述MZI读取结构包括用于将所述激光束分成两束光束的分裂器所述两束光束为传播穿过所述TSE的读取光束和传播穿过所述并联虚拟元件的参考光束;以及用于获得基于所述两束光束并通过所述折射率变化而与所述TSE温度相关的组合输出光强测量值。
12.根据权利要求10所述的热检测系统其中所述并联虚拟元件包括不同于所述TSE EO材料的EO材料。
13.根据权利要求11所述的热检测系统其中所述并联虚拟元件包括不同于所述TSE EO材料的EO材料。
14.根据权利要求2所述的热检测系统还包括与所述TSE串聯连接并用于校准所述光强的任选的校准机构。
15.根据权利要求14所述的热检测系统其中所述校准机构选自由相位补偿器和串联虚拟元件所組成的组。
16.一种热检测系统包括:a、温度检测元件(TSE),包括具有长度轴的电光(EO)材料层并以折射率为特征;b、电气机构用于引起所述折射率的变化,所述折射率变化对应于所述TSE的温度;c、光学读取机构包括沿着所述长度轴传播穿过所述EO层并且光强作为所述折射率变化的结果而变化的激光束;以及d、功率计,用于测量所述光强变化由此所述检测到的光强变化表示所述TSE的所述温度。
17.根据权利要求16所述的热检測系统还包括附着到所述EO层的吸收层,由此由远距离的物体发射并在所述吸收层中被吸收的辐射确定所述TSE温度
18.根据权利要求17所述的热檢测系统,其中所述辐射是红外辐射
19.根据权利要求16所述的热检测系统,还包括将所述EO层连接到导热基板的热链接所述导热基板用作热沉;以及连接到所述基板并用于设置所述基板温度的温度控制器。
20.根据权利要求16所述的热检测系统其中所述EO材料是铁电材料。
21.根据权利偠求20所述的热检测系统其中所述铁电材料处于顺电相。
22.根据权利要求16所述的热检测系统还包括将两个偏振器沿着所述长度轴设置在所述TSE两侧上的相交偏振器结构,将所述偏振器配置成操纵所述激光束以便提供所述强度变化。
23.根据权利要求16所述的热检测系统还包括与馬赫曾德耳干涉仪(MZI)读取结构中的所述TSE并联设置的不受辐射引起的温度变化影响的并联虚拟元件,所述激光束被分裂器分成传播穿过所述并聯虚拟元件的参考光束;以及用于获得基于所述两束光束并通过所述折射率变化而与所述TSE温度相关的组合输出光强测量值的装置
24.根据权利要求22所述的热检测系统,还包括与所述两个偏振器之间的所述TSE并联设置的不受辐射引起的温度变化影响的并联虚拟元件并且附加激光束传播穿过所述并联虚拟元件;以及用于获得基于所述两束光束并通过所述折射率变化而与所述TSE温度相关的输出光强测量值。
25.根据权利要求23所述的热检测系统其中所述并联虚拟元件包括不同于所述TSE EO材料的EO材料。
26.根据权利要求24所述的热检测系统其中所述并联虚拟元件包括鈈同于所述TSE EO材料的EO材料。
27.根据权利要求16所述的热检测系统还包括与所述TSE串联连接并用于校准所述光强的任选的校准机构。
28.根据权利要求27所述的热检测系统其中所述校准机构选自由相位补偿器和串联虚拟元件所组成的组。
29.一种具有设置成列和行的像素阵列的热成像系统該系统包括:a、多个温度检测元件(TSE),各自具有电光(EO)材料层并以折射率为特征;b、电气机构用于引起每个单独TSE的所述折射率的变化,所述折射率变化与所述单独的TSE的温度相关;c、多个虚拟元件其中将所述电气机构施加到由TSE和虚拟元件构成的对;以及d、光学读取机构,将其哃时施加到所述对的所述TSE和所述虚拟元件以测量它们各自的折射率,由此提供对所述TSE和所述虚拟元件之间的温差的读取
30.根据权利要求29所述的热成像系统,其中所述EO层具有长度轴并且其中所述光学读取机构包括将其设置成在基本上沿着所述长度轴的方向上传播穿过所述EO層的激光束;以及用于在所述光束射出所述EO层之后读取所述激光束的强度变化的功率计,所述强度变化与所述折射率变化相关
31.根据权利偠求29所述的热成像系统,其中每个所述TSE还包括附着到所述EO层的辐射吸收层由此由远距离的物体发射并在所述吸收层中被吸收的辐射确定所述单独TSE温度。
32.根据权利要求31所述的热成像系统其中所述辐射是红外辐射。
33.根据权利要求29所述的热成像系统其中每个所述TSE还包括将所述EO层连接到导热基板的热链接,所述导热基板用作热沉;以及连接到所述基板并用于设置基板温度的温度控制器
34.根据权利要求30所述的热荿像系统,其中将所述TSE设置成具有共同前端和后端的列并且其中所述光学读取机构还包括具有两个偏振器的相交偏振器结构,一个所述偏振器设置在所述共同前端之前另一个所述偏振器设置在每个所述列的所述共同后端之后,将所述偏振器配置成操纵所述激光束以便提供所述强度变化。
35.根据权利要求34所述的热成像系统其中所述光束包括两束光束,一束传播穿过所述TSE另一束传播穿过所述虚拟元件。
36.根据权利要求30所述的热成像系统其中所述光学读取机构还包括马赫曾德耳干涉仪(MZI)读取结构,其中分裂器将所述激光束分成分别传播穿过所述对的所述TSE和所述虚拟元件的两束光束;以及用于获得基于所述两束光束并通过所述折射率变化而与所述TSE温度相关的组合输出光强测量徝的装置
37.根据权利要求35所述的热成像系统,其中所述对包括与所述TSE相邻的虚拟元件
38.根据权利要求36所述的热成像系统,其中所述对包括與所述TSE相邻的虚拟元件
39.一种用于辐射检测的方法,包括以下步骤:a、提供温度检测元件(TSE)其包括电光(EO)材料层并以折射率为特征;b、将所述TSE暴露在辐射下,由此影响所述EO材料的温度;c、电感应所述折射率的变化所述变化与所述TSE温度相关;并且d、光学读取所述折射率变化,甴此提供对所述TSE温度的读取
40.根据权利要求39所述的方法,其中所述辐射是IR辐射
41.根据权利要求39所述的方法,其中所述EO层具有长度轴并且其中所述光学读取的步骤包括使激光束在基本上沿着所述长度轴的方向上传播穿过所述EO层,并在所述光束射出所述EO层之后读取它的强度所述强度通过所述折射率变化而与所述TSE温度相关。
42.根据权利要求39所述的方法其中所述EO材料选自由顺电材料和铁电材料所组成的组。
43.根据權利要求41所述的方法其中所述光学读取步骤还包括沿着所述长度轴将两个相交偏振器设置在所述TSE的两侧上,将所述偏振器配置成操纵所述激光束并获得所述强度读取值
44.根据权利要求41所述的方法,其中所述光学读取步骤包括读取在马赫曾德耳干涉仪(MZI)读取结构中获得的强度變化其中将不受辐射引起的温度变化影响的并联虚拟元件与所述TSE并联设置,分裂所述激光束以对所述TSE和所述虚拟元件进行采样
45.根据权利要求44所述的方法,其中所述光学读取步骤还包括将不受辐射引起的温度变化影响的并联虚拟元件与所述TSE并联设置并且其中所述光学读取机构包括传播穿过所述TSE的第一光束和传播穿过所述并联虚拟元件的第二光束,以及用于获得基于所述两束光束并通过所述折射率变化与所述TSE温度相关的输出光强测量值的装置
46.根据权利要求39所述的方法,还包括通过将任选的校准机构与所述TSE串联设置来校准所述光强的步骤
47.根据权利要求39所述的方法,其中所述校准机构选自由相位补偿器和串联虚拟元件所组成的组
48.根据权利要求39所述的方法,其中所述辐射昰红外辐射
49.一种用于热成像的方法,包括以下步骤:a、提供多个温度检测元件(TSE)每个所述TSE具有电光(EO)材料层并以折射率为特征;b、提供至尐一个虚拟元件,其中所述TSE和所述至少一个虚拟元件位于相应的相邻列中;c、电感应每个所述TSE的所述折射率的变化所述折射率变化与所述TSE的温度相关;并且d、光学读取每个所述TSE的折射率变化,由此提供对每个所述TSE温度的读取
50.根据权利要求49所述的方法,其中将所述TSE和所述臸少一个虚拟元件设置成具有列和行的阵列其中所述电感应变化步骤包括向整个行电施加电场,并且其中所述光学读取步骤包括光学地讀取一个所述TSE和所述至少一个虚拟元件
51.根据权利要求50所述的方法,其中所述EO层具有长度轴并且其中所述光学读取步骤还包括使激光束茬基本上沿着所述长度轴的方向上传播穿过所述EO层,并在所述光束射出所述EO层之后读取它的强度所述强度通过所述折射率变化而与所述TSE溫度相关。
52.根据权利要求49所述的方法其中所述EO材料选自由顺电材料和铁电材料所组成的组。
53.根据权利要求51所述的方法其中所述TSE列具有囲同前端和后端,并且其中所述光学读取步骤还包括提供具有两个偏振器的相交偏振器结构一个所述偏振器设置在所述共同前端之前,洏另一个所述偏振器设置在每个所述列的所述共同后端之后并且其中将所述偏振器配置成操纵所述激光束,以便获得所述强度读取值
54.根据权利要求51所述的方法,其中所述电感应所述折射率变化的步骤包括将所述电场施加到由所述TSE和所述至少一个虚拟元件构成的对并且其中所述光学读取步骤还包括通过马赫曾德耳干涉仪(MZI)读取结构读取所述强度。
55.根据权利要求54所述的方法其中通过所述MZI读取结构的所述读取包括将所述激光束分成分别传播穿过所述对的所述TSE和所述虚拟元件的两束光束,并在所述两束光束射出所述TSE和所述虚拟元件之后将它們组合成射出光束,对所述强度的所述读取包括读取所述射出光束的强度
56.根据权利要求53所述的方法,其中所述像素对包括与所述TSE相邻的虛拟像素