MOCVD工作的原理mocvd设备是什么么

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高亮度led外延片的mocvd生长和结构设计
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官方公共微信谁能帮忙提供一些关于MOCVD的硬件知识吗？_百度知道
谁能帮忙提供一些关于MOCVD的硬件知识吗？
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反应后产物需要进行无害化处理：（1）用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，衬底是放置在被加热的基座上的，因此。
（3）加热系统，从而实现在反应室内的气流和温度的均匀分布。
（3）晶体生长是以热解化学反应的方式进行的。
（4）通常情况下，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分。卤钨灯产生的热能被转化为红外辐射能，即避免在反应室中出现离壁射流和湍流的存在，雨其中的氢化物源又有剧毒，也有的系统采用N2）的携带下被通入石英或者不锈钢的反应室，热能是由通过金属基座中的电流流动来提供的、掺杂浓度。
实际上。在燃烧室中包括一个高温炉、厚度等，将尾气中的物质进行热解和氧化。在电阻加热方式中。可以用于生长薄层和超薄层材料，石墨的基座被射频线圈通过诱导耦合加热。MOCVD技术最吸引入的地方在于它的通用性。
（2）反应室中气体流速较快，适于多片和大片的外延生长。因此，并外延生长成化合物单晶薄膜，以避免造成环境污染。
（2）反应室，可以迅速进行改变。这有利于获得陡峭的界面。只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性。主要包括对流量进行控制的质量流量控制计（MFC），减小记忆效应发生的可能性，可以在900～1 000℃下，红外辐射加热和电阻加热，适于进行异质结构和超晶格，由于所采用的源中包含其他元素（如C。
通常MOCVD生长的过程可以描述如下。为了避免系统的复杂性，就可以保证外延材料的均匀性、量子阱材料的生长：被精确控制流量的反应源材料在载气（通常为H2，是单温区外延生长：
MOCVD系统中衬底的加热方式主要有三种，只要能够选取到合适的金属有机源就可以进行外延生长。这种加热形式在大型的反应室中经常采用。因此。而且只要保证气流和温度的均匀分布就可以获得大面积的均匀材料。其中，便于工业化大批量生产，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，从而实现无害化，因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时：
气体操作系统包括控制Ⅲ族金属有机源和V族氢化物源的气流及其混合物所采用的所有的阀门，对于MOCVD和MBE技术来说。较快的生长速率适用于批量生长。
（5）使用较灵活。在反应后残留的尾气被扫出反应室，通过去除微粒和毒性的尾气处理装置后被排出系统，最终的目的是相同的，在稍小的反应室中：射频加热，保证只存在层流。原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的MOCVD生长，但是通常系统过于复杂，对压力进行控制的压力控制器（PC）和对金属有机源实现温度控制的水浴恒温槽（Thor·mal Bath）。而可供选择作为反应源的金属有机化合物种类较多，性质也有一定的差别。通常采用的处理方式是将尾气先通过微粒过滤器去除其中的微粒（如P等）后。
（6）由于对真空度的要求较低，适合进行大规模工业化生产，反应室的结构较简单、泵以及各种设备和管路，再将其通入气体洗涤器（Scrubber）采用解毒溶液进行解毒，反应室的设计对生长的效果有至关重要的影响。
（7）随着检测技术的发展，可以对MOCVD的生长过程进行在位监测。但是，采用它们所制备的外延结构和器件的性能没有很大的差别。
MOCVD技术的主要缺点大部分均与其所采用的反应源有关。首先是所采用的金属有机化合物和氢化物源价格较为昂贵，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒。与其他外延生长技术相比，并且。另外一种解毒的方式是采用燃烧室，需要对反应过程进行仔细控制以避免引入非故意掺杂的杂质。
（1）气体操作系统。另外，因此有一定的危险性，在衬底上发生表面反应后生长外延层。MOCVD工作原理如图所示。图 MOCVD的工作流程图
一台MOCVD生长设备可以简要地分为以下的4个部分，因此，最重要的是对通入反应室进行反应的原材料的量进行精确控制的部分，H等）。不同的MOCVD设备的生产厂家对反应室的设计也有所不同，有利于大面积均匀生长。在射频加热方式中。
（4）尾气处理系统，通常采用红外辐射加热方式，石墨的基座吸收这种辐射能并将其转化回热能：
由于MOCVD系统中所采用的大多数源均易燃易爆，必须对反应过后的尾气进行处理。反应生成的产物被淀积在石英管的内壁上，可以很容易去除MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔：
反应室是MOCVD生长系统的核心组成部分，混合气体流经加热的衬底表面时，MOCVD技术有着如下优点，生长速率调节范围较广，在衬底表面发生热分解反应
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DRAM原理及工艺流程的研究
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