华大教育半导体与复旦大学共建上海碳化硅功率器件工程技术研究中心是什么性质和级

太阳级晶硅中复合中心浓度和陷阱中心浓度的测量

马忠权,李凤,赵磊,于征汕,吕鹏,孟夏杰

专利内容由知识产权出版社提供

本发明涉及一种测量太阳级晶硅中复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法属于光伏半导体

材料性质参数测量方法领域。本发明的测量方法是利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪间接测量硅片

嘚复合中心浓度和陷阱中心浓度本发明的方法是:将硅片进行表面钝化,利用瞬态微波光电导少子

寿命测试仪测量硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号的时间变化特性由于少子寿命是辐射复

合、俄歇复合和间接复合共同作用的结果,当激发光为高注入时利用已知的注入水平和相关复合参

数,建立少子寿命与复合中心浓度的关系由此得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时

间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。

结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式利用MATLAB软件进行数值拟合可以得到陷

上海上大专利事务所(普通合伙)

罗桂萍;杨锦宜;翟传礼;;[J];特种橡胶制品;1980年06期
本刊编辑部供稿;[J];橡胶工业;2003年10期
路剑锋,张一心;[J];现代纺织技术;2003年04期
王丹萍;陈朝晖;王迪珍;;[J];特种橡胶制品;2006年05期

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