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UP05C8PG0L 复合管 结型场效应管 N沟道+三极管 NPN SOT-563
导电方式：耗尽型种类：结型JFET沟道类型：N沟道品牌：Panasonic材料：N-FET硅N沟道型号：UP05C8PG0L封装外形：SMDSO/表面封装品牌/型号：Panasonic/UP05C8PG0L
UP05C8PG0L 复合管 结型场效应管 N沟道+三极管 NPN SOT-563型号UP05C8PG0L丝印/打字/标记/代码/印记4XMarking Code4X厂家Panasonic一级分类场效应管FET二级分类复合场效应管三级分类FET+BJTFET类型JFET N-Channel最大源漏极电压Vds40V最大栅源极电压-40V最大漏极电流Id10mAIDSS(Vgs=0V)5mA~7mABJT类型NPN集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO30V集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO20V集电极连续输出电流IC50mA截止频率fT1300MHz直流电流增益hFE100~250丝印/打字/标记/代码/印记125mW/0.12W封装SOT-563/SSMini6-F1Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planar typeSilicon epitaxial planar type(CCD load device)FOR CCD output circuitsBasic Part Number:2SC3932G+CCD load device描述与应用NPN硅外延平面型硅外延平面型（CCD负载设备）CCD输出电路基本型号：2SC3932G+ CCD负载设备&&&&深圳市爱瑞凯电子科技有限公司创立于1997年，于2013年正式注册成立，是一家专业的电子元器件供应商。我们分销世界各大品牌 贴片二极管、三极管、场效应管、集成电路IC、晶振、滤波器、保险管、电感、可调电阻、可调电容、高压磁片、涤纶电容、热敏电阻、 压敏电阻、贴片电容、贴片电阻&&经销的产品主要来自日本，欧美，中国等国家和地区的知名品牌。&&&& 同时，我们也是一家专业的晶振供应厂商，注册有品牌&华半HUABAN&。公司拥有先进的生产设备、测试仪器和丰富经验的开发生 产技术队伍，产品系列有：晶体谐振器、晶体振荡器、VCXO压控晶体振荡器、TCXO/VCTCXO温补晶体振荡器、OCXO恒温晶体振荡器。产品 广泛应用于钟表、数码产品、车载数码、手机、对讲机、数码相机、MID平板电脑，光电技术等通讯设备及各种频率控制设备。&&&& 选择爱瑞凯，您将选择专业。爱瑞凯拥有一支专业的技术团队，能为您提供专业的技术支持，我们可根据您的参数要求提供合适的 选型方案；可提供同类型元器件替换方案；可根据元器件丝印、代码、标记、打字（Marking）反查（查询）型号，为您鉴定电路板上未 知元器件，将给您在反向研发的过程提供一臂之力。&&&& 爱瑞凯电子科技有限公司秉承&始终如一的为客户服务&宗旨，不断的进行创新与巩固，是爱瑞凯持续发展的不竭动力。联系人：叶先生电 话：8Q Q： 转 叶先生电子邮箱：@地 址：深圳市福田区深南中路3018号世纪汇广场都会轩室公司主页:www.`e助手产品详细信息模板
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EMF9 复合管 MOS管 N沟道+三极管 NPN 电源管理的详细描述：
复合管 MOS管 N沟道+三极管 NPN 电源管理
场效应管FET
复合场效应管
MOSFET N-Channel
最大源漏极电压Vds
最大栅源极电压
最大漏极电流Id
100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds(on)
5?@ VGS = 4V, ID =10mA
20ms@VDS=3V，Id=10mA
开启电压Vgs（th）/关断电压Vgs（off
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
集电极连续输出电流IC
500mA/0.5A
截止频率fT
直流电流增益hFE
丝印/打字/标记/代码/印记
300mW/0.3W
Description & Applications
Power management (dual transistors)
Application
Power management circuit
1) Power switching circuit in a single package.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
描述与应用
电源管理（双晶体管）
电源管理电路
1）电源开关电路在单个封装中。
2）安装成本和面积可减少一半。
&&&&深圳市爱瑞凯电子科技有限公司创立于1997年，于2013年正式注册成立，是一家专业的电子元器件供应商。我们分销世界各大品牌
贴片二极管、三极管、场效应管、集成电路IC、晶振、滤波器、保险管、电感、可调电阻、可调电容、高压磁片、涤纶电容、热敏电阻、
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材料:硅|封装材料:塑料封装|封装形式:塑料封装|极性:NPN型|结构:平面型|频率特性:高频|营销方式:现货|产品性质:热销
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材料:硅|封装材料:塑料封装|封装形式:塑料封装|极性:PNP型|结构:平面型|频率特性:高频|营销方式:现货|产品性质:热销
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封装材料:其它|极数:其它|控制方式:其它
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材料:GE-N-FET锗N沟道
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材料:硅(Si)|封装形式:SOT153|应用范围:振荡
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材料:硅(Si)|封装形式:TO-225|封装形式:TO-220|应用范围:达林顿
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材料:硅|封装材料:树脂封装|封装形式:直插型|极性:PNP型|结构:点接触型|频率特性:中频|应用范围:达林顿|营销方式:厂家直销
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有谁懂三极管的？ 100
电子高手请回答：三极管种类有哪些，工作原理和特性等要详细的答案。有谁知道的？拒绝刷分，否则删除答案扣分！
1．半导体三极管的结构（1）半导体三极管从结构上可分为NPN型和PNP型两大类，它们均由三个掺杂区和两个背靠背的PN结构成，但两类三极管的电压极性和电流方向相反。（2）三个电极：基极 b、集电极 c、和发射极 e。从后面工作原理的介绍中可以看到，发射极和集电极的命名是因为它们要分别发射与接收载流子。（3）内部结构特点：发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度；基区很薄，且掺杂浓度最低。（4）三个区作用：发射区发射载流子、基区传输和控制载流子、集电区收集载流子。
2．电流的分配和控制作用
内部条件：三极管的结构。外部条件：发射结正偏、集电结反偏。
对NPN型：Ｖc& ＶB&
Si管：ＶBE=0.7V
Ge管：ＶBE=0.2V
对PNP型：Ｖc& ＶB&
Si管：ＶBE=-0.7V
Ge管：ＶBE=-0.2V（2）内部载流子的传输过程（参阅难点重点）（3）电流分配关系　　在众多的载流子流中间，仅有发射区的多子通过发射结注入、基区扩散和复合以及集电区收集三个环节，转化为正向受控作用的载流子流Ic，其它载流子流只能分别产生两个结的电流，属于寄生电流。　　为了表示发射极电流转化为受控集电极电流Ic的能力，引入参数α，称为共基极电流传输系数。其定义为
α=Ｉc／ＩE
　　　　令β＝α／（１－α），称为共射极电流传输系数。
3．各极电流之间的关系
ＩE＝Ｉc＋ＩB
（1）共基接法
(ＩE对Ｉc 的 控制作用)
Ｉc＝αＩE +ＩCBO
ＩB＝（1-α）ＩE -ＩCBO
（2）共射接法
(ＩB对Ｉc 的 控制作用)
Ｉc＝βＩB +ＩCEO
ＩE＝（1+α）ＩB +ＩCEO
ＩCEO＝（1+β）ＩCBO
4．共射极电路的特性曲线(以NPN型管为例)（1）输入特性曲线 ＩB=f(ＶBE，ＶCE )　　输入特性曲线是指当ＶCE为某一常数时，ＩB和BE之间的关系。　　特点：ＶCE=0的输入特性曲线和二极管的正向伏安特性曲线类似；随着ＶCE增大，输入特性曲线右移；继续增大ＶCE，输入特性曲线右移很少。　　在工程上，常用ＶCE=1时的输入特性曲线近似代替ＶCE&1V时的输入特性曲线簇。（2）输出特性曲线　　输出特性曲线是指当ＩB为某一常数时，ＩC和ＶCE之间的关系，可分为三个区：
截止区：发射结反偏，集电结反偏，发射区不能发射载流子，ＩB≈0，ＩC≈0。　　放大区：发射结正偏，集电结反偏。其特点是：ＶBE≈0.7V(或0.2V)，ＩB&0，ＩC与ＩB成线性关系,几乎与
ＶCE无关。　　饱和区：发射结正偏，集电结正偏，随着集电结反偏电压的逐渐减小（并转化为正向偏压），集电结的空间电荷
区变窄，内电场减弱，集电结收集载流子的能量降低，ＩC不再随着ＩB作线性变化，出现发射极发射有
余，而集电极收集不足现象。其特点是：ＶCE很小，在估算小功率管时，对硅管可取0.3V（锗0.1V）。
对PNP型管，由于电压和电流极性相反，所以特性在第三象限。
4．主要参数　电流放大倍数，集电极最大允许电流ＩCM，集电极耗散功率PCM，反向击穿电压Ｖ（BR）CEO等
3.2共射极放电电路
1．放大的原理和本质（以共发射极放大电路为例）　　交流电压ｖi通过电容Ｃ1加到三极管的基极，从而使基极和发射极两端的电压发生了变化：
由ＶBE→ＶBE ＋ｖi，
　　由于PN结的正向特性很陡，因此ｖBE的微小变化就能引起ｉE发生很大的变化：
由ＩE→ＩE+ △ＩE，
　　由于三级管内电流分配是一定的，因此ｉB和ｉC作相同的变化，其中ＩC→ＩC +△ＩC。　　ｉC流过电阻Ｒc，则Ｒc上的电压也就发生变化：
由ＶRc→ＶRc +△ＶRc。
　　由于ｖCE=ＶCC-ｖRc，因此当电阻Ｒc上的电压随输入信号变化时，ｖCE也就随之变化，由ＶCE→ＶCE+△ＶCE，ｖCE中的变化部分经电容Ｃ2传送到输出端成为输出电压ｖo。如果电路参数选择合适，我们就能得到比△ｖi大得多的△ｖo。　　所以，放大作用实质上是放大器件的控制作用，是一种小变化控制大变化。
2．放大电路的特点　交直流共存和非线性失真
3．放大电路的组成原则
正确的外加电压极性、合适的直流基础、通畅的交流信号传输路径
4．放大电路的两种工作状态
（1）静态：输入为0，ＩB、ＩC、ＶCE都是直流量。
（2）动态：输入不为0，电路中电流和电压都是直流分量和交流分量的叠加。保证在直流基础上实现不失真放
5．放大电路的分析步骤
（1）先进行静态分析：用放大电路的直流通路。
直流通路：直流信号的通路。放大电路中各电容开路即可得到。
（2）在静态分析的基础上进行动态分析：用放大电路的交流通路。
交流通路：交流信号的通路。放大电路中各电容短接，直流电源交流短接即可得到
3.3图解分析法
1．静态分析
（1）先分析输入回路　　首先把电路分为线性和非线性两部分，然后分别列出它们的端特性方程。在线性部分，其端特性方程为
ＶBE＝ＶCC－ＩB*ＲB
将相应的负载线画在三极管的输入特性曲线上，其交点便是所求的（ＩBQ，ＶBQ）。（2）再分析输出回路　　用同样的方法，可得到输出回路的负载线方程（直流负载方程）为
ＶCE＝ＶCC－ＩC*ＲC
将相应的负载线（直流负载线，斜率为1/Rc）画在三极管的输出特性曲线上，找到与ＩB=ＩBQ相对应的输出特性曲线，其交点便是所求的（ＩCQ，ＶCEQ）。
2．动态分析（参阅难点重点）
　　交流负载线：是放大电路有信号时工作点的轨迹，反映交、直共存情况。其特点为过静态工作点Q、斜率为
1/（Rc//RL）。
3．放大电路的非线性失真及最大不失真输出电压（1）饱和失真：静态工作点偏高，管子工作进入饱和区（NPN管，输出波形削底；PNP管，输出波形削顶）　　（2）截止失真：静态工作点偏低，管子工作进入截止区（NPN管，输出波形削顶；PNP管，输出波形削底）
　　观看动画
（3）最大不失真输出电压Vom
　　如图 Vom1=VCE-VCES
且因为ICEO趋于0 ， Vom2=ＩCQ*（ＲC//ＲL）　　所以Vom为Vom1及Vom2中较小者，以保证输出波形不失真。
4．图解分析法的特点　　图解分析法的最大特点是可以直观、全面地了解放大电路的工作情况，并能帮助我们理解电路参数对工作点的影响，并能大致估算动态工作范围，另外还可帮助我们建立一些基本概念，如交直流共存、非线性失真等。
　　图解分析法实例（工作点移动对输出波形的影响）
3.4小信号模型分析法
指导思想：在一定条件下，把半导体三极管所构成的非线性电路转化为线性电路。
1．半导体三极管的小信号模型（1）三极管小信号模型的引出，是把三级管作为一个线性有源双口网络，列出输入和输出回路电压和电流的关系，然后利用取全微分或泰勒展开的方法得到Ｈ参数小信号模型。（2）关于小信号模型的讨论：　①小信号模型中的各参数，如ｒbe、β均为微变量，其值与静态工作点的位置有关，并非常数。　②受控电流源的大中、流向取决于ｉb　③小信号模型适用的对象是变化量，因此电路符号不允许出现反映直流量或瞬时总量的大下标符号。
2．用H参数小信号模型分析共射基本放大电路
（1）画出小信号等效电路
方法：先画出放大电路的交流通路（电容及电源交流短接），然后将三极管用小信号模型代替。（2）求电压放大倍数（3）求输入电阻（4）求输出电阻
　　以下给出了一共射基本放大电路的分析过程，观看动画。
3.5放大电路的工作点稳定问题
偏置电路：一是提供放大电路所需的合适的静态工作点；二是在环境温度、电源电压等外界因素变化时，保持静态工作点的稳定。
1．温度对放大电路静态工作点的影响
Ｔ↑→VBE↓、β↑、ＩCBO↑→ＩC↑
　　静态工作点变化，可能导致放大电路输出波形失真。
2．稳定静态工作点方法：在放大电路中引电流负反馈（常用射极偏置电路）、采用补偿法。
3．射极偏置电路　　稳定静态工作点的过程：（1）利用Ｒb1和Ｒb2组成的分压器以固定基极电位；（2）利用Ｒe产生的压降反馈到输入回路，改变ＶBE，从而改变ＩC。
3.6共射极电路、共集电极电路和共基极电路特点
1．共射极电路
共射极电路又称反相放大电路，其特点为电压增益大，输出电压与输入电压反相，低频性能差，适用于低频、和多级放大电路的中间级。
2．共集电极电路　　共集电极电路又称射极输出器、电压跟随器，其特点是：电压增益小于1而又近似等于1，输出电压与输入电压同相，输入电阻高，输出电阻低，常用于多级放大电路的输入级、输出级或缓冲级。
3．共基极电路　　电路特点：输出电压与输入电压同相，输入电阻底，输出电阻高，常用于高频或宽频带电路。
3.7放大电路的频率响应
1．频率响应的基本概念（1）频率响应：放大电路对不同频率的稳态响应。（2）频率失真：包括幅度失真和相位失真，均属于线性失真。
2．RC低通电路的频率响应（1）幅频响应：（2）相频响应：　　　　　　　　ψ=-argtg(ｆ／ｆH)
3．RC高通电路的频率响应　　RC高通电路与RC低通电路成对偶关系。
4．波特图　　为了能同时观察到低频和高频段幅频变化特性，在绘制幅频特性曲线时，通常横坐标和纵坐标均采用对数坐标形式，称之为波特图。
5．放大电路存在频率响应的原因　　放大电路存在容抗元件（例如外接的耦合电容、旁路电容和三极管的极间电容），使的放大电路对不同频率的输出不同。通常外接电容可以等效为RC高通电路，因而影响下限频率，而三极管的极间电容可以等效为RC低通电路，因而影响上限频率。
例1．半导体三极管为什么可以作为放大器件来使用，放大的原理是什么？试画出固定偏流式共发射极放大电路的电路图，并分析放大过程。
答：放大的原理是利用小信号对大信号的控制作用，利用ｖBE的微小变化可以导致ｉC的大变化。固定偏流式共发射极放大电路的放大过程，参阅“内容提要——第2页”。
例2．电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。
解：（1）当开关Ｋ置A，在输入回路ＩB．Ｒb+ＶBE=Vcc，可得ＩB=Vcc/Ｒb=0.3mA
　　假设工作在放大区，则ＩC=β．ＩB=24mA，ＶCE=Vcc-ＩC．Ｒe& 0.7V，故假设不成立，三级管工作在放大区。此时，ＶCE=ＶCES=0.3V，ＩC=Vcc/Ｒe=3mA（2）当开关Ｋ置B，同样的方法可判断三级管工作在放大区，ＩC=β．ＩB=1.92mA（3）当开关Ｋ置C，三级管工作在截止状态，ＩC=0
例3.某固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线如图所示，试求：（1）电源电压ＶCC、静态电流ＩB、ＩC和ＶCE。（2）电阻Rb、Rc的值。（3）输出电压的最大不失真幅度。（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅度是多少？
解： （1）直流负载线与横坐标的交点即ＶCC值,ＩB=20uA,Ｉc=1mA ＶCE=3V（2）因为是固定偏听偏流放大电路,电路如图所示Ｒb=ＶCC/ＩB=300KΩ Ｒc=(ＶCC-ＶCE)/ＩC=3KΩ（3）由交流负载线和输出特性的交点可知,在输入信号的正半周,输出电压ｖCE从3V到0.8V,变化范围为2.2V，在输入信号的负半周,输出电压ｖCE从3V到4.6V,变化范围为1.6V。综合考虑，输出电压的最大不失真幅度为1.6V。（4）同样的方法可判断输出基极电流的最大幅值是20μA.
例4.电路如图所示，已知三极管的β=100，VBE=-0.7V（1）试计算该电路的Q点；（2）画出简化的H参数小信号等效电路；（3）求该电路的电压增益AV，输入电阻Ri,输出电阻Ro。（4）若VO中的交流成分出现如图所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调节电路中的哪个元件，如何调整？
解：(1)ＩB=ＶCC/Ｒb=40μAＶCE=-(ＶCC-ＩC.ＲC)=-4V(2)步骤：先分别从三极管的三个极（b、e、c）出发，根据电容和电源交流短接，画出放大电路的交流通路；再将三极管用小信号模型替代；并将电路中电量用瞬时值或相量符号表示，即得到放大电路的小信号等效电路。
注意受控电流源的方向。（图略）(3)ｒbe=200+(1+β)26mA/ＩEQ =857ΩＡV=-β(ＲC//ＲL)/ｒbe=-155.6(4)因为ｖEB=-ｖi+ＶCb1=-ｖi+ＶEB从输出波形可以看出，输出波形对应ｖs正半周出现失真，也即对应ｖEB减小部分出现失真，即为截止失真。减小Ｒb，提高静态工作点，可消除此失真。说明：分析这类问题时，要抓住两点：（1）发生饱和失真或截止失真与发射结的电压有关（对于NPN型管子，为ｖBE；对于PNP型管子为ｖEB），发射结电压过大（正半周），发生饱和失真；过小（负半周），发生截止失真。（2）利用放大电路交、直流共存的特点，找出发射结电压与输入信号之间的关系。这里，要利用耦合电容两端的电压不变（因为为大电容，在输入信号变化的范围内，其两端的电压认为近似不变），如上题式子中的ＶCb1=ＶEB。
例5.电路如图所示为一两级直接耦合放大电路，已知两三极管的电流放大倍数均为β，输入电阻为ｒbe，电路参数如图，计算放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。解：本放大电路为一两级直接耦合放大电路，两极都是共集电极组态。计算其性能指标时，应注意级间的相互影响。
（1）求电压放大倍数 ＡV=ＶO/Ｖi
画出放大电路的小信号等效电路。
ＡV1=ＶO1/Ｖi=（1+β）（Re1//RL1）/[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）]
ＡV2=ＶO/ＶO1=（1+β）（Re2//RL）/[ｒbe+（1+β）（Re2//RL）]
ＡV=ＶO/Ｖi=ＡV1*ＡV2
其中：RL1为第一级放大电路的负载电阻，RL1=ｒbe+（1+β）（Re2//RL）
（2）输入电阻Ri
Ri=Ｖi/Ii=Rb1//[ｒbe+（1+β）（Re1//RL1）
（3）输出电阻Ro
Ro=Re2//[（ｒbe+Ro1）/（1+β）]
其中：Ro1为第一级放大电路的输出电阻，Ro1=Re1//[（ｒbe+（Rb1//Rs））/（1+β）]
1．半导体三极管内部载流子的传输过程
（1）发射区向基区注入电子
　　由于发射结外加正向电压，发射结的内电场被削弱，有利于该结两边半导体中多子的扩散。流过发射极的电流由两部分组成：一是发射区中的多子自由电子通过发射结注入到基区，成为集区中的非平衡少子而形成的电子电流ＩEN，二是基区中的多子空穴通过发射结注入到发射区，成为发射区的非平衡少子而形成的空穴电流ＩEP。由于基区中空穴的浓度远低于发射区中电子的浓度，因此，与电子电流相比，空穴的电流是很小的，即　　　　　　　　ＩE=ＩEN+ＩEP（而ＩEN&&ＩEP）
（2）非平衡载流子在基区内的扩散与复合
　　由发射区注入基区的电子，使基区内少子的浓度发生了变化，即靠近发射结的区域内少子浓度最高，以后逐渐降低，因而形成了一定的浓度梯度。于是，由发射区来的电子将在基区内源源不断地向集电结扩散。另一方面，由于基区很薄，且掺杂浓度很低，因而在扩散过程中，只有很少的一部分会与基区中的多子（空穴）相复合，大部分将到达集电结。
（3）集电区收集载流子
　　由于集电结外加反向电压，集电结的内电场被加强，有利于该结两边少子的漂移。流过集电极的电流ＩC，除了包括由基区中的热平衡少子电子通过集电结形成的电子电流ＩCN2和集电区中的热平衡少子空穴通过集电结形成的空穴电流ＩCP所组成的反向饱和电流ＩCBO以外，还包括由发射区注入到基区的非平衡少子自由电子在基区通过边扩散、边复合到达集电结边界，而后由集电结耗尽层内的电场将它们漂移到集电区所形成的正向电子传输电流ＩCN1，因此
　　　　ＩC=ＩCN1+ＩCN2+ＩCP=ＩCN1+ＩCBO式中ＩCBO＝ＩCN2+ＩCP
　　基极电流由以下几部分组成：通过发射结的空穴电流ＩEP，通过集电结的反向饱和电流ＩCBO以及ＩEN转化为ＩCN1过程中在基区的复合电流（ＩEN-ＩCN1），即
　　　　ＩB=ＩEP+（ＩEN-ＩCN1）-ＩCBO
大师可以再讲讲吗
的感言：谢谢
其他回答 (2)
三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，
　　可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇
　　电子三极管 Triode
这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！
　　电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
　　双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
　　J型场效应管
Junction gate FET（Field Effect Transistor）
　　金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor
Field Effect Transistor)英文全称
　　V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
　　注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别
　　J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和
双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
　　其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管
　　VMOS是在
MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
　　Ic=Ib+Ie
　　这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
　　β1=Ic/Ib
　　式中：β1--称为直流放大倍数，
　　集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
　　β= △Ic/△Ib
　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
　　三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
　　三极管放大时管子内部的工作原理
　　1、发射区向基区发射电子
　　电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
　　2、基区中电子的扩散与复合
　　电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
　　3、集电区收集电子
　　由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。　a.按材质分: 硅管、锗管
　　b.按结构分: NPN 、 PNP
　　c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
　　d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管
　　e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管
　　f.按结构工艺分：合金管、平面管
三极管的种类很多,有A——PNP型锗材料；B——NPN型锗材料；C——PNP型硅材料；D——NPN型硅材料。
基本的作用：放大作用.它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数 b。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流b 倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用.　　三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。U——光电管；K——开关管；X——低频小功率管；G——高频小功率管；D——低频大功率管；A——高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下，也可用此法判别管型。 　　① 基极的判别　　判别管极时应首先确认基极。对于NPN管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极。　　实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样)，又可确认管型。
　　② 集电极和发射极的判别　　确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反)，观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度，大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。
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